Giant Magnetoelectric Effect via Strain-Induced Spin-Reorientation Transitions in Ferromagnetic Films
理论分析表明，在铁磁/铁电外延系统中，通过在衬底上施加电场引起的磁化旋转，可以获得超过10 ^-6 s/m的巨磁电磁化率。预测的磁电异常的结果从应变驱动的自旋重取向转变的铁磁薄膜，发生在实验上可访问的失配应变CoFe2O4和Ni膜。
2008-04-29 cond-mat.mtrl-sci
Giant atomic magnetocrystalline anisotropy from degenerate orbitals around Fermi level
具有巨磁晶各向异性能（MAE）的纳米结构在设计小型化磁存储和量子计算器件中是期望的。通过从头算和模型计算，我们提出了特殊的p-元素二聚体和单原子吸附在匹配衬底上具有72-200 meV的巨原子MAE，并且具有室温结构稳定性。巨大的MAE来源于费米能级附近的简并轨道。更重要的是，我们开发了一个简化的量子力学模型来理解如何获得支撑磁性结构的巨大MAE的原理。这些发现和机制为在纳米结构中设计巨原子MAE提供了范例。
2016-12-27 cond-mat.mtrl-sci
Giant and reversible extrinsic magnetocaloric effects in La0.7Ca0.3MnO3 films due to strain
已经提出了由磁场驱动的大的热变化用于环境友好的节能制冷，但是只有少数遭受磁滞的材料显示这些巨磁热效应。在这里，我们创造了巨大的和可逆的外部磁热效应的铁磁锰氧化物La0.7Ca0.3MnO3的外延膜使用应变介导的反馈从钛酸钡基板附近的一阶结构相变。我们的研究结果应该启发发现的巨磁热效应在广泛的磁性材料，并并行开发的纳米结构的散装样品的实际应用。
2012-09-28 cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetoimpedance in crystalline Mumetal
本文研究了工业用高导磁合金晶体的巨磁阻抗效应，着重研究了样品厚度对巨磁阻抗效应的影响和退火效应。通过使用适当的热处理，可以实现高达310%的GMI比，以及约20%/Oe的场灵敏度，这与非晶和纳米晶软磁材料获得的最佳GMI特性相当。
2003-06-03 cond-mat.mtrl-sci
Spin-lattice coupling mediated giant magnetodielectricity across the spin reorientation in Ca2FeCoO5
报道了纯块状棕钙钛矿化合物Ca_2FeCoO_5的结构、声子、磁、介电和磁介电响应。该化合物在150-250 K的自旋重取向转变过程中表现出由强自旋-晶格耦合引起的巨磁介电响应（10%-24%）。两个德拜温度有关的不同协调的网站在介电弛豫的作用。正的巨磁介电性被证明是一个直接的后果的调制晶格自由度，通过施加外部磁场跨越自旋重取向过渡。我们的研究说明了新的控制磁介电性通过调整自旋重取向过渡的材料，具有强的自旋晶格耦合。
2018-11-01 cond-mat.mtrl-sci
A model for exchange-biased asymmetric giant magneto-impedance in amorphous wires
提出了描述焦耳加热非晶丝中交换偏置非对称巨磁阻抗效应的模型。认为焦耳热导致了表面硬磁晶化层的形成，非对称巨磁阻抗效应与非晶相和晶相之间的交换耦合有关。表面层和非晶体之间的耦合描述在一个有效的偏置场。该模型基于线性化的麦克斯韦方程组和Landau-Lifshitz方程的联立求解。计算的磁场和频率依赖性的线阻抗是在一个定性的协议与焦耳加热的钴基非晶丝的非对称巨磁阻抗的实验研究结果。
2006-07-14 cond-mat.mtrl-sci
Magnetic-Field-Controlled Twin Boundaries Motion and Giant Magneto-Mechanical Effects in Ni-Mn-Ga Shape Memory Alloy
最近，一些研究小组报道了在一些非化学计量的Ni-Mn-Ga合金中观察到超过5%的超大磁应变效应，接近马氏体晶格的四方形纵横比所期望的5.78%的值。新的Ni-Mn-Ga合金表现出巨磁应变效应，同时显示出一些有趣的物理效应和一些新的行为的磁性和机械性能，这是非常不同的，从早期观察到的Ni-Mn-Ga显示较低的磁应变效应。本文报道了几种铁磁记忆合金的一些新的实验结果和描述大磁应变效应及主要力学和磁性能的定量模型。本文讨论了模型在非化学计量比Ni-Mn-Ga合金巨磁应变效应研究中的应用。
2000-05-24 cond-mat.mtrl-sci
Charge-transfer polaron induced negative differential resistance and giant magnetoresistance in organic spintronics: A Su-Schrieffer-Heeger model study
