Rhodium Doped Manganites : Ferromagnetism and Metallicity
首次证明了铑掺杂在小A位阳离子锰氧化物Ln_{1-x} Ca_xMnO_3中诱导铁磁性和绝缘体到金属转变的可能性。对于大的组成范围（0.35 \leq x < 0.60）证明了巨磁阻（CMR）性质。铑诱导这种性能的能力相比，通过铬和钌掺杂所获得的结果。模型被提出来解释这种行为。
2001-05-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Hole superconductivity in the electron-doped superconductor PCCO
我们测量了电子掺杂超导体Pr_{2-x} Ce_xCuO_4的电阻率和霍尔角随掺杂和温度的变化。温度为100 K < T <300 K时的电阻率Rho_xx对电子最为敏感。它的温度行为在很宽的掺杂范围内与掺杂无关，甚至对非超导样品也是如此。另一方面，横向电阻率rho_xy或霍尔角θ_H（其中cot（θ_H）= rho_xx/rho_xy）对空穴和电子都敏感。它的温度依赖性受到掺杂的强烈影响，并且cot（theta_H）可以用于识别最佳掺杂（最大Tc），甚至远高于临界温度。这些结果表明，在电子掺杂的铜氧化物中，空穴是超导电性的主要来源。
2007-06-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Universal behavior of transition temperatures Vs residual resistivity in Mn site doped La-Ca-Mn-O perovskites
我们在这里讨论的局部结构和/或局部磁耦合的性质对Mn位取代的La-Ca-Mn-O钙钛矿的电输运性质的作用的比较研究。特别强调的是正在探索的绝缘体-金属过渡（TIM）和剩余电阻率（rhoo）取代后的强相关性。在所讨论的化合物中，ro和TIM之间存在反比关系。对于所研究的化合物，TIM Vs ro最适合于一级指数衰减，其函数形式为TIM = TIMO + Aexp（-rhoo/t），而不是幂律。有一个以前的报告，其中类似的相关性的情况下，稀土取代的锰氧化物已被归因于安德森型电子本地化。在Mn位取代的La-Ca-Mn-O钙钛矿中，无论取代元素的电子、磁性和化学性质如何，在ro和TIM之间观察到的“普遍行为”都需要严格的理论研究。
2003-03-19 cond-mat.str-el
Rhombohedral Graphene: A Tale of Many Crystals
Massachusetts Institute of Technology（麻省理工学院）
本研究针对菱面石墨烯，提出由非相互作用能带色散导出的指标识别强关联区域，结合Hartree-Fock理论的神经网络变分蒙特卡洛方法求解基态，发现多种新型电子晶体并探讨其与超导电性的关联。
2026-08-04 cond-mat.str-el
Hydrostatic pressure study of pure and doped La1-xRxAgSb2 (R = Ce, Nd) charge-density-wave compounds
金属间化合物LaAgSb 2显示两个电荷密度波（CDW）的转变，这是检测与测量的电阻率（ρ），磁化率，和X射线散射;上过渡发生在T1约。210 K，它伴随着一个大的异常ρ（T），而较低的过渡是由一个更微妙的异常T2约。185 K通过测量P < 23 kbar时的ρ（T），研究了静压（P）对纯的和掺杂的La_（1-x）R_xAgSb_2（R = Ce，Nd）化合物上CDW态形成的影响。我们发现，流体静压，以及引入的化学压力的较小的Ce和Nd离子的La的部分替代，导致在抑制的CDW基态，例如，降低的有序温度T1。dT 1/dP的值约为。2-4与纯LaAgSb 2或甚至具有相当T1（P=0）的Nd掺杂的La0.75Nd0.25AgSb2相比，Ce掺杂的样品的T1（P=0）高出10倍。这种对压力的敏感性增加可能是由于在压力下增加Ce-杂化。压力降低了Ce掺杂化合物的磁有序温度，Ce掺杂样品的高压行为主要由Kondo杂质散射决定。
