Theory of trapped polaritons in patterned microcavities
我们考虑的系统中的量子阱嵌入在一个平面半导体微腔与一个浅的圆形台面图案顶部的腔间隔。对于这个系统，我们发展了极化激元的线性耦合理论。然后我们计算了极化子本征态和相应的光谱。该理论预测存在的横向限制极化激元状态与离散的能量谱，以及连续状态以上的有限台面势垒。
2006-02-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Measuring Lateral Magnetic Structure in Thin Films Using Polarized Neutron Reflectometry
极化中子反射法（PNR）长期以来被用于测量薄膜的磁深度分布。近年来，人们对观察薄膜中的横向磁结构的兴趣越来越大。虽然通过光刻图案化的磁性阵列和薄膜中的亚微米尺寸的磁畴经常引起非镜面反射，但是薄膜上的微米尺寸的铁磁畴产生很少的非镜面反射，并且磁畴分布信息包含在镜面反射内。在本文中，我们将首先提出一些初步的结果，离镜面反射率从阵列的微米级坡莫合金矩形条。然后，我们将使用镜面反射来研究交换偏置的Co/CoO双层在不同位置的磁滞回线的域分散。
2002-10-06 cond-mat.mes-hall
Nanoscale tunnel field effect transistor based on a complex oxide lateral heterostructure
我们展示了一个隧道场效应晶体管的基础上，从$\mathrm{LaAlO_3/SrTiO_3}$电子气图案化的横向异质结构。电荷通过隧穿从$\mathrm{LaAlO_3}$ / $\mathrm{SrTiO_3}$接触注入，并且通过绝缘$\mathrm{SrTiO_3}$的窄沟道的电流经由静电侧栅极控制。在低温和高温下测量了漏源I/V曲线。该晶体管表现出强电场和温度依赖性行为，具有高达$10\:\mathrm{mV/decade}$小的陡峭亚阈值斜率%和高达$g_m\approx 22 \: \mathrm{μA/V}$的介电常数。一个完全一致的输运模型的漏源隧穿再现测得的陡峭的亚阈值斜率。
2019-04-23 cond-mat.mes-hall
Spin photovoltaic cell
自旋电子学旨在利用电子器件内部载流子的自旋自由度，在量子计算和无耗散互连方面具有巨大的潜力。理想情况下，自旋电子器件中的自旋电流应该由自旋电压发生器供电，该自旋电压发生器能够驱动自旋脱离平衡并产生两个空间上分离良好的具有相反自旋取向的种群。这样的发电机应该在室温下工作，与现有的半导体技术高度集成，并且既不与铁磁材料也不与外部施加的磁场一起工作。我们通过实现光电池的自旋电子等效物来满足这些要求。虽然后者在空间上分离光激发的电子和空穴电荷，我们的设备利用圆偏振光产生两个空间上定义良好的电子种群具有相反的自旋。这是通过调制进入具有图案化金属覆盖层（铂）的半导体（锗）的光波前的相位和振幅来实现的。这允许在半导体内部产生具有空间调制手性的光衍射图案，由于电偶极子选择规则，其局部激发自旋极化电子。
2014-04-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Terahertz ratchet in graphene 2D metamaterial formed by a patterned gate with an antidot arrayd
University of Regensburg（雷根斯堡大学）；National Cheng Kung University（国立成功大学）；National Institute for Materials Science（国立材料研究所）
研究通过图案化栅极与抗点阵列在石墨烯二维超材料中观察到太赫兹诱导的马车效应，通过电势和辐射电场的相互作用调控马车电流方向和大小。
2024-02-06 cond-mat.mes-hall
Effects of lateral device size and material properties on the ferromagnetic resonance response of spinwave eigen-modes in magnetic devices
我们分析了横向器件尺寸和磁性材料参数对铁磁共振响应的影响。提出的结果是直接相关的广泛使用的FMR实验技术提取磁参数从薄膜，其结果往往被假定结转到相应的纳米尺寸的图案化设备。我们发现，可以有显着的变化，在FMR响应与设备的大小，和变化的程度取决于磁性材料的属性。例如，这解释了为什么沿着这些路线的不同实验从阻尼测量中产生了不同的尺寸依赖趋势。观察到的趋势，随着尺寸的增加和不同的材料参数的解释，通过三个不同的本征模式的演变，展示了各自的作用，退磁和交换。研究还表明，在响应信号中存在主本征模的交叉，并伴随着共轭边型模，导致对测量线宽和阻尼的明显影响。在所考虑的尺寸中，在较高的饱和磁化强度下，我们观察到表观阻尼增加多达40%，这仅仅是由于器件尺寸的变化。
