Electronic and thermoelectric properties of quasi-fractal carbon nitride nanoribbons
近年来，人们致力于合成具有准分形几何结构的人工分子系统，这为分数维原子系统的电子性质的实验研究提供了新的机会。分形纳米系统中输运现象的理论研究又引起了人们的兴趣。本文采用基于密度泛函理论、分子动力学和非平衡格林函数的计算方法，研究了Sierpinski三角形块准分形氮化碳纳米管的电子和热电性质.我们估计的准分形块在纳米晶体的代g的输运性质的变化。
2021-12-29 cond-mat.mes-hall
Electronic and magnetic properties of the graphene-ferromagnet interface
本文研究了铁磁材料Ni（111）晶格匹配表面上石墨烯层的表面结构和电磁性质。
2010-08-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tuning the electronic transport properties of graphene through functionalisation with fluorine
石墨烯的电子性质的工程化引发了人们对电子学和光电子学潜在应用的极大兴趣。在这里，我们展示了通过氟官能化来调节石墨烯单层和多层的电子输运性质的可能性。我们表明，通过调整氟含量不同的电子传输制度可以访问。对于单层样品，随着氟含量的增加，我们观察到电子输运从二维Mott变程跳跃到Efros-Shklovskii变程跳跃的转变。具有高浓度氟的多层氟化石墨烯显示二维Mott可变范围跳跃传输，而CF 0.28多层薄片具有0.25eV的带隙并显示热激活传输。我们的实验结果表明，控制石墨烯功能化程度的能力有助于设计石墨烯材料的不同电子特性。
2011-05-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anchoring ceria nanoparticles on reduced graphene oxide and their electronic transport properties
这篇论文被撤回了。
2011-09-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Analogies in electronic properties of graphene wormhole and perturbed nanocylinder
我们将用两种不同的方法来研究虫洞和扰动纳米柱的电子性质：连续规范场-理论模型，它处理表面的连续近似; Haydock递归方法，它将表面转换成更简单的结构，并处理最近邻相互作用。此外，还将研究在封闭适当结构的情况下电子性质的变化，并推导出封闭体的可能替代品。最后，基于多壁纳米管的模型推导出电子通量的可能特征。
2016-09-14 cond-mat.mes-hall
The electronic properties of bilayer graphene
我们回顾了双层石墨烯的电子性质，首先描述了双层石墨烯的紧束缚模型，并推导了描述低能下两个抛物带中大量手征准粒子的有效哈密顿量。我们考虑到五个紧束缚参数的Slonczewski-Weiss-McClure模型的块状石墨加上内部和层间的原子位置之间的不对称性，诱导在低能谱带隙。提出了在外栅存在下由于层间不对称而产生的屏蔽和带隙打开的哈特里模型。采用紧束缚模型描述了包括整数量子霍尔效应在内的光学和输运性质，并讨论了轨道磁性、声子以及应变对电子性质的影响。最后，我们概述了电子相互作用的影响。
2013-04-20 cond-mat.mes-hall
Structural, electronic, and transport properties of silicon nanowires
本文对硅纳米线的理论进行了综述。我们专注于直径小于10 nm的纳米线，其中量子效应变得重要，并且其性质与体硅的性质显著不同。这些线可以有效地处理内的电子结构模拟方法，并将在未来的纳米电子器件的最重要的功能块。首先，我们回顾了硅纳米线的结构特性，强调了硅纳米线的生长取向、截面和边界面之间的密切联系。其次，我们讨论了原始和掺杂纳米线的电子结构，这是它们在新型电子器件中应用的最终关键。最后，我们审查运输性能的一些最重要的限制，在性能的基于MEMS的设备可以奠定。这些系统的许多独特性质同时无视巨大技术进步的挑战和机会。
2009-10-14 cond-mat.mes-hall
Electrical and ELectronic Properties of Strained Mono-layer InTe
