Superconductivity of Cu/CuOx interface formed by shock-wave pressure
粉末状Cu和CuO的混合物经受350 kbar的冲击波压力，随后将真空封装的产品淬火至77 K。样品的交流磁化率测量揭示了亚稳态超导性，Tc = 19.5 K，其特征在于低于Tc的屏蔽电流的玻璃态动力学。交流磁化率和直流磁化强度测量的比较推断，超导电性出现在金属铜和其氧化物之间形成的颗粒界面层由于冲击波处理。
2014-02-05 cond-mat.supr-con
Superconducting Volume Fraction in Overdoped Regime of La_2-x_Sr_x_CuO_4_: Implication for Phase Separation from Magnetic-Susceptibility Measurement
我们生长了Sr浓度x在0.24 ~ 0.29范围内连续变化的La_2-x_Sr_x_CuO_4单晶，并将其切片，得到了多片不同x值的单晶。从详细测量的磁化率，chi，每一块，它已被发现，chi的绝对值在测量的最低温度2 K，|chi_2K_|，在现场冷却迅速减少与增加x以及超导（SC）转变温度。由于|chi_2K_|的值被认为对应于样品中SC的体积分数，因此可以得出结论，在过掺杂区域中，La_（2-x）_Sr_x_CuO_4_（1-x）样品中发生了SC区和正常态区的相分离。
2005-09-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic-susceptibility and specific-heat studies on the inhomogeneity of superconductivity in the underdoped La_2-x_Sr_x_CuO_4_
本文用体敏探针研究了La_2-x_Sr_x_CuO_4_（LSCO）单晶从欠掺杂到最佳掺杂过程中可能出现的超导不均匀性。测量磁化率，chi，对场冷却和比热的研究表明，在2 K时chi的绝对值，被认为是对应于样品中的超导（SC）体积分数，和索末菲常数，反映准粒子在费米能级的态密度，表现出显着的依赖于x，即空穴浓度。这是第一个实验工作强烈表明，SC和正常状态区域的相分离发生在欠掺杂制度的LSCO以及在过掺杂制度。
2009-09-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic spin susceptibilities and superconductivity in HgBa$_{2}$CuO$_{4+δ}$ from nuclear magnetic resonance
对HgBa $_{2}$ CuO $_{4+δ}$单晶进行了核磁共振（NMR）实验，发现了两种不同的温度依赖性自旋极化率：一种是由于自旋分量在超导临界温度以上与温度相关（$T_{\rm c}$）并反映赝能隙行为;另一种是类费米液体，在高于$T_{\rm c}$时与温度无关，低于$T_{\rm c}$时迅速消失。此外，我们证明了存在第三个，迄今未检测到的自旋磁化率：它是在较高的温度下的温度无关，在较低的温度下（低于$T_0\neq T_{\rm c}$）消失，并改变附近的最佳掺杂的迹象。这种磁化率要么是由两个自旋分量之间的耦合引起的，要么是由不同的第三个自旋分量引起的。
2015-05-07 cond-mat.supr-con
Two characteristic energies in the low-energy antiferromagnetic response of the electron-doped high-temperature superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$
最佳掺杂附近Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$（$x \approx 0.155$，$T_{c} = 25 \mathrm{K}$）的非弹性中子散射表明，在超导态下，反铁磁区中心的动态磁化率具有两个特征能量：$ω_1 \approx 6.4 \mathrm{meV}$和$ω_2 \approx 4.5 \mathrm{meV}$ .这两个磁能同意$quantitatively$与$B_{1g}$ / $B_{2g}$和$A_{1g}$功能先前观察到的电子拉曼散射，其中前者被认为是指示最大的电子间隙和起源较小的$A_{1g}$功能仍然无法解释。冷却到超导状态后的磁化率变化与先前声称的10 meV附近存在磁共振模式不一致，但与$ω_2$的共振一致。
2008-11-29 cond-mat.supr-con
Uniaxial linear resistivity of superconducting La(1.905)Ba(0.095)CuO(4) induced by an external magnetic field
本文报道了超导体La（2-x）Ba（x）CuO（4）（x=0.095，转变温度Tc=32 K）的各向异性电阻率的实验研究。在垂直于CuO（2）层的磁场中，H（perp），我们观察到垂直于层的电阻率ρ（perp）在与之前对非常相似的材料的研究一致的温度下变得有限;然而，有限平行电阻率ρ（par）的开始发生在更高的温度下。这种行为与传统理论相矛盾，传统理论预测ρ（perp）和ρ（par）在相同温度下应该成为有限的。接近电压可检测性阈值的电压对电流测量指示垂直于层的线性行为，在较高电流下变为非线性，而行为从平行于层的开始是非线性的。这些结果，在适度的H（perp）的存在下，出现一致的超导秩序平行于层之间的电压波动，由于热噪声的层。为了寻找可能有助于解释这种行为的不寻常的影响，我们进行了衍射测量，为H（perp）诱导的电荷和自旋条纹顺序提供了证据。超导层的场致退耦类似于以前在La（2-x）Ba（x）CuO（4）（x=1/8）中观察到的零场退耦相。
2012-03-28 cond-mat.supr-con
AC susceptibility of YBa2Cu3O7-d superconducting thin film in a perpendicular field
测量了YBCO薄膜在垂直于膜面的交流电场中的磁化率随频率和振幅的变化关系。我们表明，所有测量的交流磁化率曲线可以被标度成一个单一的曲线使用的峰值温度（Tp）的虚部作为标度参数。还测量了频率对交流磁化率的影响。随着频率的增加，（Tp）向高温移动，这种效应可以用磁通蠕动来解释。从频率（f）和（Tp）的阿耳忒弥斯曲线获得的活化能的温度T和场Hac依赖性可以描述为U（Hac，T）=Uo（1-T/Tc）Hac^（-0.18）。
2002-11-30 cond-mat.supr-con
