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arXiv 2106.048482021-06-09cond-mat.mes-hall

窄禁带HgTe/CdHgTe量子阱中等离子体激元LO模的受激发射

Stimulated emission of plasmon-LO mode in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum wells

V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, F. Teppe

备注：: 9 pages, 5 figures,
DOI：: 10.1088/2040-8986/ac253d

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摘要：

我们计算了等离子体激元LO模的色散，同时考虑了电子极化率的空间色散。结果表明，在（013）面上生长的6 nm宽的HgTe/CdTe量子阱和5 nm宽的HgTe/Cd_（0.7）Hg_（0.3）Te量子阱中，在GaAs的Reststrahlen带对应的频率范围内，等离子体LO模的受激发射是可能的。由于等离子体激元-LO模式的色散定律的各向异性，[03-1]方向看起来对于产生是最佳的。

英文摘要：

We calculate the dispersion of the plasmon-LO modes taking into account the spatial dispersion of the electronic polarizability. It is shown that stimulated emission of the plasmon-LO mode is possible in the frequency range corresponding to the Reststrahlen band of GaAs both in a 6 nm wide HgTe/CdTe QW and in a 5 nm wide HgTe/Cd0.7Hg0.3Te QW grown on the (013) plane. Due to the anisotropy of the dispersion law for the plasmon-LO mode, the [03-1] direction appears to be optimal for generation.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。

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