A model for continuous thermal Metal to Insulator Transition
我们提出了一个$d-$维相互作用淬火无序的Majorana费米子模型，它给出了从有限熵密度的热扩散金属相到零熵密度的绝缘体相的连续量子相变.该模型基于耦合Sachdev-Ye-Kitaev模型簇，因此具有受控的大- $N$极限。金属-绝缘体转变伴随着自发的时间反演对称性破缺。我们进行控制计算表明，扩散常数跳跃到零不连续的金属-绝缘体过渡，而时间反演对称性破缺序参量不断增加。
2017-03-22 cond-mat.str-el hep-th
Lectures on insulating and conducting quantum spin liquids
Department of Physics, Harvard University（哈佛大学物理系）；Center for Computational Quantum Physics, Flatiron Institute（Flatiron研究所计算量子物理中心）；The Abdus Salam International Centre for Theoretical Physics（阿卜杜斯·萨拉姆理论物理国际中心）
本文回顾了分数量子自旋液体掺杂形成的FL*态如何解决铜氧化物中赝能隙金属的Yamaji效应和d波超导体的各向异性准粒子速度这两个难题。
2026-07-02 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Insulator/metal phase transition and colossal magnetoresistance in holographic model
在大质量引力场下，我们构造了一个研究锰氧化物材料中绝缘体/金属相变和巨磁电阻效应的引力对偶。在重引力子极限下，在居里温度处出现一个明显的磁敏直流电阻率峰，此时发生绝缘体/金属相变，磁阻与场致磁化强度的平方成正比.我们发现在居里点以下金属相和绝缘相共存，并讨论了与电子相分离的关系。
2015-07-27 cond-mat.str-el gr-qc hep-th
Metal-insulator-metal transition in NdNiO3 films capped by CoFe2O4
金属-绝缘体转变的特征是从高电荷导电状态转变到另一种状态，在这种状态下，当降低温度时，电荷导电性被极大地抑制。在这里，我们展示了两个连续的过渡在NdNiO 3薄膜与CoFe 2 O 4盖帽，其中金属-绝缘体转变发生在85 K，其次是前所未有的绝缘体-金属转变低于40 K。新兴的绝缘体-金属过渡与弱反铁磁行为观察到在20个晶胞厚的NdNiO 3与超过5个晶胞CoFe 2 O 4盖帽。而CoFe 2 O 4覆盖层较薄的NdNiO 3薄膜仅在85 K出现金属-绝缘体转变，在40 K以下出现强的反铁磁态。Ni-Ni和Ni-Co原子间的电荷转移是由Co向Ni而不是由Fe向Ni，形成铁磁相互作用，从而抑制了反铁磁特性，产生金属导电行为。并绘制了该体系的金属-绝缘体-金属相变相图。
2017-02-07 cond-mat.str-el
Insulator-Metal transition in the Doped 3d1 Transition Metal Oxide LaTiO3
用从头算LDA+DMFT方法研究了$La_{1-x}Sr_{x}TiO_{3}$中掺杂诱导的绝缘体-金属相变。结合LDA能带结构的实际，扭曲的结构，最近发现的多轨道DMFT治疗电子相关性，我们发现：$(i)$铁轨道顺序在莫特绝缘状态下没有轨道简并，$(ii)$连续填充诱导过渡到顺磁金属（PM）与$x$，和$(iii)$优秀的定量协议与发表的光电发射数据的情况下，6%的掺杂。我们的结果表明，该系统可以被描述为一个没有轨道（液体）简并的Mott-Hubbard系统。
2003-09-16 cond-mat.str-el
Bandwidth-Controlled Insulator-Metal Transition and Correlated Metallic State in 5$d$ Transition Metal Oxides Sr$_{n+1}$Ir$_{n}$O$_{3n+1}$ ($n$=1, 2, and $\infty$)
我们利用光谱学和第一性原理计算研究了5 $d$ Ruddlesden-Popper系列Sr $_{n+1}$ Ir $_{n}$ O $_{3n+1}$（$n$ =1，2和$\infty$）的电子结构.由于5个$d$轨道在空间上比3个$d$或4个$d$轨道延伸得更远，因此人们普遍认为5个$d$化合物中的相关效应最小。然而，当我们增加$n$时，我们观察到从Mott绝缘体到金属的带宽控制过渡。此外，人工合成的钙钛矿SrIrO $_{3}$显示出约6的非常大的质量增强，表明其处于相关金属状态。