Decoupled CuO_2 and RuO_2 layers in superconducting and magnetically ordered RuSr_2GdCu_2O_8
本文对RuSr_2GdCu_2O_8进行了直流和交流磁化率、直流电阻、磁阻、霍尔电阻率以及微波吸收和色散的综合测量，以确定RuO_2和CuO_2面的性质。在~130 K时，磁序在RuO_2平面内发展，人们观察到直流电阻斜率的变化，磁阻符号的变化，以及异常的霍尔效应的出现。这些特征表明RuO_2面是导电的。对陶瓷和粉末样品的交流磁化率和微波数据的详细分析表明，即使在低温下，穿透深度仍然取决于频率，并且大于伦敦穿透深度。结果表明，在低于45 K时，即使CuO 2面出现超导有序，RuO 2面的电导率仍保持正常。因此，实验结果支持了在解耦的CuO_2和RuO_2平面上超导性和磁有序共存的理论模型。
2001-12-20 cond-mat.supr-con
Nodal Order Parameter in Electron-Doped Superconducting Films Pr(2-x)Ce(x)CuO(4-y) (x=0.13, 0.15 and 0.17)
报道了电子掺杂超导体Pr{2-x}Ce{x}CuO{4-y}薄膜在三种掺杂水平（x = 0.13，0.15和0.17）下的伦敦穿透深度λ {ab}（T）。测量到0.35 K进行了使用隧道二极管振荡器与激励场施加垂直和平行的导电平面。对于所有样品和两个磁场方向，λ {ab}（T）都表现出幂律行为，这意味着超导能隙具有节点。
2003-04-12 cond-mat.supr-con
Spin Susceptibility in Underdoped Cuprates: Insights from a Stripe-Ordered Crystal
本文详细研究了La（1.875）Ba（0.125）CuO（4）单晶的自旋磁化率与温度和磁场的关系。从定量分析中，我们发现，随温度变化的各向异性的磁化率，观察到的顺磁和条纹有序相，直接表明，本地化的铜力矩占主导地位的磁响应。场致自旋翻转跃迁进一步证实了局部矩的作用。与以前的多晶样品的数据分析相反，我们发现，一个共同假设的各向同性和温度无关的贡献，从自由载流子，如果存在，必须是相当小的。通过将定量分析扩展到包括x=0.095和0.155的La（2-x）Ba（x）CuO（4）晶体，我们的结论得到了加强。在此基础上，我们对La（2-x）（Sr，Ba）（x）CuO（4）的自旋磁化率随温度和掺杂的变化关系提出了修正的解释.
2008-11-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic response of optimally doped Pr$_{1-x}$LaCe$_x$CuO$_4$
利用Cu-O平面的t-J模型、Mori投影算符技术和由光电子能谱实验得到的电子带色散，计算了最佳掺杂Pr $_{1-x}$ LaCe $_x$ CuO $_4$超导态的磁化率.电子带折叠跨越反铁磁布里渊区边界，这是晶体中固有的，导致相称的低频响应。同样的能带折叠导致了一个补充的自旋激发分支的出现。两个自旋激发分支的共存解释了在磁化率的频率依赖性中观察到的两个最大值。计算的动量和频率的依赖关系接近实验观察。电子和空穴掺杂的铜氧化物的磁响应的相似性和差异进行了讨论。
2012-07-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Unusual interplay between copper-spin and vortex dynamics in slightly overdoped La{1.83}Sr{0.17}CuO{4}
我们对过掺杂La{1.83}Sr{0.17}CuO{4}化合物自旋激发的非弹性中子散射实验表明，在5 T的磁场作用下，低温磁化率发生了以自旋能隙为中心的重分布。此外，通过比较的温度依赖性的中子数据与交流磁化率和磁化强度的测量，我们得出结论，填充的自旋间隙跟踪的不可逆性/熔化温度，而不是Tc 2，这表明一个不寻常的磁涡旋和自旋激发之间的相互作用，即使在稍微过掺杂制度的高温超导体。
2003-10-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic Excitations of the 2-D Sm Spin Layers in Sm(La,Sr)CuO4
我们目前的比热和磁化率数据Sm（La，Sr）CuO 4在磁场高达9 T和温度下降到100 mK。在1.5 K处发现了一个对磁场不敏感的宽比热峰，其值为2.65 J/mol K。在5 T的磁化率继续增加到2 K，测量的最低温度。这些数据表明，Sm自旋系统可能是方形晶格上受抑海森堡反铁磁体的理想实现。
2006-06-19 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High-pressure effects on single crystals electron-doped r$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$
我们提出了高压金刚石对顶砧室同步辐射X射线，电阻率，和交流磁化率测量电子掺杂的铜酸盐Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4}$的压力比以前报道的高得多。在2.72 GPa下，在88 ~ 98 GPa范围内，最佳掺杂Pr $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO的超导相T的$^\prime$相\cite{Tprime}转变为绝缘相T.剩余的2-12 $%$ T $^\prime$相的T $_{c}$在约14 GPa下从22 K连续抑制到18.5 K。值得注意的是，过掺杂Pr $_{1.83}$ Ce $_{0.17}$ CuO $_{4}$的T $_{c}$即使在32 GPa下也几乎保持不变。电子掺杂的铜酸盐的这种行为与空穴掺杂的铜酸盐的行为形成对比，对于空穴掺杂的铜酸盐，TPDMATHABMU首先随着施加的压力而显著增强。
2013-01-09 cond-mat.supr-con
Large magneto-thermal effect and the spin-phonon coupling in a parent insulating cuprate Pr_{1.3}La_{0.7}CuO_4
发现Pr_{1.3} La_{0.7} CuO_4的热导率κ随磁场（H）的变化在低温下表现出明显的最小值，这主要归因于自由自旋对声子的散射。除了指出铜酸盐中存在强的自旋-声子耦合外，本文的结果还表明，在讨论铜酸盐的κ（H）行为时，不应天真地忽略声子热输运的H依赖性，因为肖特基异常在任何掺杂的铜酸盐中都普遍存在。
2005-07-27 cond-mat.supr-con
