Quasi-particle propagation across semiconductor-Mott insulator interfaces
研究半导体-Mott绝缘体界面准粒子传播，发现跨界面逆衰减长度对带隙依赖不同，导致Mott绝缘层隧穿行为显著区别于半导体层。
2024-12-23 cond-mat.str-el
Effect of coulomb long range interactions on the Mott transition
我们重新考虑了存在长程库仑相互作用时的莫特跃迁问题。使用一个扩展的DMFT，总结了一个重要的类的图在普通的DMFT缺席，我们表明，在库仑的存在下，在二维和三维的莫特过渡是不连续的莫特设想。
1999-03-11 cond-mat.str-el
Signatures of coherent electronic quasiparticles in the paramagnetic Mott insulator
我们证明了无限维半填充顺磁哈伯德模型的Mott绝缘态在哈伯德带的内缘含有准粒子重量很小的电子准粒子。我们使用随机和非微扰量子杂质求解器，其基础是计算杂质自能作为通过精确对角化求解的杂质模型的代表性分布的样本平均值。由于该方法的自然并行化，对于自能量容易产生数百万个极点，这允许与非常小的极点展宽$η$一起工作。小$η$和大$η$处的解性质不同，只有在$η\leq 0.001$处（以半裸带宽为单位）才能找到准粒子，在虚频轴上计算发现，小$η$解与连续时间量子蒙特卡罗方法的结果在统计误差范围内一致。
2014-12-18 cond-mat.str-el
Quantitative Determination of the Critical Points of Mott Metal-Insulator Transition in Strongly Correlated Systems
本文利用动力学平均场理论研究Hubbard模型中的Mott相变，引入局部量子态保真度定量测定相变临界点，并一致描述了两种不同形式的Mott相变点。
2023-11-28 cond-mat.str-el
Fate of Quasiparticle at Mott Transition and Interplay with Lifshitz Transition Studied by Correlator Projection Method
利用关联函数投影方法研究了二维哈伯德模型中填充控制的金属-绝缘体相变，该方法考虑了自由能对动量的依赖性，超越了动力学平均场论.分析了金属和莫特绝缘体的相图。在大库仑排斥下，Lifshitz转变与金属-绝缘体转变同时发生。另一方面，它们在较低的库仑排斥下彼此分离，其中夹在Lifshitz和金属-绝缘体转变之间的相似乎违反了Luttinger求和规则。通过金属-绝缘体跃迁，准粒子在跃迁两侧保持非零重整化因子和有限准粒子重量。这支持了金属-绝缘体转变不是由重整化因子的消失引起的，而是由费米能级相对移动到远离准粒子带的莫特能隙引起的，与原始的动力学平均场论形成鲜明对比。在有限温度下，电荷压缩性在一阶Lifshitz转变的临界端点处发散。发散的起源归因于奇异动量依赖的准粒子色散。
2006-04-17 cond-mat.str-el
Thermoelectric Response Near the Density Driven Mott Transition
利用动力学平均场论研究了关联电子系统在密度驱动Mott跃迁附近的热电响应。
1999-11-10 cond-mat.str-el
Pressure dependent relaxation in the photo-excited Mott insulator ETF2TCNQ: Influence of hopping and correlations on quasiparticle recombination rates
测量了一维莫特绝缘体ET-F2 TCNQ中光激发准粒子的飞秒弛豫随外压的变化，并利用外压对电子结构进行了调谐.通过拟合的静态光学性质和测量飞秒衰减时间在每个压力值，我们关联的弛豫速率与电子带宽t和上的位间相关能V的弛豫时间与微观参数的缩放是不同的金属和半导体。Mott-Hubbard激子的局域化和离域化之间的竞争决定了衰变的效率，如通过基于时间依赖的扩展Hubbard哈密顿量的解的拟合所暴露的。
2015-02-23 cond-mat.str-el
An Order Parameter for the Mott-Hubbard Transition in One Dimension
我们提出了一维Mott-Hubbard跃迁的序参量，并给出了数值证据和一般的理论论证.此外，我们还讨论了这张照片的一维莫特-哈伯德过渡的影响，并推测可能的高维类似物。
