Growth, Characterization and High Field Magneto-Conductivity of Co0.1Bi2Se3 Topological Insulator
本文报道了掺Co的Bi_2Se_3单晶的生长和输运性质。观察到添加Co的样品的晶格参数a和b的值与纯Bi 2Se 3相比增加。拉曼光谱显示出较高的拉曼位移的相应振动模式的Co 0.1Bi2Se 3，和电阻率曲线与没有施加磁场显示出金属的行为。两种晶体都在14特斯拉的外加磁场下进行磁阻（MR）测量。发现MR的值从Bi2Se3的约380（5K，14特斯拉）降低到Co0.1Bi2Se3的200度。为了详细说明纯Bi2Se3晶体和添加Co的Bi2Se3晶体的输运性质，将磁导率拟合为HLN（Hikami Larkin Nagaoka）方程，发现电荷传导主要由表面驱动的WAL（弱反局域化）主导，在两种晶体中可以忽略不计的体WL（弱局域化）贡献。不同温度下的MH曲线显示出铁磁性和抗磁性的结合。另一方面，电子顺磁共振（EPR）表明，纯Bi_2Se_3是抗磁性的，而Co在室温下具有铁磁性，共振场约为3422Oe。
2018-12-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High Field (up to 140kOe) Angle Dependent Magneto Transport of Bi2Te3 Single Crystals
本文报道了一种著名的拓扑绝缘体Bi_2 Te_3单晶的高场（高达140 kOe）与角度相关的磁输运。采用自熔法从组元熔体中通过固相反应途径生长晶体。我们中的一些人最近报道了晶体生长的细节以及它们在高达5特斯拉的施加场下的简要表征[J. Magn. 428，213（2017）]。Bi 2 Te 3的磁阻（MR）的角度依赖性遵循cos θ函数，即，当所施加的场垂直于（倾斜角θ = 0和/或180 °）传输电流时，MR是响应的。低场（10 kOe）MR显示出弱反定域化（WAL）特征，在5 K时在原点附近有典型的尖点。此外，MR是线性的，直到140 kOe的最高施加场。在50 K和100 K的垂直磁场中，在140 kOe时，在高温下观察到大的正MR，分别超过250%和150%。热容CP（T）测量表明德拜温度为135 K。ARPES（角分辨光电子能谱）数据清楚地表明，大块Bi 2 Te 3单晶由一个单一的狄拉克锥。
2017-12-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High field magneto-transport study of YBa2Cu3O7-Agx (x = 0.0 to 0.20)
本文报道了YBa_2Cu_3 O_7（YBCO）：Ag_x（x= 0.0，0.1和0.2）复合材料的高场（高达13 T）磁输运R（T）H_1。在YBCO绝缘晶界上掺杂Ag，可显著改善其输运性质。采用固相反应法制备了纯YBCO和Ag扩散YBCO超导样品。纯YBCO和掺Ag的YBCO在90 K以下都是超导的。在13 T的外加磁场下，YBCO：Ag样品的Tc（R=0）约为65 K，而纯YBCO样品的Tc（R=0）约为45 K。由R（T）H估算的上临界场[Hc ~ 2（0）]，对于纯样品约为70特斯拉，对于Ag掺杂样品大于190特斯拉。在外加磁场作用下，Ag掺杂样品的电阻转变的板化相对较少且接近单步，而原始YBCO样品的电阻转变明显为两步且相对大得多。电阻展宽的基础上改变晶粒间的耦合和热激活磁通流（TAFF）的解释。TAFF激活能（U 0）与外加磁场成线性关系，而Ag掺杂样品的激活能（U 0）与外加磁场成线性关系。结果表明，Ag的加入显著提高了YBCO：Ag复合材料的超导性能，特别是在外加磁场下。
2013-11-13 cond-mat.supr-con
Magnetotransport and the upper critical magnetic field in MgB2
磁输运测量多晶MgB2样品。电阻性上临界磁场随温度的变化从Tc = 39.3 K下降到20 K时为正曲率，然后在1.5 K时变为稍负的曲率，达到25 T。25特斯拉的上临界场远高于迄今已知的MgB2多晶，但它与最近获得的外延MgB2薄膜的数据一致。Bc2（T）与标准BCS的偏差可能是由于该化合物中提出的双能隙超导性。所观察到的二次正常态磁电阻与科勒规则的有效性可以归因于经典的轨迹效应在低场极限。
2001-09-12 cond-mat.supr-con
Synthesis of RuSr2(Ln3/4Ce1/4)2Cu2O10 magneto-superconducting compounds with Ln = Ho, Y and Dy by high-pressure high-temperature (HPHT) technique