2012-12-31 cond-mat.mes-hall
Unveiling intrinsic bulk photovoltaic effect in atomically thin ReS2
本文基于原子级薄ReS2制备低接触电阻横向器件，成功区分并揭示了无需外部调节的本征体光伏效应，为新一代高效光收集器件研究提供了普适方法。
2024-12-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Large area buried nanopatterning by broad ion implantation without any mask or direct writing
本文介绍了一种简单、一步、低成本的宽离子束制备纳米级电子、磁性、光学和机械器件的技术，该技术不需要光刻胶、掩模或聚焦电子束和离子束。在这种方法中，通过调整离子注入的局部角度，在预制的离子束图案化表面上宽束离子注入所需的原子促进位点选择性沉积。我们表明，注入Fe离子的O+诱导预制的三角形图案化的Si表面上的结果在一个自组织的周期性阵列的条纹磁性纳米结构具有几个微米的长度和约50 nm的宽度排列的横向间隔约200 nm。分析了这些纳米图形的形貌、成分、晶体结构和磁性，解释了宽束离子注入形成纳米图形的关键特征。
2013-11-26 cond-mat.mes-hall
Suppression of the spin waves nonreciprocity due to interfacial Dzyaloshinskii Moriya interaction by lateral confinement in magnetic nanostructures
本文利用布里渊光散射和微磁模拟研究横向受限Pt/CoFeB纳米结构中界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用对自旋波的影响，发现横向尺寸小于约400 nm时反向传播自旋波频率不对称性被强烈抑制，表明基于频率差量化iDMI强度的BLS方法在该尺度下不再适用。
2023-06-28 cond-mat.mes-hall
Intrinsically patterned two-dimensional transition metal halides
本研究针对二维材料点缺陷周期性图案制备难题，发现金属表面本征图案化二维过渡金属二卤化物的周期性卤素空位结构，结合实验表征与理论计算揭示其形成机制，提出界面外延应变工程的可控图案化策略，为二维磁体构建非常规自旋织构提供新路径。
2023-05-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Multifunctional Lateral Transition-Metal Disulfides Heterojunctions
两种横向VS 2的自旋相关输运性质|利用第一性原理计算对MoS2异质结进行了系统的研究，并设计了各种具有新颖特性的纳米器件。横向VS2| MoS2异质结二极管具有很好的整流效果，是一种很有应用前景的肖特基二极管。A型器件具有较大的自旋极化比，实现了纯自旋介导电流。栅极电压显著地调整其场效应晶体管（FET）的电流和整流比。此外，它们都对蓝光有敏感的光响应，可用作光电探测器和光伏器件。此外，当两个端子之间出现温度梯度时，它们产生有效的热驱动电流，这表明它们是潜在的热电材料。因此，横向VS2| MoS2异质结具有多功能性，在自旋电子学、光电子学和自旋热电子学等领域具有广泛的应用前景。
2020-05-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Current-induced magnetization reversal in pseudo spin valves in current-in-plane configuration
我们证明了电流诱导的完全磁化反转的自由层在横向纳米线图案从金属伪自旋阀堆栈。通过两个磁性层的横向杂散场与偶极耦合一起由奥斯特场引起反转。从平行状态开始，奥斯特场使两个磁性层的磁化矢量沿相反方向旋转，远离导线轴，使得偶极耦合变得足够强以稳定反平行配置。正如模拟和实验所示，这种耦合仅在窄范围的层厚度和合适的导线几何形状下实现。反转过程被证明，以及为直线的L形线与不均匀的磁化，其中畴壁之前和之后的开关过程中存在的线段。
2015-02-23 cond-mat.mes-hall
Low-Damping Ferromagnetic Resonance in Electron-Beam Patterned, High-$Q$ Vanadium Tetracyanoethylene Magnon Cavities