2007-10-24 cond-mat.other cond-mat.str-el
Non percolative nature of the metal-insulator transition and persistence of local Jahn-Teller distortions in the rhombohedral regime of La$_{1-x}$Ca$_{x}$MnO$_{3}$
研究了钙掺杂LaMnO $_{3}$的平均和局部晶体结构的演化，在两种钙浓度（$x = 0.18; 0.22$）下，在宽的温度范围内从金属到绝缘体（MI）以及从正交到菱面体（OR）的结构相变。结合Rietveld和高实空间分辨率的原子对分布函数（PDF）对中子全散射数据进行了分析，旨在探索MI跃迁中纳米尺度相分离（PS）的可能性，并绘制了MnO $_{6}$八面体在T $_{S}$ $\sim$ 720 K时OR跃迁中局域Jahn-Teller（JT）畸变的演化.该研究利用了显式两相PDF结构模型，揭示了远离TMI没有纳米级相共存的证据。局部JT扭曲突然消失时，交叉到金属制度与掺杂和温度，只有小的温度无关的签名淬火无序可观察到在低温下相比，CaMnO $_{3}$。因此，结果不支持MI过渡的解释性方案在La $_{1-x}$ Ca $_{x}$ MnO $_{3}$基于PS，并质疑其普遍存在的锰氧化物。在相反的LaMnO 3，表现出远程轨道相关性和相当大的八面体扭曲在低温下，掺杂的样品与跨越MI边界的组合物表现出相关性（在绝缘制度）仅限于$\sim$ 1 nm，具有明显较小的扭曲。在$x = 0.22$样品中，发现局部JT-畸变在OR过渡期间持续存在，并深入到R-相（高达$\sim$ 1050 K），在那里它们被晶体学禁止。它们的大小和亚纳米空间范围保持不变。
2015-11-25 cond-mat.str-el
Dynamic correlations in doped 1D Kondo insulator: Finite-T DMRG study
将有限T DMRG方法应用于一维Kondo晶格模型，计算了动态关联函数。计算了顺磁金属相在不同温度和空穴密度下的动态自旋和电荷关联S_f（ω）、S_c（ω）和N_c（ω）以及准粒子态密度ρ（ω）。接近半填充，它示出了赝间隙生长在这些动态关联函数的交叉温度下，其特征在于在半填充的自旋间隙。在低温下，S_f（ω）和N_c（ω）在ω =0处出现一个尖峰。这可能是形成集体激发的证据，这证实了金属相在低温极限下是Tomonaga-Luttinger液体。
1999-07-27 cond-mat.str-el
Evolution of magnetic oxygen states in Sr-doped LaCoO$_3$
用X射线吸收光谱和X射线磁圆二色性研究了La $_{1-x}$ Sr $_x$ CoO $_3$的磁性，并计算了相应的第一性原理电子结构.对于小的x，光谱是一致的形成的铁磁集群内发生的绝缘矩阵。Sr诱导的磁性O-空穴态刚好在E $_F$之上形成，并且随着Sr掺杂的增加而生长。密度泛函计算x = 0产生一个观察到的菱面体扭曲的费米基态，并表明掺杂引入的空穴在费米能级的磁状态具有显着的O 2 p和Co t $_{2g}$字符的未扭曲的赝立方结构。超晶胞计算表明具有更多Sr邻居的氧原子具有更强的磁性。
2012-10-11 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition and Ferromagnetism in the Electron Doped Layered Manganites La2.3-xYxCa0.7Mn2O7 (x=0,0.3,0.5)