1997-11-18 cond-mat.str-el
Low-frequency charge-carrier dynamics in the vicinity of the Mott transition in quasi-two-dimensional organic superconductors $κ$-(BEDT-TTF)${}_{2}$X
本文利用涨落（噪声）谱研究了准二维有机电荷转移盐中Mott金属-绝缘体相变附近的相关载流子动力学。所观察到的$1/f$型波动的定量非常好地描述了基于非指数动力学的概念的唯象模型。主要的结果是一个相关性引起的增强的波动伴随着大量的频谱重量转移到低频率接近莫特临界端点。这种电子动力学的突然减慢可能是金属到绝缘体跃迁的普遍特征。对于相关性较低的金属材料，我们发现了一个交叉/过渡或多或少本地化的载流子在高温下跳跃运输到一个低温制度，其中的层的金属耦合允许相干层间传输离域电子。
2011-05-17 cond-mat.str-el
Dimensional decoupling at continuous quantum critical Mott transitions
对于二维层状系统中的连续Mott金属-绝缘体相变，我们证明了空间解耦现象：系统在费米液体侧表现为三维金属，而在莫特绝缘体侧表现为解耦的二维层的堆叠.我们证明了维数解耦发生在Mott量子临界点本身。我们推导出在这样一个连续的莫特转变附近的各种交叉制度的层间电导率的温度依赖性，并讨论了实验的影响。
2016-07-30 cond-mat.str-el
Cluster Dynamical Mean Field analysis of the Mott transition
我们研究莫特转变使用集团扩展的动力学平均场论（DMFT）。在没有挫折的情况下，我们没有发现有限温度莫特转变的证据。相反，在一个沮丧的模型中，我们观察到一个有限的温度莫特临界点与卡帕有机物的实验研究和单网站DMFT协议的签名。随着莫特转变的接近，一个明确的动量依赖的电子寿命的费米表面上的布里渊区的对角线方向上形成的冷区。此外，有效质量的变化不再等于准粒子残留的倒数，在DMFT，并减少接近莫特转变。
2003-08-27 cond-mat.str-el
Mott transitions in the multi-orbital systems
研究了不同带宽下双轨道哈伯德模型的Mott跃迁。将动力学平均场论与精确对角化相结合，讨论了巡游准粒子态在各带的稳定性。我们表明，单独的莫特转变发生在不同的库仑相互作用强度一般，合并到一个单一的过渡，只有在特殊条件下。特别是，它是澄清的$xy$和成对的Hund耦合跳变组件起着关键作用，以控制莫特过渡的性质。
2004-06-20 cond-mat.str-el
Magnetic properties and Mott transition in the square-lattice Hubbard model with frustration
在变分集团近似下，研究了零温半充满正方格子上哈伯德模型的磁性和Mott相变.当在位排斥力$U$较大时，在Néel相与共线相之间的高阻挫区实现了磁无序态，且没有发现无公度磁态.至于莫特跃迁，除了莫特能隙和双占据，阐明了过渡的性质，光谱表示中的自能的结构进行了详细的研究，以下和以上的莫特跃迁点。自能谱结构在金属相中几乎没有特征，但在莫特绝缘体相中出现明显的单色散，导致莫特能隙。
2013-04-17 cond-mat.str-el
The Mott metal-insulator transition in the 1D Hubbard model in an external magnetic field
研究了在外加磁场中一维哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变过程中的低能行为。特别是，我们计算任意哈伯德排斥和磁化数值和在某些限制情况下，分析的莫特过渡的临界点处的修饰电荷矩阵的元素。结合非微扰有效场论方法，揭示了时间反演对称性破缺对Mott跃迁的影响。
2008-01-08 cond-mat.str-el
Quasi-continuous transition from a Fermi liquid to a spin liquid
Mott金属-绝缘体转变是电子间库仑相互作用的一种剧烈表现，是各种实验和著名的动力学平均场论所证明的具有明显不连续性的一级转变。然而，最近的理论工作表明，如果莫特绝缘体携带一种具有自旋费米表面的奇异自旋液体，则这种转变是连续的。在这里，我们证明了一个准连续的情况下，从费米液体的自旋液体在有机三角晶格系统k-（ET）2Cu 2（CN）3的Mott转变。精细压力调谐下的输运实验发现，随着Mott转变的接近，费米-液体相干温度连续下降到开尔文尺度，在金属侧具有发散的准粒子衰变速率，并且在绝缘体侧电荷间隙逐渐闭合。压力-温度相图的Clausius-Clapeyron分析为Mott转变的极弱一级性质提供了热力学证据。这些结果表明，自旋液体主机自旋费米面，这变成一个电子费米面时，电荷莫特离域。
