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arXiv 1306.2937physics.optics
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高Q值SiC微谐振器

High Q SiC microresonators

Jaime Cardenas, Mian Zhang, Christopher T. Phare, Shreyas Y. Shah, Carl B. Poitras, Michal Lipson

摘要:

我们展示了基于标准3C SiC外延生长在硅上的光子器件。我们利用SiC的高刚度和底切底层硅衬底来实现高光学限制。我们展示了一个半径为20 μ m的悬浮microwave谐振器,Q值为18000制造在商业上可用的硅基碳化硅衬底上。

英文摘要:

We demonstrate photonic devices based on standard 3C SiC epitaxially grown on silicon. We achieve high optical confinement by taking advantage of the high stiffness of SiC and undercutting the underlying silicon substrate. We demonstrate a 20 um radius suspended microring resonator with Q of 18000 fabricated on commercially available SiC-on-silicon substrates.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来,可能存在错误,请以论文正文为准。

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