由于生长铁氧体材料所需的特定条件，将图案化的低损耗磁性材料集成到微波器件和电路中提出了许多挑战，从而推动了对倒装芯片和其他间接制造技术的需求。低损耗（$α= 3.98 \pm 0.22 \times 10^{-5}$）、室温亚铁磁配位化合物四氰基乙烯钒（$\mathrm{V[TCNE]}_x$）是用于这些应用的有希望的新材料，其潜在地与半导体加工兼容。在这里，我们提出的沉积，图案化，和表征的$\mathrm{V[TCNE]}_x$薄膜的横向尺寸范围从1微米到几毫米。我们采用电子束光刻和剥离使用铝封装的聚（甲基丙烯酸甲酯），聚（甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸）共聚物双层（PMMA/P（MMA-MAA））的蓝宝石和硅。该工艺可以简单地扩展到其他常见的半导体衬底。通过这种方法图案化的膜保持低至25微米的低损耗特性，仅增加2倍，低至5微米。丰富的厚度结构和径向限制的自旋波模式揭示了图案化膜的质量。进一步的拟合、模拟和解析分析提供了交换刚度，$A_{ex} = 2.2 \pm 0.5 \times 10^{-10}$ erg/cm，以及对模式特征和表面自旋钉扎的见解。低于一微米，沉积是非共形的，这导致了有趣的和潜在有用的形态变化。这项工作建立了多功能性的$\mathrm{V[TCNE]}_x$的应用程序，需要高度相干的磁激发范围从微波通信到量子信息。
2019-10-11 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Voltage tunable quantum dot array by patterned Ge-nanowire based metal-oxide-semiconductor (MOS) devices
半导体量子点（QD）被认为是广泛的先进和新兴技术的主要单元，包括电子学、光电子学、光电子学和生物传感应用以及基于q比特的量子信息处理领域。这种量子点适合于几种新的器件应用，因为它们具有独特的性质，即限制载流子三维地产生离散的量子态。然而，在实践中实现这样的量子点表现出严重的挑战，关于其在阵列中的制造具有所需的可扩展性和可重复性以及在室温下对量子态的控制。在这种情况下，目前的工作报告的高度缩放的Ge纳米线（半径~25 nm）的垂直金属氧化物半导体器件，可以在室温下作为电压可调量子点的阵列的制造。这种纳米线中的电子在径向方向上经历几何限制，然而，它们可以通过调节所施加的偏压而被轴向限制，以便操纵量子态。这种电子的量子限制已经从在相对低的频率（200 kHz）下的室温电容-电压（C-V）特性中的阶跃状响应中得到证实。已经观察到每个这样的步骤包括占据~6个电子电荷的量化态的卷积。这种载流子限制的细节进行了分析，在目前的工作中，通过理论建模的非平衡格林函数（NEGF）形式主义的基础上的设备的输运特性。
2020-11-11 cond-mat.mes-hall quant-ph
Generating unconventional spin-orbit torques with patterned phase gradients in tungsten thin films
ETH Zurich（苏黎世联邦理工学院）
通过在钨薄片中图案化相梯度，实现无需外加磁场的自旋轨道扭矩调控，利用相变控制局部电子电流密度和自旋轨道扭矩效率，为高效自旋电子器件设计提供新途径。
2026-01-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Nano-Patterned Magnetic Edges in CrGeTe3 for Quasi 1-D Spintronic Devices
本研究发现通过聚焦离子束刻蚀在CrGeTe3中制备的人造边缘具有硬铁磁性，据此直接写入磁性纳米线并揭示边缘与内部相互作用，提出利用镓束非晶化调节局部磁性的新方法，有望用于自旋电子器件。
2023-05-23 cond-mat.mes-hall
Multi-state and non-volatile control of graphene conductivity with surface electric fields
示出了在铁电衬底上图案化的平面电极，以提供对两端石墨烯条的导电状态的横向控制。一个多层次的和按需存储器控制的石墨烯电阻状态下表现出低的次矫顽电场，与超过两个数量级的垂直门控几何结构中报道的磁化率。我们在石墨烯导电性中对11个存储状态进行可逆和低功耗横向控制的示例说明了多存储器和多功能应用的可能性，因为顶部和底部输入仍然可以访问。
