环境无序下拓扑绝缘体Bi2Se3的表面态与体态

Cr $_{1/3}$ NbS $_2$的结构无序与手性磁性

Structural disorder versus chiral magnetism in Cr$_{1/3}$NbS$_2$

利用同步辐射的衍射和非弹性散射对无序形式的Cr $_{1/3}$ NbS $_2$的晶体结构进行了表征。与先前报道的对称性（P6 $_3$ 22）相反，该晶体可以通过具有三个Cr离子无序位置的平均P6 $_3$结构的规则孪生来描述。职业性疾病的短程相关性导致相当强烈和结构化的漫散射;非弹性X射线散射明确地归因于疾病的静态性质。漫散射已被建模使用反向蒙特卡罗算法假设的Cr子晶格的无序。观察到的Cr子晶格的相关无序将磁有序温度从130 K降低到88 K，并极大地改变了磁化强度的场依赖性，正如SQUID磁力计所证明的那样。我们的结论是，在相反的螺旋自旋结构假设为P6 $_3$ 22形式，所研究的化合物是铁磁有序的具有明显的面内各向异性。

Strain glass versus antisite disorder induced ferromagnetic state in Fe doped Ni-Mn-In Heusler martensites

Fe doping in Ni$_2$Mn$_{1.5}$In$_{0.5}$ results in suppression of the martensitic phase via two contrasting routes. In Ni$_2$Mn$_{1.5-x}$Fe$_{x}$In$_{0.5}$, the martensitic phase is converted to a strain glassy phase, while in Ni$_{2-y}$Fe$_y$Mn$_{1.5}$In$_{0.5}$, a cubic ferromagnetic phase results at the expense of the martensite. Careful studies of magnetic and structural properties reveal the presence of the impurity $γ-$(Fe,Ni) phase as the reason for the emergence of non-ergodic strain glassy phase when Fe is sought to be doped at Y/Z (Mn) sites of X$_2$YZ Heusler alloy. Whereas attempts…

NaV2O5电荷有序态的正交对称性与单斜对称性

Orthorhombic versus monoclinic symmetry of the charge-ordered state of NaV2O5

高分辨X射线衍射数据表明，α-NaV_2 O_5的低温超结构具有F心正交2a x 2b x 4c超晶格。提出了一种结构模型，其特征在于所有阶梯上的锯齿状电荷顺序和堆叠无序的层，使得平均结构具有空间群Fmm 2。该模型与X射线散射和NMR数据相一致。堆叠顺序和无序的变化为最近观察到的超晶格周期沿c的魔鬼楼梯提供了解释。

Quantum versus thermal fluctuations in the fcc antiferromagnet: alternative routes to order by disorder

In frustrated magnetic systems with competing interactions fluctuations can lift the residual accidental degeneracy. We argue that the state selection may have different outcomes for quantum and thermal order by disorder. As an example, we consider the semiclassical Heisenberg fcc antiferromagnet with only the nearest-neighbor interactions. Zero-point oscillations select the type 3 collinear antiferromagnetic state at T=0. Thermal fluctuations favor instead the type 1 antiferromagnetic structure. The opposite tendencies result in a finite-temperature transition between the two collinear states…

2D半导体结构中的迁移率与质量

Mobility versus quality in 2D semiconductor structures

我们从理论上考虑了随机带电杂质无序对高迁移率二维（2D）半导体结构的{ \it质量}的影响，明确证明了样品迁移率不一定是高迁移率调制掺杂的2D GaAs结构中样品质量的可靠或通用指标，因为取决于感兴趣的特定系统性质，迁移率和质量可以由潜在的无序分布的不同方面来控制，特别是因为这些系统由来自近和远的随机猝灭带电杂质的长程库仑无序支配。我们表明，在存在沟道和远程带电杂质散射，这是一个通用的情况下，在调制掺杂的高迁移率的2D载体系统，它是很可能的较高（较低）的迁移率结构，以具有较低（较高）的质量，如测量的无序诱导的单粒子能级加宽。特别是，我们建立，有没有理由期望在2D半导体结构中的迁移率和质量之间的唯一关系，因为两者都是无序分布的独立泛函，因此，在原则上，彼此独立。使用一个简单的，但合理的现实，“2-杂质”的无序分布的极小模型，我们提供了具体的例子的情况下，较高（较低）的迁移率对应于较低（较高）的样品质量。我们讨论了我们的理论结果的实验影响，并评论可能的策略，为未来的2D样品质量的提高。

PF6掺杂聚吡咯的金属-绝缘体转变：链间电荷转移与电子相关

Metal-insulator transition in PF6 doped polypyrrole: interchain charge transfer versus electronic correlation

我们在金属-绝缘体转变（MIT）附近对聚吡咯进行了介电谱分析。我们计算了等离子体频率和散射时间t与到MIT的距离的关系，用费米能级相对于扩展态带边的关系E_F-E_c来表征。特别是t随E_F-E_c的增大而急剧减小的现象与通常应用的MIT模型相矛盾。虽然形貌和无序是重要的，但MIT是Mott-Hubbard型的，由链间电荷转移和电子相关的竞争主导。