Strong negative magnetoresistance and hopping transport in graphenized nematic aerogels
本研究探究石墨化向列气凝胶的输运特性，明确其磁阻的正负两种贡献来源及低温局域化 regime 转变，揭示不同碳含量样品电阻温度依赖的两种机制差异。
2024-12-12 cond-mat.mes-hall
Hopping Transport in Granular Superconductors
研究了颗粒超导体在弱耦合绝缘区的导电性。结果表明，它取决于超导能隙和单个粒子的充电能之间的关系，即电子或库珀对的跳跃。局部超导配对在这两种情况下起着重要的作用。特别是在电子跳跃输运的情况下，超导能隙抑制了非弹性共隧穿过程。我们确定了一个阵列在不同制度下的输运特性，并构建了输运相图。
2005-10-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Point contact spectroscopy of hopping transport: effects of a magnetic field
两个跳跃绝缘体之间的点接触的电导预计将在其附近的个别局域态占主导地位。在这里，我们研究由于外部磁场的附加效应。结合测量的电导，测量的磁阻提供了关于这些状态的详细信息（例如，它们的定位长度，能量差和它们之间的跳跃距离）。我们还计算了这种磁阻的统计数据，它可以通过改变单个器件的栅极电压来收集。由于电导是由点接触附近的特定介观结构的量子干涉，它被预测表现出Aharonov-Bohm振荡，产生这些结构的几何形状的信息。这些振荡也依赖于本地自旋积累和相关性，这可以通过外部场进行修改。最后，我们还估计了介观霍尔电压由于这些结构。
2006-11-22 cond-mat.mes-hall
Quantisation of Hopping Magnetoresistance Prefactor in Strongly Correlated Two-Dimensional Electron Systems
本文报道了强相互作用介观二维电子系统（2DES）中普遍存在的跳跃输运行为。在背景无序的某一窗口中，在低垂直磁场下的电阻率遵循预期的关系式$ρ(B_\perp) = ρ_{\rm{B}}\exp(αB_\perp^2)$。前因子$ρ_{\rm{B}}$随着电子密度的增加呈指数下降，但在较高密度下饱和到有限值。引人注目的是，当以绝对电阻表示时，发现该值是通用的，并且在$R_{\rm{B}}\approx h/e^2$和$R_{\rm{B}}\approx 1/2$ $ h/e^2$处显示量化。我们建议一个强相关的电子相作为一种可能的解释。
2007-07-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
A possible role of D^- band in hopping conductivity and metal-insulator transition in 2D structures
一个简单的两带模型，建议解释最近报道的不寻常的功能跳跃磁电阻和金属-绝缘体转变的二维结构。该模型表明，电导率主要由上哈伯德带（D^-带）。对Si δ掺杂GaAs/AlGaAs异质结的跳跃磁电阻的实验研究为该模型提供了进一步的证据。
1999-11-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Large magnetoresistance by Pauli blockade in hydrogenated graphene
我们报道了在磁场沿石墨烯片平面取向的情况下，在毫米级氢化石墨烯中观察到巨大的正磁阻效应。在300 mK的温度下，在该配置中观察到超过200\%的正磁阻，在磁场取向垂直于石墨烯平面的情况下恢复到负磁阻。我们属性所观察到的积极的，在平面内，磁电阻的跳跃传导引起的自旋极化保利封锁。我们的工作表明，自旋极化与电子-电子相互作用可以在原子单层内的磁输运中发挥主导作用。
2018-02-22 cond-mat.mes-hall
Extraordinary magnetoresistance of organic semiconductors : Hopping conductance via non-zero angular momentum orbitals
最近在石墨（HOPG）样品中观察到了高度各向异性的面内磁阻（MR）（Y。Kopelevich等人，arXiv：1202.5642），其在某些电流方向上在低场中是负的和线性的，而在垂直方向上是巨大的、超线性的和正的。在跳跃电导理论的框架下，通过非零角动量轨道，我们联系在石墨和有机绝缘体（OMAR）中观察到的非常MR在大约相同的磁场。该理论预测，当存在时间反演对称性（TRS）时，出现二次负MR（NMR），而当TRS破缺时，出现线性NMR。我们认为，所观察到的线性NMR可能是一个独特的签名，在石墨和有机化合物的断裂TRS。虽然一些本地顺磁中心负责有机绝缘体中的TRS断裂，但我们的HOPG样品的大抗磁性可能涉及更有趣的TRS断裂情况。