Current-voltage characteristics and vortex dynamics in highly underdoped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
在零磁场和垂直磁场下研究了高度欠掺杂La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$（$x=0.07$和0.08）厚膜的非线性电流-电压（$I$-$V$）特性的温度依赖性. $V(I)$的幂律行为被发现的$H=0$和$H \neq 0$。提取了临界电流$I_{c}$，并详细研究了其温度和磁场依赖性。Berezinskiii-Kosterlitz-无边界物理在$H=0$的超导转变附近主导非线性$I$-$V$，并且它继续贡献直到特征温度$T_x(H)$。非线性$I$ -由于涡旋的去钉扎，$V$持续到甚至更高的温度$T_{h}(H)$。
2016-09-06 cond-mat.supr-con
A Model for the Schottky Anomaly in Metallic $Nd_{2-y}Ce_{y}CuO_{4}$
我们提出了一个简单的模型，掺杂化合物$Nd_{2-y}Ce_{y}CuO_{4}$，以解释最近的一些实验结果，后者。在Hartree-Fock背景下，我们从杂质类Anderson-like模型出发，考虑了$Nd$ - $4f$基态Kramers双态由于与有序$Cu$矩的交换相互作用而产生的磁分裂.我们的结果是在非常好的协议与实验数据，产生肖特基异常峰的比热，降低其幅度，扩大和转移到较低的温度，$Ce$掺杂。对于过掺杂的化合物，在低温下，比热表现为线性，磁化率是恒定的。随着温度的升高，从这种费米液体般的行为发生平滑的转变，并且在高温下，磁化率表现出居里般的行为。最后，我们讨论了一些改进我们的模型是适合纳入。
1998-10-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A small angle neutron scattering study of the vortex matter in La{2-x}Sr{x}CuO{4} (x=0.17)
轻微过掺杂的La{2-x}Sr{x}CuO{4}（x=0.17）的磁相图的特征在于在低场（~0.4特斯拉）下的场诱导涡旋晶格的六方到正方形转变[R. Gilardi等人，物理修订信函88，217003（2002）]。在这里，我们报告的涡旋晶格在较高的领域，揭示了没有进一步的变化的协调的方形涡旋晶格高达10.5特斯拉垂直于CuO 2平面的小角度中子散射研究。此外，它被发现，衍射信号消失在温度远低于Tc，由于熔融的涡旋晶格。
2003-02-20 cond-mat.supr-con
Two-dimensional weak localization effects in high temperature superconductor Nd{2-x}Ce{x}CuO{4-d}
A systematic study of the resistivity and Hall effect in single crystal Nd{2-x}Ce{x}CuO{4-d} films (0.12 < x < 0.20) is presented, with special emphasis on the low-temperature dependence of the normal state conductance. Two-dimensional weak localization effects are found both in a normally conducting underdoped sample (x = 0.12) and in situ superconducting optimally doped (x = 0.15) or overdoped (x = 0.18) samples in a high magnetic field B > B{c2}. The phase coherence time and the effective thickness of a CuO{2} conducting layer {d} (~ 1.5 A) have been estimated by fitting 2D weak localizatio…
1999-12-01 cond-mat.supr-con
Superfluid 3He in a restricted geometry with a perpendicular magnetic field
本文从理论上研究了表面Andreev束缚态（SABS）对受限几何超流3 He相图和自旋极化率的影响。我们首先明确地导出了在有磁场存在下，SABS在~ 3 He-B中的色散，其中SABS贡献的Majorana Ising自旋和自旋磁化率与SO（3）序参量流形相关联.随后，基于准经典Eilenberger理论，考虑费米液体修正，讨论了磁场与镜面垂直时，磁场对SABS的非线性效应。结果表明，与正常的3 He相比，带隙的SABS大大提高了表面的磁化强度和自旋磁化率。为了捕获的SABS的特性，我们显示的字段和温度依赖性的空间平均的磁化率，这是通过NMR实验检测。结果表明，SABS的贡献导致非单调的温度依赖性的自旋磁化率。此外，我们提出了超流相图，其中B相经历了一级（二级）相变到A相或平面相在低（高）温度。
2012-09-25 cond-mat.supr-con
Contactless estimation of critical current density in thin superconducting films and its temperature dependence using ac magnetic measurements
我们测量了第二代高温超导体YBa_2Cu_3Ox丝和Nb薄膜在垂直交流磁场中的磁响应随温度的变化。我们比较实验复杂的交流磁化率计算的磁化率的基础上的模型Bean的临界状态响应在二维（2D）盘在垂直场。为了将模型与实验数据进行比较，需要进行谐波分析。提出了一种模型与实验敏感度的联系方法。实验磁化率与模型磁化率的2D磁盘允许非接触估计临界脱钉电流密度和它的温度依赖性的良好协议。
2010-09-06 cond-mat.supr-con
Field-induced soft-mode quantum phase transition in La$_{1.855}$Sr$_{0.145}$CuO$_{4}$
高温超导体La $_{1.855}$ Sr $_{0.145}$ CuO $_{4}$的非弹性中子散射实验揭示了磁激发能隙$Δ$在垂直于CuO $_2$平面的磁场作用下连续减小。能隙在诱导长程无公度反铁磁有序所需的临界场处消失，为场诱导软模驱动的量子相变提供了有力的证据。