2015-11-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Highly tunable lateral homojunction formed in 2D layered CuInP2S6 via in-plane ionic migration
本研究利用面内电场驱动Cu+离子迁移，在二维层状CuInP2S6中构建了高度可调的横向p-n同质结，实现了无需栅控的整流与电阻开关行为，并通过光伏效应验证了其性能，为其他范德华材料提供了通用制备方法。
2023-05-11 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Imaging three-dimensional nanoscale magnetization dynamics
本文提出时间分辨磁层析成像技术，以50纳米分辨率成像两相块体磁体的三维磁化动力学，揭示畴壁进动与均匀磁畴间的转变，为研究三维纳米磁体动态新功能奠定基础。
2020-01-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Boundary scattering effects on magnetotransport of narrow metallic wires and films
薄金属丝和薄膜中的电子输运受其表面质量的强烈影响。弱局域化和磁导率也对样品边缘的电子散射敏感。本文研究了横向磁场作用下二维电子气中的弱局域化效应。最一般的边界条件之间的限制镜和漫边缘散射插值假设。我们计算了任意宽度的样品的磁导率，包括扩散和弹道横向运输的情况下，以及它们之间的交叉。我们发现，在很宽的参数范围内，电子迁移率是有限的边界粗糙度，而磁输运的边缘的质量只有微弱的影响。此外，我们还计算了金属圆柱在横向磁场中的磁导率和准二维金属薄膜在平行磁场中的磁导率。
2016-07-20 cond-mat.mes-hall
Probing strain modulation in a gate-defined one dimensional electron system
半导体上的栅极图案化通常用于静电限制电子移动到减小的尺寸中。在进行大多数研究的低温下，图案化栅极和半导体之间的差异热收缩通常导致可感知的应变调制。这种调制应变对埋在半导体中的导电沟道的影响早已被认识到，但测量其幅度和变化是相当具有挑战性的。在这里，我们提出了一种方法来测量调制在栅极定义的GaAs为基础的一维通道应用连续检测NMR（RDNMR）与原位电子耦合到四极核。从四极分裂共振推导出的检测到的应变幅度在空间上变化为$10^{-4}$的数量级，这与基于弹性应变模型的预测变化一致。我们估计在界面处产生的初始横向应变$ε_{xx}$约为$3.5 \times 10^{-3}$。
2019-06-03 cond-mat.mes-hall
All-electrical detection of spin dynamics in magnetic antidot lattices by the inverse spin Hall effect
在亚微米尺度上对横向受限结构中自旋动力学的理解已经成为新型磁存储技术发展的一个重要方面。众多的铁磁共振测量，光学特性的克尔显微镜和布里渊光散射光谱和X射线研究进行了检测图案化的磁性antidot晶格的动态。在这里，我们调查奥斯特场驱动的自旋动力学在矩形Ni 80 Fe 20/Pt反点晶格与不同的晶格参数通过电气手段，并比较它们的微磁学模拟。当系统被驱动到谐振时，检测到样品长度上的直流电压，其在场反转时改变其符号，这与基于逆自旋霍尔效应的整流机制一致。此外，我们表明，电压输出的比例线性与所施加的微波驱动在调查范围内的功率。我们的研究结果对工程磁振子应用和器件的发展有直接的影响。
2016-01-06 cond-mat.mes-hall
Filtering of spin currents based on ballistic ring
环中的量子干涉效应为在介观尺度上控制自旋提供了合适的手段。在这里，我们应用这样的控制机制的自旋相关的输运在弹道准一维环图案的二维电子气（2DEG）。该研究基本上是基于{ \it自然}自旋轨道（SO）相互作用，一个产生于横向限制电场{（$β$项）和其他由于量子阱势，限制电子在2DEG（传统的Rashba SO相互作用或$α$项）。}我们专注于单通道运输和解决解析的自旋极化的电流。作为自旋分裂存在的一个重要后果，我们发现自旋相关的电流振荡的发生。我们通过讨论环中存在一个非磁性障碍物时的输运来分析无序的影响。我们表明，自旋极化电流时，可以诱导的未极化的电荷电流注入环中，通过专注于中心的作用，存在的障碍发挥。
2007-07-26 cond-mat.mes-hall
Ferromagnetic resonance phase imaging in spin Hall multilayers