2012-08-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Magnetoresistance from quenching of spin quantum correlation in organic semiconductors
提出了一种基于非相干跃迁时载流子自旋与局域环境之间量子关联的猝灭的有机磁电阻理论。我们证明了这一过程对跳跃率中的跃迁-逃逸频率贡献了一个自旋相关的前因子，其值受磁场的调制。由此产生的OMR表现出一个正的洛伦兹饱和分量和一个负的小场分量，这是独立的模型参数。这些行为及其同位素效应与实验结果符合得很好。
2014-06-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant Positive Magnetoresistance in Co@CoO Nanoparticle Arrays
我们报道了自组装Co@CoO纳米颗粒阵列在低于100 K温度下的磁输运性质。电阻显示热激活行为，其可以通过R exp{（T/T0）^v}的一般表达式来拟合。Efros-Shklovskii可变范围跳跃（v=1/2）和简单激活（硬间隙，v=1）分别占主导地位的高温和低温区域，与强烈的温度依赖性过渡制度之间。在10 K下观察到大于1，400%的巨正磁电阻，随温度升高而减小。正的MR和它的大部分功能可以解释由塞曼分裂的本地化状态，抑制自旋相关的跳跃路径在现场库仑排斥的存在下。
2011-03-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Partial preservation of chiral symmetry and colossal magnetoresistance in adatom doped graphene
我们分析了吸附原子掺杂石墨烯在低杂质浓度下的电子性质。我们专注于安德森本地化制度和计算的本地化长度（$ξ$）作为电子掺杂和外部磁场的函数。杂质态与碳的$p_z$态杂交，并在狄拉克点附近形成部分填充的能带。在杂质带中心附近，系统有效哈密顿量的手征对称性部分保持，这导致$ξ$的大幅度增强。输运性质的敏感性，即莫特的可变范围跳跃尺度$T_0$，一个外部磁场垂直于石墨烯片导致巨大的磁阻效应，在最近的实验中观察到。
2014-01-27 cond-mat.mes-hall
Effect of Landau quantization on linear magnetoresistance of periodically modulated two-dimensional electron gas
本文应用Kubo非局域电导率张量公式，研究了二维电子气在垂直磁场中的线性响应.在经典输运区，通过均匀电子气的关联函数导出了电导率张量的一般表达式。研究了在单向周期势调制条件下，朗道量子化时的量子输运机制。除了Shubnikov-de Haas振荡之外，电阻率还可以表现出具有较大周期和较小振幅的量子振荡，这些振荡在温度升高时仍然存在。当调制振幅大大超过回旋能量时，这些振荡就存在，因此由调制势从朗道能级形成的朗道子带在能量域中重叠。电阻率张量的两个对角分量都表现出与调制状态密度的修改有关的振荡。此外，当回旋轨道引导中心移动两倍回旋半径时，由散射辅助跳跃输运引起的垂直于调制轴的电阻率分量表现出另一种与跳跃几率增强有关的振荡。有人建议，这种高温振荡可以检测到的条件下，当调制周期大大超过回旋半径。
2020-06-22 cond-mat.mes-hall
Hopping Conduction in Disordered Carbon Nanotubes
我们报告电传输测量个别无序碳纳米管，催化生长在纳米多孔阳极氧化铝模板。在生长和退火类型的纳米管中，低场电导显示为exp[-（T_{0} /T）^{1/2}]对温度T的依赖性，表明跳跃传导是主要的输运机制，尽管具有不同的无序相关系数T_{0}。低温电导的场依赖性表现为exp[-（xi_{0} /xi）^{1/2}]，在足够低的T下具有高的电场xi。最后，退火和未退火的纳米管在低T = 1.7K下都表现出弱的正磁阻。与理论的比较表明，我们的数据是最好的解释库仑隙可变范围跳跃传导，并允许提取的无序依赖的本地化长度和介电常数。
2006-10-26 cond-mat.mes-hall
Evolution of variable range hopping in strongly localized two dimensional electron gas at NdAlO3/SrTiO3 (100) heterointerfaces
我们报告的二维电子气行为的NdAlO 3/SrTiO 3异质界面与不同厚度的NdAlO 3覆盖层的演变。具有较厚的NdAlO 3的样品在低温下表现出较强的局域化，并且局域化程度随着NdAlO 3厚度的增加而增加。低温下薄膜电阻的T-1/3温度依赖性和磁电阻研究表明，在这种强局域区，薄膜的导电是由二维变程跳跃机制控制的.我们属性的NdAlO 3/SrTiO 3界面的输运性质的厚度依赖于由覆盖层引起的界面应变。