2008-07-14 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in transition metal dichalcogenide heterobilayer moiré superlattices
在二维半导体异质双层中形成的莫尔超晶格为哈伯德模型物理提供了一种新的实现方式，其中每个有效原子的电子数可以任意调节。我们报告的精确对角化研究的电子性质的半填充窄莫尔带中，通过改变扭转角或相互作用强度的相关强度变化。我们构建了一个双层的相图，确定金属-绝缘体相变发生的地方，估计在绝缘相的电荷间隙的大小，并评论的过渡的性质和次主导的相互作用参数的重要性。
2021-08-06 cond-mat.str-el
Quantified Degeneracy, Entropy and Metal-Insulator Transition in Complex Transition-Metal Oxides
理解复杂的相关氧化物及其相变一直是一个挑战。困难主要来自于多个自由度之间有趣的相互作用。虽然简并度在确定材料特性中可以发挥重要作用，但是没有明确的方法来量化和揭示其在具有复杂能带结构的实际材料中的作用。在这里，我们提出了一种方法来量化的“有效简并”相关的金属-绝缘体过渡引入类熵条款。这个新的量很好地描述了过渡金属氧化物的电子行为作为外部和内部参数的函数。以$3d$钛酸盐、$4d$二烯酸盐和$5d$铱酸盐为例，我们证明了这个新的有效量为理解这些系统及其相变提供了有用的见解。对于LaTiO $_3$ /LaAlO $_3$超晶格，我们提出了一种新的“简并控制”金属-绝缘体转变.
2018-10-01 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic metal to heavy-fermion metal quantum phase transition in the Kondo lattice model: A strong coupling approach
在Kondo晶格模型中研究了从反铁磁金属到重费米子金属的量子相变。基于强耦合方法，我们{ \it first}对角化Kondo耦合项。由于这种强耦合的方法使所得到的近藤项{ \it相关}，近藤杂化持续存在，即使在反铁磁金属，表明近藤单线态的波动是不关键的相变。我们发现，在我们的强耦合方法的量子跃迁的结果{ \it软化的反铁磁自旋涨落的局域自旋}，由近藤相互作用驱动。因此，费米面的体积变化在整个过渡区变得连续。......
2006-10-17 cond-mat.str-el
Charge-transfer metal-insulator transitions in the spin-one-half Falicov-Kimball model
在热力学极限下，在无限配位数的Bethe晶格上精确求解了自旋为1/2的Falicov-Kimball模型。该模型是电荷转移金属-绝缘体转变的范例，其中局域和离域电子轨道的占据率在金属-绝缘体转变处迅速变化（而不是像莫特-哈伯德转变中电子状态从绝缘变为金属的特征）。精确解显示连续和不连续（一阶）跃迁。
1998-02-11 cond-mat.str-el
Photocarrier Injection to Transition Metal Oxides
由于数据中的一个关键错误，这篇论文已被作者撤回。
2003-01-07 cond-mat.str-el
A local metallic state in globally insulating $La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$ well above the metal-insulator transition
利用角分辨光电子能谱研究了双层锰氧化物$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变过程中电子结构的演化。我们发现该体系对$T<T_C$是金属，对$T<T_C<T^*$是局部金属但全局绝缘体，对$T>T^*$是全局绝缘体.这些结果表明电子相分离和渗流效应对$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变的关键作用。
2006-12-27 cond-mat.str-el
Integer filling metal insulator transitions in the degenerate Hubbard model
