AI 中文总结
研究用于 ITk 条形升级的 HCCStar 专用集成电路中的单粒子效应，采用三重模块冗余技术，通过置于质子束测试保护效果，得出正常运行时 LP 数据丢失率及 HL-LHC 下每个 HCCStar 位每年校正位翻转次数的估计结果。
AI 中文摘要
三重模块冗余（TMR）技术已应用于 HCCStar 的设计中，以减少数字状态变化并确保可靠运行。通过将 HCCStar 芯片置于质子束中来测试保护效果。研究了不同质子能量下寄存器中的校正位翻转以及 LCB 和 LP 路径中的实际单粒子效应。估计正常运行期间，相对于 400 kHz 读出，LP 数据丢失率为\(O(10^{-10})\)，在 HL-LHC 中，每个 HCCStar 位每年将有\(O(10)\)次校正位翻转。
英文摘要
Triple Modular Redundancy (TMR) technology has been implemented in the design of the HCCStar to reduce digital state changes and ensure reliable operation. We tested the effectiveness of the protection by placing HCCStar chips in a proton beam. We studied corrected bit flips in registers and actual single event effects in the LCB and LP paths under different proton energies. Our estimate is that the LP data-loss fraction relative to the 400 kHz readout is $O(10^{-10})$ during normal operation and there will be $O(10)$ corrected bit flips per HCCStar bit per year at the HL-LHC.