合成了具有层状钙钛矿结构的La_（2.3-x）Y_xCa_（0.7）Mn_2 O_7（x= 0，0.3，0.5）体材料，并对其电学、电学和磁学性质进行了研究。结果表明，La_（1.8）Y_（0.5）Ca_（0.7）Mn_2 O_7具有四方晶系结构，是一种金属铁磁体，其磁转变温度为170 K。该化合物在140 K以下表现出金属行为，在100 K和34 kOe下具有大的磁阻（MR）Δ rho/rho（0）~94%.对于x=0和0.3的结构是单斜的抑制金属。当x=0时，材料是铁磁绝缘体。我们观察到随着x的减小，比热中线性项的系数大大增加。据我们所知，这是第一个报道的电子掺杂锰氧化物显示金属-绝缘体转变和铁磁性。
1998-05-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Structure, electric and magnetic properties of the electron-doped manganese oxide: La{sub(1-x)}Te{sub(x)}MnO{sub(3)}(x=0.1, 0.15)
本文研究了一种具有良好庞磁电阻（CMR）特性的新材料La{sub（1-x）}Te{sub（x）}MnO{sub（3）}（x=0.1，0.15）的电学和磁学性质。这些化合物具有菱面体结构。在该材料中，Te取代了部分La离子，导致晶格收缩和Mn-O-Mn键角加宽。X射线光电子能谱（XPS）分析表明，Te离子为四价态，Mn离子为Mn{sup（2+）}和Mn{Sup（3+）}的混合态。因此，该材料可以被视为电子掺杂的化合物。当x=0.1，0.15时，居里温度（Tc）分别为240 K和255 K。在200 K和40 kOe的磁场下，最大磁电阻比MR=[r（0）-r（H）]/r（0）约为51%.
2003-01-21 cond-mat.str-el
Evolution of the electronic structure from electron-doped to hole-doped states in the two-dimensional Mott-Hubbard system La1.17-xPbxVS3.17
本文用光电子能谱研究了二维Mott-Hubbard系统La_（1.17-x）Pb_xVS_（3.17）中填充控制的金属-绝缘体转变（MIT）。随着Pb取代x，化学势μ在x=0.15和0.17之间突然跳跃约0.07 eV，表明电荷间隙在x ~= 0.16处打开，与d2构型的Mott绝缘态一致。当空穴或电子被掺杂到x ~= 0.16的莫特绝缘体中时，间隙被填充，并且在μ处的光发射光谱权重ρ（μ）以与电子比热系数类似的方式逐渐增加，尽管与正常金属的预期相比，光谱权重在μ附近保持降低，显示金属样品中的伪间隙行为。观察到的varrho（mu）->0 x->0.16的行为进行了对比，通常的图片，费米液体系统的电子有效质量是朝着金属-绝缘体边界增强。随着温度的升高，能隙或赝能隙迅速被填满，在T=300 K时的光谱几乎与正常金属的光谱相同。在金属-绝缘体边界附近，μ周围的光谱与库仑能隙的形成一致，表明该系统固有的结构无序下的长程库仑相互作用的影响。
2004-05-07 cond-mat.str-el
Unusual Charge Localization in Zn-doped and Heavily Underdoped YBa2Cu3O7-d at Low Temperatures
在磁场高达18 T的条件下，测量了Zn掺杂YBa_2Cu_3 O_（7-d）和重欠掺杂纯YBCO单晶的面内正常态电阻率。我们发现，正常态rho_ab的温度依赖性不服从log（1/T），在低温极限下不趋于发散。结果表明，YBCO正常态的"基态"是金属态.