本文研究了应变单层InTe的两种结构：$α$和$β$相的电学和电子性质。用密度泛函理论（DFT）得到了能带结构.计算了不同应变下导带和第二导带的最小能量和有效质量。研究了一种以InTe为沟道材料的场效应晶体管。计算了InTe FET的电压-电流特性，并得到了IPDMATHABMO/IPDMATHABMP比值与双轴应变的关系。
2019-05-13 cond-mat.mes-hall
Magnetic, electronic and vibrational properties of metal and fluorinated metal phthalocyanines
用自旋密度泛函理论（SDFT）研究了金属酞菁（MPc）和含氟金属酞菁（F $_{16}$ MPc）的磁性和电子性质.研究了几种金属（M），例如Ca、所有第一d行过渡金属和Ag。通过考虑不同的开壳过渡金属，可以调节MPc的电子性质，特别是电子分子间隙和总磁矩。除了分配MPc和F $_{16}$ MPc的结构和电子性质，SCPc \textendash ZnPc系列的振动模式分析进行了研究，并与实验测量时可用。
2013-02-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic and optical properties in non-uniformly shaped QDashes
我们从理论上研究了高度拉长的量子点（量子虚线）的光学性质和电子结构，并显示如何载流子捕获由于几何波动的限制势影响系统的激子光谱。我们着重研究了单激子在该结构中的光学性质。分析了量子线的吸收和发射强度与量子线俘获中心的几何性质（深度和位置）的关系，并详细研究了线偏振度与这些几何参数的关系。
2012-07-25 cond-mat.mes-hall
Electronic properties of delta-doped phosphorus layers in silicon and germanium
采用TFD近似和sp3d5s* 紧束缚方法计算了硅中δ掺杂磷层的电子性质。这种自洽模型提高了“更严格”的经验紧束缚和从头算密度泛函理论模型的计算效率，而不牺牲这些方法的准确性。TFD模型的计算效率为大型多原子模拟提供了改进的可扩展性，例如具有实验兴趣的纳米电子器件。我们还提出了第一个理论计算的电子特性的三角洲掺杂的磷层在锗作为应用程序的TFD模型。
2013-08-23 cond-mat.mes-hall
The electronic properties of a core/shell/well/shell spherical quantum dot with and without a hydrogenic impurity
在这项研究中，我们进行了详细的研究，核/壳/阱/壳多层球形量子点的电子性质，如能量本征值，波函数，电子概率分布和结合能。计算了有和无中心杂质情况下所考虑结构的能量本征值及其波函数。为此，在有效质量近似下，用打靶法数值求解了有限约束势下的薛定谔方程。在一定的势阱下，研究了不同芯半径、势垒厚度和阱宽下的电子性质。详细分析了其随层厚变化的规律，并解释了其物理原因。研究发现，薄膜的电子性质与薄膜厚度有很强的依赖关系。
2013-05-04 cond-mat.mes-hall
Electronic Properties of Carbon Nanostructures
碳纳米结构是具有应用前景的材料。这有两个原因：第一，六方原子结构，其通过设置不同种类的缺陷而实现高分子可变性，第二，良好的电子性能，其可以借助于缺陷和化学成分而为了具体应用的目的而改变。研究了多种纳米结构。在这里，不太常见的形式的属性将被检查-石墨纳米锥和石墨虫洞。
2016-12-05 cond-mat.mes-hall
Localization Length from Single-Particle Properties in Disordered Electronic Systems
这本预印本已被撤回，因为在它提到的论文中发现了关键的错误。它现在被cond-mat/9807391取代。
1998-08-01 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Electronic properties and transport in metal/2D material/metal vertical junctions
本文通过密度泛函理论和非平衡格林函数研究金属/二维材料/金属垂直结，揭示堆叠构型、厚度和层间耦合对电子性质与电导率的影响，为优化二维材料电子器件设计提供依据。
2025-02-05 cond-mat.mes-hall