2017-07-18 cond-mat.str-el
Jastrow theory of the Mott transition in bosonic Hubbard models
我们证明了在玻色子哈伯德模型中发生的Mott跃迁可以成功地用一个简单的变分波函数来描述，它包含了所有重要的长波长相关。在这种方法中，一个平稳的金属-绝缘体过渡是可能的，通过一个长程Jastrow相关项，结合在真实的空间密度波动。我们发现Mott转变在二维和三维中具有相似的性质，但在一维中不同。我们认为，我们的描述莫特转变的绑定-解除绑定的过渡是普遍的有效性，也可以应用到现实的电子系统。
2006-11-12 cond-mat.str-el
Finite-temperature Mott transitions in multi-orbital Hubbard model
利用自能泛函方法研究了多轨道哈伯德模型在半满状态下的Mott跃迁.在有限的温度下得到的相图哈伯德模型多达四倍的简并带。讨论了一级Mott跃迁点$U_{c1}$和$U_{c2}$以及临界温度$T_c$与轨道简并度的关系。阐明了在多轨道哈伯德模型中，增强的轨道涨落对控制Mott跃迁起着关键作用。
2005-06-06 cond-mat.str-el
Slave rotor theory of the Mott transition in the Hubbard model: a new mean field theory and a new variational wave function
基于电子算符的从转子表象，提出了一种新的哈伯德模型中Mott跃迁的平均场论。这个理论提供了一个更好的描述的作用的远程电荷关联的莫特绝缘状态，并提供了一个很好的估计的临界关联强度的莫特转变。基于这种新的从转子平均场论，我们构造了一种新的Mott绝缘态的变分波函数。我们发现这种新的变分波函数在Mott绝缘态下的性能优于传统的具有长程电荷相关器的Jastrow型波函数。它预测了连续的莫特转变，在转变点具有非发散的准粒子质量。我们还表明，通常使用的现场平均场解耦的从转子对应的Gutzwiller近似的Gutzwiller投影波函数只有现场电荷相关器，它不能描述任何有限维系统中的Mott转变。
2016-01-11 cond-mat.str-el
Pressure-induced deconfinement of the charge transport in the quasi-one-dimensional Mott insulator (TMTTF)_2AsF_6
本文研究了（TMTTF）_2AsF_6在三个光轴上的室温红外反射率随压力的变化关系。这种各向异性有机化合物由沿a方向轨道重叠的分子堆叠组成;由于电子相关性，该系统是准一维莫特绝缘体，电荷间隙Δ_p = 70 meV。随着外部压力的增加，间隙逐渐减小，并伴随着沿堆叠方向的Drude贡献的开始。在垂直b'方向上，当压力大于2GPa时，观察到类Drude光学响应。这一行为可以用一维莫特绝缘体中电子的退禁闭来解释，即当链间转移积分t_b约等于电荷带隙能的一半时，发生绝缘体-金属跃迁。我们估计了t_b和Luttinger液体参数K_ρ随压力的变化。
2006-08-10 cond-mat.str-el
Quantitative determination of the orbital-selective Mott transition and quantum entanglement in the orbital-selective Mott phase
本文利用动力学平均场理论，以局域双量子比特保真度定量刻画非杂化双带Hubbard模型中的轨道选择性莫特转变，并揭示Hund耦合诱导的量子纠缠及其机制差异。
2024-07-18 cond-mat.str-el
Mott transition in the Hubbard model on the anisotropic kagomé lattice
利用细胞动力学平均场论结合连续时间量子蒙特卡罗模拟研究了各向异性kagomé晶格哈伯德模型中的Mott跃迁.通过计算双占据率和态密度，我们确定了一级Mott跃迁的相互作用强度，并表明它随着各向异性的增加而变小。我们还计算了自旋关联函数和单粒子谱，发现在Mott跃迁附近，准粒子和磁性发生了剧烈的变化，自旋关联强烈增强，准粒子带发生了形变.我们的结论是，这种戏剧性的变化是由于增强的各向异性与周围的莫特过渡的挫折放松。
