Possible high thermoelectric power factor in alkali-metal-intercalated BC$_3$: anisotropic multiple valleys originating from the van Hove singularity of graphene
本文理论预测碱金属插层BC3可实现高热电功率因子，源于石墨烯范霍夫奇点分裂产生的各向异性多谷，并通过钾插层抑制层间耦合保留有利电子结构。
2025-08-06 cond-mat.mtrl-sci
Superconductivity and a van Hove singularity confined to the surface of a topological semimetal
本文首次在拓扑半金属ZrAs2表面发现二维超导态及BKT相变，并揭示表面范霍夫奇点增强电子关联从而稳定超导的机制。
2025-02-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Van Hove Singularity and Apparent Anisotropy in the Electron-Phonon Interaction in Graphene
我们表明，从电子能量与波矢色散关系的斜率得到的电子-声子耦合强度，经常做的角度分辨的光电发射数据分析，可以从实际的电子-声子耦合强度由于裸电子带的曲率有很大的不同。当费米能级接近范霍夫奇点时，这种效应变得特别重要。通过对掺杂石墨烯进行{ \it ab initio}计算，我们证明，虽然从实验光电发射数据的斜率获得的表观强度是高度各向异性的，但这种材料中实际电子-声子耦合强度的角度依赖性可以忽略不计。
2008-03-28 cond-mat.mtrl-sci
Overdoping graphene beyond the van Hove singularity
在非常高的掺杂水平下，石墨烯的$π^*$带中的van Hove奇点被占据，并且可能出现由多体相互作用驱动的奇异基态。采用镱嵌入和钾吸附的组合，我们将$n$掺杂在碳化硅上的外延石墨烯超过$π^*$ van Hove奇点，达到5.5 $\times$ × 10 $^{14}$ cm $^{-2}$的电荷载流子密度。这一制度标志着明确完成了一个Lifshitz过渡，其中费米表面拓扑结构已经从两个电子口袋演变成一个巨大的空穴口袋。角分辨光电子能谱学证实了这些变化是由电子结构重整化而不是刚性能带位移驱动的。我们的研究结果在外延石墨烯的相图中打开了以前无法达到的超越范霍夫制度，从而在这种原型二维材料中获得了一个未探索的潜在奇异相的景观。
2020-09-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Altermagnetism from coincident Van Hove singularities: application to $κ$-Cl
本文提出利用能量和动量重合的范霍夫奇点稳定二维交变磁性的微观机制，揭示其产生的新型跃迁相互作用可诱导交变磁性、向列性、带间d波超导等BCS不稳定性，并成功应用于准二维有机材料κ-Cl。
2025-05-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Sublinear transport in Kagome metals: Interplay of Dirac cones and Van Hove singularities
本研究针对Kagome金属中观测到的亚线性输运现象，构建含狄拉克锥与范霍夫奇点的最简双口袋模型，通过半经典玻尔兹曼方程理论，揭示节点间电子相互作用引发的低温亚线性输运标度及高温维德曼-弗兰兹定律破缺的机制。
2024-04-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Generic Symmetry Breaking Instability of Topological Insulators due to a Novel van Hove Singularity
我们指出，在深带反转态，拓扑绝缘体是一般容易受到对称性破缺不稳定性，由于发散的大密度的状态的1D类指数附近的化学势。这一功能在频带边缘与一个新的范霍夫奇点产生的墨西哥帽带色散的发展。我们通过原型2D和3D模型演示了这种通用行为。这一认识不仅解释了现有的实验观察到的额外的阶段，但也提出了一条路线，以激活额外的功能，拓扑绝缘体通过有序，特别是长期寻求的拓扑超导体。
2014-10-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of van Hove Singularities in Twisted Silicene Multilayers