1999-08-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping n-type carriers by La-substitution for Ba in YBa_2Cu_3O_y system
到目前为止，还没有一种铜酸盐体系，其中可以掺杂n型和p型载流子而不改变晶体结构。为了研究同一结构下的电子-空穴对称性，我们尝试通过降低氧含量和用La ~（3+）离子取代Ba ~（2+）离子的方法在YBa_2Cu_3 O_y体系中掺杂n型载流子。用Y2 O3坩埚助熔剂法生长了掺La的YBa 2Cu 3 Oy单晶，证实La实际上替代了13%的Ba。通过在具有受控氧分压的气氛中退火晶体，氧含量y可以在6.21和6.95之间变化。发现室温下的面内电阻率rho_ab随着氧含量y的降低而增加，但有趣的是y的进一步降低导致rho_ab的降低。y = 6.21的最大还原样品在室温下显示出约30 mOhm cm的rho_ab，这比y = 6.32时的最大值小多达七个数量级。此外，发现y = 6.21样品的霍尔系数和塞贝克系数在室温下均为负。目前的研究结果表明，非掺杂莫特绝缘状态已被跨越后，减少y和n型载流子被成功地掺杂在这种材料。
2006-09-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Supression of electron correlations in the superconducting alloys of Rh$_{17-x}$Ir$_x$S$_{15}$
研究了强关联超导体Rh $_{17-x}$ S $_{15}$中铑位的铱掺杂效应。即使在低水平的掺杂（x = 1和2），我们看到的超导性质的急剧变化相比，未掺杂的系统。我们从掺杂样品的泡利极化率和索末菲系数的降低推断出费米能级的态密度降低。此外，在等温磁化扫描中的第二磁化峰（“鱼尾”），这是非常突出的未掺杂晶体的磁化数据被抑制在掺杂的样品。掺杂晶体的电阻率的温度依赖性表现出显着不同的行为，从未掺杂的晶体的外观在较低的温度下的最小值，其位置是相当恒定的，在不同的字段。我们的数据支持这样的观点，即铱，这是一个比铑更大的原子，从而扩大了晶格，减少了由于在未掺杂的系统中更接近的铑原子之间的相互作用而存在的电子相关性。
2010-10-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Crystal structure, electronic, and magnetic properties of the bilayered rhodium oxide Sr3Rh2O7
采用高压高温加热法合成了双层结构的氧化铑Sr 3Rh 2 O 7。单相多晶样品的Sr 3Rh 2 O 7的特征在于通过测量的磁化率，电阻率，比热，和热电势。用粉末中子衍射研究了其结构特征。氧化铑Sr 3Rh 2 O 7 [Bbcb，a = 5.4744（8）A，b = 5.4716（9）A，c = 20.875（2）A]与变磁性金属Sr 3Ru 2 O 7是同构的，每个Rh有5个4d电子，这与假设的双层氧化钌电子等效，其中每个Ru有1个电子掺杂到Ru-327单元中。本数据显示氧化铑Sr 3Rh 2 O 7是具有增强的顺磁性的金属，类似于Sr 3Ru 2 O 7。然而，既没有明显的贡献，从自旋波动，也没有任何痕迹的变磁过渡被发现在研究范围内从2 K至390 K低于70 kOe。
2002-08-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Enhancing high-temperature thermoelectric properties of PtAs2 by Rh doping
通过电阻率ρ、Seebeck系数S和热导率kappa的测量，研究了Rh掺杂对Pt_（1-x）Rh_xAs_2（x = 0，0.005和0.01）热电性能的影响. x = 0.005的样品表现出大的S和低的ρ，导致在440 K时的最大功率因数（S^2/ρ）为65 μ W/cmK^2。预测的PtSb 2的特殊形状的“波纹状平带”可以解释掺杂PtAs 2的增强的热电性能。
2013-09-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetization and magneto-electric effect in La-doped BiFeO3
我们报告的Bi 1-xLaxFeO 3系列0 < x < 0.15的磁化强度和磁电容测量。我们证实，掺杂La降低了阈值磁场Hc取消磁螺旋相，我们表明，Hc降低作为La含量增加到x=0.15，这是最高浓度为保持非中心对称菱面体结构的BiFeO 3。作为系列中磁场的函数的介电常数的测量也示出x=0.15的最大磁电容。