结合Su-Schrieffer-Heeger模型和非平衡格林函数理论，研究了低温下有机自旋电子学中的负微分电阻效应，并用自掺杂图像对其进行了描述.理论上预测了超过300%的巨负磁电阻是负微分电阻效应的结果。
2005-09-30 cond-mat.mtrl-sci
Giant AC magnetoresistance and anisotropic AC magnetoresistance in granular magnetic alloys
在5-300 K、磁场Hdc ~（-60）~ 60 kOe、频率1-1000 Hz范围内，测量了快淬Cu_（85）Co_（15）颗粒状磁性薄带的交流电阻随温度的变化。在相互作用的磁矩集体冻结温度附近，观察到零场电阻随频率变化的尖峰，以及在小磁场下的各向同性巨交流磁阻。在更宽的温度范围内观察到大磁场（Hdc > 20 kOe）下交流电阻的反常行为。这种效应不仅与频率有关，而且对各向异性高度敏感.我们称之为各向异性交流磁阻。
2000-03-14 cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetoimpedance in Vitrovac amorphous ribbons over [0.3-400 MHz] frequency range
本文研究了Vitrovac铸态$^{\textrm{\scriptsize\textregistered}}$非晶薄带（德国Schumschmelze）在两种结构（平行于和垂直于薄带轴）下的巨磁阻抗（GMI）效应，频率范围为[0.3-400 MHz]，静磁场为-160 Oe $< H_{dc} < $ +160 Oe。
2003-05-12 cond-mat.mtrl-sci
Review on Giant Magnetoelectric effects in Oxide ferromagnetic/ferroelectric Layered Structures
讨论了层状铁氧体-锆钛酸铅（PZT）和层状镧铈矿-PZT的合成及巨磁电相互作用的观察。在我们的研究中使用的铁氧体包括纯的和Zn取代的钴，镍和锂铁氧体。所使用的铁磁锰氧化物包括钙和锶取代的系统。样品由通过流延获得的10-40 mm厚的膜制备。我们的研究表明，在锰氧化物-PZT和钴锌铁氧体-PZT，和一个巨大的ME效应在镍锌铁氧体-PZT强烈的ME耦合。我们发现Zn辅助增强ME系数的证据，这归因于低各向异性和高磁导率，导致复合材料中有利的磁-机械耦合。
2004-01-29 cond-mat.mtrl-sci
Giant Magnetoresistance in Multilayers with Noncollinear Magnetizations
我们研究了磁性多层膜中电流磁电阻与层间磁化方向夹角的关系。这种依赖性随其中一层的厚度而变化，并且对于具有两个和三个磁性层的多层膜是不同的。我们推导出一个系统的方程表示的两个电流串联电阻模型的扩展，并表明，磁阻的角度依赖性的非共线自旋输运在铁磁体的信息。
2004-03-17 cond-mat.mtrl-sci
Tuning the giant inverse magnetocaloric effect in Mn2-xCrxSb compounds
研究了Mn_（2-x）Cr_xSb化合物的结构、磁性和磁热性能。在这些化合物中，从亚铁磁到反铁磁状态的一阶磁相变随着温度的降低而发生，从而产生巨大的逆磁热效应，其可以通过取代浓度的变化在宽的温度间隔上进行调谐。已经观察到高达7.5 J/kgK的熵变，并且对于几种不同的浓度/工作温度获得了与组合物无关的熵变，使得这些化合物成为复合工作材料的合适候选者。
2013-07-11 cond-mat.mtrl-sci
The physical nature of "giant" magnetocaloric and electrocaloric effects
从相变、铁磁性和铁电性的新基本原理出发，解释了“巨”磁热效应和电热效应的物理本质。它是从正常晶体状态到取向无序晶体（ODC）状态的结构（成核和生长）相变的潜热，其中组成颗粒参与热旋转。材料的铁磁性或铁电性提供了通过相应地施加磁场或电场来触发结构相变的能力。
2013-06-03 cond-mat.mtrl-sci
Half-metallicity and giant magneto-optical Kerr effect in N-doped NaTaO$_3$
采用密度泛函理论（DFT）的改进Becke-Johnson（mBJ）方法研究了N掺杂NaTaO $_3$的电子和磁光性质.的mBJ结果揭示了半金属性质的NaTaO $_2$ N，在广义梯度近似得到的结果相反。我们发现在725 nm波长（可见光区域）处的2.16 $^{\circ}$的巨大极性克尔旋转，这与其他半金属钙钛矿以及原型半金属PtMnSb相比是高的。
2013-11-14 cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetocaloric effect in magnetoelectric Eu1-xBaxTiO3