2010-06-26 cond-mat.str-el
Orbital-selective Mott transitions in the degenerate Hubbard model
研究了不同带宽的两带哈伯德模型中的Mott跃迁。应用动力学平均场论，讨论了巡游准粒子态在各带的稳定性。我们表明，单独的莫特转变发生在不同的库仑相互作用强度一般，合并到一个单一的过渡，只有在特殊条件下。这种行为可能是有关的物理的单层双烯酸盐，Ca $_{2-x}$ Sr $_x$ RuO $_4$。
2004-01-13 cond-mat.str-el
Breakdown of the Luttinger sum-rule at the Mott-Hubbard transition in the one-dimensional t1-t2 Hubbard model
利用密度矩阵重整化群方法研究了一维t1-t2哈伯德模型（锯齿形哈伯德链）中Mott-Hubbard跃迁附近的动量分布函数.我们发现，对于强相互作用的莫特-哈伯德转变之间发生的金属相和绝缘二聚相与无公度自旋激发，这表明不存在弱耦合的磁和电荷激发的去耦。我们说明了莫特-哈伯德过渡和绝缘自旋能隙态的无公度跃迁在各自的基态动量分布函数的签名。
2004-09-17 cond-mat.str-el
Kondo physics and the Mott transition
在2017年秋季相关电子课程的讲义中，我讨论了近藤物理和莫特跃迁之间的关系。
2017-11-08 cond-mat.str-el
Finite-Temperature Mott Transition in the Two-Dimensional Hubbard Model
在二维哈伯德模型中，利用非微扰相关投影理论研究了Mott跃迁，该理论系统地将空间相关性纳入到动力学平均场近似中.引入非零的第二近邻转移，一阶Mott转变出现在有限温度下，并在临界点或临界曲线处结束。
2003-08-04 cond-mat.str-el
Slope-Reversed Mott Transition in Multiorbital Systems
利用动力学平均场论和连续时间量子蒙特卡罗方法研究了不同带宽的双轨道哈伯德模型的有限温度相变.发现在Ising型Hund耦合作用下，在轨道选择Mott相和莫特绝缘体相之间出现了一种特殊的斜率反转的一阶Mott相变.通过对能量密度随温度变化关系的分析，阐明了斜率反转相变的起源。结果表明，Hund耦合的增加降低了斜率反转Mott转变的临界温度。超过某一临界值的洪德耦合的一级转变变成一个有限温度的交叉。自旋-自旋关联函数表明，轨道选择性Mott相在宽轨道上具有冻结的局域磁矩.
2015-09-04 cond-mat.str-el
Mott transitions in two-orbital Hubbard systems
研究了双轨道Hubbard系统的Mott跃迁。应用动力学平均场论和自能泛函方法，讨论了巡游准粒子态在各带的稳定性。结果表明，单独的莫特转变发生在不同的库仑相互作用强度一般。另一方面，如果满足一些特殊的相互作用条件，自旋和轨道涨落在低温下同样增强，导致单一的Mott转变。在零温度和有限温度下得到的相图。我们还讨论了两个轨道之间的杂交的效果，诱导近藤样重费米子态的中间轨道选择莫特阶段。
2005-10-17 cond-mat.str-el
Quasimolecular $J_{\rm tet}$=3/2 moments in the cluster Mott insulator GaTa$_4$Se$_8$
本研究利用RIXS证实团簇莫特绝缘体GaTa$_4$Se$_8$中电子在Ta4四面体离域形成准分子J_tet=3/2矩，揭示了团簇内跳跃调控的混合波函数对宏观性质的关键作用，为空缺尖晶石及团簇莫特绝缘体研究提供新方向。
2023-09-21 cond-mat.str-el
Mott-Superfluid transition in bosonic ladders
我们证明了在公度玻色梯中，当链间跳跃增加时，在莫特绝缘体和超流体之间发生量子相变。我们分析了这种转变的性质以及这两个阶段的物理性质。我们讨论了实验系统，如约瑟夫森结阵列的物理后果。
2001-01-15 cond-mat.str-el
Absence of the Mott transition in infinite dimensions
结果表明，在无限维的极限下，半填充哈伯德模型不显示Mott金属-绝缘体相变。Bethe格上的过渡被证明是一个伪像。在原子极限下，模型始终处于反铁磁相，可用Weiss平均场模型描述。
1999-03-17 cond-mat.str-el