层间相互作用扰动二维材料的电子结构，并导致新的物理现象，如范霍夫奇点和霍夫施塔特的蝴蝶图案。硅烯是最近发现的硅的二维形式，它是非常独特的，因为硅原子采用竞争的<sup>sp2</sup>和<sup>sp3</sup>杂化状态，导致低屈曲结构，有望产生相对较强的层间相互作用。<i></i><i></i>在多层硅烯中，堆叠顺序提供了一个重要但很少探索的自由度，通过操纵层间耦合来调节其电子结构。在这里，我们报告的多层硅烯层间旋转所产生的范霍夫奇点的出现。我们证明，即使是一个大角度的旋转（> 20<sup>o</sup>）之间的堆叠硅烯层可以产生莫尔图案和van Hove奇异性，由于在多层硅烯层间的强耦合。我们的研究提出了一种有趣的方法，用于扩展这种二维材料中电子应用的电子结构的可调谐性。
2015-09-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A Jordan scenario is behind the Van Hove scenario. Towards a quantum chemical theory of high temperature superconductivity
我们认为，在递归（转移）矩阵的标准形式中出现的Jordan块是高温超导及相关现象的原因。几个发表的意见进行了讨论，以支持这一想法。给出了一个量子化学理论的草稿，以便更全面地验证。关键词：约当方案，范霍夫方案，高温超导性。高温超导的约旦方案。
1998-10-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Temperature dependence of NMR Knight shift in pnictides: proximity to a van Hove singularity
在铁基超导体AFe $_2$ As $_2$（A = K，Rb，Cs）中观察到的奈特位移（静态自旋磁化率）的非常规温度变化可以用范霍夫奇异性的近似来解释。利用哈伯德模型，我们表明，当费米能量是在附近的范霍夫奇点，自旋磁化率的下降发生的温度降低。这种行为的特征在于温度$T^*$，其由费米能级和范霍夫奇点之间的能量差确定。当在动力学平均场近似中考虑顶点修正时，相关性的影响放大了奈特位移的相对下降，并将$T^*$移动到较低的温度。
2018-07-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Helicoid-arc van Hove singularities in topological chiral crystals
范霍夫奇点是电子不稳定性，导致许多有趣的相互作用，如超导和电荷密度波。尽管人们对此很感兴趣，但范霍夫奇点和物质拓扑态的涌现关联效应之间的联系在实验中仍然很少被探索。利用同步辐射角分辨光电子能谱和密度泛函理论，首次发现了拓扑费米弧诱导范霍夫奇点的螺旋量子性质.特别是，在拓扑手性导体RhSi和CoSi，我们直接观察到多种类型的间和内螺旋弧介导的奇点，其中包括I型和II型范霍夫奇点。我们进一步证明了螺旋弧奇点的能量很容易通过化学工程来调节。总之，我们的工作为在拓扑量子材料中设计新的电子不稳定性提供了一条有前途的途径。
2021-08-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High Van Hove singularity extension and Fermi velocity increase in epitaxial graphene functionalized by gold clusters intercalation
在缓冲层和SiC（0001）上的外延石墨烯的石墨烯单层之间的金嵌入导致簇的准独立小聚集体的形成。角分辨光电子能谱测量表明，这些簇保留了石墨烯准粒子的线性分散，并令人惊讶地增加了它们的费米速度。它们还通过没有电荷转移的强延伸强烈地修改了范霍夫奇点（VH）周围的石墨烯的能带结构。这一结果提供了一个新的洞察的作用，嵌入剂在重整化的裸电子能带结构的石墨烯通常观察到的石墨和石墨烯层间化合物。
2012-01-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant van Hove Density of States Singularities and Anomalies of Electron and Magnetic Properties in Cubic Lattices
详细研究了考虑最近邻和次最近邻跳跃积分$t$和$t'$的简单立方晶格和基心立方晶格的态密度。结果表明，在$τ\equiv t'/t = τ_\ast$的值，对应于等能表面拓扑结构的变化，范霍夫$\bf k$线的形成发生。在偏离这些特殊值很小的情况下，van Hove线附近的弱色散谱被具有与$|τ- τ_\ast|^{-1}$成比例的巨大质量的几个van Hove点附近的弱$\bf k$依赖性所取代。考虑了范霍夫点和线对态密度的奇异贡献，以及$\bf k$ -空间中等能面拓扑随$τ$变化的变化.封闭的解析表达式的状态密度作为能量的函数和$τ$的椭圆积分，并在$τ= τ_\ast$的幂律渐近。除了具有小$τ$的sc晶格的情况（状态密度的最大值对应于X $\bf k$ -点的能级）之外，状态密度的最大值总是在对应于位于高对称方向上的布里渊区的\textit{inner} $\bf k$ -点的能量处而不是在区面处实现。
