利用X射线光电子能谱探测硅纳米晶薄膜的电学性质
Probing Electrical Properties of A Silicon Nanocrystal Thin Film Using X-ray Photoelectron Spectroscopy
AI总结：
本研究在施加直流或交流外部偏压条件下对Si纳米晶薄膜进行XPS测量以提取其电阻和电容，并提出三种精度不同的模型分析数据，计算结果与文献实验值相符。
摘要：
我们在Si纳米晶（SiNCs）薄膜上进行了X射线光电子能谱（XPS）测量，同时施加直流或交流外部偏压，以提取该薄膜的电阻和电容。该测量包括对样品施加10 V直流电或10 V振幅的方波脉冲，频率范围从0.01 Hz至1 MHz，同时记录X射线光电子能谱数据。为分析数据，我们提出了三种精度不同的模型。计算所得的SiNCs电容值与文献中的实验值相符。
英文摘要：
We performed X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurements on a thin film of Si nanocrystals (SiNCs) while applying DC or AC external biases to extract the resistance and the capacitance of the thin film. The measurement consists of the application of 10 V DC or square wave pulses of 10 V amplitude to the sample at various frequencies ranging from 0.01 Hz to 1 MHz while recording X-ray photoemission data. To analyze the data, we propose three different models with varying degrees of accuracy. The calculated capacitance of SiNCs agrees with the experimental value in the literature.
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