在大维数（或大晶格连通性）的极限下，我们得到了退化哈伯德模型的精确数值解。连续的Mott-Hubbard金属绝缘体过渡整数填充发生在中间值的相互作用和足够低的温度下的顺磁相。结果是相关的过渡金属氧化物与部分填充窄简并带。
1996-11-06 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transitions in Interacting Disordered Systems
简要回顾了三维杂质半导体中的金属-绝缘体转变，重点是“临界指数之谜”;以及新的实验发现，表明在稀的二维系统中可能出现意想不到的金属-绝缘体转变，如硅MOSFET和GaAs/AlGaAs异质结构。
2000-08-30 cond-mat.str-el
Scaling of the Conductivity with Temperature and Uniaxial Stress in Si:B at the Metal-Insulator Transition
使用单轴应力通过金属-绝缘体转变来调谐Si：B，我们发现低温下的电导率显示出与转变两侧的温度和应力的良好拟合。标度函数产生的金属和绝缘相的导电性，并允许可靠的确定在过渡的两侧的临界区域中的温度依赖性。
1998-06-14 cond-mat.str-el
Orbital Insulators and Orbital Order-disorder Induced Metal-Insulator Transition in Transition-Metal Oxides
采用集团自洽场方法，在强关联区研究了轨道有序对过渡金属氧化物金属-绝缘体相变的影响。在单粒子激发谱中发现了绝缘能隙对轨道序参量的明显依赖性。热涨落驱动轨道有序-无序转变，减小能隙，导致金属-绝缘体转变。自旋和轨道之间的相互作用导致轨道绝缘体中轨道极化的不寻常的温度依赖性，这可以在共振X射线散射强度中看到。
2007-09-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fluctuation-driven insulator-to-metal transition in an external magnetic field
我们考虑了关联电子在外磁场中的金属-绝缘体跃迁模型。我们发现在相互作用和磁场中有一个很宽的区域，在那里金属和绝缘（完全磁化）的解决方案共存，系统经历了一阶金属-绝缘体转变。磁饱和解的全局不稳定性先于局部不稳定性，是由电子-空穴顶点函数中的极点引起的集体波动引起的。
1999-08-17 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the double perovskites
我们构建了一个有效的哈密顿量的过渡金属离子之间的有序双钙钛矿Sr 2FeMoO 6的运动。其中强的原子内库仑排斥U仅存在于不等价的过渡金属位点之一中。使用一个从玻色子形式主义，我们构建了一个相图，描述了绝缘和金属行为之间的电荷转移过渡的模型参数的变化。根据第一性原理计算估算了Sr_2FeMoO_6的参数，并得到了在负压下向绝缘态的转变.
2001-05-29 cond-mat.str-el
The influence of correlated hopping on valence and metal-insulator transitions in the Falicov-Kimball model
小集团精确对角化计算的外推被用来研究一维Falicov-Kimball模型中关联跳跃对价态和金属-绝缘体跃迁的影响。它示出的基态相图，以及图片的价和金属-绝缘体的转变，发现为传统的Falicov-Kimball模型（无相关跳跃）强烈改变时，相关跳跃项被添加。关联跳变效应非常强，即使在半满带的情况下也能引起绝缘体-金属跃迁。
1999-08-06 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in quarter-filled Hubbard model on triangular lattice and its implication for the physics of $Na_{0.5}CoO_{2}$
在平均场水平上研究了三角晶格上四分之一填充哈伯德模型的金属-绝缘体相变。我们发现，准一维金属态的共线磁序与绝缘态的非共面磁序密切竞争的跳跃积分$t$的两个符号。在强关联区（$U/|t|\gg1$），发现系统的金属-绝缘体相变是分两步进行的。具有共线磁序的准一维金属态被发现在顺磁金属相和非共面绝缘相之间的中间温度区域是稳定的。这些结果可能的相关性，在$Na_{0.5}CoO_{2}$的金属-绝缘体转变的物理进行了讨论。
2010-01-05 cond-mat.str-el