2013-02-06 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance in organic spintronic devices: the role of nonlinear effects
本文推导了自旋极化载流子通过杂质能级在具有跳跃电导的有机半导体中注入和输运的动力学方程。该模型预测一个强烈的电压依赖性的磁阻，定义为电阻与平行和反平行电极磁化（自旋阀效应）之间的变化。磁阻的电压依赖性分成三个不同的制度。第一个制度匹配公知的无机自旋电子制度，对应于势垒控制的自旋注入或公知的电导率失配的情况。在中间电压下的第二制度对应于强烈抑制的磁阻。第三种机制在更高的电压下发展，并解释了一种新的范式。这是由电荷输运中的强非线性促进的，其强度由无量纲参数$eU/k_BT$表征。这种非线性，取决于设备的条件，可以导致显着增强或指数抑制的自旋阀效应在有机设备。我们相信，这些预测是有效的有机半导体以外的情况下，应考虑任何材料的特征是强烈的非线性电荷传输。
2015-02-05 cond-mat.mes-hall
Hopping conductivity in heavily doped n-type GaAs layers in the quantum Hall effect regime
我们研究的磁阻外延生长，重掺杂的n型GaAs层的厚度（40-50 nm）大于电子平均自由程（23 nm）。在量子霍尔效应范围内，耗散电阻R_{xx}的温度依赖性可以通过跳跃定律（R_{xx} \propto exp{-（T_0/T）^p}）很好地描述，其中p=0.6。我们讨论了这一结果的可变范围跳跃在库仑间隙连同依赖的电子本地化长度上的能量在间隙中。指数p>0.5的值表明，为了解释这些样品中量子霍尔效应的发生，必须考虑电子-电子相互作用，这些样品具有三维单电子态密度。
2001-06-16 cond-mat.mes-hall
A theory for magnetic-field effects of nonmagnetic organic semiconducting materials (Revised)
本文提出了有机半导体强磁场效应的普遍机制。弱磁场（小于几百mT）可以显著改变两个相邻有机分子之间的载流子跳跃系数，当两个跳跃状态不是太对称时。在光照或强电场作用下，跳跃系数的变化也会导致极化子密度的变化，从而使光电流、光致发光、电致发光、磁电阻和电注入电流对弱磁场变得敏感。该理论不仅可以解释所有观测到的特征，而且为广泛使用的经验拟合公式提供了坚实的理论基础。
2010-06-28 cond-mat.mes-hall
The effects of spin-spin interactions on magnetoresistance in disordered organic semiconductors
本文将位置无序有机半导体的磁电阻理论扩展到极化子之间的交换耦合和偶极耦合。分析结果发现，当超精细，交换，偶极相互作用几乎没有时间操作之间的跳跃事件。我们发现了一个与以前的实验和数值模拟一致的磁场角度依赖的磁阻。此外，我们报告新的磁阻行为，严重依赖于偶极相互作用中的各向异性量。
2012-03-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Hopping conductance and macroscopic quantum tunneling effect in three dimensional Pb$_x$(SiO$_2$)$_{1-x}$ nanogranular films
我们研究了PbPDMATHABMM（SiOPDMATHABMN）$_{1-x}$（$x$为Pb的体积分数）纳米颗粒膜的低温电输运性质，其厚度为$\sim$ 1000 nm，$x$跨越介电、过渡和金属区域。发现逾渗阈值$x_c$在0.57和0.60之间。对于$x$ $\lesssim$为0.50的薄膜，在Pb颗粒的超导转变温度$T_c$（$\sim$ 7 K）以下，电导率$ρ$随温度$T$的变化服从$ρ\propto\exp(Δ/k_BT)$关系（$Δ$为局部超导能隙，$k_B$为玻尔兹曼常数）.用该公式计算的能隙值与单电子隧穿谱测量的能隙值基本一致。在一定磁场下，$T_c$以下的磁电阻为负，其绝对值远大于$T_c$以上的磁电阻。这些观察结果表明，单电子跳跃（或隧道），而不是库珀对跳跃（或隧道）管辖的$T_c$以下的运输过程。对于0.50 $<$ $x$ $<$ 0.57薄膜，折射率的温度依赖性表现出重入行为。研究发现，单电子跳跃（或隧穿）也占主导地位的低温输运过程中，这些薄膜。在足够低的温度下，单电子浓度的降低导致电阻率的增强。对于0.60 $\lesssim$ $x$ $\lesssim$ 0.72薄膜，在$T_c$以下温度，薄膜的折射率随温度的降低而急剧下降，然后随温度的进一步降低而表现出耗散效应。将由Pb颗粒组成的导电路径作为纳米线处理，我们发现低于$T_c$的$R(T)$数…