Magnetic phase diagram and Mott transition of the half-filled 1/5-depleted Hubbard model with frustration
在变分集团近似下，研究了零温下1/5耗尽方格子上半填充哈伯德模型的磁性和Mott相变. $(π,π)$ Néel有序（AF）在相图的宽区域内是稳定的，并且几乎完全掩盖了无阻挫情况下的非磁性Mott转变。然而，AF是严重抑制的挫折，甚至与中度挫折的非磁性莫特过渡发生在范围内的二聚体内的跳跃大于内的格元跳跃。
2014-08-21 cond-mat.str-el
The Orbital Selective Mott Transition in a Three Band Hubbard model: a Slave Boson Mean Field Study
本文系统地研究了具有三种轨道简并度的$t_{2g}$体系中可能的轨道选择性Mott跃迁。将从属玻色子平均场论推广到包含自旋翻转和对跳跃项的完全Hund规则耦合的三带系统。该模型是一种由晶场分裂或晶格畸变驱动的新型Mott跃迁。我们认为这种新型的Mott转变可能与$Sr_{x}Ca_{2-x}RuO_4$中的迷惑相有关。
2006-11-03 cond-mat.str-el
Mott and Wigner-Mott transitions in doped correlated electron systems: effects of superlattice potential and inter-site correlation
我们引入超结构Mottness的概念来描述掺杂强关联电子系统中的Mott和Wigner-Mott跃迁。我们表明，超结构Mottness出现在一个非均匀的电子系统时，超结构包含一个奇数的电子每个超细胞。我们认为，即使在没有平移对称性破缺的超晶格的超结构Mottness存在，只要扩展或intersite库仑相互作用是强的。在后一种情况下，超结构Mottness为Mott和Wigner物理学提供了一个统一的框架，并对Wigner-Mott跃迁提供了一个非微扰的强耦合描述。我们通过研究一个最小的单带离子Hubbard $t$-$U$-$V$ - $Δ$模型来支持我们的建议，该模型具有最近邻库仑排斥$V$和两个亚晶格离子势$Δ$。该模型被映射到一个哈伯德模型与两个有效的“轨道”代表的两个网站内的超晶胞，轨道内和轨道间的库仑排斥$U$和$U^\prime \sim V$，和一个晶体场分裂$Δ$。原始晶格上的电荷序对应于轨道序。在Gutzwiller近似下，我们研究了四分之一填充时$V$和$Δ$对Mott和Wigner-Mott跃迁的影响及其相互作用.给出了超晶格势增强关联效应的机制和局域矩形成的趋势，在超结构Mottness的统一框架下构造并阐明了相图。
2009-10-01 cond-mat.str-el
Renormalized vs unrenormalized perturbation-theoretical approaches to the Mott transition
我采用了一个完全可溶的玩具模型来研究为什么非重整化微扰理论比完全自洽的方法更好地描述相关驱动的金属-绝缘体过渡。
1998-10-17 cond-mat.str-el
Quasi-two-dimensional non-collinear magnetism in the Mott insulator Sr$_2$F$_2$Fe$_2$OS$_2$
通过中子粉末衍射、热力学和输运测量研究了Sr $_2$ F $_2$ Fe $_2$ OS $_2$的磁性。准二维磁序在低于$T_N$ = 106（2）K时发展，面内相关长度超过310 Å，面外相关长度仅为17（3）Å。数据与两k结构一致，其中$k_1$ =（1/2，0，1/2）和$k_2$ =（0，1/2，1/2），有序矩为3.3（1）$μ_B$沿k的面内分量取向。这种结构是由正交的AFM链相交的超交换介导的O网站。密度泛函理论（DFT）也指出了这种结构和一个更窄的Fe 3d带比铁磷属元素化物，从电子相关产生一个莫特绝缘体。
2013-01-22 cond-mat.str-el
Anomalous Lattice Response at the Mott Transition in a Quasi-2D Organic Conductor