Three-site transition-metal clusters: going from localized electrons to molecular orbitals
最近合成的一系列具有过渡金属三聚体的同构化合物Ba $_4$ Nb TM $_3$ O $_{12}$（TM = Mn、Rh和Ir）具有共面几何构型，使得有可能研究从$3d$到$5d$过渡金属离子的分子轨道（MO）形成的趋势。我们的$ab$ $initio$计算的电子和磁性描述的实验结果，并证明逐步过渡的本地化的电子Mn的图片的MO图片Rh，特别是Ir。我们还表明，经常使用的标准，根据该金属-金属的距离在一个化合物短于在各自的金属总是给MO，可能会打破在某些情况下。
2020-07-30 cond-mat.str-el
Metal-Insulator and Superconductor-Insulator Transitions in Correlated Electron Systems
通过控制填充在二维正方形晶格中的Mott绝缘体和金属之间的量子跃迁的特征在于大的动力学指数$z=4$，其中莫特绝缘体附近的不寻常的金属性质的起源归因于跃迁的接近。跃迁附近的标度表明，由于单粒子重整化的奇异动量依赖性，形成了平坦的色散区。平坦色散控制了莫特转变的关键特性。讨论了平坦色散对d波超导序的不稳定性。我们还讨论了Mott过渡的情况下，与轨道简并的Mn钙钛矿化合物的模型，其中轨道相关长度显示临界发散向金属-绝缘体过渡。
1998-08-05 cond-mat.str-el
Anomalous Hall metal and fractional Chern insulator in twisted transition metal dichalcogenides
本文预测扭曲过渡金属硫族化合物同质双层中由库仑相互作用驱动的伊辛铁磁性，发现完全自旋极化半金属具有自旋能隙并表现出反常霍尔效应，且在魔角附近1/3填充下可能转变为电荷密度波或分数量子霍尔绝缘体。
2022-07-18 cond-mat.str-el
CDW, Superconductivity and Anomalous Metallic Behavior in 2D Transition Metal Dichalcogenides
我们提出了一个准二维过渡金属二硫属化物的理论，提供了一个统一的微观图片的电荷密度波（CDW）和超导相。我们表明，基于电子-声子耦合和费米表面拓扑结构，CDW序参量与六重对称性和节点（f波）给出了一致的描述可用的实验数据。在CDW阶段的基本激发是狄拉克电子。超导态起源于声子介导的吸引相互作用。该理论预测CDW相中的费米液体理论存在很大偏差。
2000-12-08 cond-mat.str-el
Field-induced metal-insulator Field-induced metal-insulator transition in the c-axis resistivity of graphite
我们发现，电阻率垂直$ρ_c$和平行$ρ_a$不同的石墨样品的基面显示出类似的磁场驱动的金属-绝缘体的转变，在一个领域$B_c \sim 0.1 T$平行于c轴。我们的研究结果表明，最近发现的石墨$ρ_a$的缩放的普遍性，并表明，金属类温度依赖性的$ρ_c$是直接相关的$ρ_a$。两种材料的磁电阻相似，对Kohler规则的违反和场致相变表明半经典输运理论不适合于理解石墨的输运性质。
2002-04-08 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in Sr2-xLaxCoO4 driven by spin-state transition
我们寻求起源的Sr 2-xLaxCoO 4中的金属-绝缘体转变，使用电子相关校正的密度泛函计算。结果表明，Sr_2CoO_4处于中间自旋（IS）态，Co ~（4+）3d-O ~（2 p）杂化是其铁磁金属性的主要原因.然而，当La掺杂时，在Sr 1.5La 0.5CoO 4：IS-Co 4 + x 2 + 1 e--> LS-Co 4 + + HS-Co 3+中发生自旋态转变（LS：低自旋; HS：高自旋）。然后自旋态转变通过自旋阻断抑制电子跳跃，并引起Sr1.5La0.5CoO4的绝缘行为。相应的超交换解释了它的铁磁性。因此，自旋态可以提供一种调节材料性质的方法。
2012-08-03 cond-mat.str-el
Metal-insulator transitions and the effects of electron-electron interactions in two-dimensional electron systems