2021-11-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Van Hove Singularities and Excitonic Effects in the Optical Conductivity of Twisted Bilayer Graphene
我们报告了一个系统的研究扭曲双层石墨烯（tBLG）在一个大的能量范围内（1.2 eV至5.6 eV）的各种扭曲角，结合第一性原理计算的光学电导率。在以前未探索的高能量下，我们的数据显示了tBLG带中多个van Hove奇点（vHS）的特征，以及单层石墨烯带的非线性及其电子-空穴不对称性。我们的数据还表明，激子效应在tBLG的光谱中起着至关重要的作用。包括电子-空穴相互作用的第一性原理计算是必不可少的再现的电导率谱的形状，我们发现的证据与多个vHS在tBLG的状态之间的相干相互作用。
2014-05-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantum oscillations in kagome metals (Ti, Zr, Hf)V6Sn6 at Van Hove filling
本文报道了三种新型钒基 kagome 金属 TiV6Sn6、ZrV6Sn6 和 HfV6Sn6，通过输运测量和第一性原理计算发现其范霍夫奇点靠近费米能级并具有非平庸 Berry 相量子振荡，扩展了 kagome AM6X6 家族并为范霍夫物理研究提供新平台。
2024-05-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A practical method to detect, analyse and engineer higher order Van Hove singularities in multi-band Hamiltonians
我们提出了一个实用的方法来检测，诊断和工程的高阶范霍夫奇异多频带系统，没有限制的频带和跳跃项的数量。该方法使我们能够直接计算泰勒展开的任何带在动量空间中的任意点的色散，使用广义扩展的费曼赫尔曼定理，我们的状态和证明。在相当普遍的范围内，它也允许我们纳入和分析的低能量色散，这可以大大有助于工程的高阶范霍夫奇点的调谐参数的影响。某一类简并带可以在这个框架内处理。我们通过将其应用于霍尔丹模型来演示该方法的使用。
2023-01-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Controlling charge density order in 2H-TaSe$_{2}$ using a van Hove singularity
本研究利用角分辨光电子能谱发现，钾表面掺杂使 2H-TaSe$_{2}$ 费米能级穿过范霍夫奇点，导致电荷密度波周期性从 $(3\ imes 3)$ 变为 $(2\ imes 2)$ 超晶格。
2023-12-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunable Topological Dirac Surface States and Van Hove Singularities in Kagome Metal GdV${_6}$Sn${_6}$
基于过渡金属的kagome材料是研究新型拓扑电子态和相关现象的前沿。迄今为止，在理想化的二维kagome晶格中，拓扑非平凡的狄拉克表面态（TDSS）还没有被明确观察到，TDSS和范霍夫奇点（VHS）的操纵仍然在很大程度上未被探索。在这里，我们揭示了TDSS起源于Z ${_2}$体拓扑结构，并确定了多个VHS附近的费米能级（$\textit{E}$ ${_F}$）的磁性可果美材料GdV ${_6}$ Sn ${_6}$。利用原位表面沉积钾，我们成功地实现了对TDSS和VHS的操控。TDSS的狄拉克点可以从上到下（$\textit{E}$ ${_F}$）进行调整，这会逆转费米表面处自旋织构的手性。这些结果建立了GdV ${_6}$ Sn ${_6}$作为一个迷人的平台，研究非平凡的拓扑结构，磁性和相关效应本地戈薇晶格。他们还提出了基于可果美材料的自旋电子器件的潜在应用。
2022-09-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Itinerant electron metamagnetism for lattices with van Hove density-of-states singularities near the Fermi level
本文在Hubbard模型下研究了具有van Hove奇点晶格的巡游电子变磁性，揭示了正交畸变产生相近奇点促成变磁转变的机制，并指出标准Landau理论不足以描述完整相图。