2018-10-16 cond-mat.mes-hall
Two-dimensional Mott variable-range hopping transport in a disordered MoS$_2$ nanoflake
通过电学和磁输运测量研究了无序MoS $_2$纳米片在绝缘体区域的输运特性。层状MoS $_2$纳米片从块状MoS $_2$晶体剥离，并且在宽的温度范围内在四探针设置中测量电导$G$和磁阻。在高温下，我们观察到，$\log_{10}G$表现出$-T^{-1}$的温度依赖性和运输的纳米片主要来自热活化。在低温下，在纳米片中的运输主要通过可变范围跳跃（VRH）过程发生，我们观察到，$\log_{10}G$表现出$-T^{-1/3}$温度依赖性，二维（2D）莫特VRH运输的证据。测量的低场磁电阻的纳米片在绝缘体制度表现出二次磁场依赖性$\sim αB^2$与$α\sim T^{-1}$，完全一致的2D莫特VRH输运的纳米片。
2018-01-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Necessary and sufficient condition for longitudinal magnetoresistance
由于洛伦兹力垂直于磁场，它不应该影响电荷沿磁场的运动。这一论点似乎意味着缺乏纵向磁阻（LMR），然而，在许多材料中观察到的和复制的标准半经典输运理论适用于特定的金属。我们推导出非零LMR费米面形状的一个充分必要条件。虽然各向异性光谱是LMR的先决条件，但并非所有类型的各向异性都能产生这种效应：光谱在任何意义上都不应该是可分离的。更准确地说，组合$k_ρv_ϕ/v_ρ$应该取决于沿磁场的动量，其中$k_ρ$是z轴沿磁场的圆柱系统中动量的径向分量，而$v_ρ (v_ϕ$是速度的径向（切向）分量。对于某些晶格类型，这个条件已经在最近邻跳变的水平上得到满足;对于其他晶格类型，所需的非分离性只有在考虑到下一个最近邻跳变时才发生。
2010-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Theory of oblique-field magnetoresistance from spin centers in three-terminal spintronic devices
我们提出了一个一般的随机Liouville理论的电输运通过一个单一的缺陷的自旋0到自旋1/2的过渡通过顺序跳跃发生在两个导体之间的障碍。我们发现类似于汉勒功能（伪汉勒功能），起源于泡利阻塞没有自旋积累的磁导率，并预测缺陷的自旋的演变修改传统的汉勒响应，产生一个反转的汉勒信号从自旋中心的演变。我们建议在斜磁场的研究，将明确地确定，如果一个磁导结果从自旋中心辅助运输。
2020-08-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Weak anisotropy and disorder dependence of the in-plane magnetoresistance in high mobility (100) Si-inversion layers
本文研究了（100）Si反型层中二维电子系统的磁电阻（MR），电流在二维平面内与磁场垂直和平行取向。磁电阻几乎是各向同性的，这一结果不支持Si反型层中MR的轨道起源的建议。然而，在跳跃区，MR包含在磁场中非单调的弱各向异性分量。我们发现，该领域，在MR饱和，对于不同的样品变化的一个因素的两个，低于或高于自由载流子的完整的自旋极化的字段。因此，磁电阻的饱和不能用自由载流子的自旋极化来确定。
2001-07-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Splitting efficiency and interference effects in a Cooper pair splitter based on a triple quantum dot with ferromagnetic contacts
理论上研究了基于三重量子点的库珀对分裂器的自旋分辨亚能隙输运性质。使用Keldysh格林函数的形式主义，我们分析的Andreev电导，库珀对分裂效率，和隧道磁阻的栅极和偏置电压施加到系统上的依赖。我们表明，该系统的输运性质的强烈影响自旋依赖性的隧道过程和量子干涉不同的本地和非本地Andreev反射。我们还研究了边量子点之间的有限跳跃对Andreev电流的影响。这允许识别用于增强器件的库珀对分裂效率的最佳条件。我们发现，分裂效率表现出非单调依赖于自旋极化的程度的铅和点之间的跳跃的大小和类型。当侧量子点的能量被调谐到相应的Andreev束缚态的能量时，在非线性响应机制中预测了几乎完美的分裂效率。此外，我们分析了隧道磁电阻（TMR）的特点，为广泛的栅极和偏置电压，以及为不同的模型参数，找到相应的符号变化的TMR在某些运输制度。导致这些影响的机制进行了深入的讨论。
2018-05-28 cond-mat.mes-hall
Pauli spin blockade and the ultrasmall magnetic field effect