样品的组成为RuSr_2（Ln_（3/4）Ce_（1/4））_2Cu_2 O_（10）（Ln = Ho，Y和Dy）。采用高压高温（6 Gpa，1200 ℃）固相合成法合成的晶体，其空间群为I4/mmm。这些样品在~150 K时表现出磁转变，其中zfc（零场冷却）和fc（场冷却）磁化强度出现显着分支，并且在~ 100 K时zfc出现尖锐的尖点，随后在较低温度下出现超导转变。所有化合物在5 K下的磁矩（M）对磁场（H）的磁化强度都显示出典型的铁磁磁滞回线。在5 K时，在高于5 T（Tesla）的外加磁场中实现了近饱和的磁矩，其值为~ 0.80 μ B。在低温下（5 K），这些化合物表现出超导性和铁磁性。据我们所知，这些都是首次成功地合成了Ru-1222与各种镧系元素，包括Y，Dy和Ho的化合物。并与文献报道的Gd/Ru-1222化合物进行了比较。
2002-11-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Giant transverse magnetic fluctuations at the edge of re-entrant superconductivity in UTe$_{2}$
本研究通过测量UTe₂在两个磁场角平面内的磁致各向异性磁化率，发现高场重入超导边缘存在巨大横向磁涨落，暗示场致磁序参量的量子临界涨落可能驱动超导配对。
2025-06-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High Field Performance of Nano-Diamond Doped MgB2 Superconductor
以Mg、B和n-Diamond为原料，采用固相法合成了MgB 2-nDx（x= 0 ~ 0.1）多晶样品。报道了纳米金刚石掺杂MgB 2-nDx的磁输运和磁化强度的研究结果。超导转变温度（Tc）在x = 0.05之前不受x的显著影响，并且当x > 0.05时，后者略微降低。R（T）对H测量显示对于添加纳米金刚石的样品在相同的施加磁场下具有更高的Tc值，从而导致更高的估计Hc 2值。从磁化测量中发现，原始样品的不可逆场值Hirr在4 K下为7.5特斯拉，并且对于3重量%的nD添加样品在相同温度下增加到13.5特斯拉。在所有温度下的Jc（H）图显示，对于原始MgB 2，在所有施加的场下Jc值最低，并且掺杂有3-wt% nD的样品在所有场下给出最佳Jc值。对于纯样品，Jc值在较低的磁场下为105 A/cm 2的量级，但随着施加磁场，其下降非常快，并且在7特斯拉以上变得可忽略不计。在10 K和6 T场下，3%nD掺杂样品的Jc比纯MgB_2高40倍，在10 T场下，其值仍为103 A/cm ~ 2。另一方面，在20 K下，5%nD样品在较高场下显示出最佳性能。这些结果进行了讨论，在外在钉扎由于分散的n-金刚石在主机MgB 2矩阵随着内在钉扎由于可能的取代C在硼网站和增加带间散射高掺杂样品导致的掺杂系统的非凡性能。
2007-11-27 cond-mat.supr-con
Magneto-superconductivity of 100-atm O2-annealed RuSr2Gd1.5Ce0.5Cu2O10
研究了100-atm O2退火的RuSr_2Gd_（1.5）Ce_（0.5）Cu_2 O_（10）（Ru-1222）化合物的晶体结构。热重（TG）分析表明，该化合物在350和500 ℃左右的两个不同的步骤中释放出氧并断裂成金属成分。直流磁化强度数据（M vs. T）显示在100 K发生磁转变，然后在40 K发生超导转变。低场M与H的磁滞回线显示出较低的临界场（Hc 1）值约为25 Oe。铁磁分量在5，10，20和40 K下是明显的。在5 K时，观察到大于5 T的近饱和场.在5 K时，零场返回矩（Mr）和零矩矫顽场（Hc）分别为0.35mB和250 Oe，样品的电阻-温度（R-T）行为证实了样品在43 K附近的超导性。在磁场作用下，超导转变（Tc）变宽，并出现强的粒度级阶跃.
2002-11-28 cond-mat.supr-con
Possible Competition between superconductivity and magnetism in RuSr2Gd1.5Ce0.5Cu2O10-d (Ru-1222) Rutheno-cuprate compounds
RuSr_2Gd_1.5Ce_0.5Cu_2O_（10-d）（Ru-1222）化合物具有不同的氧含量，晶体结构为四方晶系，空间群为I_4/mmm。电阻（R）与温度（T）关系的测量表明，空气退火样品具有超导性，超导转变温度（Tc）在32 K左右开始，在3.5 K时R=0。另一方面，N2退火的样品在低至2K时是半导体的。在3和6特斯拉的外加磁场中，对空气退火样品的磁输运测量显示Tc起始和TR=0均降低。在2K和3 T的外加磁场下，在N2退火的样品中观察到高达20%的磁电阻。DC磁化数据（M与T）揭示了磁转变（Tmag.）在100 K和106 K，分别为空气和N2退火的样品。在5 K和20 K下，两种样品的磁化强度都出现了铁磁分量。超导转变温度（Tc）似乎与磁转变温度（Tmag.）竞争。我们的结果表明，磁有序温度（Tmag.）RuO_6八面体中Ru磁矩的变化可能与Ru-1222化合物Cu-O_2面超导电性的出现有直接的关系。关键词：钌铜酸盐，超导与磁性，磁输运与磁电阻。PACS：74.25。74.72 JT 75.25 +z，75.30。CR.
