本文研究了有机导体α-（BEDT-TTF）_2I_3中无质量Dirac电子的低温核磁共振（NMR）随位移的变化，其中四个分子在晶胞中的位址分别为A（= A '），B和C。狄拉克锥存在于导带和价带之间的0.01 eV的能量内。考虑到长程库仑相互作用和电子掺杂，计算了磁响应函数。在微扰中计算一级相互作用，自洽地确定化学势，并采用自能和顶点修正满足沃德恒等式。通过正确处理狄拉克锥的波函数，计算了0.0002 < T < 0.002（T是以eV为单位的温度）的低温下的位置相关位移。在较低（较高）的温度下，自能（顶点）校正的位移在所有网站，除了B是占主导地位的，符号是负（正），而在B网站的校正的符号总是负的。对于中等掺杂，作为T的函数的位移取最小值。的相关性的转变的实验进行了讨论。
英文摘要：
The nuclear magnetic resonance (NMR) with the site-dependent shift, at low temperatures is examined for a massless Dirac electrons in the organic conductor, alpha-(BEDT-TTF)_2I_3, where the sites of the four molecules in the unit cell are given by A (= A'), B, and C. The Dirac cone exists within an energy of 0.01 eV between the conduction and valence bands. The magnetic response function is calculated by taking account of the long-range Coulomb interaction and electron doping. Calculating the interaction within the first order in the perturbation, the chemical potential is determined self-consistently, and the self-energy and vertex corrections are taken to satisfy the Ward identity. The site-dependent shift is calculated at low temperatures of 0.0002 < T < 0.002 (T is temperature in the unit of eV) by correctly treating the wave function of the Dirac cone. At lower (higher) temperatures the self-energy (vertex) correction of the shift at all sites except for B is dominant and the sign is negative (positive), while the sign of the correction at the B site is always negative. For moderate doping, the shift as a function of T takes a minimum. The relevance of the shift to the experiment is discussed.
Electronic states and molecular dynamics of single-component molecular conductors [M(tmdt)$_2$] (M=Ni, Pt) studied by $^{13}$C and $^1$H NMR
用$^{13}$ ~ C NMR和$^1$ ~ H NMR研究了由单分子物种组成的分子导体[M（tmdt）$_2$ ]（M=Ni，Pt）. $^{13}$ C NMR位移和弛豫速率的温度依赖性为具有明显电子相关性的金属性质提供了微观证据。这两种化合物在很宽的温度范围内表现出$^1$ H核自旋-晶格弛豫速率的反常频率依赖性增强。这些观测结果表明，在低能激发下存在着异常的分子运动。
$^{13}$C NMR Study on Zero-Gap State in the Organic Conductor $θ$-(BEDT-TTF)$_{2}$I$_{3}$ under Pressure
我们提出了我们的$^{13}$ C NMR研究的准二维有机导体$θ$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_{3}$在压力下，这是建议由输运测量零间隙导体的结果。我们发现NMR自旋位移与$T$成正比，自旋-晶格弛豫速率遵循幂律$T^α$（$α=3 \sim 4$），其中$T$是温度。这种行为与锥状能带色散一致，并为本材料在压力下实现零能隙态提供了微观证据。
Pressure-Induced Zero-Gap Semiconducting State in Organic Conductor $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$ Salt
我们显示了准二维有机导体$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$盐中的零能隙半导体（ZGS）态，其在沿a轴（BEDT-TTF分子的堆叠轴）的单轴压力下出现。ZGS状态是在费米点周围存在具有线性色散的带谱的狄拉克锥的状态，该狄拉克锥连接未被占据的（电子）带和被占据的（空穴）带。频谱表现出很大的各向异性的速度，这取决于从费米点的方向。通过改变一个紧束缚模型的几个转移能的大小与四个网站每个晶胞，它表明，ZGS状态存在于一个很宽的压力范围内，并归因于大的各向异性的转移能沿堆叠轴。