基于有机磁电阻的自旋阻塞模型，考虑到有效核场的影响，给出了极化子-双极化子跃迁速率的解析表达式。我们揭示了物理产生质的不同的磁导线的形状以及超小磁场效应，我们研究了原子核场的原子间跳跃率和典型大小之间的比率的作用。我们的研究结果与最近的实验和数值模拟是一致的。
2013-03-23 cond-mat.mes-hall
Impact of the skyrmion spin texture on magnetoresistance
利用扫描隧道显微镜研究了局域自旋织构对微分电导的影响。在焦点是以前发现的非共线磁阻，这源于自旋混合效应时，电子跳跃相邻网站之间的倾斜磁矩。在目前的工作中，它的横向分辨率研究都为零磁场自旋螺旋状态，以及在不同的磁场值的个别磁skyrmion。我们详细分析了微分电导的响应，发现不同的依赖性的峰值能量和峰值强度的非共线自旋织构的本地属性。我们发现在Skyrmion的中心，峰值能量和强度尺度与最近邻矩之间的角度大致成线性关系。在Skyrmion的其他地方，非共线性不是各向同性的，磁化量子化轴变化，峰值能量的行为更复杂。
2017-01-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-polarized transport in magnetic tunnel junctions with ZnTe barriers
制备了具有宽禁带半导体ZnTe势垒的磁性隧道结。在室温下，在Fe/ZnTe/Fe结中观察到非常低的势垒高度和相当大的磁阻。非线性I-V特性曲线证实了所观察到的磁电阻是由于自旋相关的隧穿效应。温度依赖的研究表明，结的总电导主要是由直接隧穿，只有一小部分从跳跃传导通过内部的障碍缺陷态。
2022-10-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Irradiation-induced metal-insulator transition in monolayer graphene
简要回顾了无序单层石墨烯样品中载流子逐渐局域化和金属-绝缘体转变的实验研究。用不同剂量的重离子和轻离子辐照诱导无序。通过拉曼散射光谱的测量来控制无序度。电导率和磁电阻（MR）的温度依赖性表明，在低无序，电导率是由弱局域化和反局域制度。当用变程跳跃（VRH）机制描述电导率时，无序度的进一步增加会导致载流子的强烈局部化。有人观察到，在VRH制度的MR是负的，在垂直的领域，并允许揭示不同的机制跳跃MR平行磁场是积极的。理论分析是在一个很好的协议与实验数据。
2019-07-22 cond-mat.mes-hall
Slow Oscillations of the Transverse Magnetoresistance in HoTe3
本研究在HoTe₃中发现3.4 T频率的反向磁场周期性磁阻缓慢振荡，揭示其低温指数振幅特性与软模相关，1 T以上的振荡源于双层结构能带劈裂的干涉效应，并估算出层间跳跃积分参数。
2025-03-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Strong quantum interference in strongly disordered bosonic insulators
我们研究了玻色子在一系列具有短程相互作用和大特征配位数的位置中的变程跳跃（VRH）。后者导致强量子干涉现象，但允许其分析研究。我们开发了一个功能的重整化群计划，反复消除高能量网站适当重整化之间的低能量的隧道。使用这种方法，我们确定的温度和磁场的跳跃电导率的依赖性，并发现一个大的正磁阻。随着磁场的增加，电导率的行为从Mott定律跨越到激活行为，其中激活间隙与磁场成比例。
2012-07-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
A theory for magnetic-field effects of nonmagnetic organic semiconducting materials
本文提出了有机半导体强磁场效应的普遍机制。当弱磁场（小于几百mT）的磁场长度不超过所涉及的电子态的分子-分子分离和定域长度时，可以显著改变两个相邻有机分子之间的载流子跳跃系数。在光照或强电场作用下，跳跃系数的变化也会导致极化子密度的变化，从而使光电流、光致发光、电致发光、磁电阻和电注入电流对弱磁场变得敏感。该理论不仅可以解释所有观测到的特征，而且为广泛使用的经验拟合公式提供了坚实的理论基础。
2010-01-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetization oscillations induced by a spin-polarized current in a point-contact geometry: mode hopping and non-linear damping effects