2009-02-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effective 2D thickness for the Berezinskii-Kosterlitz-Thouless-like transition in a highly underdoped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$
本文用面内输运测量方法研究了La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$x=0.07$和0.08）高欠掺杂厚膜的超导转变性质。超导涨落对零磁场中电导率或准电导率的贡献是根据在垂直于CuO $_2$平面施加的场中测量的磁电阻来确定的。温度依赖性的过渡和非线性电流-电压（$I-V$）特性测量跨越它，表现出的Berezinskiii-Kosterlitz-无源（BKT）转变的主要签名。从$I-V$数据中提取的超流刚度与BKT理论的重整化群结果的定量比较揭示了涡核能量的大值。通过对不同方法得到的次导电性的分析，证实了这一发现。研究结果表明，控制BKT行为的特征能量尺度对应于几层的超流刚度。
2016-01-22 cond-mat.supr-con
Absence of magnetic field effect on static magnetic order in electron-doped superconductor Nd_{1.86}Ce_{0.14}CuO_4
利用中子散射实验研究了磁场对电子掺杂铜氧化物超导体Nd_{1.86} Ce_{0.14} CuO 4的影响，结果表明磁有序与超导电性共存。当磁场垂直于CuO_{2}平面施加到高于上临界场10 T时，（1/2 3/2 0）的磁布拉格强度不依赖于磁场，它主要来源于低温下Cu和Nd磁矩的量级.这一结果与文献报道的在磁场作用下准静态磁序明显增强的空穴掺杂铜氧化物超导体的结果有很大不同。
2002-10-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two-stage magnetic-field-tuned superconductor-insulator transition in underdoped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
在铜氧化物超导体的欠掺杂赝能隙区中，通常通过施加磁场（$H$）来探测正常态。然而，$H$诱导的电阻态的性质一直是长期争论的主题，零温（$T=0$）$H$调谐的超导体-绝缘体转变（SIT）的明确证据已被证明是难以捉摸的。在这里，我们报告的磁阻测量欠掺杂的La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$，提供了惊人的证据的量子临界行为的电阻率-签名的$H$驱动的SIT。这种转变不是直接的：它伴随着一个中间态的出现，这个中间态只有在$T=0$处才是超导体。我们发现的两阶段$H$驱动的SIT超越了传统的情况下，一个单一的量子临界点分离的超导体和绝缘体的存在下，一个垂直的$H$。类似的两阶段$H$驱动的SIT，其中无序和量子相位波动都起着重要的作用，也可以预期在其他氧化铜高温超导体。
2014-12-02 cond-mat.supr-con
Structural properties and magnetoresistance of La$_{1.952}$Sr$_{0.048}$CuO$_4$ thin films
研究了欠掺杂LaPDMATHABMM Sr $_{0.048}$ CuO $_4$薄膜在压缩外延应变下的结构和输运性质的演化。使用绝缘靶沉积不同厚度$d$（从26 nm到120 nm）的膜。在高达26 K的温度下观察到的薄膜中的超导性的开始，而小的残余电阻在低温下持续，表明超导性是不均匀的。在垂直磁场下测得的电阻在低于0.65 K时达到饱和，表明可能存在非常规金属态。在约32 T的磁场下观察到磁场调谐的超导体-绝缘体转变。
2019-12-17 cond-mat.other cond-mat.supr-con
Superconductivity in single crystals of a quasi-one dimensional infinite chain cuprate Sr$_x$Ca$_{1-x}$CuO$_2$ at 90 K
本文报道在具有Cu-O-Cu-O无限双链而非CuO₂平面的准一维铜氧化物SrₓCa₁₋ₓCuO₂单晶中观测到约90 K的体超导电性，为高温超导研究提供了更易理论处理的一维链体系。
2023-04-18 cond-mat.supr-con
Superconductivity in La(1.56)Sr(0.44)CuO(4)/La(2)CuO(4) superlattices
La（1.56）Sr（0.44）CuO（4）/La（2）CuO（4）（LSCO-LCO）的超晶格中没有任何组分是超导的，其超导转变T_c为\simeq 25 K。为了阐明超导态的性质，我们进行了低能量muSR研究。通过施加一个平行（迈斯纳态）和垂直（涡旋态）的磁场，我们可以证明超导是片状的，导致一个非常各向异性的超导态。这一结果与一个简单的电荷转移模型是一致的，该模型考虑了LCO和LSCO之间的层状结构和化学势差，以及Sr相互扩散。使用煎饼涡旋模型，我们可以估计在这些超晶格中的伦敦渗透深度的严格上限为380 nm。在场冷却实验中的μ介子去极化率的温度依赖性是非常相似的插入BSCCO中所观察到的，并表明，涡涡相互作用是由电磁耦合，但可以忽略约瑟夫森相互作用为主。
2011-10-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two-Dimensional Nature of Four-Layer Superconductors by Inequivalent Hole Distribution
本文给出了四层超导体CuBa_{2} Ca_{3} Cu_4 O_{12-δ}的磁化强度，T_c为\simeq 117 K。T_c（H）附近的高场磁化强度遵循Tešanović和Andreev给出的精确的二维标度函数。这一特征与CuO_2晶面数增加时层间耦合增强的推论相反。利用修正的Lawrence-Doniach模型分析了低场区的涨落感应磁化率。每个晶胞中独立波动的有效CuO_2层数g_{\rm eff}为\simeq 2而不是4，这表明四层CuO_2层中有两层处于远离其最佳掺杂水平的状态。这一结果可以解释为什么CuBa_{2} Ca_{3} Cu_4 O_{12-δ}表现出二维行为。
2000-10-19 cond-mat.supr-con
