在低温下，一硅化铁是一种强相关的窄禁带半导体。在355 T下首次观察到了由磁场诱导的一级金属态跃迁。B. Kudasov等人，JETP Lett. 68（1998）350]。然而，最近在参考文献[D]中的类似条件下发现了从230 T到270 T的平滑过渡。Nakamura等人，物理修订信函127（2021）156601]。这种差异远远超出了实验误差，值得仔细研究。电导率测量的感应和RF技术的方法分析表明，这些关键的磁场估计的差异源于技术的动态范围的分歧。事实上，上述方法是相辅相成的。磁场作用下的FeSi超导体-金属相变是一个复杂的现象，它发生在很宽的磁场范围内。
英文摘要：
At low temperatures, iron monosilicide is a strongly correlated narrow-gap semiconductor. A first order transition to metal state induced by magnetic field was observed for the first time at 355 T in Ref. [Yu. B. Kudasov et al., JETP Lett. 68 (1998) 350]. However, recently a smooth transition from 230 T to 270 T was found under similar conditions in Ref. [D. Nakamura et al., Phys. Rev. Lett. 127 (2021) 156601]. This discrepancy goes far beyond experimental errors and deserves a careful study. A methodological analysis of inductive and RF techniques of conductivity measurements shows that the difference of these critical magnetic field estimations stems from a divergence in dynamic ranges of the techniques. In fact, the above mentioned methods supplement each other. The semiconductor-metal transition under magnetic field in FeSi is a complex phenomenon which occurs at the wide range of magnetic fields.
Effective separation of photogenerated electron-hole pairs by radial field facilitates ultrahigh photoresponse in single semiconductor nanowire photodetectors
Optical investigation of the metal-insulator transition in $FeSb_2$
本文对窄禁带半导体$FeSb_2$进行了全面的光学研究。从光学反射率，测量从远红外到紫外光谱范围内，我们提取完整的吸收光谱，表示的实部$σ_1(ω)$的复杂的光学电导率。随着温度降低到80 K以下，我们发现$σ_1(ω)$在半导体光学带隙$E_g\sim 280$ cm $^{-1}$以下逐渐耗尽。间隙内的抑制（Drude）光谱权重在能量$ω>E_g$处转移，并且还在零和$E_g$之间的光谱范围内延伸的连续激发上部分堆积。此外，一个声子模式与该连续体的相互作用导致非对称的声子形状。尽管$FeSb_2$和$FeSi$之间有几个相似之处，并且两个系统都调用了近藤绝缘体情景，但我们关于$FeSb_2$的数据在几个方面与$FeSi$不同。我们的研究结果与近藤绝缘体描述的相关性将得到解决。
Giant modulation of the electron mobility in semiconductor Bi$_2$O$_2$Se via incipient ferroelectric phase transition
高迁移率层状半导体具有实现下一代电子和计算的潜力。本文证明了在层状半导体Bi $_2$ O $_2$ Se中观察到的电子迁移率源于初始的铁电转变，该铁电转变赋予材料以针对库仑散射引起的迁移率退化的鲁棒保护。基于电子-声子相互作用和离子化杂质散射的第一性原理计算表明，Bi $_2$ O $_2$ Se的电子迁移率在较宽的掺杂浓度范围内可达到10 $^4$到10 $^6$ cm $^2$ V $^{-1}$ s $^{-1}$.此外，1.7%的小弹性应变可以驱动材料朝向独特的层间铁电转变，导致介电常数的大幅增加和低温电子迁移率的巨大增强超过一个数量级。这些结果为通过相位和介电工程实现高迁移率层状半导体开辟了一条新的途径。
Breaking the mutual exclusivity between metallicity and ferroelectricity in a non-polar covalent semiconductor via orbital selective doping
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室）；Center for High Pressure Science, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University（燕山大学亚稳材料科学与技术与国家重点实验室高压科学中心）；Beijing Lattice Semiconductor Co., Ltd.（北京晶格半导体有限公司）；Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University（北京大学化学与分子工程学院纳米化学中心北京纳米碳科学与工程中心分子科学国家实验室）；Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research（先进高压力科学与技术研究中心）；Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences（中国科学院电气技术研究所）；PowerEpi Semiconductor Co., Ltd.（动力外延半导体有限公司）；School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）