本文对强相互作用二维电子系统的金属-绝缘体跃迁和反常性质的实验结果进行了评述和分析。特别注意的是最近的结果，强烈增强自旋磁化率和有效质量的低无序硅MOSFET。
2005-03-07 cond-mat.str-el
Reply to the Comment on "Electric Field Scaling at a B=0 Metal-Insulator Transition in Two Dimensions"
我们注意到，在Ismail等人（cond-mat/9707061）对我们最近的信件（cond-mat/9608101）的评论中报道的关于Si/SiGe异质结构的数据不足以建立向金属相转变的主张。
1997-07-09 cond-mat.str-el
Dynamic Control of Nonequilibrium Metal-Insulator Transitions
我们证明了一个一阶金属绝缘体相变的排斥，完全阻挫，单带哈伯德模型作为一个功能的耦合到费米子浴。浴耦合的时间依赖性操纵允许跨越相变和在共存区内在金属和绝缘状态之间切换。我们提出了一个简单的纳米电子器件实验实现动态控制浴耦合。对器件特性的分析表明，它可以作为一个双端忆阻器。
2020-04-09 cond-mat.str-el
Metal Insulator transition at B=0 in p-SiGe
观察报告的金属-绝缘体的过渡在二维空穴气中的非对称掺杂应变SiGe量子阱。在这些高迁移率样品中在低温下出现的金属相的特征在于电阻率随着温度的降低而呈指数下降。这种行为，以及过渡两侧的电阻率和电导率之间的二元性，与最近报道的高迁移率Si-MOSFET非常相似。
1997-08-16 cond-mat.str-el
Quantum phase transition from an antiferromagnet to a spin liquid in a metal
研究了近藤-海森堡晶格系统中从易平面反铁磁金属到顺磁金属的量子相变。如果顺磁性金属是一种分馏费米液体，那么即使费米面与磁区边界相交，对于弱近藤耦合，相变的普遍临界性质也不受影响。这与传统的顺磁和反铁磁金属之间的相变理论形成了鲜明的对比，在传统的理论中，任何近藤耦合都是强烈相关的，并导致了朗道阻尼的赫兹-米利斯理论。电子准粒子在量子临界区仍然是定义明确的，临界自旋涨落只对传导电子的各种性质产生次级修正。
2009-10-07 cond-mat.str-el
Doping-driven pseudogap-metal-to-metal transition in correlated electron systems
我们建立了一个掺杂驱动的一阶金属到金属的转变，从赝隙金属费米液体，可以发生在相关的量子材料。我们的结果是基于二聚体哈伯德模型的精确动力学平均场论解。这种转变解释了掺杂Mott材料中许多奇异特性的起源，如铜酸盐中的赝能隙、非相干坏金属、增强的可压缩性和轨道选择性Mott转变。这一现象暗示了相关材料相图中出现的许多奇异相的根源。
2021-09-14 cond-mat.str-el physics.comp-ph
Nonpolar resistance switching of metal/binary-transition-metal oxides/metal sandwiches: homogeneous/inhomogeneous transition of current distribution
金属/氧化物/金属（氧化物）三明治，这将是一个彻底创新的非易失性存储设备的基础上，异国情调的功能，从物理的角度来看。在这里，绝缘体是一种普遍存在的和经典的二元过渡金属氧化物（TMO），如Fe 2 O3，NiO和CoO。该夹层结构呈现出在两种状态之间可逆地切换的电阻：一种是高电阻关断状态，另一种是导电导通状态。在这些二元TMO三明治中普遍观察到几个不同的特征：即非极性开关、非易失性阈值开关和电流-电压二元性。从系统的样本大小依赖的电阻在开和关状态，我们得出结论，电阻切换是由于在接口处的电流分布的均匀/不均匀的过渡。
2007-02-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Herzfeld instability versus Mott transition in metal-ammonia solutions
虽然掺杂绝缘体中的大多数金属-绝缘体转变通常被视为莫特转变，但一些系统似乎偏离了这种情况。碱金属氨溶液就是一个很好的例子。它们揭示了在金属浓度范围内发生金属-绝缘体转变的相分离。使用平均球近似的量子极化流体，我们认为，在这样的系统中的金属-绝缘体转变的起源很可能是类似于由Herzfeld很久以前提出的，即，由于溶剂化电子的波动。我们还显示了如何相分离可能出现的：赫兹菲尔德不稳定性的绝缘体发生在浓度的金属相也是不稳定的。因此，莫特转变不能在低温下发生。该方案可能为凝聚态物理中的金属-绝缘体相变提供新的见解。