我们报告的磁熵变（Δ Sm）在磁电Eu 1-xTiO 3（x = 0.1- 0.9）。在x = 0.1的情况下，当电场变化为1（5）T时，-Δ Sm = 11（40）J/kg·K，是所有Eu基氧化物中最大的。Δ Sm来自场诱导的Eu 2+：4f 7局域化时刻的自旋熵的抑制。而-Δ Sm随x的增加而减小，-Δ Sm = 6.58 J/kg。在高自旋稀释组合物x = 0.9中观察到的K大于许多锰氧化物中的K。我们的研究结果表明，这些磁电体是潜在的候选人，低温磁制冷。
2013-11-17 cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetodielectric metamaterial
具有可调介电常数的介电材料在无线通信、雷达技术中是非常需要的。然而，在微波频率范围内和更高的介电性能的可调谐性对于传统材料是一个巨大的挑战。在这里，我们展示了一个巨大的磁介电效应在GHz区域的超材料的基础上铁氧体晶胞。这种效应是由铁氧体单胞中的铁磁共振和米氏共振的耦合引起的。模拟和实验结果均表明，通过改变外加磁场可以调节超材料的有效介电常数，在11.284 GHz处获得了巨磁介电效应，[H '（H）-H'（0）]/H '（0）= 15000%.这种机制提供了一个有前途的手段，构建微波可调谐范围大，通过超材料的路线定制相当大的潜力。
2014-11-06 cond-mat.mtrl-sci
Diffusion based degradation mechanisms in giant magnetoresistive spin valves
例如在硬盘和汽车应用中使用的基于巨磁阻（GMR）效应的自旋阀系统由几个功能性金属薄膜层组成。我们已经确定了二次离子质谱（SIMS）的两个主要退化机制：一个是有关的氧扩散通过保护帽层，另一个是直接在GMR堆栈的功能层的相互扩散。通过选择合适的材料作为覆盖层（TaN），可以抑制氧化效应。
2008-06-18 cond-mat.mtrl-sci
Modeling of asymmetric giant magnetoimpedance in amorphous ribbons with a surface crystalline layer
提出了一个描述场退火非晶薄带非对称巨磁阻抗（GMI）的模型。据推测，该薄带由内部的非晶核心和表面硬磁结晶层。该模型基于线性化的麦克斯韦方程组和Landau-Lifshitz方程的联立求解。表面层和非晶芯之间的耦合描述在一个有效的偏置场。给出了非晶薄带阻抗随频率和场的变化关系的解析表达式，计算结果与场退火非晶薄带高频非对称巨巨磁阻抗的实验结果定性一致。
2005-03-04 cond-mat.mtrl-sci
Coexistence of glassy antiferromagnetism and giant magnetoresistance (GMR) in Fe/Cr multilayer structures
使用随温度变化的磁阻和磁化强度的测量Fe/Cr多层膜，表现出显着的巨磁阻（GMR），我们已经发现的玻璃反铁磁（GAF）相的存在的证据。该相反映了在低温（T <140 K）下层间交换耦合（IEC）的影响，并且其特征在于与场无关的玻璃化转变温度Tg，以及在“德阿尔梅达和无扰”（AT）临界场线以下具有对数时间依赖性的不可逆行为。在室温下，GMR效应仍然很强，IEC仅起次要作用，并且作用于磁畴的随机电位变化负责反平行层间畴排列。
2002-05-06 cond-mat.mtrl-sci
Giant unidirectional magnetoresistance in topological insulator -- ferromagnetic semiconductor heterostructures
单向磁电阻（UMR）是铁磁/非磁双层膜中最复杂的自旋相关输运现象之一，它涉及到自旋霍尔效应（SHE）或Rashba-Edelstein效应（REE）引起的自旋注入和积累，以及铁磁界面或体内的自旋相关散射和磁振子散射。虽然近年来已经广泛地研究了金属双层中的UMR，但是其幅度小至10 $^-$ $^5$，这对于实际应用来说太小了。在这里，我们证明了一个巨大的UMR效应在异质结构的BiSb拓扑绝缘体- GaMnAs铁磁半导体。我们得到了一个大的UMR比为1.1%，并发现这个巨大的UMR是由巨磁电阻（GMR）的自旋相关散射，但由磁振子发射/吸收和强自旋无序散射的GaMnAs层。我们的研究结果为UMR的复杂物理学提供了新的见解，以及提高其在器件应用中的重要性的策略。
2019-11-01 cond-mat.mtrl-sci
Giant direct magnetoelectric effect in strained multiferroic heterostructures
采用基于第一性原理的计算方法，研究了铁电薄膜中铁磁衬底诱导的晶格应变引起的直接磁电效应。为此，计算了Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜在不同退极化场下的铁电极化应变灵敏度和薄膜介电常数随面内双轴应变的变化关系.据发现，ME电压系数与此应变的非单调变化，并可能达到巨大的值超过100 Vcm-1 Oe-1的应变范围内，可以通过控制的电边界条件。