2025-09-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effects of high-order Van Hove singularities on exciton and trion energy dispersions
Loughborough University（拉夫堡大学）
研究二维半导体中范霍夫奇点对激子和三重子能量色散的影响，通过研究不同类型的价带能量色散，发现奇点会增强态密度并影响光学性质，还研究特定材料，为二维材料设计特定束缚态提供途径。
2026-07-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The Coexistence of van Hove Singularities and Superlattice Dirac Points in a Slightly Twisted Graphene Bilayer
我们考虑了轻微扭曲的石墨烯双层的电子结构，并在连续近似下显示了范霍夫奇点（VHS）和超晶格狄拉克点的共存。石墨烯叠石墨烯莫尔图案产生周期性电子势，由于载流子的手性性质，这导致超晶格狄拉克点的出现。由于扭曲石墨烯双层的实结构和倒易结构的不同，其子晶格交换偶结构和奇结构（两种公度结构）导致了超晶格Dirac点的两种不同结构。我们进一步计算了应变对扭曲石墨烯双层的低能电子结构的影响，并证明了应变对VHS位置的影响。
2013-04-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin density wave and van Hove singularity in the kagome metal CeTi3Bi4
本研究结合中子衍射、第一性原理计算和ARPES，发现CeTi3Bi4中存在van Hove奇点辅助的非公度自旋密度波及丰富磁场-温度相图。
2025-05-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Kekulé order from diffuse nesting near higher-order Van Hove points
Universität Würzburg（维尔茨堡大学）；Würzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat（维尔茨堡-德累斯顿卓越集群 ct.qmat）；ETH Zürich（苏黎世联邦理工学院）；Columbia University（哥伦比亚大学）
研究通过高阶Van Hove点附近的扩散嵌套机制，揭示了费米面在特定波矢处的近似嵌套，从而产生√3×√3 Kekulé密度波。
2026-03-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropy of Dirac cones and van Hove singularity in an organic Dirac fermion system
我们提出了一种实验方法来研究层状导体中电子结构的面内各向异性。在该方法中，我们测量层间磁阻作为面内磁场取向的函数。我们将其应用于有机狄拉克费米子系统a-（BEDT-TTF）_2I_3，实验确定了各向异性狄拉克锥的取向。结果表明，在静水压力作用下，狄拉克锥椭圆恒能轮廓的长轴从晶体a轴向b轴倾斜约-30度。此外，我们观察到的范霍夫奇点（这是一个鞍点的带色散）在30-40 K以上或以下的狄拉克点的签名。估计鞍点的脊线几乎平行于晶体b轴。
2018-10-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Oscillations of van Hove singularities spacing induced by sub-Angstrom fluctuations of interlayer spacing in graphene superlattices
二维范德华（vdWs）结构的物理性质敏感地依赖于堆叠顺序和层间相互作用。然而，在迄今为止研究的大多数情况下，层间相互作用被认为是vdWs结构的静态特性。在这里，我们证明了在扭曲的双层石墨烯（TBG）上施加扫描隧道显微镜（STM）尖端脉冲可以诱导TBG中的层间分离的亚埃波动，这相当于TBG上约10 GPa的动态垂直外部压力。层间分离的亚埃波动导致TBG中两个van Hove奇点（VHS）之间的能量分离的大振荡。VHS间距的振荡周期非常长，约500-1000秒，归因于原子厚TBG中尖端诱导的局部应力。我们的研究结果提供了一种有效的方法来调整和测量的vdWs结构的物理特性的动态。
2021-11-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Angle-Dependent van Hove Singularities and Their Breakdown in Twisted Graphene Bilayers