Field-induced electronic phase separation in the high-temperature superconductor La$_{1.94}$Sr$_{0.06}$CuO$_{4+y}$
本研究结合中子衍射与高场μSR技术，发现高温超导体La$_{1.94}$Sr$_{0.06}$CuO$_{4+y}$在垂直磁场下中子衍射峰强度与磁体积分数均随磁场线性增加，证实磁场促使条纹有序区域扩大而非增加有序磁矩，并提出了调和以往冲突观点的微观图像。
2024-04-25 cond-mat.supr-con
Orientation of the intra-unit-cell magnetic moment in the high-Tc superconductor HgBa2CuO$_{4+δ}$
极化中子衍射实验（PND）表明，铜氧化物的赝能隙态具有不寻常的单胞内磁性。在定性水平上，数据表明的力矩方向，既不垂直也不平行的氧化铜层，但一个结构简单的化合物的准确测量一直缺乏。在这里，我们报告PND的结果与前所未有的准确性的IUC磁序在简单的四重单氧化铜$_2$ -层化合物HgBa 2CuO $_{4+δ}$。在转变温度下，我们发现了磁临界散射的证据。在有序态的深处，我们确定磁矩方向为70° $\pm$，与CuO $_2$层的法线相差10°，这排除了纯平面回路电流和高对称性狄拉克多极，这是IUC磁性微观起源的两个最突出的理论建议。然而，数据是一致的狄拉克多极的对称性较低，或者，与一个特定的配置的环路电流的CuO $_6$八面体的表面上流动。
2018-05-05 cond-mat.supr-con
Magnetic response of Pr$_{1-x}$LaCe$_x$CuO$_4$ in comparison with hole-doped cuprates
利用t-J模型、Mori投影算符技术和光电发射实验中载流子的色散，研究了Pr $_{1-x}$ LaCe $_x$ CuO $_4$ with $x=0.11-0.12$和中等掺杂$p$型铜氧化物的磁响应差异的原因.这些差异与前一种晶体靠近反铁磁相边界以及$p$型化合物远离反铁磁相边界有关，这导致了这些晶体中载流子色散的低频等能轮廓线的不同嵌套矢量。Pr $_{1-x}$ LaCe $_x$ CuO $_4$中反铁磁动量作为嵌套矢量的强嵌套导致了低频响应的公度性和两个自旋激发分支的共存，而$p$型晶体中的非公度嵌套矢量导致了低频响应的非公度性和磁化率最大值的沙漏色散。
2013-10-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic field induced enhancement of spin-order peak intensity in La(1.875)Ba(0.125)CuO(4)
本文报道了磁场对铜氧化物La $_{1.875}$ Ba $_{0.125}$ CuO $_4$条纹有序度影响的中子散射结果。结果发现，沿{ \it c}轴施加7 T的磁场会导致自旋序峰强度的小而有限的增强，并且对峰宽没有明显的影响。非弹性中子散射测量表明，低能量的磁激发不受影响的领域，在实验误差。特别是，最近报道的小能隙仍然存在于低温下的应用领域。此外，我们还发现沿反铁磁条纹方向的自旋关联长度大于垂直于反铁磁条纹方向的自旋关联长度。
2008-12-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strong correlation between field-induced magnetism and superconductivity in Pr$_{0.89}$LaCe$_{0.11}$CuO$_{4}$
用μ子自旋旋转（\msr）方法研究了电子掺杂铜氧化物超导体Pr $_{0.89}$ LaCe $_{0.11}$ CuO $_{4}$（$T_c\simeq26$ K）在200 Oe ~ 50 kOe范围内的局域磁响应.在顺磁状态下，μ子沿晶体c轴的奈特位移（$K_μ^z$）与面内磁化率$χ_{ab}$成正比。更令人惊讶的是，$K_μ^z$被超导性（低于$\sim$ 40 kOe）的出现强烈增强，随着场的增加，其符号在$\sim1$ kOe附近从正变为负。这一发现可以通过考虑由于与反铁磁Cu子晶格的超交换相互作用而导致的Pr离子的弱极化来理解，该超交换与超导性共存。
2004-07-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic and Magnetic Properties of Electron-doped Superconductor, Sm_{1.85}Ce_{0.15}CuO_{4-delta}
测量了Sm_{1.85} Ce_{0.15} CuO_{4-delta}（Tc = 16.5 K）单晶的磁化强度（M（T））和比热（C_p（T））。磁各向异性的静态磁化率，chi {equiv} M/H，是明显的，不仅在其大小，而且在其温度依赖性，与chi_{perp}为H{perp}c大于chi_{parallel}为H{parallel}c。对于两种场取向，由于J = 5/2基态多重态以上的J = 7/2多重态的小能隙，chi不遵循居里-外斯行为。然而，随着温度的升高，chi_{parallel}（T）在100 K附近表现出一个宽的最小值，然后缓慢增加，而chi_{perp}（T）则表现出单调下降。C_p（T）在4.7K处有一个尖峰，表明是反铁磁有序的.电子对C_p（T）的贡献估计为γ = 103.2（7）mJ/molSmK ^[2]。与磁序相关的熵比Rln 2小得多，其中R是气体常数，这通常是Sm^{+3}的双重基态所期望的。在M（T）和C_p（T）中明显的不寻常的磁性和电子性质可能是由于传导电子和Sm^{+3}位的局域电子之间的强各向异性相互作用。
2000-08-13 cond-mat.supr-con
Evidence for magnetic-field-induced decoupling of superconducting bilayers in La$_{2-x}$Ca$_{1+x}$Cu$_{2}$O$_{6}$
本文研究了$_{2-x}$ $_{1+x}$ O $_{2}$超导晶体的磁化率和电阻率随温度和磁场的变化，其中$x=0.10$和0.15以及转变温度$T_{c}^{\rm m} = 54$ K（由磁化率确定）。当外部磁场垂直于CuO $_2$双层施加时，用垂直于双层流动的电流测得的电阻超导转变基本上低于用平行于双层流动的电流测得的电阻超导转变。有趣的是，这种各向异性的行为是非常相似的观察磁场不可逆点与垂直或平行的双层。我们讨论的背景下，其他研究发现的超导层的去耦的垂直磁场的证据。
2018-04-17 cond-mat.supr-con
Meissner - London state in superconductors of rectangular cross-section in perpendicular magnetic field
