AI 中文总结
研究硅中G中心的自旋和光学性质，采用多组态自洽场结合DFT优化几何结构，通过基于量子化学的方法得出与G中心零声子线等的良好一致性，并计算其理论自旋退相干时间。
AI 中文摘要
理解缺陷性质对于包括量子计算在内的各种应用的正确使用至关重要。本文中，我们使用多组态自洽场（MCSCF）结合DFT优化几何结构来研究硅中G中心的自旋和光学性质。通过基于量子化学的方法，我们在G中心的零声子线和零场分裂张量分量方面显示出极佳的一致性。我们还使用团簇关联展开（CCE）方法计算了G中心的理论自旋退相干时间。
英文摘要
Understanding the properties of defects is imperative for proper use for variety of applications including quantum computing. In this paper, we use the multiconfigurational self consistent field (MCSCF) combined with DFT optimized geometry in order to investigate the spin and optical properties of G centers in Silicon. By utilizing quantum chemistry based methods, we show excellent agreement with the Zero Phonon Line and Zero Field Splitting Tensor components of the G center. We also calculate the theoretical spin decoherence time of the G centers using Cluster Correlation Expansion (CCE) methods.
Comments18 pages, 5 figures