2009-10-06 cond-mat.other cond-mat.str-el
Doping Dependence of Anisotropic Resistivities in Trilayered Superconductor Bi2Sr2Ca2Cu3O10+delta (Bi-2223)
系统地测量了高质量Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_（10 + δ）单晶的热功率、面内电阻率rho_ab（T）、面外电阻率rho_c（T）和磁化率随掺杂浓度的变化关系。我们发现，转变温度Tc和赝能隙形成温度T_rho_c*，低于rho_c显示一个典型的上升，不改变从它们的最佳值在“过掺杂”区域，即使掺杂实际上进行。这表明，在过掺杂区，体材料$T_c$主要由具有大超导能隙的低掺杂内面决定，而载流子主要掺杂在具有大相位刚度的外面。
2002-05-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure induced structural phase transition and magneto-elastic coupling in Eu doped LaCrO$_3$
Indian Institute of Science Education and Research Kolkata（印度科学教育研究所加尔各答分校）；National Centre for High-Pressure Studies, Department of Physical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Kolkata（印度科学教育研究所加尔各答分校物理科学学院高压研究中心）；Iowa State University（爱荷华州立大学）；IMPMC, Sorbonne Université, CNRS, MNHN（索邦大学、法国国家科学研究中心、法国国家自然历史博物馆巴黎矿物起源与演化实验室）
本研究通过高压XRD、拉曼光谱和低温磁化测量，发现Eu掺杂LaCrO$_3$在10.6 GPa发生正交到菱方相变，并预测压力诱导磁基态转变为反铁磁有序。
2026-09-18 cond-mat.str-el
Origin of the anomalous low temperature upturn in resistivity in the electron-doped cuprates
本文报道了Pr_（2-x）Ce_xCuO_（4-delta）薄膜的磁电阻（MR）随温度、掺杂和场的变化。我们区分轨道MR，发现当磁场施加垂直于ab平面，和近各向同性的自旋MR。后者，在超导样品中的主要MR效应，出现在该区域的掺杂温度相图中的d（ρ）/dT<0，或出现在电阻率的上升。我们的结论是，上升起源于自旋散射过程。
2004-08-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Self-doped Crystal from Preempted Band-inversion Transitions
Graduate Group in Applied Science & Technology, University of California, Berkeley（加州大学伯克利分校应用科学与技术研究生组）；Department of Physics, Harvard University（哈佛大学物理系）；Department of Physics, University of California, Berkeley（加州大学伯克利分校物理系）
研究通过非微扰论证，揭示了预判带 inversion 转变如何导致自掺杂晶体的形成，并探讨了 Berry 曲率分布对量子相变的影响。
2026-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Low Temperature Superfluid Response of High-Tc Superconductors
本文综述了高温超导体低温超流响应函数的理论和实验结果。在干净的高Tc材料中，面内超流密度rho_s^{ab}随温度线性变化。这个线性T项的斜率被发现与1/Tc的比例近似，根据弱耦合BCS理论的d-波超导体，这意味着间隙振幅与Tc的比例近似。在单层Hg化合物HgBa_2 CuO_{4+delta}中预测并实验观察到了清洁四元HTSC的面外超流密度rho_s^c的T^5行为。在其他具有相对高各向异性的四元化合物中，如Hg_2Ba_2Ca_2Cu_3 O_{8+delta}，由于无序效应，rho_s^c随T^2变化。在最佳掺杂的YBa_2Cu_3 O_{7-delta}中，低温时rho_s^c与温度呈线性关系，而在欠掺杂的YBa_2Cu_3 O_{7-delta}中，低温时rho_s^c与T^2成线性关系，这些结果与我们的理论计算相一致。
