We study the relaxation dynamics of driven, two-dimensional semiconductors, where itinerant electrons dress optically pumped excitons to form two Fermi-polaron branches. Repulsive polarons excited around zero momentum quickly decay to the attractive branch at high momentum. Collisions with electrons subsequently lead to a slower relaxation of attractive polarons, which accumulate at the edge of the light-cone around zero momentum where the radiative loss dominates. The bosonic nature of exciton polarons enables stimulated scattering, which results in a lasing transition at higher pump power. The latter is characterized by a superlinear increase of light emission as well as extended spatiotemporal coherence. As the coherent peak is at the edge of the light-cone and not at the center, the many-body dressing of excitons can reduce the linewidth below the limit set by the exciton nonradiative lifetime.
Polarons in atomic gases and two-dimensional semiconductors
Universitat Politècnica de Catalunya（加泰罗尼亚理工大学）；Heidelberg University（海德堡大学）；ETH Zürich（苏黎世联邦理工学院）；Massachusetts Institute of Technology（麻省理工学院）；Aarhus University（奥胡斯大学）
Room-temperature tuning and probing of Fermi polarons in atomically thin semiconductors on a plasmonic metasurface
Nanyang Technological University（南洋理工大学）；Universidad Autónoma de Madrid（马德里自治大学）；Condensed Matter Physics Center (IFIMAC), Universidad Autónoma de Madrid（马德里自治大学凝聚态物理中心（IFIMAC））；Jilin University（吉林大学）；Zhejiang University（浙江大学）
Long-Range Fermi-Polaron Blockade in Monolayer MoSe$_2$
Purdue University（普渡大学）；Stanford University（斯坦福大学）；SLAC National Accelerator Laboratory（SLAC国家加速器实验室）；Columbia University（哥伦比亚大学）；National Institute for Materials Science（国立材料研究所）
Spectroscopy of Wigner crystal polarons in an atomically thin semiconductor
University of Basel（巴塞尔大学）；Technical University of Munich（慕尼黑工业大学）；Munich Center for Quantum Science and Technology (MCQST)（慕尼黑量子科学与技术中心）；National Institute for Materials Science（物质材料研究机构）
Electron-induced nuclear magnetic ordering in n-type semiconductors
重新讨论了正超精细常数n-杂质半导体的核磁性质。在深冷核自旋系统中，驻留电子可以诱导两种核磁有序。在低于临界值的正核自旋温度下，得到了与I。梅尔库洛夫[I. Merkulov，Physics of the Solid State 40，930（1998）]。这些极化子是随机取向的，并且在每个极化子内，核自旋和电子自旋反铁磁性地对齐。在低于临界值的负核自旋温度下，我们预测了另一种类型的磁有序-动力学诱导核铁磁体。这是一种涉及电子和原子核的长程铁磁有序状态。如果电子自旋弛豫是由超精细耦合而不是由自旋轨道相互作用主导的，它就可以形成。将该理论应用于n掺杂GaAs表明，在实验可达到的核自旋温度$Θ_N \approx 0.5$ $μ$ K和晶格温度$T_L \approx 5$ K下可以达到铁磁有序。
Wigner polarons reveal Wigner crystal dynamics in a monolayer semiconductor
University of Maryland（马里兰大学）；ETH Zürich（苏黎世联邦理工学院）；Universität Heidelberg（海德堡大学）；Brookhaven National Laboratory（布鲁克海文国家实验室）；National Institute for Materials Science（物质材料研究机构）；University of Wisconsin-Madison（威斯康星大学麦迪逊分校）
Universidad Politécnica de Madrid（马德里理工大学）；Université Côte d'Azur, CNRS, CRHEA（蔚蓝海岸大学，法国国家科学研究中心，高能物理与应用研究中心）；Institute for Quantum Electronics, ETH Zürich（苏黎世联邦理工学院量子电子研究所）；Center for Nanoscience and Nanotechnology, Univ. Paris-Sud, University Paris Saclay（巴黎南大学纳米科学技术中心，巴黎萨克雷大学）