利用时间分辨反常能斯特效应显微镜（TRANE）对自旋霍尔多层膜样品的磁旋进相位进行了实验成像，研究了样品的射频驱动场矢量。我们的铁磁共振（FMR）测量量化的相位和振幅的磁进动和电流，这使我们能够建立总的驱动场的方向和自旋霍尔效应的强度。在均匀宽度的沟道中，我们观察到横向穿过沟道的FMR相位的空间变化。我们解释我们的研究结果的背景下，使用自旋转移矩铁磁共振技术的电测量，并表明，所观察到的相位变化引入了系统的校正到自旋霍尔角，如果空间相位和振幅的变化不考虑在内。
2015-11-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial patterning of nanometer-thick Y3Fe5O12 films with low magnetic damping
具有极低磁阻尼的磁性绝缘体如钇铁石榴石Y3Fe5O12由于其低能量耗散和有效的自旋电流产生和传输而为低功率自旋轨道电子器件打开了大门。我们证明了可靠和有效的外延生长和纳米图案化的Y3Fe5O12薄膜为基础的纳米结构的绝缘Gd3Ga5O12衬底。特别地，我们的制造工艺与常规溅射和剥离兼容，并且不需要可能对氧化物薄膜有害的侵蚀性离子研磨。结构和磁性能表明良好的品质，特别是膜和图案化结构两者的低磁阻尼。动态磁性能的纳米结构的横向尺寸的函数进行了系统的研究。通过与铁磁纳米线结构的比较，通过实验和模拟确定了除了主模式之外的明显的边缘模式，其还表现出在改变线的宽度时与主模式的交叉。动态模式的非线性演化的纳米结构尺寸突出了尺寸限制的重要作用，其材料性能的磁性器件，其中Y3Fe5O12纳米结构作为关键的功能组件。
2015-12-01 cond-mat.mes-hall
The Nanofluidic Confinement Apparatus: Studying confinement dependent nanoparticle behavior and diffusion
我们提出了一个多功能的设置，用于研究纳米粒子的纳米流体行为作为两个限制表面之间的间隙距离的函数。该装置被设计为一个开放的系统，其操作与少量的分散体的$\approx 20\,μ$ 1，允许使用涂层和图案化的样品，并允许高数值孔径显微镜访问。压电元件实现了表面的5D相对定位。我们在$10\,μ$ m的横向距离上实现了小于$1\,$ nm垂直偏差的平行化。垂直分离是可调的，可检测的亚纳米精度下降到直接接触。在静止时，间隙距离稳定在纳米级。使用该工具，我们测量的垂直位置称为高度和横向扩散的$60\,$ nm带电的金纳米球之间的限制玻璃和聚合物表面的函数。干涉散射检测导致亚$10\,$ nm垂直和亚$5\,$ nm横向颗粒定位精度，以及低于$40\,μ$ s的单个颗粒照射时间。我们测量的颗粒的高度始终高于间隙中心，对应于聚合物基板上的较高电荷。在扩散方面，我们发现一个很强的单调衰减的扩散常数减少间隙距离。这一结果不能用流体动力学效应来解释，包括间隙中颗粒的不对称垂直位置。相反，我们将其归因于电粘性效应。对于小于$120\,$ nm间隙距离的强限制，我们检测到子扩散的开始，其可以与沿着高间隙距离路径的粒子的运动相关。
2017-01-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Quantized spin wave modes in magnetic tunnel junction nanopillars
我们提出了一个实验和理论研究的磁场的热激发的自旋波的模式频率在矩形纳米柱的横向尺寸为60 × 100，75 × 150，和105 × 190 nm 2，图案化从氧化镁为基础的磁性隧道结。自旋波频率的测量使用光谱分辨的电噪声测量。在所有的光谱中，几个独立的量子化自旋波模式已被观察到，可以确定为本征激发的自由层和合成反铁磁体的结。使用的理论方法的基础上的对角化的三个耦合，空间受限的磁性层的系统的动力学矩阵，我们已经建模的最小的支柱的光谱，并提取其材料参数。由此发现，与相应的薄膜值相比，CoFeB自由层的磁化强度和交换刚度常数显著减小。此外，我们可以推断，在横向边界处的磁化钉扎一定是弱的。最后，自由层和合成反铁磁体之间的层间偶极耦合导致模式anticrossings与间隙开口高达2 GHz。在低场和较大的支柱，有明显的证据，层磁化强度的强非均匀性。特别地，在零场处，最低模式不是基本模式，而是最可能位于层边缘附近的模式。
2010-01-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interplay of bulk and interface effects in the electric-field driven transition in magnetite