2012-03-27 cond-mat.mtrl-sci
Direct Measure of Giant Magnetocaloric Entropy Contributions in Ni-Mn-In
非化学计量比的Ni 2 MnIn合金由于其一级相变和结构相变的耦合以及与相变相关的大磁热熵而引起人们的关注。在这里，我们描述了四个组合物的量热和磁性研究。结果提供了一个直接测量的熵变化的贡献，包括在一阶相变，从而确定的最大场致熵变化对应的巨磁热效应。我们发现一个大的过剩熵变，归因于磁弹性耦合，但只有在组合物中没有铁磁顺序在高温奥氏体相。此外，分子场模型对应的反铁磁性的低温相是在良好的协议，几乎独立的组合物，尽管这些材料的整体磁响应显着差异。
2016-01-02 cond-mat.mtrl-sci
Giant anisotropic magnetoresistance and nonvolatile memory in canted antiferromagnet Sr2IrO4
反铁磁体由于其零杂散场和超快自旋动力学等特性，引起了自旋电子学领域的广泛关注。虽然反铁磁（AFM）订单的控制已经实现了各种手段，适用的赞赏功能的AFM为基础的设备的读出侧是迫切需要的。在这里，我们报告了显着增强的各向异性磁电阻（AMR）作为巨大的~ 160%，在一个简单的电阻器结构的原子力显微镜Sr 2 IrO 4没有辅助参考层。巨磁电阻的形成机制是类巨磁电阻效应和磁晶各向异性能的有机结合。此外，我们证明了可在原位切换的非易失性存储器状态，而不方便的热辅助程序，并鲁棒地保存，即使在零磁场，由于改性层间耦合的1%的Ga掺杂Sr 2 IrO 4。这些发现代表了原子力显微镜自旋电子器件的直接步骤。
2019-06-10 cond-mat.mtrl-sci
Phenomenological theory of the giant magnetoimpedance of composite wires
已知具有三层结构的复合线显示出特别大的磁阻抗效应。这种导线由高导电性的芯、绝缘层和铁磁外壳组成。为了理解这种效应的起源，提出了一种基于麦克斯韦方程组与Landau-Lifschitz-Gilbert方程耦合的理论。这个理论是现象学的，因为它没有解释畴结构。然而，理论结果很好地再现了各种测量中获得的结果。此外，可以确定给定材料组合的磁阻抗比的上限。
2012-12-06 cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetocaloric effect near room temperature in the off-stoichiometric Mn-Co-Ge alloy
本文报道了非化学计量比Mn-Co-Ge合金在室温附近的巨磁热效应。在297 K附近，熵变达到40 J/kg-K，热端温度为302.5 K，冷端温度为293.5 K，制冷量为270 J/kg。我们还提出了一个实验方案，以避免在磁热效应的虚假峰在一个尖锐的第一阶磁结构转变，不限于锰钴锗单独，在过渡期间的亚稳态可能会影响测量的磁化强度，从而估计熵变。在本非化学计量的Mn-Co-Ge合金中估计的熵变可能是在未掺杂的Mn-Co-Ge合金中在室温附近报道的最高值，并且强调了该合金在室温磁制冷技术应用中的潜力。
2016-05-10 cond-mat.mtrl-sci
Giant electroresistance and tunable magnetoelectricity in a multiferroic junction
第一性原理密度泛函计算表明，具有非对称界面的$\textrm{SrRuO}_{3}/\textrm{PbTiO}_{3}/\textrm{SrRuO}_{3}$多铁性结（RuO $_{2}$ /PbO和TiO $_{2}$ /SrO）具有较大的铁电去极化场，其开关改变了隧穿电子的界面传输几率，导致电阻调制超过几个数量级.开关进一步影响界面自旋密度，自然地驱动磁阻以及调制的自旋相关面内电阻率，这可以在场效应器件中利用。
2013-11-15 cond-mat.mtrl-sci
Giant Magneto-Seebeck Effect in Spin Valves
在Co/Cu/Co和NiFe/Cu/Co自旋阀中观察到了巨磁塞贝克（GMS）效应。平行态的Seebeck系数大于反平行态，GMS比（SAP-SP）/SP可达-9%。GMS不仅起源于平凡的巨磁电阻，而且起源于由于铁磁材料中的自旋极化热电导性而产生的自旋电流以及随后通过自旋阀中的自旋配置对自旋电流的调制。简单的Mott双通道模型再现了Co/Cu/Co自旋阀的-11%GMS，与我们的观察定性一致。GMS效应可同时用于温度梯度和磁场的传感，也可用于确定铁磁薄膜的热电电导率和Seebeck系数的自旋极化。
2015-06-11 cond-mat.mtrl-sci
Giant Magneto-Optical Effects in Two-Dimensional Flat-Band Antiferromagnets
本研究通过第一性原理计算发现单层反铁磁RuOCl2中由平带增强跃迁驱动的巨磁光SH效应（旋转角28度）和强线性二色性（50%），为二维光自旋电子学提供新平台。