Electronic and optical properties of bilayer blue phosphorus
在密度泛函理论和紧束缚近似下，研究了单层和双层蓝磷的电子和光学性质。利用密度泛函理论的计算结果，我们提取了单层和双层蓝磷的TB哈密顿量的跳跃参数。同时也给出了两种不同双层蓝磷膜的能带隙随外加电场的变化。我们研究了系统的线性响应，由于外部电磁辐射的介电函数的DFT理论。相对大的电子带隙和由于弱的层间耦合而形成体结构的剥离的可能性使得蓝磷成为未来电子器件的合适候选者。
2016-07-26 cond-mat.mes-hall
Electronic and spin transport properties of zigzag graphene nanoribbon mediated by metal adatom: A study by QUAMBO-NEGF approach
采用基于密度泛函理论的第一性原理紧束缚理论（TB）的准原子最小基轨道（QUAMBO）方法，结合非平衡格林函数，研究了锯齿形石墨烯纳米颗粒（ZGNR）的结构和电子性质，包括形变、磁矩、Mulliken布居、键级和电子输运性质.对于电子输运，在费米能级以下，由于Co吸附原子的磁性作用，电子输运受到强烈的抑制，且与自旋相关;而在费米能级以上，电子输运略有畸变，且与自旋无关。由于QUAMBOS-TB参数具有局域环境依赖性，我们采用分治法构造了ZGNR铅和空心位置吸附Co原子的ZGNR的QUAMBOS-TB参数，较好地再现了电子的传输行为.我们的QUAMBO-NEGF方法是一种新的和有前途的大规模系统中的电子输运的方法。
2013-02-17 cond-mat.mes-hall
Electronic Transport Properties of Carbon NanoBuds
富勒烯功能化碳纳米管- NanoBuds -形成一类新型的杂化碳材料，与原始组分相比具有许多优点。在这里，我们报告了这些化合物的电子输运性质的理论研究。我们使用从头算技术和紧束缚计算来说明这些材料的传输特性，并给出物理参数来解释数值结果。具体而言，在费米能量以上，我们发现由于在结构的某些区域中的局域态而导致电子透射的强烈减少，而在费米能量以下，所有考虑的结构都表现出具有几何形状依赖宽度的高透射能带。
2009-05-07 cond-mat.mes-hall
Electronic and Magnetic Properties of Graphite Quantum Dots
在紧束缚模型的最近邻近似下，研究了石墨多层量子点的电磁性质。我们计算了系统的电子态密度和轨道磁化率随费米能级位置的变化。我们证明了MQD的性质强烈依赖于系统的形状，层的奇偶性和集群边缘的形式。特别强调了石墨烯单层量子点的新特性。最有趣的结果是在近零能量下得到的三角形锯齿边MQD。在尺寸量子化的能隙区域内的狄拉克点处观察到不对称的涂抹多峰特征，其中单层石墨烯薄片表现出高度简并的零能态。由边缘局域电子态提供的这一特征导致了作为能量函数的抗磁轨道磁化率中的飞溅小波行为。
2015-01-16 cond-mat.mes-hall
Electronic, Optical and Mechanical Properties of Silicene Derivatives
石墨烯的成功分离为材料科学和凝聚态物理开辟了新纪元。由于这一显著的成就，人们对合成新的二维材料并研究其新颖的物理性质产生了极大的兴趣。硅烯是硅原子以弯曲蜂窝几何形状排列的形式，已成功合成，并成为纳米级器件应用的一种有前途的材料。然而，在电子应用中使用硅烯的主要障碍是缺乏与石墨烯类似的带隙。因此，通过氢化、卤化或氧化等化学功能化方法来调控硅烯的电子性质一直是硅烯研究的热点。本文综述了近年来硅衍生物的结构、电子、光学和力学性质的研究进展。由于这些衍生物具有不同的带隙能量，它们是下一代电子和光电子器件应用的有希望的候选者。
2016-08-10 cond-mat.mes-hall
Graphene, a material with exceptional electronic properties
本研究围绕二维材料石墨烯的电子特性展开，通过简化电子模型分析其电导率、迁移率等性质及带隙缺失的局限，探讨能带结构修饰这一热点研究方向的潜在应用。
2024-02-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Effect of Randomly Distributed Asymmetric Stone-Wales Defect on Electronic and Transport Properties of Armchair Graphene Nanoribbon