结合强相关电子材料的设备中的接触效应相对未被探索。我们用四端方法研究了磁铁矿（100）薄膜的电驱动相变。在横向配置中，沟道长度小于2 $μ$ m，并且宽度为$\sim$ 100 nm的电压探测线直接在沟道内图案化。多导联测量定量分离每个电极界面和磁铁矿通道的贡献。我们表明，在开始的过渡接触电阻在源极和漏极和磁铁矿通道的电阻突然下降。温度依赖性的电气测量低于Verwey温度表明热激活的电荷间隙的运输。磁铁矿系统在一个转变点的行为是一致的理论预测的电荷间隙关闭电场的转变机制。
2009-12-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Field-induced antiferromagnetic correlations in a nanopatterned van der Waals ferromagnet: a potential artificial spin ice
本研究通过纳米图案化CrGeTe3范德华铁磁体网格，发现其岛间存在可调反铁磁关联，可通过间距调控偶极相互作用实现磁态转变，为人工自旋冰及新型强关联自旋构型研究提供新平台。
2024-10-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Chirality-Induced Noncollinear Magnetization and Asymmetric Domain-Wall Propagation in Hydrogenated CoPd Thin Films
通过电子束光刻和等离子体预处理，在CoPd合金膜中诱导具有深度梯度的氧化，打破结构的中心对称性，产生阵列图案化的CoPd基异质结构。通过磁光克尔效应显微镜观察了后续氢化对薄膜磁性能的影响。该系统具有较强的垂直和横向的反铁磁耦合的垂直分量之间的区域和没有等离子体预处理，和非对称畴壁传播等离子体预处理的地区在磁化反转。这些现象表现出明显的磁手性，可以用Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida耦合和Dzyaloshinskiiii-Moriya相互作用来解释。在这项研究中所展示的样品处理允许容易地结合光刻技术，可以定义区域或不带磁性的样品上创建复杂的磁性图案，这提供了一个途径，在未来的自旋电子器件的倾斜自旋纹理更精确的控制。
2022-04-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
NanoSQUID magnetometry of individual cobalt nanoparticles grown by focused electron beam induced deposition
我们演示了低噪声纳米超导量子干涉器件（SQUID）的高临界场和高临界温度超导体YBa $_2$ Cu $_3$ O $_7$（YBCO）的基础上的操作作为超灵敏磁强计的单个磁性纳米粒子（MNP）。纳米SQUID利用YBCO晶界的约瑟夫森行为，并已通过聚焦离子束铣削图案化。这允许精确地限定SQUID的横向尺寸，以便在纳米环和各个MNP之间实现大的磁耦合。通过聚焦电子束诱导沉积，直接在传感器表面生长出典型尺寸为几十纳米的钴MNP，具有纳米空间分辨率。值得注意的是，nanoSQUID在极宽的施加磁场（-1 T $< μ_0 H <$ 1 T）和温度（0.3 K $< T<$ 80 K）范围内工作。所有这些特征一起使我们能够在不同的环境条件下进行磁化测量，并检测具有磁矩（1 - 30）$\times 10^6\,μ_{\rm B}$的单个Co MNP的磁化反转。根据粒子的尺寸和形状，我们区分了两种不同的磁性状态，产生不同的反转机制。的磁化反转是热激活的能量障碍，这已被量化的（准）单畴粒子。我们的测量不仅显示了YBCO nanoSQUID可实现的高灵敏度，而且还表明这些传感器是用于调查单个纳米磁体特性的特殊磁力计。
2016-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Etching-free dual-lift-off for direct patterning of epitaxial oxide thin films
本文提出一种免刻蚀的双重剥离方法，利用非晶Sr-Al-O作为高温牺牲层，实现了外延氧化物薄膜的直接精确图形化，兼具环保与低成本优势。
2025-09-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Super-resolution diamond magnetic microscopy of superparamagnetic nanoparticles
本文提出一种基于NV色心电荷态光控与环形光束超分辨磁共振谱的纳米磁显微方法，实现约100 nm分辨率，成功分辨间距约190 nm的30 nm铁氧化物纳米颗粒磁偶极特征，且灵敏度显著优于共聚焦方法。
2023-10-09 cond-mat.mes-hall physics.bio-ph physics.ins-det