2025-06-20 cond-mat.mtrl-sci
Giant Magnetoelastic Effects in BaTiO3-based Extrinsic Multiferroic Hybrids
由铁磁层和铁电层弹性耦合而成的非本征多铁性混合结构由于其即使在室温下也具有鲁棒的磁电效应而具有广阔的应用前景。对于这些磁电效应的定量分析，这两种成分的压电和磁弹性行为以及它们的相互弹性耦合的详细知识是强制性的。在这里，我们报告的理论和实验研究的BaTiO 3为基础的非本征多铁性结构的磁性行为。对于Fe_（50）Co_（50）/BaTiO_3和Ni/BaTiO_3杂化结构，分子动力学模拟与实验结果吻合较好。这表明，非本征多铁性杂化结构的磁性行为可以通过从头计算确定，允许设计新的多铁性杂化材料。
2012-08-23 cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetoimpedance of composite wires with an insulation layer
具有三层结构的复合丝具有很强的巨磁阻抗效应，可用于灵敏的磁场传感器。为了进一步研究巨磁阻抗效应的起源，采用射频（RF）磁控溅射法制备了由高导电性铜芯、二氧化硅层和坡莫合金外壳组成的复合线。在不同的驱动电流频率和不同的绝缘层厚度下测量GMI比。将麦克斯韦方程组与Landau-Lifschitz-Gilbert方程耦合，建立了复合导线阻抗的理论模型，研究了复合导线阻抗与外部磁场、电流频率和绝缘层厚度的关系。实验结果证实了理论模型。
2013-06-29 cond-mat.mtrl-sci
Prediction of a Giant Magnetoelectric Cross-Caloric Effect Around a Tetracritical Point in Multiferroic SrMnO$_3$
我们研究的磁电和电热响应的应变工程，多铁性SrMnO $_3$，使用的唯象朗道理论从\emph{first-principles}为基础的计算获得的所有参数。这允许对相应影响的大小做出现实的和特定材料的预测。我们发现，在附近的四临界点，磁性和铁电相界相交，一个电场有一个巨大的反铁磁顺序的影响，对应的磁电响应几个数量级大于传统的线性磁电。此外，强磁电耦合导致对电热效应的磁交叉热贡献，这使总热响应增加约60%。这为反铁磁多铁性材料在环境友好的固态冷却技术中开辟了新的潜在应用。
2019-05-30 cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetocaloric effect driven by first-order magneto-structural transition in cosubstituted Ni-Mn-Sb Heusler compounds: predictions from \textit{Ab initio} and Monte Carlo calculations
利用密度泛函理论和热力学模型[Physical Review B 86，134418（2012）]，在本文中，我们提供了一种方法来系统地筛选给定Heusler家族的化合物，以预测可以产生由一级磁结构转变驱动的巨磁热效应的化合物。我们将这种方法应用到两个Heusler系列Ni $_{2-x}$ Fe $_{x}$ Mn $_{1+z-y}$ Cu $_{y}$ Sb $_{1-z}$和Ni $_{2-x}$ Co $_{x}$ Mn $_{1+z-y}$ Cu $_{y}$ Sb $_{1-z}$，通过在Ni和Mn位点的共取代获得。我们预测了四个新的化合物，有潜力实现目标性能。我们的热力学参数的计算，相关的磁热应用程序，表明在预测的cosubstituted化合物的参数的改善可以是大的四倍相比，非化学计量的Ni-Mn-Sb和衍生的化合物在Ni网站，磁热效应已被实验观察到的单取代。这项工作建立了一个协议，以选择新的化合物，可以表现出大的磁热效应，并证明cosubstitution作为一种途径，更灵活的调谐器，以实现的结果，比现有的。
2020-08-31 cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetocaloric effect in isostructural MnNiGe-CoNiGe system by establishing a Curie-temperature window
采用一种有效的等构合金化方案，在MnNiGe-CoNiGe系中建立了一个居里温度窗口。随着相变温度的降低和反铁磁马氏体向铁磁态转变的同时完成，在奥氏体和马氏体相的居里温度之间建立了一个200 K的居里温度窗口。在该窗口中，顺磁性奥氏体和铁磁性马氏体之间的一级磁结构转变发生，磁化强度急剧跳变，在50 kOe的磁场变化下显示出高达-40 J kg-1 K-1的磁熵变。这种巨磁热效应使Mn 1-xCoxNiGe成为一种潜在的磁制冷剂。
