The effect of hydrostatic pressure on resistivity and magnetic ac susceptibility has been studied in Mn-doped CdGeAs2 room-temperature (RT) ferromagnetic chalcopyrite with two types of MnAs micro-clusters. The slight increase of temperature by about 30 K in the region between RT and Curie temperature TC causes a significant change in the positions of pressure-induced semiconductor-metal transition and magnetic phase transitions in low pressure area. By conducting measurements of the anomalous Hall resistance in the field H \leq 5 kOe, we present experimental evidence for pressure-induced metamagnetic-like state during the paramagnetic phase at pressure P = 5 GPa.
Glassy magnetic behavior in the metamagnetic DyAlO3 doped with Cr
研究了DyAl $_{0.926}$ Cr $_{0.074}$ O $_3$和DyAl O $_3$的磁性。我们发现这两种化合物都是反铁磁的，具有较低的Néel转变温度。在较高的温度下，磁特性表现出居里-外斯依赖性。当外加约2 T的磁场时，Néel温度消失，系统由反铁磁转变为弱铁磁。此外，在不同频率下，Cr掺杂化合物中的AC磁性测量显示出类似自旋玻璃的行为。这些转变进行了研究，并证实了比热测量。我们发现在掺杂有铬的化合物中存在变磁性和自旋玻璃，确定少量铬原子的添加改变了化合物DyAlO $_3$的磁性，从而导致诸如自旋玻璃样行为的新特征。
Ferromagnetism and Metamagnetism in Copper-doped Germanium Clathrate
铜掺杂的I型锗笼形物在90 K以下表现出弱磁性，包括铁磁性、反铁磁性和变磁转变。63 Cu NMR测量证实，这些转变是由于通过传导电子耦合的磁性缺陷的稀组合物，行为类似于磁性半导体。磁性测量表明局部的磁矩，归因于磁性离子簇，铁磁和反铁磁交换之间的竞争，也表明在铁磁相的玻璃态行为。核磁共振奈特位移和弛豫时间表明，导带是金属与一个大的科林加比。与平均场论的有序行为的比较给出了一个很好的解释铁磁转变。
Investigating the origin of topological-Hall-like resistivity in Zn-doped Mn2Sb ferrimagnet
East China Normal University（华东师范大学）；Anhui University（安徽大学）；Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院上海技术物理研究所）；Shanghai Jiao Tong University（上海交通大学）；University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）
The effect of vanadium substitution on the structural and magnetic properties of (Fe$_{1-x}$V$_{x}$)$_{3}$Ga$_{4}$
Fe $_{3}$ Ga $_{4}$显示出复杂的磁性相图，该相图对电子和晶体结构的变化敏感且可调。为了探索这种可调谐性，已经合成并表征了钒掺杂的（Fe $_{1-x}$ V $_{x}$）$_{3}$ Ga $_{4}$。高分辨同步辐射X射线衍射和Rietveld精修表明，当V掺杂量达到20%时，样品仍保持与Fe $_{3}$ Ga $_{4}$的等结构，并且随着掺杂量的增加，晶胞体积呈线性增加。磁性测量揭示了与V掺杂的反铁磁螺旋自旋密度波（SDW）的抑制，揭示了在低温铁磁-反铁磁（FM-AFM）转变（T $_{1}$）和高温AFM-FM转变（T $_{2}$）的变化。当V掺杂量为7.5%时，不再观察到AFM螺旋SDW相的变磁行为。这些结果提供了一个途径，以有效地调整的磁性顺序在Fe $_{3}$ Ga $_{4}$的设备，以及增加在这个系统中的磁性的理解。