本文分析了矩形截面片状样品在垂直磁场中，在有限伦敦穿透深度下迈斯纳态的磁感应强度分布。伦敦方程的精确的2D数值解解析地扩展到现实的3D情况。在铌圆柱体和箔以及YBCO和BSCCO单晶上得到的数据与模型符合得很好。结果是特别相关的磁化率，射频和微波谐振器测量的磁穿透深度在高Tc超导体。
2000-03-01 cond-mat.supr-con
Dimensionality of superconductivity in the infinite-layer high-temperature cuprate Sr0.9M0.1CuO2 (M = La, Gd)
通过在60 T脉冲磁场下的穿透深度和磁化强度测量，探讨了电子掺杂无限层高温超导化合物Sr_{0.9} La_{0.1} CuO_2的强磁场相图。对于H平行于（H_{c2} ^{ab}）和垂直于（H_{c2} ^c）CuO_2平面的上临界场，检测到各向异性比为8，其中H_{c2} ^{ab}外推至接近泡利顺磁极限160 T。超导相干长度沿c轴方向比晶格常数长，表明对波函数的轨道自由度是三维的。相反，Sr_{0.9} Gd_{0.1} CuO_2的低场磁化强度和比热测量表明，在CuO_2平面附近，体s波超导与大磁矩Gd顺磁性共存，表明库珀对的自旋自由度被强烈地限制在CuO_2平面上。在H_{c2} ^{ab}和磁化强度不可逆线H_{irr} ^{ab}之间的区域对于电子掺杂的高T_c铜酸盐来说非常大，这表明存在额外的量子涨落，可能是由于竞争的自旋密度波序。
2004-05-04 cond-mat.supr-con
Magnetic-field-induced enhancement of the vortex pinning in the overdoped regime of La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$ : Relation to the microscopic phase separation
为了研究过掺杂高$T_{\rm c}$铜氧化物超导态的不均匀性，我们测量了La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（LSCO）单晶在过掺杂区的磁化率$χ$.对于$x$ = 0.198和0.219，发现$χ$在1T中的温度依赖性表现出平台，即在SC状态中，$χ$在中等温度范围内几乎与温度无关。此外，在这些晶体中明显地出现了磁化曲线中的所谓第二峰。这些结果表明，异常增强的涡旋钉扎，并强烈建议发生$microscopic$相分离到SC和正常状态的区域中过掺杂的高$T_{\rm c}$铜酸盐。
2007-11-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Growth, characterization and physical properties of high-quality large single crystals of Bi$_2$Sr$_{2-x}$La$_{x}$CuO$_6$ high-temperature superconductors
采用移动溶剂浮区法生长了高质量的大尺寸BiPDMATHABMM Sr $_{2-x}$ La $_{x}$ CuO $_6$（La-Bi 2201）单晶。样品的组成和结构的分析，其特征在于和它们的物理性质进行了研究，通过磁化率和电阻率测量。获得了具有尖锐超导转变的超导样品，其掺杂范围从过掺杂（x<0.40）、最佳掺杂（x~0.40）、欠掺杂（0.40<x<0.84）到严重欠掺杂（x>0.84）。对于x=0.73，获得大至~40 * 2.0 * 1 mm 3的晶体。当x=0.40时，获得了宽度小于2K的尖锐超导转变和近乎完美的超导电性迈斯纳信号。La-Bi_（2201）单晶的获得将为研究高温超导的物理性质、电子结构和机理提供一个理想的体系
2009-03-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin reorientation and in-plane magnetoresistance of lightly doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} in magnetic fields up to 55 T
在高达55 T的磁场中，在Néel状态（x = 0.01）和自旋玻璃状态（x = 0.03）下，使用高质量非孪晶单晶，在轻掺杂的La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}中测量面内电阻率中的磁阻（MR）。在这两种情况下，观察到一个大的负MR出现时，建立磁秩序。当x = 0.01时，发现当从自旋易磁化轴（b轴）施加磁场时，在20 T附近，磁电阻表明一步转变为高场弱铁磁态，这意味着该材料的Néel态不存在自旋翻转转变;这与先前的报道相反，但是鉴于最近在该系统中发现的特殊的面内磁化率各向异性，这是自然的。在自旋玻璃态，我们观察到，大（高达\sim 20%）的负MR饱和在40 T左右，和这个MR被发现是基本上各向同性时，磁场在ab平面内旋转。我们的数据表明，大的负MR是固有的LSCO在磁有序状态，其中弱铁磁（WF）的时刻变得很好地定义;我们讨论了观察到的MR本质上是由于在Néel状态和自旋玻璃态的WF时刻朝向磁场方向的重新取向。
2004-08-27 cond-mat.supr-con
The Effect of Chemical Doping and Hydrostatic Pressure on Tc of Y1-yCayBa2Cu3Ox Single Crystals
我们在高He压下对Y1-yCayBa2Cu3Ox单晶进行了磁化率测量。对于每种Ca含量，制备了具有不同氧含量的各种样品，以探讨Ca对Tc（x）、dTc/dp（x）和Tc，max的影响。从抛物线Tc（nh）行为开始，我们从每个样品的Tc和Tc，max计算nh值。结果表明，在过掺杂区，dTc/dp可用压致电荷转移来描述，dnh/dp = 3.7E-3 [1/GPa]，dTc，max/dp值为0.8K/GPa，与Ca含量无关。在欠掺杂区域中，额外的压力效应导致dTc/dp在约0.11个孔/CuO 2平面处的峰值。然而，随着Ca含量的增加，该峰被强烈抑制。这是解释在CuO链系统中由于掺杂的无序度增加。在非常低的nh值dTc/dp的偏差可以分配到邻位II有序的CuO链系统。
1999-12-20 cond-mat.supr-con
Unusual magnetic susceptibility anisotropy in untwinned La_{2-x}Sr_xCuO_4 single crystals in the lightly-doped region