2013-03-29 cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetoimpedance in composite wires with insulator layer between non-magnetic core and soft magnetic shell
本文提出了一种计算非磁性芯与软磁外壳之间有绝缘层的复合导线磁阻抗的方法。假设磁壳具有螺旋各向异性，驱动电流仅流过磁核。涡流的分布和阻抗的表达式被发现的麦克斯韦方程组的解决方案，考虑到由朗道-Lifshitz方程的壳内的磁化动力学。分析了绝缘层对磁阻抗效应的影响。
2005-11-16 cond-mat.mtrl-sci
Giant semiclassical magnetoresistance in high mobility TaAs2 semimetal
本文报道了在高迁移率的TaAs 2半金属单晶中观察到的巨大正磁电阻效应。在很宽的温度范围内（T = 2-300 K），磁场B的二次函数对磁电阻的拟合很好，表明磁电阻具有半经典性质。霍尔效应和Shubnikov-de Haas振荡的测量以及能带结构的计算表明，巨磁电阻起源于TaAs 2中几乎完全补偿的电子和空穴。在B = 9 T和T = 2 K时，二次MR甚至可以超过1，200，000%，这是包括最近发现的WTe 2和NbSb 2在内的所有已知半金属化合物的最大值之一。TaAs_2中的巨正磁电阻不仅与磁系统中的负巨磁电阻有着根本不同的起源，而且提供了一个很好的互补系统，这将有利于在磁电子器件中的应用
2016-01-19 cond-mat.mtrl-sci
Magnetotransport properties and giant anomalous Hall angle in half-Heusler compound TbPtBi
磁性镧系半Heusler（$R$ PtBi; $R$是镧系元素）代表了Heusler家族的一个有吸引力的子群，并且已经被确定为时间反演对称性破缺拓扑Weyl半金属的理想候选者。本文详细分析了阻挫反铁磁TbPtBi的磁输运性质。该材料显示出大的非饱和磁阻（MR），具有不寻常的磁场依赖性。TbPtBi的MR相对于沿不同晶向施加的磁场是显著各向异性的，并且指示费米面的各向异性性质。手征反常引起的负纵向磁电阻证实了外尔费米子的存在。在低温下，观察到Berry相驱动的大的反常霍尔电导。计算的反常霍尔角是迄今为止报道的最大的。
2019-01-28 cond-mat.mtrl-sci
Giant Magnetoresistive Effect in Colloidal Magnetic Nanoparticles
这篇论文已被作者撤回。
2007-07-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Composition-tuned magneto-optical Kerr effect in L10-MnxGa films with giant perpendicular anisotropy
本文报道了具有巨垂直磁各向异性的L_（10）-Mn_xGa外延薄膜在宽组分范围内的大极性磁光克尔效应。通过降低Mn原子浓度，Kerr旋转增强了高达10倍，这很可能是由于有效自旋轨道耦合强度的变化，不同Mn原子位置处的磁矩的补偿效应以及整体应变。克尔椭圆率和复克尔角的大小被发现有更复杂的组成依赖性，随光子能量的变化。这些L10-MnxGa薄膜显示出高达0.10o的大克尔旋转，在400~850 nm的宽波长范围内具有35%~ 55%的高反射率，以及高达210 kOe的巨大磁各向异性场，使它们成为新兴的自旋电子学和太赫兹调制器应用的有趣材料系统。
2016-11-12 cond-mat.mtrl-sci
Giant Magneto-impedance in stress-annealed Finemet/Copper/Finemet based trilayer structures
测量和分析了基于应力退火纳米晶Fe_（75）Si_（15）B_6Cu_（11）Nb_3薄带的Finemet/Cu/Finemet三明治结构的磁阻抗（MI）电阻和电抗分量随不同磁场（纵向和垂直方向）和频率的变化。在30-600 kHz频率范围内，磁阻和磁感应系数分别达到700%和450%。这些大的磁阻和磁感应比是由于三层结构中的闭合磁通量路径而导致的大的有效相对磁导率的直接结果。在纵向磁阻抗（LMI）结构中，垂直偏置场（Hper）的影响大大提高了磁阻抗比和灵敏度。当Hper ~ 1 Oe时，电阻部分的最大磁阻比可达2500%，当Hper ~ 30 Oe时，在600 kHz频率下，磁阻灵敏度从48%/Oe提高到288%/Oe，这种高磁阻比和灵敏度的提高是由于形成了有利的（横向）畴结构。
2007-07-28 cond-mat.mtrl-sci
Giant Magnetoelectric Effect in a Multiferroic Material with a High Ferroelectric Transition Temperature
我们提出了一个独特的例子，巨磁电效应在传统的多铁性HoMnO 3，其中极化是非常大的（~56 mC/m2）和铁电转变温度是高于磁有序温度的顺序。我们将巨磁电效应的独特性归因于具有大磁矩的稀土离子完全由偏心位移引起的铁电性。这一发现为设计具有大极化、高铁电转变温度和大磁电效应的多铁性材料提供了一条新的途径。
