A probabilistic model of the electron transport in films of PbSe nanocrystals arranged in a cubic lattice

Electronic properties of atomically coherent square PbSe nanocrystal superlattice resolved by STS

Rock-salt lead selenide nanocrystals can be used as building blocks for large scale square superlattices via two-dimensional assembly of nanocrystals at a liquid-air interface followed by oriented attachment. Here we report measurements of the local density of states of an atomically coherent superlattice with square geometry made from PbSe nanocrystals. Controlled annealing of the sample permits the imaging of a clean structure and to reproducibly probe the band gap and the valence hole and conduction electron states. The measured band gap and peak positions are compared to the results of opt…

瞬态光致发光法测量PbS和PbSe纳米晶的载流子倍增产率

Carrier multiplication yields in PbS and PbSe nanocrystals measured by transient photoluminescence

在这里，我们报告的评估载流子倍增（CM）在PbSe和PbS纳米晶体（NC）的双激子和激子动态瞬态光致发光衰减的定量分析的收益。对CM（在吸收一个光子后在半导体中产生多于一个电子和空穴）的兴趣近年来已经恢复，因为有报道表明与块体形式相比，纳米晶体材料的效率大大提高，其中CM否则太弱而不能在光伏能量转换器件中起作用。然而，在我们的PbSe和PbS NC样品中，我们使用瞬态光致发光估计，即使在能量hv > 5Eg下，每个光子也产生至多0.25个额外的e-h对，而不是文献中报道的高得多的值。我们认为，通过比较NC CM估计和报告的体积值的绝对能量的基础上，我们认为适当的物理基础上，迄今为止报道的数据是不确定的纳米尺度的具体现象在CM过程中的重要性。

薄膜正电子湮没谱研究PbSe纳米晶表面

Surfaces of colloidal PbSe nanocrystals probed by thin-film positron annihilation spectroscopy

正电子湮没寿命谱（PALS）和正电子-电子动量密度（PEMD）的多层PbSe纳米晶体（NC）的研究，由透射电子显微镜（TEM）的支持，表明正电子被强烈捕获在NC表面，在那里他们提供洞察PbSe NC的表面组成和电子结构。我们的分析表明，丰富的正电子湮没与Se电子在NC表面和O电子的油酸配体绑定到铅ad-原子在NC表面，这表明正电子可以被用作一个敏感的探针，调查的表面物理和化学的纳米晶体内的多层膜。从头计算电子结构计算提供了详细的洞察力的价和半芯电子的贡献的正电子-电子动量密度的PbSe。寿命和PEMD被发现与部分配体去除的颗粒形态特征的变化相关。

PbSe纳米晶体中的高效载流子倍增：对太阳能的启示

High Efficiency Carrier Multiplication in PbSe Nanocrystals: Implications for Solar Energy

我们首次证明了碰撞电离（II）[俄歇复合（AR）的逆]在半导体纳米晶体（NC）中以非常高的效率发生。PbSe NC在低泵浦强度下的带间光激发（对于该低泵浦强度，平均每个NC最初产生少于一个激子）导致当泵浦光子能量大于NC带隙能量的三倍时形成两个或更多个激子（载流子倍增）。从一个单光子吸收事件的多激子的产生被观察到发生在超快（皮秒）的时间尺度上，并发生高达100%的效率取决于吸收的光子的过剩能量。NC中的高效II可用于显著提高基于NC的太阳能电池的功率转换效率。

揭示PbSe纳米晶量子点中激子的精细结构

Revealing the Exciton Fine Structure in PbSe Nanocrystal Quantum Dots

我们测量了PbSe胶体纳米晶（NC）中激子在低温（270 mK）和高磁场（15 T）下的光致发光（PL）寿命$τ$。对于所有的NC（1.3-2.3 nm半径），$τ$在低于10 K时急剧增加，但在500 mK时饱和。与通常分离的"亮”和"暗”激子态的图像相反（例如，在CdSe NC中），这些动力学非常好地适合于具有两个激子状态的系统，所述激子状态具有可比较的但小的振子强度，所述振子强度仅相隔300-900 $μ$ eV。重要的是，磁场使$τ$降低到10 K以下，这与两种状态之间的场诱导混合一致。磁性圆二色性研究揭示了2-5的激子g因子，并且磁性PL显示$>$ 10\%圆偏振发射。

直接光刻法制备纳米间隙用于纳米结构的高分辨率成像和电子表征

Nanogaps by direct lithography for high-resolution imaging and electronic characterization of nanostructures

我们报道了一种直接用电子束光刻（EBL）制作纳米间隙的方法。EBL的主要分辨率限制，电子背散射，显着降低通过使用薄膜作为衬底。我们表明，这种分辨率的提高，使人们能够制造金属电极与分离从任意大到1纳米以下。此外，因为这些纳米间隙在薄膜上，所以它们可以用高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）成像。使用这些纳米间隙，我们测量了通过几个耦合的PbSe纳米晶体的电荷传输，并将数据与通过在同一设备上进行HRTEM获得的详细结构信息相关联。