2007-01-17 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Landau theory of metal-insulator transition in VO$_\text{2}$ doped with metal ions
金属离子掺杂可以有效地调节$\mathrm{VO}_2$的金属-绝缘体转变温度。实验发现，五价和六价离子的掺杂显着降低转变温度，而三价离子的掺杂提高转变温度，并诱导中间相。基于我们以前建立的$\mathrm{VO}_2$金属-绝缘体相变的相场模型，考虑掺杂对电子关联和晶格结构的影响，推导了金属离子掺杂$\mathrm{VO}_2$的朗道势。金属离子掺杂对晶格结构的影响是占在一个唯象的方式。利用Landau势，计算了不同金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$的温度-掺杂浓度-相图，并与实验结果相吻合，对不同金属离子掺杂的不同行为提供了解释。该唯象理论可以提供其它金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$相图的估计。
2020-01-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin-density functional theories and their $+U$ and $+J$ extensions: a comparative study of transition metals and transition metal oxides
以前的工作交换相关的功能，取决于电荷和自旋密度的物理内容扩展到元素过渡金属和更广泛的钙钛矿过渡金属氧化物。使用交换相关泛函计算的光谱和磁矩的比较取决于仅电荷密度或电荷和自旋密度，以及这些方法的$+U$和$+J$扩展证实了以前的结论，即自旋相关的部分交换相关泛函提供了有效的Hund相互作用的过渡金属$d$轨道。对于局域自旋密度近似和自旋相关的Perdew-Burke-Ernzerhof广义梯度近似，有效的Hund交换被发现大于1 eV。结果表明，至少就过渡金属及其氧化物的应用而言，密度泛函理论的$+U$、$+J$和+动力学平均场论扩展应该只基于电荷密度的交换关联泛函.
2015-11-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
First examples of stable transition metal complexes of an all-metal antiaromatic molecule (Al$_4$Li$_4$)
我们提出了新的方法来稳定全金属反芳族簇，如：Al $_{4}$ Li $_{4}$。我们证明，这些全金属物种可以通过与3d-过渡金属络合来稳定，其有机对应物C $_4$ H $_4$非常相似。与过渡金属离子络合降低前线轨道能量并引入芳香性。我们考虑了一系列这样的配合物[ $η$ $^4$（Al $_4$ Li $_4$）-Fe（CO）$_3$，$η$ $^2$ $σ$ $^2$（Al $_4$ Li $_4$）-Ni和（Al $_{4}$ Li $_{4}$）$_{2}$ Ni]，并在全金属物种和有机金属化合物之间进行了比较，以证明我们的理论.碎裂能量分析以及NICS支持在这些全金属分子中络合诱导稳定性的类似机制。
2004-09-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Towards first-principles understanding of the metal-insulator transition in fluid alkali metals
通过将电子-离子相互作用视为第一性原理哈密顿量中的微扰，我们计算了流体碱金属的密度响应函数，发现了一种有趣的电荷不稳定性，这种电荷不稳定性是由于在液-气临界点以上的稀相流体中的某个有限波矢${\bi Q}$处发生的电子密度反常涨落引起的.由于$|{\bi Q}|$小于费米面的直径，这种不稳定性必然会阻碍导电，这意味着它与流体碱金属中的金属-绝缘体转变密切相关。
2008-07-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Scaling theory of two-dimensional metal-insulator transitions
