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MoS2、MoSe2和MoTe2材料的静电屏蔽效应与结合能偏移

Electrostatic shielding effect and Binding energy shift of MoS2, MoSe2 and MoTe2 materials

Yaorui Tan, Maolin Bo

AI总结:

本文基于密度泛函理论与键电荷模型研究了MoS2等材料的电子结构与键合性质,发现电子交换引起的静电屏蔽是密度波动的主因,并建立了计算格林函数密度的新方法。

摘要:

本文研究了MoS2、MoSe2和MoTe2的电子结构与键合性质。采用密度泛函理论(DFT)计算,结合结合能与键电荷(BBC)模型,获得了电子结构、结合能偏移及键合性质。研究发现,电子交换引起的静电屏蔽是导致密度波动的主要原因。建立了一种计算带能级偏移的格林函数密度的方法。这为纳米材料的结合能、键态及电子性质的进一步研究提供了新方法与思路。

英文摘要:

In this paper, the electronic structure and bond properties of MoS2, MoSe2 and MoTe2 are studied. Density functional theory (DFT) calculates combined with the binding energy and bond-charge (BBC) model to obtain electronic structure, binding energy shift and bond properties. It is found that electrostatic shielding by electron exchange is the main cause of density fluctuation. A method for calculating the density of Green's function with energy level shift is established. It provides new methods and ideas for the further study of the binding energy, bond states and electronic properties of nanomaterials.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来,可能存在错误,请以论文正文为准。

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