利用紧束缚模型研究了扶手椅型石墨烯纳米颗粒（AGNR）上随机分布的Stone-Wales（SW）缺陷的电子和输运性质。我们使用四个不同的函数，作为分布函数，以产生我们的SW缺陷纳米带。结果发现，缺陷密度可以有一个主要的影响，我们的缺陷系统的电导，而其他配置，如缺陷取向将有助于较少。发现了一些特殊的几何构型，显示了有趣的电子和输运性质。这些特殊情况以及提供的其他数据可以用于设计石墨烯纳米带的带隙，电子特性和传输特性，以满足所需的目的。
2019-01-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Structural and electronic properties of realistic two-dimensional amorphous topological insulators
我们研究了二维非晶铋烯结构的结构和电子光谱性质，表明这些系统是拓扑绝缘体。我们采用现实的非晶几何形状的建模与密度泛函理论的电子结构计算。我们研究了整个非晶化过程中系统的拓扑性质，发现拓扑相的鲁棒性与自旋轨道耦合强度和原始拓扑能隙的大小有关。使用递归非平衡格林函数，我们研究了纳米带器件的电子输运性质的长度与实验合成的材料。我们发现一个$2e^2/h$电导高原内的拓扑间隙和发病的安德森局域化在平凡的绝缘体相。
2020-10-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effects of magnetic field and disorder on electronic properties of Carbon Nanotubes
研究了金属和半导体碳纳米管在垂直于CN轴的磁场作用下的电子性质，并通过能位随机性引入无序.的磁场场示出诱导金属-绝缘体转变（MIT）的情况下，无序，令人惊讶的是，不影响显着的MIT。这些结果可以通过隧道实验得到证实
1998-11-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
The role of first neighbors geometry in the electronic and mechanical properties of atomic contacts
我们详细研究，通过实验测量，原子模拟和DFT输运计算，形成的过程和由此产生的电子性质的原子大小的接触由Au，Ag和Cu。我们的新方法的数据分析的实验结果和模拟，导致几何形状和电子传输之间的精确关系。我们重新建立显着影响的第一邻居的数量上的原子大小的接触的电子性质。我们的研究结果也使我们能够解释在接触形成过程中金属之间的细微差异以及由此产生的接触的特性。
2017-09-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic properties of the partially hydrogenated armchair carbon nanotubes
采用基于密度泛函理论的赝势方法研究了氢化对扶手椅型单壁碳纳米管电子性质的影响。计算表明，强烈的偏好形成单原子H链沿（5，5）纳米管轴与H绑定在一个无限的H链达到每原子2.58 eV的值。在形成H吸附原子链时，最初金属（5，5）纳米管将电子结构改变为半导体。$\sim$ 0.6 eV的带隙的开放伴随着铁磁有序的磁矩在H链附近的C原子上的反铁磁耦合。这些电子性质与先前在具有锯齿形边缘的窄石墨烯纳米带中观察到的那些惊人地相似。
2011-08-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Structural and electronic properties of the graphene/Al/Ni(111) intercalation-like system
最近提出了通过插入sp金属使石墨烯层与铁磁衬底解耦作为实现单层石墨烯基自旋过滤器的有效方法。本文采用电子衍射和光谱相结合的方法研究了石墨烯/Al/Ni（111）原型系统的结构和电子性质。这些研究伴随着最先进的电子结构计算。这种前瞻性的铝插层类系统的性能和其可能的实现在未来的石墨烯为基础的设备进行了讨论。
2011-08-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic properties of the parabolic Dirac system
我们研究抛物型Dirac系统的电子性质。在有磁场存在的情况下，讨论了狄拉克锥的存在所引起的磁势和反常抗磁性。研究了由Berry曲率引起的整数霍尔电导率和本征霍尔电导率。在自洽玻恩近似下，考虑无序诱导的自能，计算了RKKY相互作用、长程散射率和谱函数，这些结果与干净系统（无杂质）的结果有很大的不同.