本文根据定域化的标度理论讨论了最近发现的零磁场中的二维金属-绝缘体相变。我们表明，所观察到的对称性相关的电导率和电阻率直接从量子临界行为与这样的过渡。此外，我们表明，非常普遍的缩放考虑意味着任何无序的二维金属是一个完美的金属，但最有可能不是费米液体。
1997-04-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Anisotropic magnetoresistance involves metal-insulator transition in single crystal La0.77Ca0.23MnO3
由于某些原因，这篇论文被撤回了
2008-04-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A compilation of metallic systems that show a quantum ferromagnetic transition
我们提供了一个汇编的金属系统中，观察到一个低温铁磁或类似的过渡。我们的目标是证明在两个或三个空间维度的清洁系统中的这种过渡的普遍的一阶性质。请与作者联系，提供有关遗漏，更正或任何其他信息的信息。
2012-04-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Universal Behaviour of Metal-Insulator Transitions in the p-SiGe System
磁电阻测量应变的p-SiGe量子阱样品的密度是通过B=0的金属-绝缘体过渡变化。证明了这种转变与高场霍尔绝缘体转变和填充因子$ν$ =3/2绝缘态之间的密切关系。
1999-06-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Detecting percolative metal-insulator transition in manganites by resistive relaxation
本文报道了La $_{0.9}$ Sr $_{0.1}$ MnO $_{3}$超导薄膜电阻率随时间变化的实验研究，旨在阐明金属-绝缘体转变和巨磁电阻CMR效应的内在机制。在温度或磁场的驱动下，金属-绝缘体转变的电阻弛豫速率有明显的符号变化。当在升高温度或降低磁场的条件下测量时，金属态的电阻率随时间增加，而绝缘态的电阻率随时间减小。这些弛豫过程表明，金属-绝缘体转变和相关的CMR是相分离和金属相渗透的直接结果。
2003-07-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous metallic state in the vicinity of Metal to Valence Bond Solid insulator transition in LiVS2
我们调查LiVS 2和LiVSe 2与一个三角形的晶格作为巡回类似物的LiVO 2，已知的形成价键固体（VBS）状态的S = 1沮丧的磁铁。LiVS 2位于金属和相关绝缘体之间的边界，在Tc ~ 305 K冷却时显示出从顺磁性金属到VBS绝缘体的第一有序转变。在绝缘体-金属转变附近存在VBS态可能表明巡游在VBS态形成中的重要性。我们认为，高温金属相的LiVS 2有一个伪间隙，可能源于VBS波动。发现LiVSe 2在低至2K时是顺磁性金属。
2009-08-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
New Approach to Metal-Insulator Phase Transition Kinetics in Magnetic Field
在具有两个不同序参量的Ginzburg-Landau型方程的基础上，考虑了金属-绝缘体相变。磁场的引入是理解金属-绝缘体相变动力学行为的重要一步。磁场导致表面张力的各种奇异性，并导致相变动力学的剧烈变化。最强的奇异性是由于朗道抗磁性和决定MI转变动力学的异常功能。这种奇异性支持了一个众所周知的实验事实，即几乎所有的半金属都表现得像抗磁性材料。
2016-07-20 cond-mat.other cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition in Disordered Two-Dimensional Electron Systems
本文提出了无序二维电子气中金属-绝缘体相变的理论。一个量子临界点，分离的金属相，这是稳定的电子相互作用，从绝缘相，其中无序占上风的电子相互作用，已被确定。量子临界点的存在导致在过渡的基础集体模式的状态密度的发散，导致热力学性质的行为临界过渡的接近。我们发现，电子-电子相互作用和无序的相互作用可以解释所观察到的传输特性和附近的金属-绝缘体转变的自旋磁化率的异常增强。
