用于量子技术的化学气相沉积法生长的稀土掺杂硅酸钇（Y2SiO5）薄膜
Rare-earth doped yttrium silicate (Y2SiO5) thin films grown by chemical vapour deposition for quantum technologies
AI总结：
本文提出用直接液体注入化学气相沉积在硅晶片上生长稀土掺杂Y2SiO5薄膜，通过优化沉积与退火条件获得高温X2-YSO相，并利用Eu3+光学性质验证薄膜质量，展示了其在量子技术中的应用潜力。
摘要：
正硅酸钇（Y2SiO5 - YSO）是用于量子技术应用中最有前景的稀土（RE）离子宿主晶体之一。在该基质中，稀土离子确实表现出极窄的光学和自旋线宽，可用于开发量子存储器或量子信息处理能力。本文提出了一种基于直接液体注入化学气相沉积（DLI-CVD）在硅晶片上生长稀土掺杂硅酸盐薄膜的新方法。我们优化了沉积和退火条件，以实现高温X2-YSO相的形成。通过评估嵌入该氧化物基质中的Eu3+离子的光学性质，评估了薄膜的相纯度和晶体质量。根据这些结果，我们讨论了可能的相形成机制，以及这种新型晶圆兼容形式的YSO在量子技术应用中的潜力。
英文摘要：
Yttrium orthosilicate (Y2SiO5 - YSO) is one of the most promising crystals to host rare-earth (RE) ions for quantum technologies applications. In this matrix, they indeed exhibit narrow optical and spin linewidths that can be exploited to develop quantum memories or quantum information processing capabilities. In this paper, we propose a new method to grow RE doped silicate thin films on silicon wafers based on direct liquid injection chemical vapour deposition (DLI-CVD). We optimize the deposition and annealing conditions to achieve formation of the high temperature X2-YSO phase. The phase purity and crystalline quality of the films are assessed by evaluating the optical properties of Eu3+ ions embedded in this oxide matrix. In view of the results, we discuss the possible phase formation mechanisms, and the potential of this new wafer-compatible form of YSO for quantum technologies applications.
机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。