2004-07-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic pair-breaking in superconducting (Ba,K)BiO_3 investigated by magnetotunneling
用de Gennes和Maki的脏超导体无带隙超导理论解释了强II型高Tc氧化物超导体Ba_（1-x）K_xBi O_3在高达30 T的强磁场中的隧穿测量。我们表明，这个理论是适用于在所有的温度和在很宽的范围内的磁场从50%的上临界场Bc 2。在这个磁场范围内，测得的超导态密度（DOS）具有de Gennes预言的简单的能量依赖性，由此得到了对破缺参数α（T）或Bc ~ 2（T）的温度依赖性。推导出的Bc 2（T）的温度依赖性遵循经典II型超导体的Werthamer-Helfand-Hohenberg预测，与我们以前的直接测定一致。在DOS的偏差的幅度取决于磁场通过空间平均的超导序参量，其中有一个平方根依赖于磁场。最后，由实验数据确定了第二个Ginzburg-Landau参数kappa ~ 2（T）。
2000-02-16 cond-mat.supr-con
c-axis magnetotransport in CeCoIn$_{5}$
本文报道了重费米子超导体CeCoIn $_{5}$在40 ~ 400 K温度范围内，在9 T磁场下的离面电输运测量结果。对于$T <$ 10 K传输测量表明，零场电阻率$ρ_{c}$随温度线性变化，并外推到0 K时接近零，表明与量子临界点（QCP）相关的非费米液体（nFL）行为。CeCoIn $_{5}$的纵向磁阻（LMR）对于平行于c轴施加的场为负，并且在50和100 K之间按$B/(T+T^{*})$缩放，揭示了单杂质近藤能量标度$T^{*} \sim 2$ K的存在。从16 K开始，一个小的正LMR功能是明显的字段小于3特斯拉的幅度随着温度的降低而增长。对于更高的领域，LMR是负的，并随着温度的降低而增加。这种相当大的负磁阻随着$B{^2}/T$从2.6 K到大约8 K而缩放，并且它由外推的剩余电阻率引起，该剩余电阻率在nFL温度状态下变为负值并且随场二次增长。沿c轴施加磁场，使$>$ B $_{c2}$在$T$小于130 mK时恢复$ρ_{c}(T)$中的费米液体行为。对$T{^2}$电阻率系数场依赖性的分析表明，CeCoIn $_{5}$中的QCP位于超导相内的上临界场\emph{below}处。这些数据表明，虽然CeCoIn $_{5}$的高$T$ c轴传输表现出重费米子系统的典型特征，但低$T$传输受与QCP和Kondo相互作用相关的自旋波动支配，所述QCP和Kond…
2005-03-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetometric Mapping of Superconducting RF Cavities
介绍了一种可扩展的超导射频腔标测系统。目前，它将局部温度测量与沿谐振器外表面的3D磁场映射相结合。这允许观察对腔的超导性质具有影响的动态效应，例如正常到超导的相变或失超。该系统是为一个单一的细胞1.3 GHz的TESLA型腔，但可以很容易地通过任意其他腔类型。所有通道的数据采集速率为500 Hz，同时（即，完整标测图的采集时间为2 ms），磁场分辨率目前高达14 mA/m/mu 0 = 17 nT。虽然温度测绘是SRF研究中的一种众所周知的技术，但磁场测绘的集成开启了详细研究捕获的磁通量及其对表面电阻的影响的可能性。结果表明，基于各向异性磁阻（AMR）效应的磁场传感器可以在低温环境中使用，与室温相比具有更高的灵敏度。此外，第一次成功的结合温度和磁场地图的例子。
2018-04-10 cond-mat.supr-con physics.ins-det
On-chip SQUID measurements in the presence of high magnetic fields
本文报道了一种基于片上SQUID技术的量子分子自旋的低温测量技术和磁化强度数据。该技术使SQUID磁强计能够在高达7特斯拉的高磁场中工作。主要的挑战和校准过程进行了详细说明。测量协议用于观察S=10分子磁体Mn 12-tBuAc的量子隧穿跳跃。研究了横向场对该分子系统隧穿分裂的影响。
2010-09-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con quant-ph
Direct Validation of Superconductivity through Contact-Free Detection of Persistent Supercurrents Using Room-Temperature Quantum Magnetometry
University of Houston（休斯顿大学）；Sam Houston State University（山荷州州立大学）
该研究开发了一种室温无接触探测持续超电流的技术，可直接验证超导性，适用于高压下的微观样品，为超导的高通量筛选提供了可扩展的非侵入性方法。
2026-09-04 cond-mat.supr-con