2018-10-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tuning Hydrogen Adsorption and Electronic Properties from Graphene to Fluorographone
通过氢和氟官能化石墨烯已被提出作为调节其反应性和电子性质的途径。然而，到目前为止，所提出的系统存在降解和有限的氢吸附能力。本研究结合基于密度泛函理论和反应分子动力学的第一性原理计算，分析了氟化和氢化单层石墨烯中氢吸附和电子性质的调控。我们的研究结果表明，氟吸附促进更强的碳$-$氢键。通过改变氟和氢的浓度，可以调整电荷密度转移和电子性质，如带隙和自旋分裂，增加它们对电子和自旋电子器件的潜在适用性。尽管氟不影响总H掺入，但$\textit{ab initio}$分子动力学结果表明，3%氟化石墨烯增加氢锚定，表明氢化和氟化石墨烯用于储氢和相关应用的潜力。
2020-05-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Controlling the Electronic Properties of Nanodiamonds Via Surface Chemical Functionalization: A DFT Study
采用密度泛函理论计算方法研究了化学功能化纳米金刚石的电子性质。HOMO-LUMO间隙和相对稳定性计算不同的表面功能化方案和金刚石微晶形态。化学装饰的大小和性质的HOMO-LUMO间隙考虑的各种系统的影响进行了详细讨论。我们的结论是，表面化学功能化有可能成为控制纳米金刚石的电子性质的一个可访问的路线。
2013-09-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Structural and Electronic Properties of Graphene and Graphene-like Materials
利用全势密度泛函理论计算，我们研究了石墨烯和其他一些石墨烯类材料的结构和电子性质，SiC、GeC、BN、AlN、GAN、ZnO、ZnS和ZnSe的单层。我们希望，随着材料合成技术的进步，在不久的将来，一些这些新材料将被合成，在各种纳米器件的潜在应用。
2012-10-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic and thermal conduction properties of halogenated porous graphene nanoribbons
在密度泛函理论（DFT）计算的框架下，我们研究了卤素原子钝化的多孔石墨烯（PG）结构作为高效热电器件的可能候选者的电子和热性质。对扶手椅型和锯齿型卤化PG纳米带进行了比较分析。的电子性质是一致的预期行为的两种类型的终端，但与不同的卤素原子引入的显着影响。取决于孔径和卤素类型，声子能带结构中的伪间隙在低频范围内是可见的，这对于低温下的热传导特别重要。当卤素的原子序数增加时，能隙系统地向较低能量移动。同时，电子能隙减小，这对于在热电器件中获得大的品质因数也是必不可少的。这表明通过卤素钝化来调节PG结构的电子和热性质的可能性。
2016-12-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dynamical Mean-Field Theory for Molecular Electronics: Electronic Structure and Transport Properties
我们提出了一种计算纳米导体的电子结构和输运性质的方法，考虑到强相互作用的d-或f-电子的动力学相关性，通过结合密度泛函理论计算与动态平均场论。虽然密度泛函计算产生的弱相互作用的电子的静态平均场的描述，动力学平均场论明确考虑到强相互作用的d-或f-电子的过渡金属原子的动力学相关。作为一个例子，我们计算的电子结构和电导的Ni纳米铜电极之间的接触。我们发现，Ni 3d电子的动力学关联引起的准粒子共振在费米能级的谱密度。准粒子共振又导致Fano线形的纳米接触的电导特性类似于最近的磁性纳米接触的实验中测得的。
2010-11-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Revisiting the Impact of Single-Vacancy Defects on Electronic Properties of Graphene
本文用紧束缚方法研究石墨烯周期性单空位缺陷，揭示缺陷所处子晶格及相对位置会调控能带结构与各向异性，为缺陷工程提供新思路。
2025-07-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Intersubband Electronic Properties of InAs/GaAs Quantum Dot Molecules with Horizontal Spacer
本文研究了两个横向耦合的圆顶状InAs/GaAs量子点的子带间电子性质。包络函数和本征能量被计算为点之间的距离的函数。点之间的耦合进行了研究，使用点之间的过渡寿命。结果表明，在近距离（小于3 nm）的量子点是耦合的，随着距离的增加，跃迁寿命急剧下降，量子点变得不耦合。
