单层石墨烯中电子和空穴掺杂的理论极限：基于 DFT 计算
Theoretical limits of electron and hole doping in single layer graphene from DFT calculations
AI总结：
本研究通过 DFT 计算发现单层石墨烯存在显著的空穴-电子掺杂不对称性，在保持动力学稳定下可承受高达 1.9 电子/原子的掺杂，并基于 McMillan 公式揭示了电子掺杂区的超导临界温度与电子-声子耦合常数局部极大值的关联。
摘要：
密度泛函理论计算表明，单层石墨烯中存在显著的空穴-电子掺杂不对称性。结果表明，单层石墨烯在保持动力学[声子]稳定性的同时，可承受高达 0.1 个空穴或高达 1.9 个电子每原子的掺杂水平。基于 McMillan 公式对电子掺杂区域超导临界温度的估计显示，在掺杂水平函数中存在两个局部极大值，这与电子-声子耦合常数的局部极大值相关联。
英文摘要：
Density functional theory calculations suggest a pronounced hole electron doping asymmetry in a single layer graphene. It turns out that a single graphene sheet can sustain doping levels up to 0.1 holes or up to a remarkably large 1.9 electrons per atom while maintaining dynamical [phonon] stability. Estimates of the superconducting critical temperature in the electron doped regime based on McMillans formula reveal two local maxima in the function of doping level which correlate with the local maxima of the electron phonon coupling constant.
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