6，6，18-石墨二炔纳米带巨空穴和电子迁移率的理论预测

石墨二炔纳米带的Raman和IR光谱

Raman and IR spectra of graphdiyne nanoribbons

γ-石墨二炔是石墨烯之外的二维碳结构：它由sp和sp2碳原子组成，通过线性链接连接为六边形环，并且它被预测为半导体。γ-石墨二炔纳米带的横向约束显著影响其电子和振动性质。利用周期性的密度泛函理论（DFT）计算方法，研究了γ-石墨二炔二维晶体及其纳米带的电子能带结构、拉曼光谱和红外光谱.我们讨论的功能和基组上的带隙的评价的效果，突出的混合泛函的可靠性。结合DFT计算和对称性分析，对γ-石墨二炔的红外光谱和拉曼光谱进行了详细的归属。在此基础上，我们显示了调制的间隙在纳米带的宽度增加和不同的边缘（扶手椅，锯齿形）。我们评估如何限制影响拉曼和红外光谱的纳米带通过比较其振动模式与母二维晶体的声子。我们的分类允许识别标记带敏感的边缘结构和横向限制的纳米带的宽度增加。这些结果表明，振动光谱的有效性，这种纳米结构的表征。

Charge Carrier Mobilities in gamma-Graphynes: A computational approach

Graphynes, a class of two-dimensional carbon allotropes, exhibit exceptional electronic properties, similar to graphene, but with intrinsic band gaps, making them promising for semiconducting applications. The incorporation of acetylene linkages allows for systematic modulation of their properties. However, the theoretical characterization of graphynes remains computationally demanding, particularly for electron-phonon coupling (EPC) analyses. Here, we employ the density functional tight binding method within the DFTBephy framework, providing an efficient and accurate approach for computing EP…

石墨二炔纳米带的电子性质调控

Modulating the electronic properties of graphdiyne nanoribbons

通过从头计算，提出Au、Cu、Fe、Ni和Pt吸附原子对石墨二炔纳米带（GDNRs）电子性质的调控作用。在室温下，宽为1~4 nm的GDNR是稳定的，即使在900 K下，Au、Cu、Fe、Ni和Pt等吸附原子从GDNR中逃逸的热速率也小于0.003原子/小时。根据计算，Au和Cu修饰的GDNRs是金属的，其载流子浓度在室温下接近石墨烯的载流子浓度，而Fe、Ni和Pt修饰的GDNRs是n型半导体，其杂质态低于费米能。在GDNR一侧掺杂Au、Cu或Fe原子构成的异质结可作为金属-半导体整流器，在1.0V时整流比分别为2.8、1.5或2.5。

扶手椅型石墨烯纳米带的电子性质和载流子迁移率的理论研究

Theoretical investigation on electronic properties and carrier mobilities of armchair graphyne nanoribbons

用HSE 06功能化方法研究了七种扶手椅型石墨炔纳米带。石墨烯纳米带中的量子限制打开或增加了相应二维石墨烯的带隙，这对电子器件操作中的高开/关比至关重要。具有高比例sp杂化碳原子的石墨烯纳米带的主要载流子迁移率非常大。稀疏的连接模式导致少量的前线晶体轨道和小的变形势常数，这是负责大的载流子迁移率。一些石墨炔纳米带具有大于0.4eV的带隙。同时，它们具有高的空穴和电子迁移率。这有利于电流互补电路的低功耗设计。特别是14，14，18-石墨炔纳米带的空穴和电子迁移率比扶手椅型石墨烯纳米带大一个数量级以上，表明它们在高速电子器件中具有潜在的应用前景。

开六角环石墨二炔纳米带：拓扑无保护边态的存在性

Graphdiyne Nanoribbons with Open Hexagonal Rings: Existence of Topological Unprotected Edge States

利用第一性原理计算，研究了一类新型的石墨二炔纳米带（GDYNR），其边缘为六方开环，为了避免悬挂键的影响，在边缘吸附了氢或氧原子.根据边缘结构的不同，GDYNR有扶手椅型和锯齿型两种。电子结构表明它们都是半导体。带隙可以通过GDYNR的宽度来调节。随着纳米带宽度的增加，两种纳米带的能隙均先减小后增大，并达到一个最小值。为了理解这一有趣的现象，我们构建了一个紧束缚模型，发现最小能隙的存在是由于两个边之间相互作用的竞争和两个边之间的耦合。通过计算表面格林函数，在半无限系统的能带结构中发现了拓扑无保护的边缘态。如果能够在实验中合成GDYNR，它将在未来的纳米器件中发挥重要作用。

椅型硅烯纳米带载流子迁移率的理论研究

A theoretical investigation on the carrier mobilities of armchair silicene nanoribbons

采用基于密度泛函理论的自洽场晶体轨道方法，研究了硅原子宽度为9-39的扶手椅型硅烯纳米带.从变形势理论获得的载流子迁移率相对于宽度振荡，并且值是石墨烯纳米带所具有的值的一小部分。屈曲结构、氢饱和、边缘重构以及边缘粗糙度降低了载流子迁移率，并借助晶体轨道解释了这一现象。