用高分辨衍射法研究了层状有机导体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Br的氘代晶体在Mott金属-绝缘体转变时的晶格参数的不连续变化。单轴膨胀率揭示了惊人的和意想不到的各向异性，特别是沿面内c轴的电子相互作用相对较强的零效应。一个巨大的热膨胀异常的端点附近的一级转变线，使探索具有非常高的灵敏度的临界行为。分析产生了临界波动，指数为$\tildeα \simeq$ 0.8 $\pm$ 0.15，与最近提出的这些材料的新临界性不一致[Kagawa \textit{et al.}，Nature \textbf{436}，534（2005）]。我们的数据表明，本材料的莫特转变中的晶格自由度的复杂作用。
2007-12-11 cond-mat.str-el
Mott transition in Kagomé lattice Hubbard model
利用集团动力学平均场论的推广，研究了Kagomé晶格哈伯德模型中的Mott跃迁.通过对双占据率、态密度、静态和动态自旋关联函数的计算，证实了该体系在Hubbard相互作用$U/W \sim 1.4$（$W$：带宽）下发生了一级Mott跃迁.在金属相接近莫特过渡，我们发现了三个不同的带强重整化，从而导致形成的重准粒子与强大的挫折。阐明了准粒子态在自旋关联函数随温度变化时的反常行为。
2006-03-22 cond-mat.str-el
From a quasimolecular band insulator to a relativistic Mott insulator in $t_{2g}^5$ systems with a honeycomb lattice structure
具有蜂窝晶格结构的边缘共享过渡金属氧化物的$t_{2g}$轨道在只有由边缘共享氧介导的跳跃可接近时形成无色散电子带。这是由于在每个六边形中形成了孤立的准分子轨道（QMO），这是最近由Mazin等人[Phys. Rev. Lett. 109，197201（2012）]，其稳定了$t_{2g}^5$系统的带绝缘相。然而，借助于精确对角化方法，我们发现量子模不仅对自旋轨道耦合（SOC），而且对库仑排斥是脆弱的，以处理电子动力学和相关性在平等的基础上。结果表明，随着SOC和库仑排斥的增加，$t_{2g}^5$体系的电子相可以从准分子带绝缘体转变为相对论$J_{\rm eff}=1/2$莫特绝缘体。不同的电子相位表现在光学电导率和共振非弹性X射线散射中观察到的电子激发中。基于我们的计算，我们断言，目前已知的Ru $^{3+}$ -和Ir $^{4+}$ -为基础的蜂窝系统是远离准分子带绝缘体，而是相对论莫特绝缘体。
2016-10-06 cond-mat.str-el
Gap Opening Transition and Fractal Ground State Phase Diagram in One Dimensional Fermions with Long Range Interaction : Mott Transition as a Quantum Phase Transition of Infinite Order
研究了一维长程相互作用费米子系统中的金属-绝缘体相变。我们用精确对角化方法研究了不同动量量子数扇区的激发谱。在合理的填充，我们已经证明了间隙开放过渡Tomonaga-Luttinger液体的莫特绝缘体与离散对称性破缺通过改变相互作用强度。有限的相互作用范围对于使莫特转变在合理填充处远离半填充至关重要。这与强耦合图象一致，即在任何合理的填充下，只要有足够强的强相互作用，Mott能隙都存在。数值计算了作为量子相变的临界区域。Mott带隙的非解析行为是弱耦合的特征。它是强耦合中相互作用的量级。这意味着该模型的金属-绝缘体相变在零温下具有量子相变的无限级。揭示了基态相图的分形性质。
1997-01-22 cond-mat.str-el
Universality Class of the Mott Transition
的电导率和热电功率的压力依赖性测量通过莫特过渡层有机导体EtMe 3 P [Pd（dmit）2]2。热电效应的临界行为提供了等温压力扫描期间Mott-Hubbard转变的清晰和客观的确定。以上的临界端点，金属-绝缘体交叉，确定的热电效应的最小值，没有被发现符合作为压力的函数的电导率的导数的最大值。我们表明，临界指数的莫特-哈伯德过渡属于伊辛普适类，无论系统的维数。
2015-03-16 cond-mat.str-el
Interaction induced Fermi-surface renormalization in the $t_1{-}t_2$ Hubbard model close to the Mott-Hubbard transition
利用一种成熟的变分Monte Carlo方法，包括距离依赖的Jastrow因子和回流关联，研究了一维半满$t_1{-}t_2$哈伯德模型中相互作用驱动的Mott-Hubbard跃迁的性质.我们提出的数据的磁性能的演变跨越莫特-哈伯德过渡和相称的绝缘状态中的无公度过渡。通过对重整化激发谱的分析，我们发现在绝缘态下，费米面在Mott-Hubbard跃迁处重整化为完美的嵌套，而在进入导电态时，费米面发生了一级重组。
