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arXiv 1208.61472012-08-30cond-mat.mtrl-sciphysics.optics

SiGe微测辐射热计热参数的计算

Calculation of thermal parameters of SiGe microbolometers

A. V. Voitsekhovskii, D. V. Grigoryev, V. A. Yuryev, S. N. Nesmelov

备注：: 11 pages, 6 figures
发表信息：: Russian Physics Journal, Vol. 50, No. 12, 2007, p. 1218
DOI：: 10.1007/s11182-008-9015-4

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摘要：

采用数值模拟方法计算了SiGe微测辐射热计的热参数。计算的导热和热响应时间与实验发现的值吻合良好，范围在2 × 10 $^-7$和7 × 10 $^-8$ W/K之间，分别为1.5和4.5 ms。由于通过配合支撑散热腿的几何形状或通过选择在SiGe界面处提供高于8 × 10 $^-3$ cm $^2$ K/W的边界热阻的合适材料来优化热响应时间和热传导，实现了微测辐射热计的高灵敏度。

英文摘要：

The thermal parameters of a SiGe microbolometer were calculated using numerical modeling. The calculated thermal conduction and thermal response time are in good agreement with the values found experimentally and range between 2x10$^-7$ and 7x10$^-8$ W/K and 1.5 and 4.5 ms, respectively. High sensitivity of microbolometer is achieved due to optimization of the thermal response time and thermal conduction by fitting the geometry of supporting heat-removing legs or by selection of a suitable material providing boundary thermal resistance higher than 8x10$^-3$ cm$^2$K/W at the SiGe interface.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。

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