Analysis of Dirac Point in the Organic Conductor $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$
使用具有最近邻转移能和每个单元电池四个分子的紧束缚模型分析了压力下有机导体$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$中的狄拉克电子。通过注意到第一和第二能带之间的狄拉克点出现或合并，随后是在时间反演不变动量（TRIM）处的能级交叉，基于TRIM处的这两个波函数导出有效哈密顿量，这两个波函数具有与围绕反演中心的反演对称性相关联的不同宇称。我们证明了狄拉克点是由两种线的交叉点所确定的，这两种线来自于由TRIM周围的对称和反对称函数所描述的哈密顿量。本方法定量地给出了$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$在较宽压力范围内Dirac点的合理位置。
Crystal structure, stability and optoelectronic properties of the organic-inorganic wide bandgap perovskite CH3NH3BaI3: Candidate for transparent conductor applications
从理论和实验两方面研究了CH_3NH_3BaI_3杂化钙钛矿的结构稳定性、电子结构和光学性质。溶液处理的薄膜的CH 3 NH3 BaI 3表现出约3.87 eV的高带隙，这是非常符合4 eV的理论估计。此外，该薄膜的XRD图案与从CH_3 NH_3Ba_I_3的弛豫晶胞获得的模拟图案的L-峰匹配良好，其在I_4/mcm空间群中结晶，具有晶格参数a = 9.30 A，c = 13.94 A。原子投影态密度和能带结构计算揭示了导带和价带边缘分别主要由钡d轨道和碘p轨道组成。CH_3 NH_3BaI_3的带隙比CH_3 NH_3 PbI_3的带隙大，这是由于Ba{2+}的价带中d轨道的缺乏和较低的电负性。更详细的分析揭示了CH 3 NH3 BaI 3对湿度的优异化学和机械稳定性，不像其卤化铅对应物，在这种条件下会降解。CH 3 NH3 BaI 3化合物的可掺杂性（例如通过在Ba位点上掺杂La）与其在环境条件下的结构和机械稳定性相结合，表明该化合物是透明导体应用的有希望的候选者，特别是对于所有钙钛矿太阳能电池。
Local Multimodal Dynamics in Mixed Ionic-Electronic Conductors and Their Fingerprints in Organic Electrochemical Transistor Operation
Institut de Bioenginyeria de Catalunya (IBEC), The Barcelona Institute of Science and Technology (BIST)（巴塞罗那生物工程研究所，巴塞罗那科学技术研究院）；Center for Nano Science and Technology, Istituto Italiano di Tecnologia（意大利理工学院纳米科学和技术中心）；Laboratory of Organic Electronics, Department of Science and Technology (ITN), Linköping University（林雪平大学科技学院有机电子实验室）；Department d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica, Universitat de Barcelona（巴塞罗那大学生物医学电子工程系）；Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory（橡树岭国家实验室纳米相材料科学中心）
Interface effects on an ultrathin Co film in multilayers based on the organic semiconductor Alq3
利用原子力显微镜、SQUID磁谱仪和核磁共振（NMR）研究了AlOx阻挡层厚度对Ta/Co/（AlOx）/Alq 3/Si混合结构磁性能和形貌的影响。所有使用的技术都指出，需要2nm的阻挡层厚度来在Alq 3的顶部上获得磁性良好的钴层。59 Co NMR测量结果表明，AlOx阻挡层导致形成具有“缺陷”钴的界面层，有利于具有良好磁性能的“大块”钴的生长。
Visualizing Skin Effects in Conductors with MRI: ${}^7$Li MRI Experiments and Calculations
New York University（纽约大学）；National High Magnetic Field Laboratory and Florida State University（国家强磁场实验室和佛罗里达州立大学）；University of Illinois at Urbana-Champaign（伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校）；Stony Brook University（石溪大学）；University of Cambridge（剑桥大学）