2013-12-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A Guide to the Design of Electronic Properties of Graphene Nanoribbons
石墨烯纳米带（GNRs）是一种一维纳米结构，具有丰富的电子行为。根据它们的结构，GNR实现了金属和半导体电子结构，其带隙可以在宽范围内调节。某些GNR还表现出一种特殊的带隙磁相，可以诱导半金属态以及拓扑非平凡的量子自旋霍尔电子相。由于它们的电子性质是高度可调的，GNRs已迅速成为一个热门的研究课题，朝着石墨烯基纳米结构的设计技术应用。这个帐户提出了一个教学概述的各种自由度的原子结构和相互作用，研究人员可以用来定制这些材料的电子结构。该帐户提供了有关物理概念的广泛情况，有助于通过合成技术合理设计具有所需电子特性的GNR。
2013-03-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
DFTB coupled with NEGF study of the structural, electronic and transport properties of goldene 2D material
University of Ostrava（俄斯特拉发大学）
采用密度泛函紧束缚（DFTB）方法与非平衡格林函数（NEGF）技术，研究了goldene二维材料的结构、电子和输运性质，发现其具有金属性和良好的弹性，且硅掺杂可诱导局部磁矩。
2026-06-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Structural stability and electronic properties of SP3 type silicon nanotubes
采用密度泛函理论研究了不同生长取向的SP3硅纳米管的结构、电子性质和相对稳定性。所有的纳米管研究和它们相应的导线结构被发现是亚稳定的导线是更有力的稳定。硅纳米管显示出高达68%的显着的带隙增加相对于相应的线。此外，系统的带隙和钝化氢含量的摩尔分数之间的直接关系被发现，这些结果表明，通过仔细控制它们的晶体生长方向，尺寸和化学组成，它应该是可能的设计和制造具有所需的电子性能的硅纳米管。
2012-06-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
An Extended Hückel Study of the Electronic Properties of III-V Compounds and Their Alloys
在这项工作中，我们进行了紧束缚计算的III-V族半导体化合物及其合金的电子结构的基础上扩展的休克尔理论（EHT），其中休克尔参数的二元化合物产生后的模拟退火程序。特别是，这篇文章的重点是带隙和施加的压力之间的依赖关系，也是合金成分。
2014-02-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Optical and electronic properties of two dimensional graphitic silicon carbide
用密度泛函理论研究了二维少层石墨碳化硅（GSiC）的光学和电学性质，发现其与石墨烯和硅烯的光学和电学性质不同.单层GSiC具有直接带隙，而少数层表现出间接带隙。单层GSiC的带隙可以通过面内应变来调节。双层GSiC的性能对层间距离非常敏感。这些预测表明，单层GSiC可能是一个显着的候选人，新型发光二极管利用其独特的光学性能不同于石墨烯，硅烯和几层GSiC。
2012-05-24 cond-mat.mes-hall physics.optics
Ultralow lattice thermal conductivity and electronic properties of monolayer 1T phase semimetal SiTe2 and SnTe2
二维层状过渡金属二硫属化合物（TMDs）的2 H相（三角棱柱D3 h）由于其优异的电学和光电性能而引起了人们的广泛兴趣。然而，基于2 H相的柔性电子器件和热电性能受到应变敏感电子带隙和高晶格热导率（kappa_L）的潜在限制。本文预测和计算了两种1 T（八面体Oh）相单层碲化物材料SnTe_2和SiTe_2的软力学、超低kappa_L和电子性质。计算的单层SnTe 2的面内杨氏模量比大多数1 T-MX2化合物软。此外，单层SiTe 2和SnTe 2在大的双轴应变下也具有相对柔性的电子性质，表明潜在的柔性电极材料。同时，单层SiTe 2和SnTe 2在室温下均表现出超低的\k{appa}_L（SiTe 2为2.27 W/mK，SnTe 2为1.62 W/mK）。考虑到声学和极性光学声子散射的电子弛豫时间，在600 K和900 K的品质因数（ZT）分别达到0.46和0.71单层SiTe 2和SnTe 2。
2019-06-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