1998-07-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Non-Fermi-liquid behaviors associated with a magnetic quantum-critical point in Sr(Co{1-x}Ni{x})2As2 single crystals
用自熔剂法生长了电子掺杂Sr（Co{1-x}Ni{x}）2As 2单晶，组分x = 0 ~ 0.9，用Bi熔剂法生长了SrNi 2As 2单晶。使用单晶X射线衍射（XRD）、磁化率chi（H，T）、等温磁化强度M（H，T）、热容Cp（H，T）和电阻率ho（H，T）测量相对于施加的磁场H和温度T来表征晶体。chi（T）数据表明，在Co位上Ni掺杂后，晶体几乎立即表现出反铁磁（AFM）基态。对x = 0和x = 0.15的从头算电子结构计算表明，一个平带的状态密度的峰值正好高于费米能是负责这种初始的磁性有序行为对Ni掺杂。在顺磁（PM）状态下，χ的Curie-Weiss-like T依赖性表明主要的铁磁（FM）相互作用。每个过渡金属原子的小有序矩~0.1 μ B和Rhodes-Wohlfarth比的值表明磁性是巡回的。在低T下，Cp（T）在0 < x < 0.15时表现出费米液体行为，而在x = 0.2至0.3时发现向对数非费米液体（NFL）行为的演变。在施加的磁场中抑制了对数依赖性。低T ρ（H = 0，T）数据显示0 < x < 0.20时的T^2依赖性，以及x = 0.20和0.30时n < 2的幂律依赖性。在Cp和rho测量中观察到的这些低T NFL行为在量子临界浓度x ~ 0.3附近最明显，在该浓度下发生从AFM相到PM相的T = 0组合物诱导的转变。
2019-07-18 cond-mat.str-el
Structural, magnetic and transport properties in the Pr-doped manganites La0.9-xPrxTe0.1MnO3
研究了Pr掺杂对电子掺杂锰氧化物La0.9-xPrxTe0.1MnO3的结构、磁性和输运性质的影响。用Rietveld方法对样品的X射线粉末衍射图进行了精细化处理，发现样品在室温下发生了从菱方（R3 C）对称到正交（Pbnm）对称的结构转变。随着Pr掺杂量的增加，样品的居里温度降低，相变变宽。对于掺杂的样品，存在绝缘体-金属（I-M）转变。对于x = 0.36的样品，在66 K左右观察到低温I-M转变，这可能与新的渗流通道的打开有关。对于γ（T）曲线为dρ/dT < 0的样品，在高温PM相和低温FM相都表现出半导化特性。结果表明，随着A位元素平均离子半径的减小和容差因子的增大，Mn-O-Mn键的弯曲度增大<r_A>，从而导致光谱带宽变窄，电子迁移率降低，DE相互作用减弱.
2004-08-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Structure symmetry determination and magnetic evolution in $\rm Sr_2Ir_{1-x}Rh_{x}O_4$
利用单晶中子衍射方法研究了掺铑铱酸盐$\rm Sr_2Ir_{1-x}Rh_{x}O_4$（$0\leq x \leq 0.16$）的晶体结构对称性和磁性演化。在整个掺杂范围内，晶体结构保持四重对称（空间群$I4_1/a$），在晶胞中具有两个不同的磁性Ir位点，形成交错的$\rm IrO_6$旋转。在Rh掺杂时，磁序被抑制，并且Ir $^{4+}$的磁矩从$x=0$的0.21 $\rm μ_B$ /Ir降低到$x=0.12$的0.18 $\rm μ_B$ /Ir。$x=0.12$的磁结构与母体化合物的磁结构不同，但磁矩仍保持在基面。
2015-10-26 cond-mat.str-el
Real-space Visualization of Emergent Electron Crystals in Rhombohedral Graphene
Cornell University（康奈尔大学）；National Institute for Materials Science（国立材料研究所）
利用扫描隧道显微镜在菱方六层石墨烯中直接观测到从蜂窝到斜方的电子晶体相变，揭示金属性电子晶体及与轨道磁性交织的异常霍尔晶体，确立电子结晶新范式。
2026-09-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Hydrostatic pressure study of the structural phase transitions and superconductivity in single crystals of (Ba1-xKx)Fe2As2 (x = 0 and 0.45) and CaFe2As2