本文研究了在轻掺杂区（x=0-0.03）仔细去孪晶的La_{2-x} Sr_{x} CuO_4单晶的磁化率。这种各向异性被发现后，长期反铁磁（AF）秩序被破坏的空穴掺杂，这表明掺杂的孔打破AF秩序到域中的自旋对齐基本上保持完整。事实证明，在低温下发生的自旋冻结也是明显的各向异性，这意味着“自旋玻璃”特征也受到畴结构的控制。
2001-05-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The magnetic susceptibility of YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{6+x}$ crystals: unusual Curie behavior and small contributions from charge density waves
我们报告测量的YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{6+x}$的孪生单晶的磁化率从刚刚超过他们的超导转变温度到300 K与磁场高达5 T施加平行和垂直于CuO $_2$平面在7个值的$x$。适当的分析允许相对较小但仍然重要的居里项与对磁化率的其他贡献分开。我们的数据支持的图片，其中居里项产生的Cu-O链中的氧无序。这与已发表的关于多晶样品的工作一致，其中样品冷却速率是变化的，但在这里，我们表明居里曲线在200 K以上变平。我们确定的电荷密度波（CDW）在温度（$T$）的面内磁化率$dχ_{ab}(T)/dT$的衍生物的不稳定性的小的影响，并讨论其$x$的依赖性。对于$x=$ 0.67，我们使用涉及费米弧的最小模型与已发表的高能X射线衍射数据进行详细比较，从而获得CDW能隙和亥姆霍兹自由能在相干体积中的值。在80和100 K时，后者分别与$k_BT$相当或小于$k_BT$，突出了热波动的可能重要性。我们注意到，洛伦兹力对费米弧中载流子的影响可以提供一个简单的机制，用于增强高磁场中的CDW，正如最近的实验所建议的那样。
2016-08-04 cond-mat.supr-con
Demonstrating the model nature of the high-temperature superconductor HgBa$_2$CuO$_{4+Δ}$
化合物HgBa $_2$ CuO $_{4+Δ}$（Hg 1201）具有简单的四方晶系晶体结构，在所有单层Cu-O铜氧化物中具有最高的超导转变温度（T $_c$），在最佳掺杂时T $_c$ = 97 K（onset）。由于缺乏相当大的单晶，这个非常有吸引力的系统的实验工作受到了很大的限制。由于最近在晶体生长方面的突破，这样的晶体现在已经可用。在这里，我们证明，它是可能的，以确定合适的热处理条件，系统地和均匀地调整在很宽的范围内，从非常欠掺杂（T $_c$ = 47 K，空穴浓度p ~ 0.08）的Hg 1201晶体的空穴浓度过掺杂（T $_c$ = 64 K，p ~ 0.22）。然后，我们提出了定量的磁化率和直流电荷传输的结果，揭示了非常高品质的性质的研究晶体。使用XPS切割的样品，我们进一步证明，它是可能的，以获得良好的质量大表面。这些特性测量表明，Hg 1201应被视为一个模型高温超导体，他们提供了广泛的未来实验工作的基础。
2008-05-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Single-crystal growth and dependences on the hole concentration and magnetic field of the magnetic ground state in the edge-sharing CuO$_2$ chain system Ca$_{2+x}$Y$_{2-x}$Cu$_5$O$_{10}$
用$0 \le x \le 1.67$成功地生长了大尺寸的Ca $_{2+x}$ Y $_{2-x}$ Cu $_5$ O $_{10}$单晶，并测量了其磁化率、比热和磁化曲线，研究了共边CuO $_2$链的磁基态随空穴浓度和磁场的变化.在$0 \le x \le 1.3$中，已经发现具有沿b轴的磁易轴的反铁磁有序相被稳定，并且通过施加平行于b轴的磁场发生自旋翻转转变。反铁磁转变温度随着$x$的增加而降低，并在$x =$ 1.4附近消失。或者，在$x = 1.5$周围出现自旋玻璃相。在空穴浓度为$\sim$ 1/3/Cu的$x = 1.67$下，由于自旋单重态对的形成，似乎形成了自旋能隙态。在Ca $_{2+x}$ Y $_{2-x}$ Cu $_5$ O $_{10}$中没有发现反铁磁有序态和自旋能隙态共存的迹象。
2004-08-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strongly-overdoped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$: Evidence for Josephson-coupled grains of strongly-correlated superconductor
对于铜酸盐在大空穴掺杂下超导性如何消失的解释一直存在争议。为了解决这个问题，我们提出了一个实验研究的单晶和薄膜样品的La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（LSCO）与$x\ge0.25$。特别是，测量与$x=0.25$ LSCO晶体的体磁化率表明在$T_{c1}=38.5$ K的抗磁性的开始，与一个尖锐的过渡到一个阶段，在$T_{c2}=18$ K，独立的字段方向与全体屏蔽。引人注目的是，面内电阻率仅在$T_{c2}$处变为零。$x=0.25$晶体上的非弹性中子散射证实了与较低掺杂水平相比强度降低的低能量无公度磁激发的存在。自旋能隙与$T_{c2}$的比值非常大。我们的研究结果是一致的强烈过掺杂的铜酸盐的斯皮瓦克，Oreto和Kivelson，其中超导性最初开发的断开的自组织颗粒内的特点是减少空穴浓度，与体超导性发生后，超导性是由邻近效应引起的周围介质中的空穴浓度较高。除了超导到金属的过渡，局部微分电导测量的LSCO薄膜上的配对相关的区域生存，但太稀，以支持超导秩序。未来的实验将需要测试的程度，这些结果适用于过掺杂铜酸盐一般。
2022-12-21 cond-mat.supr-con
The Local Structure of La1.65Eu0.2Sr 0.15CuO4 determined by 63Cu NMR Spectroscopy and Van Vleck Paramagnetism of Eu3+ Ions
