AI 中文总结
该研究基于22nm FD-SOI CMOS工艺，采用EDMOS器件设计超紧凑V波段差分毫米波功率放大器，实现18.1 dBm P1dB、21% PAE及2.6 W/mm²功率密度，为同类单向两级CMOS共源共栅PA中最高。
AI 中文摘要
本文介绍了一款采用22nm FD-SOI CMOS工艺（22FDX+）设计与实现的紧凑全差分两级毫米波共源共栅功率放大器（PA）。该PA采用22FDX+中新引入的漏极扩展型MOS（EDMOS）器件，结合精心设计的器件核心与变压器巴伦。在50 GHz频率下，该原型实现了18.8 dBm饱和输出功率（PSAT）、18.1 dBm 1dB压缩点输出功率（P1dB），以及P1dB处21%的功率附加效率（PAE）。据我们所知，该工作在单向两级CMOS共源共栅PA中实现了2.6 W/mm²的最高报道功率密度。
英文摘要
This paper presents a compact, fully differential, two-stage millimeter-wave (mm-wave) cascode power amplifier (PA) designed and implemented in a 22nm FD-SOI CMOS process (22FDX+). The PA employs the newly introduced extended-drain MOS (EDMOS) device in 22FDX+, together with a carefully engineered device core and transformer baluns. At 50 GHz, the prototype achieves 18.8 dBm saturated output power (PSAT), 18.1 dBm 1-dB compression output power P1dB, and 21% power-added efficiency (PAE) at P1dB. To the best of our knowledge, this work achieves the highest reported power density of 2.6 W/mm2 among single-way, two-stage CMOS cascode PAs.