2008-05-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Giant magnetoresistance in single layer graphene flakes with a gate voltage tunable weak antilocalization
在1.9 K下，在具有面外场的单层石墨烯中观察到清晰的栅极电压可调的弱反局域化和400%的巨磁阻。即使在室温下也获得了275%的大磁阻值，这意味着石墨烯在磁传感器中的潜在应用。弱反局域化和巨磁电阻效应在远离电荷中性点的地方仍然存在，这两种效应都是由带电杂质引起的。有趣的是，在同一样品中还观察到了Shubnikov-de Haas振荡和量子霍尔效应的特征。
2013-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetoresistance in quantum magnetic contacts
我们提出了量子化的电导和磁电阻在两个铁磁金属之间的纳米级点接触的计算。当电导仅对一个传导电子自旋投射开放时，磁阻的大小受传导电子自旋反转过程的速率限制。对于两个自旋通道都对电导有贡献的情况，我们分析了点接触截面不对称性对巨磁阻的影响。最新的实验磁点接触的磁阻的发展理论的框架进行了讨论。
2002-08-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant Magnetoelectric Effect in HoAl_3(BO_3)_4
在HoAl $_3$（BO $_3$）$_4$中发现了巨磁电极化.在70 kOe的横向场几何的极化达到3600 $μC/m^2$，这是显着高于线性磁电甚至多铁性化合物的报道值。测量了磁致伸缩效应，并与磁电效应进行了比较。结果表明，HoAl $_3$（BO $_3$）$_4$中存在很强的自旋-晶格耦合，磁场使单胞中离子位置发生很大的极性畸变.
2011-05-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Giant Magnetoresistance by Exchange Springs in DyFe$_2$/YFe$_2$ Superlattices
报道了反铁磁耦合DyFe $_2$ /YFe $_2$多层膜在高达23 T磁场下的磁化强度和磁阻测量结果。我们表明，在软磁YFe $_2$层的短交换弹簧（~ 2 nm）的形成结果在一个巨大的磁电阻高达32%的弹簧区域。结果表明，这种效应的大小及其对磁场的依赖性与Levy和Zhang的畴壁结构巨磁电阻理论符合得很好。
2001-03-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Negative Giant Longitudinal Magnetoresistance in NiMnSb/InSb: An interface effect
研究了脉冲激光沉积（PLD）法生长的NiMnSb多晶薄膜与n型简并InSb（100）衬底之间的接触的电学和磁输运性质。当外加磁场平行于薄膜表面和电流方向时，观察到负巨磁电阻效应。我们将观察到的现象归因于磁性薄膜沉积过程中形成的磁性沉淀物，并限制在界面处的一个狭窄的层。这些沉淀物对磁电阻的影响取决于系统的热处理。
2005-10-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant positive magnetoresistance in metallic VOx thin films
报道了在SrTiO 3衬底上外延生长的VOx薄膜的巨正磁电阻效应。MR效应强烈地依赖于温度和氧含量，并且是各向异性的。在低温下，在5 T的磁场中，其幅度达到70%。在强无序存在下的强电子-电子相互作用可以定性地解释结果。另一种解释，有关可能的磁不稳定性，也进行了讨论。
2003-07-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Hysteretic giant magnetoimpedance effect analyzed by first-order reversal curves
利用一阶反转曲线（FORC）分析方法研究了具有明确横畴结构的非晶薄带的磁滞巨磁阻抗（GMI）。FORC不限于滞后区域，超过主曲线振幅。由畴壁结构转变引起的横向磁导率的不可逆开关可能是所观察到的FORC分布的起源。提出了一个相互关联的磁滞/反磁滞模型来解释它，它允许分析频率和磁致伸缩后的磁滞巨磁阻抗效应的影响。
2011-06-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Physical origin of giant excitonic and magneto-optical responses in two-dimensional ferromagnetic insulators