2005-11-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition of Disordered Interacting Electrons
当平均自由程小于屏蔽长度时，计算了无序金属的电导率和压缩系数的修正。这样的条件被证明是实现低密度和大的障碍。对金属态稳定性的分析揭示了在二维中向绝缘态的转变。
1998-11-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in transition metal dichalcogenide heterobilayer: accurate treatment of interaction
结合两种量子蒙特卡洛方法研究过渡金属硫族化合物异质双层，发现顺磁态与120° Néel态间的金属-绝缘体相变，并提出了最优混合泛函。
2024-01-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain Induced Slater Transition in Polar Metal LiOsO$_3$
LiOsO 3是第一个实验证实的极性金属。以前的工作认为LiOsO $_3$的基态正好接近金属-绝缘体转变的临界点。在这项工作中，LiOsO $_3$的电子态通过外延双轴应变进行调谐，其在拉伸应变下经历Slater型金属-绝缘体转变，即，出现G型反铁磁性。带宽调谐的基本机制可以扩展到它的姊妹化合物NaOsO $_3$，它显示出从反铁磁绝缘体到金属的流体静压下的相反的转变。我们的工作为极性金属LiOsO $_3$的磁性和导电性的调控提供了一条可行的途径。
2019-11-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic structure of negative charge transfer CaFeO3 across the metal-insulator transition
我们研究了钙钛矿CaFeO 3的外延薄膜的金属-绝缘体转变，该材料具有显著的氧配体空穴对其电子结构的贡献。我们发现，双轴拉伸和压缩应变抑制金属-绝缘体转变温度。通过结合硬X射线光电子能谱学，软X射线吸收光谱和密度泛函计算，我们解决了跨金属-绝缘体过渡的电子结构的元素特定的变化。我们表明，铁电子价金属和绝缘状态之间没有发生明显的变化，而O电子构型发生显着变化。这有力地支持了CaFeO 3的金属-绝缘体转变的键合模型，并突出了配体空穴在其电子结构中的重要性。然而，通过灵敏地测量配体空穴密度，我们发现在绝缘状态下它增加了~5-10%，这归因于Fe位点上的电子电荷的进一步局部化。这些结果提供了详细的了解负电荷转移化合物的金属-绝缘体转变，并应证明在其他后过渡金属化合物，如镍酸盐的金属-绝缘体转变的理解是有益的。
2018-02-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Superconductivity in carbon nanotubes coupled to transition metal atoms
研究了锯齿形和扶手椅形单壁碳纳米管与过渡金属Ni原子纳米线相互作用的电子结构。Ni纳米线在费米能处产生大的电子态密度（DOS）。增强DOS的自旋状态和定位的过渡金属线（内部或外部的纳米管）的依赖关系进行了研究。电子-声子相互作用的初步估计表明，这种系统可能具有$\sim$ 10-50 K的超导转变温度。纳米管“绳”中观察到的超导电性迹象也可能与本征过渡金属杂质的影响有关。
2002-08-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Metal oxide resistive switching: evolution of the density of states across the metal-insulator transition
我们报道了金属-STO-金属忆阻器的研究，其中STO中的掺杂浓度可以通过氧空位的电场迁移来微调。在这种隧道结器件中，可以在金属-绝缘体转变（MIT）上连续地跟踪态密度（DoS）的演变。在非常低的掺杂剂浓度下，结显示离散掺杂剂水平的特征签名。随着掺杂剂浓度的增加，半导体带隙填充，但软库仑隙仍然存在。在更高的掺杂，过渡到金属状态发生在费米能级的DoS变得有限和Altshuler-Aronov校正的DoS观察。在MIT的临界点处，DoS与能量$N(\varepsilon) \sim \varepsilon$（多重分形的可能签名）线性地缩放。
2014-01-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