通过在1.8 - 300 K温度范围内、压力高达20 kbar和磁场高达9 T的条件下测量电阻率，研究了静水压力（P）对三元和赝三元铁砷化物CaFe_2As_2、BaFe_2As_2和（Ba_（0.55）K_（0.45））Fe_2As_2的结构相变和超导电性的影响。CaFe_2As_2和BaFe_2As_2（轻掺Sn）分别在170 K和85 K附近出现结构相变，在常压下不表现出超导性，而K掺杂的（Ba_（0.55）K_（0.45））Fe_2As_2在T < 30 K时表现出超导性。压力对BaFe_2As_2的影响是以约-1.04 K/kbar的速率将晶体学转变的起始温度向下移动，同时将整个ρ（T）曲线向下移动，而压力对超导（Ba_（0.55）K_（0.45））Fe_2As_2的影响是以约-0.21 K/kbar的速率将超导性的起始温度向更低的温度移动。压力对CaFe 2As 2的影响首先是抑制晶体学转变，并在12 K附近非常迅速地诱导超导性，即，P < 5 kbar。然而，更高的压力会带来另一种相变，其特征是电阻率降低，以及超导性的抑制，将超导性限制在以5 kbar附近为中心的狭窄压力圆顶内。讨论了（Ba_（0.55）K_（0.45））Fe_2As_2和CaFe_2As_2的上临界场（Hc_2）数据。
2008-10-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Structure, magnetic properties, and cycloidal spin ordering in Nd-doped BiFeO$_3$ synthesized by sol-gel method
本研究通过溶胶-凝胶法制备Nd掺杂BiFeO$_3$，发现随Nd浓度增加发生从菱方到正交的结构转变，破坏自旋摆线，并诱发弱铁磁性，磁有序温度约640 K。
2024-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
"Berry Trashcan" Model of Interacting Electrons in Rhombohedral Graphene
本文提出菱面体石墨烯中相互作用电子的“贝里垃圾桶”能带模型，利用Girvin-MacDonald-Platzman代数描述贝里曲率，并通过新提出的sliver-patch近似解析求解维格纳晶体的Hartree-Fock方程，揭示贝里通量与陈数间的铁磁耦合及相图竞争趋势。
2025-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Optical and thermodynamic properties of the high-temperature superconductor HgBa_2CuO_4+delta
本文报道了单层铜氧化物超导体Hg-1201在最佳掺杂（Tc = 97 K）时的面内、面外光谱和比热测量结果。面内和面外超流密度都符合最近提出的标度关系rho_{s} = sigma_{dc} T_{c}。结果表明，有一个超导电性诱导的面内低频谱权重的增加，其中遵循的趋势，发现在欠掺杂和最佳掺杂的Bi-2212和最佳掺杂的Bi-2223。我们观察到增加的光谱权重，这对应于约0.5 meV/Cu的动能的变化，这是足够多的解释凝聚能。比热异常比YBCO小10倍，比Bi-2212小3倍。异常的形状类似于在YBCO中观察到的，表明超导转变是由热涨落控制的。
2006-10-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electron hole - phonon interaction and structural changes in La0.9Sr0.1FeO3 by temperature dependent conductivity and valence band photoemission spectros-copy
报道了空穴掺杂极化子导体La0.9Sr0.1FeO3（LSF 10）的电导率和结构细节。单晶的电导率随温度呈指数增长，在700 K时最大值为100 S/cm，激活能约为375 meV，而在较高温度时电导率呈指数下降，并遵循幂律。300 K { \leg } T { \leg } 700的电导率的指数增加伴随着光电发射价带中的光谱权重向费米能级的移位，指示强的电子-声子相互作用。随后的T > 700 K的电导率的降低伴随着从正交对称到菱形对称的可逆相变。对于T > 700 K，电导率的降低可能是由于氧损失导致的铁的还原导致空穴浓度的降低，如Fe K壳层X射线吸收光谱中的显著化学位移所证明的。两个额外的精细结构的电导率数据在357 K，这是一个小的温度可逆跳跃的电导率，并在573 K，一个轻微的可逆增加的极化子活化能，与一个异常强烈的下降，在费米能级附近的光谱价带强度，并与相应的结构转变的开始。
