负R$\acute{\text{e}}$nyi熵与膜相交

高自旋纠缠熵

Higher Spin Entanglement Entropy

本文发展了一个微扰公式，计算了具有$\mathcal{W}_{\infty}(λ)$对称性的二维共形场论的单区间高自旋RPDMATHABMM nyi和纠缠熵.该系统处于有限温度，并因较高的自旋化学势而变形。我们设法计算更高的自旋R $\acute{e}$ nyi熵与各种自旋变形的顺序$\mathcal{O}(μ^2)$。对于自旋为3的形变，我们计算了精确的更高自旋R $\acute{e}$ nyi熵，直到$\mathcal{O}(μ^4)$。当$λ=3$，在大的$c$极限下，我们发现与树级全息高自旋纠缠熵完全匹配，达到由Wilson线处方得到的$μ^4$阶。我们还发现了对更高自旋纠缠熵的量子修正，这超出了树级全息的结果。量子修正在$μ^4$阶上是普适的，因为它与$λ$无关。我们的计算依赖于一个从$n$ -片黎曼曲面$\mathcal{R}_n$到复平面的多值共形映射和复平面上原场的相关函数。该方法适用于具有$\mathcal{W}$对称性的一般共形场论。