利用$^{63}$ Cu NMR谱和$\rm Eu^{3+}$离子的Van Vleck磁化率研究了La $_{\rm 1.65}$ Eu $_{\rm 0.2}$ Sr $_{\rm 0.15}$ CuO $_{4}$中CuO $_6$八面体倾斜的局域对称性. Cu NMR中心线线形通过$^{63}\rm Cu$核四极矩与局域电场梯度的耦合对局域结构敏感，$\rm Eu^{3+}$ Van Vleck磁化率作为单离子效应对Eu位晶场的对称性进行局域探测。这两种技术独立地提供了明确的证据，在一阶结构转变的局部倾斜对称性的变化，从斜方晶系的低温四相，在良好的协议，通过衍射技术获得的平均结构。我们的结论是，平均晶体结构的对称性准确地代表了对称的八面体倾斜图案在局部尺度上。
2002-11-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Current profiles and AC losses of a superconducting strip with elliptic cross-section in perpendicular magnetic field
本文研究了横截面为椭圆形的第二类硬超导体置于横向磁场中的情形。我们分两步来解决这个问题，都是基于临界状态模型。首先，我们计算数值的穿透电流剖面，确保在内部完全屏蔽，而不假设先验形式的配置文件。在第二步中，我们引入了一个解析近似，假设电流分布是椭圆。连接样品的磁化强度所施加的磁场的表达式推导出覆盖整个范围内的应用领域。理论预测进行了测试的交流磁化率的虚部与实验数据的比较。
2002-06-13 cond-mat.supr-con
Incommensurate Spin Ordering and Fluctuations in underdoped La_{2-x}Ba_{x}CuO_{4}
用中子散射技术研究了欠掺杂\LBCO单晶（x $\sim$ = 0.095和0.08）和高温超导体（T $_C \sim$ = 27 K和29 K）的无公度自旋有序和低能自旋动力学。静态二维无公度磁序出现在T $_N$ =39.5 $\pm$ 0.3 K以下的\LBCO（x=0.095）和一个类似的温度为x=0.08的低温四元相。自旋顺序不受超导性的开始或沿x=0.095样品中的c轴施加高达7特斯拉的磁场的影响。这种磁场{ \it独立}行为与在相关的\LSCO系统中观察到的场诱导的交错磁化强度的增强形成鲜明对比，表明这种现象不是铜氧化物超导体的普遍性质。令人惊讶的是，我们发现，不可逆性$δ$仅弱依赖于掺杂相对于\LSCO。在\LBCO（x=0.095）中，在相同的无公度波矢处的色散激发至少持续到60 K。的动态自旋磁化率的低能量自旋激发饱和\tc以下，以类似的方式看到的超导状态的La $_2$ CuO $_{4+y}$。
2008-03-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Muon Spin Relaxation Studies of Magnetic-Field-Induced Effects in High-$T_{c}$ Superconductors
在高横向磁场（$\parallel \hat c$）中的μ子自旋弛豫（$μ$ SR）测量显示，在欠掺杂和Eu掺杂的（La，Sr）$_{2}$ CuO $_{4}$和La $_{1.875}$ Ba $_{0.125}$ CuO $_{4}$中存在强的场致准静态磁性，其存在远高于$T_{c}$和$T_{N}$。由μ子自旋弛豫率导出的Cu自旋极化的磁化率对应物，表现出对$T \sim 25$ K的发散行为。在过掺杂的La $_{1.81}$ Sr $_{0.19}$ CuO $_{4}$、最佳掺杂的Bi 2212和Zn掺杂的YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{7}$中没有检测到场致磁性。
2005-10-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalies of conductivity behavior near the paramagnetic-antiferromagnetic transition in single-crystals La_{2}CuO_{4+δ}
研究了两种单晶La_{2} CuO_{4+δ}样品的电阻R（T）随温度的变化关系，目的是检测顺磁-反铁磁（PM-AFM）转变引起的R（T）行为的可能变化。其中一个δ \lesssim 0.01的样品的氧分布相当均匀（没有相分离），Neel温度T_{N} \approx 266 K。用Mott变程跳跃法测定了样品的电导率。另一个电阻小得多的样品（δ \approx 0.05）是不均匀的（相分离的），显示出PM-AFM（T_N \approx 205 K）和超导（T_c \approx 25 K）转变。结果表明，对于均匀样品，在T_N以上电阻率随温度的下降比T_N以下（平行和垂直于CuO_2基面的两个测量电流方向）快得多。对于相分离且电阻较小的样品，在PM-AFM转变附近也发现了类似的电导率行为。在这种情况下，在T_N \approx 205 K附近的R（T）曲线中可以看到明显的扭结。此外，在T_N以上足够远的地方发生向金属（dR/dT> 0）行为的转变。所研究的样品的观察到的行为与T_N以上的载流子的离域增加有关。这与低掺杂铜酸镧在T_N以上的AFM相关长度的减小和空穴迁移率的相应增强是一致的。
2010-01-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Irreversibility line and low-field grain-boundary pinning in electron-doped superconducting thin films
测量了电子掺杂Pr_{1.85} Ce_{0.15} CuO_4（PCCO）和Sm_{1.85} Ce_{0.15} CuO_4（SCCO）颗粒状薄膜的交流磁化率随温度和磁场强度的变化。根据我们的薄膜的均匀性水平，两种不同类型的不可逆性线（IL）定义为晶间损耗峰温度在磁化率的虚部已被发现。所获得的结果通过考虑低场晶界钉扎的临界态模型来描述。提取的钉扎力密度在更多的颗粒SCCO膜原来是四倍大于他们的同行在颗粒少PCCO膜。
2007-01-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Structural changes induced by electric currents in a single crystal of Pr$_2$CuO$_4$
本文提出利用电流flash和液氮淬火方法改性Pr$_2$CuO$_4$单晶，发现改性显著增强了Pr-O层的氧空位有序，为层状钙钛矿氧化物的结构和性质电场控制开辟了新途径。
2023-09-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