2011-06-06 cond-mat.str-el
Two-dimensional electrons at mirror and twistronic twin boundaries in van der Waals ferroelectrics
本研究预测范德华铁电体3R相过渡金属二硫化物的孪晶界可承载高面密度二维载流子，且n型掺杂结合能更优，还提出魔角组装孪晶薄膜可诱导强关联电子态并给出对应角度值。
2024-07-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The effect of oxygen stoichiometry on electrical transport and magnetic properties of La0.9Te0.1MnOy
研究了氧含量的变化对电子掺杂锰氧化物La_（0.9）Te_（0.1）MnO_y的结构、磁性和输运性质的影响。所有样品均为菱面体结构，空间群为。随着氧含量的减少，居里温度降低，顺磁-铁磁（PM-FM）转变变宽。退火后样品的电阻率随氧含量的少量减少而略有增加。进一步降低氧含量，样品的电阻率最大值比制备前增加了6个数量级，y = 2.86和y = 2.83的样品的r（T）曲线显示出高温PM相和低温FM相的半导化行为。这被认为与超交换铁磁性（SFM）的出现和载流子的局域化有关。结果进行了讨论，在Mn 2 +/（Mn 2 ++ Mn 3+）的比例增加，双交换（DE）相互作用的部分破坏，以及由于在Mn-O-Mn网络中引入氧空位的载流子的本地化的综合影响。
2004-08-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Crystallography and Physical Properties of BaCo2As2, Ba{0.94}K{0.06}Co2As2 and Ba{0.78}K{0.22}Co2As2
用X射线衍射、中子粉末衍射、磁化率、磁化强度、热容Cp、{75}As NMR和电阻率ρ随温度T的变化研究了BaCo_2As_2和掺K的Ba{1-x}K{x} Co_2As_2（x = 0.06，0.22）多晶和单晶样品的晶体学和物理性质。使用Sn助熔剂和CoAs自助熔剂生长晶体，其中Sn生长的晶体含有1.6-2.0摩尔%的Sn。所有样品均为四方ThCr_2Si_2型结构（空间群I_4/mmm）。对于BaCo 2As 2，粉末中子衍射数据表明，c轴晶格参数表现出反常的负热膨胀从10到300 K，而a轴晶格参数和晶胞体积显示正常的正热膨胀在这个T范围内。在BaCo 2As 2中没有发现从任何测量的T范围内的过渡。在40-50 K以下，我们发现rho ~ T^2指示费米液体的基态。在费米能级D（EF）~ 18态/（eV f. u.）从低T Cp（T）测量中发现了两个自旋方向的电子态密度，而能带结构计算给出D（EF）= 8.23态/（eV f.u.）。{75}As NMR位移数据与T的关系与chi（T）数据具有相同的T依赖性，表明导出的chi（T）数据是内在的。所观察到的{75}As核自旋动力学与铁磁和/或条纹型反铁磁自旋涨落的存在是一致的。Ba{0.78}K{0.22} Co_2As_2晶体在Sn助熔剂中生长，其性质与未掺杂的BaCo_2As_2非常相似。另一方面，从两批的Ba{0.94…
2014-06-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Structural, transport, and thermal properties of single crystalline type-VIII clathrate Ba8Ga16Sn30
我们报告的电阻率，霍尔系数，热电功率，比热，和热导率的单晶体的类型-VIII包合物Ba_8 Ga_（16）Sn_（30）从Sn熔剂生长。在较宽的温度范围内负的S和RH表明电子主导电输运性质。rho（T）和S（T）都显示出重掺杂半导体杂质半导体的典型行为。当温度升高到550 K时，S的绝对值单调增加到243 uV/K。大的S可能源于低载流子浓度n= 3.7 × 10^19 cm^（-3）。霍尔迁移率μ H在70 K附近达到最大值62 cm^2/Vs。对uH随温度变化的分析表明，随着温度的升高，主要的散射机制从电离杂质散射过渡到声学声子散射。通过对结构细化和比热实验数据的分析，证明了Ga和Sn笼中Ba原子局域振动模的存在，得到了50 K的Einstein温度和200 K的Debye温度。Ba原子的这种局部振动应该是低热导率（150 K时为1.1 W/m K）的原因。讨论了VIII型笼形化合物的热电应用潜力。
2004-09-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