基于石墨烯单层和其他二维晶体的范德华异质结构的创建引起了极大的兴趣，因为二维晶体的原子注册可以修改石墨烯的电子光谱和性质。扭曲石墨烯双层可以被看作是由两个相互错位的石墨烯层组成的特殊范德华结构，其中子层石墨烯不仅扮演衬底的角色，而且在结构中充当与顶部石墨烯层等效的角色。在这里，我们报告的电子光谱轻微扭曲的石墨烯双层研究扫描隧道显微镜和光谱。我们的实验表明，扭转引起的范霍夫奇点普遍存在的旋转角θ小于约3.5 °，对应于莫尔图案周期D大于4 nm。然而，当θ> 5.5o（D <2.5nm）时，它们完全消失。这种行为表明，在小旋转角度下更准确地捕捉莫尔图案周期性的连续模型不再适用于大旋转角度。
2014-04-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quasi-one-dimensional topological band structure and van Hove singularities in monolayer TaIrTe$_4$ from laser $μ$-ARPES
University of Geneva（日内瓦大学）
本研究利用激光μ-ARPES表征单层1T-TaIrTe$_4$的电子结构，发现其能带具强各向异性且存在态密度鞍点，表明范霍夫奇点与电子关联在该材料输运相图中仅起次要作用。
2026-08-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Three-Dimensional Fermi Surface, Van Hove Singularity and Enhancement of Superconductivity in Infinite-Layer Nickelates
本研究采用RPA+DMFT方法求解超导能隙方程，发现无限层镍酸盐三维费米面上的范霍夫奇点通过增强自旋涨落显著提升了超导性，凸显了费米面特征在非常规超导体建模中的重要性。
2025-04-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Designing Topological High-Order Van Hove Singularities: Twisted Bilayer Kagomé
Loughborough University（拉夫堡大学）
通过扭曲双层凯格结构设计拓扑高阶Van Hove奇点，揭示其丰富的能级景观和大陈数，为研究强相关性和拓扑混合提供新平台。
2025-11-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evolution of high-order Van Hove singularities away from cuprate-like band dispersions and its implications for cuprate superconductivity
我们讨论了高阶范霍夫奇点（hoVHS）的演变进行更快的比对数发散在很宽的参数范围内的铜类电子带色散。数值分析提供了洞察到的VHS幂律指数pV的量化和到hoVHS与不同的pV值之间的过渡。发现铜酸盐处于hoVHS振幅不太大的参数范围内。我们的研究表明，高温超导性的发生需要同时调谐两个不同的竞争顺序（反铁磁性和与铜酸盐中的hoVHS相关的密度波），这就是为什么它是如此罕见。
2023-03-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High-order Van Hove singularities and their connection to flat bands
本综述探讨了高阶Van Hove奇点与严格平带的联系，涵盖弱色散能带的工程化实现、分类方案、相互作用效应及实验证据，为探索新型量子物质态指明了方向。
2024-05-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge inversion and topological phase transition at a twist angle induced van Hove singularity of bilayer graphene
态密度中的范霍夫奇点（VHS）对晶体固体的电子和热力学性质起着突出而多样的作用。在临界点，费米面的连通性发生变化，拓扑性质发生转变。然而，在电压旋钮转动时系统地通过VHS并研究其各种影响的机会很少。随着范德华力异质结构的出现，对邻近石墨烯层原子注册的控制提供了一种前所未有的工具，可以生成易于通过传统门控访问的低能量VHS。在这里，我们已经解决了磁输运时的化学势交叉的扭曲角诱导VHS在扭曲的双层石墨烯。拓扑相变是实验上公开的突然转换的电子空穴或反之亦然，一个非零的Berry相位和不同的序列的整数量子霍尔态以上和以下的奇异性的损失。
2016-07-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