最近发现的磁性原子薄层的范德瓦尔斯晶体创造了巨大的机会，探索光-物质相互作用和磁光现象在二维极限。光学和磁光实验提供了深入了解这些主题，揭示了强磁性圆二色性和巨大的克尔信号在原子薄的铁磁绝缘体。然而，巨磁光响应的本质及其微观机制仍不清楚。在这里，通过执行第一性原理GW和Bethe-Salpeter方程计算，我们表明激子效应主导了原型二维铁磁绝缘体CrI $_3$中的光学和磁光响应。我们模拟克尔和法拉第效应在现实的实验设置，并在此基础上，我们预测的敏感的频率和衬底的磁光响应的依赖性。这些发现提供了物理理解的现象，以及潜在的设计原则，工程磁光和光电子器件使用二维磁铁。
2019-05-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant quadratic magneto-optical response of thin YIG films for sensitive magnetometric experiments
本文报道了在50 nm厚的钇铁石榴石（YIG）层中观察到的磁化二次磁光效应（Cotton-Mouton效应）。通过理论和实验相结合的方法，我们设法量化线性和二次磁光效应。我们表明，在薄YIG膜的二次磁光信号可以超过线性磁光响应，达到450乌拉德，可与Heusler合金或铁磁半导体的值。此外，我们证明了适当选择的实验条件，特别是相对于波长，是至关重要的优化的二次磁光效应的磁强计测量。
2021-10-26 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Giant Domain-Wall Hall Magnetoresistance in Magnetic Topological Semimetal
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）；Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University（华南师范大学）
研究磁性拓扑半金属中多域态下的巨域墙霍尔磁电阻，揭示其与拓扑韦尔能带 Berry 相的关系，展现其在多电阻态调控中的潜力。
2026-04-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Exchange coupling and current-perpendicular-to-plane giant magneto-resistance of magnetic trilayers. Rigorous results within a tight-binding single-band model
结果表明，在弹道区，电流垂直于平面巨磁电阻（CPP-GMR）振荡与交换耦合（J）振荡有很强的相关性。巨磁电阻和J在严格可解的紧束缚单带模型中被平等对待。强相关性包括共享渐近相同的周期，由间隔费米面，和振荡与不同的间隔厚度主要在相反的阶段。
1996-11-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Room temperature giant baroresistance and magnetoresistance and its tunability in Pd doped FeRh
我们报道了$Fe_{49}(Rh_{0.93}Pd_{0.07})_{51}$的室温巨压电阻（$\approx$ 128\%）。在外加压力和磁场的作用下，其巨压电阻（$\approx$在5 K和19.9kbar，8 Tesla时为600%）和巨磁电阻（$\approx$在5 K和8 Tesla时为85%）的温度范围可以从5 K调节到远高于室温。由于AFM在室温和外压下的状态是稳定的，所以在磁场下显示出巨大的室温磁电阻（$\approx$ -55\%）。由于耦合的磁性和晶格变化，当作为X = T + 12.8*H - 7.2* P的函数绘制时，室温电阻率随压力（在没有施加磁场的情况下）以及磁场（在各种恒定压力下）的等温变化可以一起缩放为单个曲线。
2014-08-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-insulator transition and giant anisotropic magnetoresistance in ultra thin (Ga,Mn)As
MBE生长的，5 nm厚的退火Ga 0.95 Mn 0.05 As薄膜，Tc~ 90 K，表现出从金属到绝缘状态的转变低于To~ 10 K，其中薄层电阻Rsh~h/e2和纵向Rxx和横向Rxy分量变得相当。在金属-绝缘体转变下，我们发现巨各向异性磁阻（GAMR），它取决于磁化方向对晶轴的取向，并且在T=1.7K，H//[110]晶向和平行于电流的Rxx处表现为接近50%的正磁阻，而H//方向的磁阻较小且为负。我们将GAMR与各向异性自旋-轨道相互作用联系起来，从而形成沿非等效易轴具有不同局域化的高电阻态和低电阻态。
2008-06-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
