The thermal and electrical transport properties of single-crystalline LaBe$_{13}$ have been investigated by specific-heat ($C$) and electrical-resistivity ($ρ$) measurements. The specific-heat measurements in a wide temperature range revealed the presence of a hump anomaly near 40 K in the $C$($T$)/$T$ curve, indicating that LaBe$_{13}$ has a low-energy Einstein-like-phonon mode with a characteristic temperature of $\sim$ 177 K. In addition, a superconducting transition was observed in the $ρ$ measurements at the transition temperature of 0.53 K, which is higher than the value of 0.27 K reported previously by Bonville et al. Furthermore, an unusual $T^3$ dependence was found in $ρ$($T$) below $\sim$ 50 K, in contrast to the behavior expected from the electron--electron scattering or the electron--Debye phonon scattering.
Possible superconductivity above 25 K in single crystalline Co-doped BaFe$_{2}$As$_{2}$
通过测量Ba（Fe $_{0.9}$ Co $_{0.1}$）$_{2}$ As $_{2}$的磁化强度、电阻率、上临界场、霍尔系数和磁光图像，研究了其超导特性。磁化强度的测量揭示了鱼尾磁滞回线在高温和相对较高的临界电流密度在$J_{c}=10^{5}$ A/cm $^{2}$在低温。由电阻转变确定的上临界场是各向异性的，各向异性参数$\sim$为3.5。霍尔效应测量表明Ba（Fe $_{0.9}$ Co $_{0.1}$）$_{2}$ As $_{2}$是多带体系，电子迁移率占主导地位.磁光成像揭示了突出的豆状渗透的漩涡，虽然有轻微的不均匀性的样品。此外，我们发现了一个明显的超导电性高于25 K，这使我们推测，更高的转变温度可以通过微调Co掺杂水平实现。
Evolution of crystalline electric field effects, superconductivity, and heavy fermion behavior in the specific heat of Pr(Os$_{1-x}$Ru$_x$)$_4$Sb$_{12}$
Fully gapped superconductivity in In-doped topological crystalline insulator Pb$_{0.5}$Sn$_{0.5}$Te
拓扑绝缘体和拓扑晶体绝缘体通过掺杂得到的超导体一直被认为是拓扑超导体的候选者。Pb $_{0.5}$ Sn $_{0.5}$ Te是一种拓扑晶体绝缘体，在（001）、（011）和（111）取向表面上具有镜像对称保护表面态。超导体（Pb $_{0.5}$ Sn $_{0.5}$）$_{0.7}$ In $_{0.3}$ Te是通过在Pb $_{0.5}$ Sn $_{0.5}$ Te中掺杂In诱导的，并且被认为是拓扑超导体。本文首次报道了（Pb $_{0.5}$ Sn $_{0.5}$）$_{0.7}$ In $_{0.3}$ Te在（001）取向表面上的超导态和超导能隙的扫描隧道谱测量。利用Dynes模型，可以用各向异性的$Δ=0.72+0.18\cos4θ$ meV的$s$-波隙函数很好地拟合该谱.结果表明，准粒子态密度似乎是完全带隙的，没有任何带隙内态，与拓扑超导体的预期相矛盾。
Anisotropic two-gap superconductivity and the absence of a Pauli paramagnetic limit in single-crystalline LaO$_{0.5}$F$_{0.5}$BiS$_2$
