基于Allen、Mitrović-Fiorucci、Shulga-Dolgov-Maksimov、Sharapov-Carbotte与Götze-Wölfle记忆函数形式体系的有限频率散射率比较研究
A comparative study of finite frequency scattering rate from Allen, Mitrović-Fiorucci, Shulga-Dolgov-Maksimov, Sharapov-Carbotte and Götze-Wölfle Memory Function formalisms
AI总结：
本研究对比了多种散射率形式体系在电子-声子相互作用下的频率、温度依赖散射率，分析不同态密度形式下的差异，明确各体系的物理假设，指出记忆函数形式体系普适性最高。
摘要：
我们开展了一项散射率比较研究，涉及Allen、Shulga等人、Mitrović等人、Sharapov等人提出的多种形式体系，以及记忆函数形式体系。我们讨论了电子-声子相互作用场景下，这些形式体系中散射率随频率与温度的变化关系。研究针对不同形式的声子态密度（PDOS）与电子态密度（EDOS）展开分析。本研究的一项优势在于阐明了这些形式体系所依据的物理假设。通过详细对比我们发现，记忆函数形式体系是其中最具普适性的，其余所有形式体系均建立在本文所讨论的限制性假设之上。
英文摘要：
We report a comparative study of the scattering rates using different formalisms such as Allen\cite{allen_71}, Shulga et al.\cite{shulga_91}, Mitrović et al.\cite{mitrovic_85}, Sharapov et al\cite{sharapov_05} and memory function formalism\cite{mori_65}. We discuss the frequency and the temperature dependent scattering rates for the case of electron-phonon interactions in these formalisms. The analysis has been done for different forms of phonon density of states (PDOS) and electron density of states (EDOS). An advantage of our study is that it shed light on the physical assumptions used in these formalisms. From this detailed comparison, we observe that the memory function formalism is the most general one. All other formalisms are based on restrictive assumptions as discussed in this work.
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