To overcome the limitations of graphene due to lack of intrinsic band gap, it is generally functionalized with hydrogen or halogen atoms such as fluorine and chlorine. Generally, such functionalization yields a moderate- to high-band-gap material in case of 100% coverage, for example ~1.5 eV in graphene functionalized with chlorine atoms or chlorographene. In this paper, using ab initio calculations, we report very interesting transformations observed in chlorographene under external strain, driving it to a state with nearly vanishing band gap (under tensile strain) and even converting it to a metal (under compressive strain). We also show the importance of spin-orbit coupling, responsible for the few meV band gap of chlorographene observed under high tensile strain, which would have been a gapless semimetal otherwise.
Topological phase transition in MoTe$_2$: A Review
过渡金属二硫属化物（transition metal dichalcogenides，TMD）是二维材料的一个分支，除了具有易剥离的层状结构外，还具有半导体、金属、超导和拓扑等多种多晶型性质，具有潜在的应用前景。MoTe $_2$是这种TMD的一个例子，它显示出半导体（在2H相中）、金属（在1T'相中）、拓扑Weyl半金属和超导行为（在Td相中）。因此，人们对$_2$进行了大量的研究，特别是对金属型1T'相和拓扑Td相之间的拓扑相变进行了研究。这种相变已被审查和它的关联与晶体结构，电荷传输，和电子能带结构进行了详细讨论。此外，各种刺激的效果，如减少维数，压力，电荷掺杂，和化学取代，影响的结构转变以及超导转变温度进行审查，从而提出了某些明显无关的结构和超导相变之间的相关性。该综述还提出了一些开放的问题，这些问题可能会引起社会的兴趣，以解决与相变及其潜在应用相关的物理问题。
Pressure-induced gap closing and metallization of MoSe$_{2}$ and MoTe$_{2}$
层状钼二硫属化物是半导体，其间隙由精细的层间相互作用控制。间隙随层间距离的减小而减小，表明在压力作用下发生了坍塌和成矿作用。我们预测，基于第一性原理计算，层状半导体2 H $_c$ -MoSe $_2$和2 H $_c$ -MoTe $_2$应在28和40 GPa（MoSe $_2$）和13和19 GPa（MoTe $_2$）之间的压力进行金属化。与已知发生2 H $_c$ $\to$ 2 H $_a$层滑动转变的MoS $_2$不同，这两种材料似乎至少在高达100 GPa下保持原始2 H $_c$层状结构，并且在压力下越来越抵抗润滑层滑动。类似于金属化的MoS $_2$，预测它们在费米能级处表现出低的态密度，并且可能具有非常适度的超导温度（如果有的话）。我们还研究了$β$ -MoTe $_2$结构，其亚稳态焓比2 H $_c$ -MoTe $_2$高.尽管它在零压力下已经具有半金属和（弱）超导的特性，但金属丰度预计不会随着压力的增加而急剧增加。