常压生长的$_{0.5}$-BiS-$_2$具有高度各向异性的正常态，其超导转变温度为$T_{c}\sim$ 3 K。通过一系列磁场方向在结晶$c$ -轴和$ab$ -平面之间变化的电阻率测量，我们给出了第一组显示面外上临界场$H_{c2}^{\perp}(T)$，面内上临界场$H_{c2}^{\parallel}(T)$，以及常压生长的LaO $_{0.5}$ F $_{0.5}$ BiS $_2$单晶在固定温度下$H_{c2}$的角度依赖性。超导电性的各向异性，$H_{c2}^{\parallel}/H_{c2}^{\perp}$，达到$\sim$ 16接近0 K，但它显着下降附近$T_{c}$。一个明显的向上弯曲的$H_{c2}^{\parallel}(T)$观察到$T_{c}$附近，我们分析使用两个间隙模型。此外，发现$H_{c2}^{\parallel}(0)$超过泡利顺磁极限，这可以通过考虑与Bi相关的强自旋-轨道耦合以及电子活性BiS $_2$双层的局部反转对称性的破坏来理解。因此，具有中心对称晶格结构的LaO $_{0.5}$ F $_{0.5}$ BiS $_2$是探索与体晶体中的局部宇称违反相关联的物理的独特平台。
Electron-phonon coupling and superconductivity in the doped topological-crystalline insulator (Pb$_{0.5}$Sn$_{0.5}$)$_{1-x}$In$_x$Te
本文用中子散射方法研究了（Pb $_{0.5}$ Sn $_{0.5}$）$_{1-x}$ In $_x$ Te与$x=0$（金属，但非超导）和$x=0.2$（非金属正常态，但超导）单晶中声子的性质.我们映射的声子色散（更完整的$x=0$），并发现一般与理论计算的一致性，除了在布里渊区中心的横向和纵向光学（TO和LO）模式。在低温下，两种模式都被强烈阻尼，但处于有限能量（两种样品中的$\sim4$ meV），在室温下转移到更高的能量。由于Pb-Te和Sn-Te $p$ -轨道杂化对金属原子的偏心位移的敏感性所驱动的近似结构不稳定性，这些模式是软的。软光学模式对低能声学模式的影响是从低热导率推断的，特别是在低温下。考虑到预测LO模式的电子-声子耦合最强，这对于两种研究的组合物应该是相似的，有趣的是，只有In掺杂的晶体是超导的。此外，我们观察到弹性漫（黄）散射，定性地解释了随机分布的铅和锡网站的晶格内的Pb-Te和Sn-Te键长的差异。我们还确认存在异常的扩散低能原子振动，我们推测归因于个别铅原子的偏离中心的网站之间的局部波动。
Superconductivity at 33 K in "111" single crystals at ambient pressure
我们已经成功地生长了单晶NaFeAs与钴或磷掺杂。在19 K时NaFe $_{0.95}$ Co $_{0.05}$ As中出现体超导电性，而在NaFeAs $_{0.8}$ P $_{0.2}$中观察到更高的转变温度，其中33 K的Tc甚至高于NaFeAs和所有其他等电子元素替代样品中通过施加压力实现的最高值。我们通过与122和1111系统的比较来讨论这些行为。我们希望我们的发现将有助于提高我们对铁基超导性的理解。
Unusual phonon density of states and response to the superconducting transition in the In-doped topological crystalline insulator Pb$_{0.5}$Sn$_{0.5}$Te
我们提出了非弹性中子散射的声子在（铅$_{0.5}$锡$_{0.5}$）$_{1-x}$在$_x$ Te粉末，与$x=0$和0.3。$x=0$样品是拓扑晶体绝缘体，而$x=0.3$样品是具有4.7 K的体超导转变温度$T_c$的超导体。在这两个样品中，我们观察到意想不到的范霍夫奇异的声子密度的状态在1 - 2.5毫电子伏的能量，暗示本地模式。在通过$T_c$冷却超导样品时，对于低于超导带隙能量的两倍的能量，这些特征有增强。我们进一步注意到，（Pb $_{0.5}$ Sn $_{0.5}$）$_{1-x}$ In $_x$ Te中的超导性发生在具有10 m $Ω$~cm数量级的正常态介电常数的样品中，指示坏金属行为。基于密度泛函理论的计算表明，超导电性很容易用电子-声子耦合来解释;然而，它们完全错过了低频模式，也不能解释大的电阻率。虽然（Pb $_{0.5}$ Sn $_{0.5}$）$_{0.7}$ In $_{0.3}$ Te的体超导态似乎是由声子驱动的，但要正确理解它，需要的是超越简单BCS理论的思想。