在本文中，我们研究了自旋极化直流电流通过电流垂直于平面（CPP）的几何形状的点接触注入在薄的扩展膜诱导的磁化激发。利用全尺度微磁模拟，我们证明，除了传播波类型的振荡，也存在两个本地化的振荡模式。第一局域模式具有其内核的相对均匀的磁化结构，并且对应于Slavin和Tiberkevich（Phys.Rev.Lett.，95（2005）237201）。第二局域模核的磁化模式是高度不均匀的，导致由该模式引起的磁阻振荡的功率小得多。我们还研究了该系统的非线性阻尼的影响，并发现了以下主要的定性效果：（i）传播波模式的存在区域内的频率跳跃的外观和（ii）“子弹”模式存在的电流区域的缩小，直到这种模式完全消失足够强的非线性阻尼。
2007-05-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic-field-induced dimensional crossover in the organic metal $α$-(BEDT-TTF)$_{2}$KHg(SCN)$_{4}$
本文研究了加压（到正常态）层状有机金属$α$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ KHg（SCN）$_{4}$的层间磁电阻随场的变化。高准二维各向异性，当层间跳跃时间长于电子的平均自由时间，比回旋周期，导致一个维度的交叉和强烈违反传统的三维磁阻理论。单调场的依赖性被发现改变从常规的行为在低磁场的异常之一，在高磁场。朗道能级的形状由磁量子振荡的阻尼决定，从洛伦兹变为高斯。这表明无序势中的电子动力学从通常的相干三维区域改变到一个新的区域，该区域可以被称为弱相干。
2012-08-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Electrical conduction of Ti/TiOx/Ti structures at low temperatures and high magnetic fields
我们目前的Ti/TiOx/Ti平面结构的导电性研究的结果，通过尖端诱导局部阳极氧化（LAO）的钛薄膜。所制备的结构在300 K和30 K之间的温度下显示出几乎线性的I-V曲线，并且在较低温度下仅略微偏离线性行为。的结构的电导可以充分地解释由一个双通道模型，其中可变范围跳跃通道和金属的并行共存，而交叉从莫特Efros-Shklovskii可变范围跳跃电导率已被观察到在降低温度。所研究的结构的磁阻是非常小的，即使在磁场高达9 T。所报道的结构的电性能表明它们作为低温区和高磁场的极低热容温度传感器具有良好的应用前景。
2020-11-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Localization of charge carriers in monolayer graphene gradually disordered by ion irradiation
在普通大尺度石墨烯薄膜上制备了一系列微尺度单层石墨烯样品，并在不同剂量的C $^+$离子（能量为35 keV）辐照下研究了载流子的逐渐局域化。在高达4 T的磁场中的电导率和磁阻的温度依赖性的测量结果表明，在低无序，样品是在弱本地化和反本地化的制度。当电导率用变程跳跃机制描述时，无序度的进一步增加会导致强的局域化机制。随着温度的降低，观察到VRH从Mott制度到Efros-Shklovskii制度的交叉。在这两个政权的电导率的理论分析表明，与实验数据非常好的协议。
2015-05-14 cond-mat.mes-hall
Coulomb Oscillations of Indium-doped ZnO Nanowire Transistors in a Magnetic Field
我们报告的观察库仑振荡从本地化的量子点叠加在正常的跳跃电流在ZnO纳米线晶体管。库仑振荡可分辨到20 K。由于载流子运动受到洛伦兹力的作用，观察到了正的各向异性磁电阻。随着磁场的增加，磁场诱导的隧穿势垒透明性导致振荡幅度的增加。作为磁场的函数的能量偏移指示量子点中的电子波函数修改。
2010-11-05 cond-mat.mes-hall quant-ph
Magnetic order and superconductivity observed in bundles of Double-Wall Carbon Nanotubes
研究了数百个微米长的双壁碳纳米管束的磁输运性质。在15 K以上，电阻表现出欧姆行为，其温度依赖性很好地描述了一维系统的可变范围跳跃。的磁阻是负的，可以解释使用的经验模型的基础上自旋散射过程表明存在磁秩序到室温。在2 K和15 K之间的温度下的电阻是非欧姆和电流-电压特性揭示了一个潜在的外观，这可以很好地描述了由波动引起的隧道导电模型。在这个低温范围内，在足够低的输入电流下，除了负的磁电阻之外，还出现了正的磁电阻，并且在磁场中具有异常的磁滞，并且在$T \sim 15 $ K处消失，这表明存在超导状态。磁化结果部分支持DWCNT束中这两种现象的存在。
2015-03-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