2010-05-11 cond-mat.str-el
Phase diagram for the exciton Mott transition in infinite-dimensional electron-hole systems
为了理解三维电子-空穴系统中激子Mott跃迁的本质，研究了无限维两带哈伯德模型中电子-电子（空穴）排斥相互作用U和电子-空穴吸引相互作用U '下的金属-绝缘体跃迁.利用动力学平均场论，在假设电子-空穴对不凝聚的情况下，得到了U-U'平面上的相图（在无限维中是精确的）。当电子带和空穴带都被半充满时，出现两种绝缘态：当U > U'时的Mott-Hubbard绝缘体和当U <U'时的双激子绝缘体。即使远离半填充，我们发现之间的激子或双激子绝缘体和金属状态的相变。这个跃迁可以归属于激子Mott跃迁，而Mott-Hubbard跃迁不存在。
2004-07-13 cond-mat.str-el
Mott transitions in three-component Falicov-Kimball model
金属-绝缘体跃迁是在一个三分量Falicov-Kimball模型中研究的，该模型模拟了光晶格中具有局部排斥相互作用的单分量和双分量费米子粒子的混合物。在该模型中，双组分的费米子粒子能够在晶格中跳跃，而单组分的费米子粒子是局域化的。利用精确对角化的动力学平均场论对该模型进行了研究。其均匀的解决方案建立莫特过渡的相称和不相称的填充之间的三分之一和三分之二。在相称的三分之一和三分之二的填充物的莫特过渡发生任何密度的跳跃粒子，而在不相称的填充物的莫特过渡只能发生密度的一半跳跃粒子。在半填充时，根据排斥相互作用，观察到莫特绝缘体的重入效应。随着跳跃粒子局域相互作用的增强，第一次绝缘体-金属相变是连续的，而第二次金属-绝缘体相变是不连续的。第二个金属-绝缘体过渡跨越金属和绝缘相共存的有限区域。在第三填充莫特过渡建立只有强排斥相互作用。相分离与相变一起发生。
2013-08-28 cond-mat.str-el
Metal to Wigner-Mott insulator transition in two-leg ladders
本文从理论上研究了在两条腿的阶梯上分数公度填充时从金属到Wigner-莫特绝缘体的量子相变。我们表明，一个连续的过渡出一个保密的Luttinger液态金属是可能的绝缘行为的发病是伴随着晶格平移对称性的破坏。在填充$ν= 1/m$的情况下，发现自旋自由度在Wigner-Mott跃迁处也存在一个空位，对于奇数的$m$ .相反，对于偶数整数$m$，自旋扇区保持无隙，所得绝缘体是二维自旋子表面态的梯形模拟。在这两种情况下，电荷中性的无自旋模式在Wigner-Mott转变中保持无隙。我们讨论了这些过渡的物理性质，并评论获得的见解思考连续维格纳-莫特过渡的二维系统中正在研究的莫尔材料。
2022-12-22 cond-mat.str-el
Magnetotransport Scaling in Anomalous Metallic Phase near the Mott Transition
本文用扩展的Ginzburg-Landau自旋涨落理论讨论了掺杂V_2O_3的霍尔角。一个超越普通准粒子输运理论的类自旋集体输运过程对理解实验是必要的。同时对基于涨落交换近似的准粒子输运理论进行了批评。
2001-03-21 cond-mat.str-el
Mott transitions with partially-filled correlated orbitals
我们研究了金属-绝缘体莫特过渡的周期性安德森模型，其中一个带的巡回电子与一个狭窄的，强关联带杂化的广义版本。利用动力学平均场论，我们证明了Mott跃迁的前提条件是两个能带的整数总填充，而对于相关能带的整数常数占据，系统在任意大的相互作用强度下仍然是相关金属。我们的图片过渡在一个非整数填充的相关轨道之间的巡回和强烈的相互作用的电子，具有占领每个晶格站点的单重态的莫特本地化。我们表明，莫特过渡是一阶的，我们所得到的绝缘状态的性质与相关的物理参数，如电荷转移能量的特征。
2016-12-29 cond-mat.str-el
Finite temperature Mott transition in Hubbard model on anisotropic triangular lattice
利用胞腔动力学平均场论研究了各向异性三角晶格上的哈伯德模型。在Hubbard相互作用与温度平面确定的相图中，由于几何挫折下费米液体形成和磁关联之间的竞争，在莫特转变中显示出新颖的重入行为。我们证明了重入行为是具有中间几何挫折的Mott转变的特征，并且确实与最近的有机材料的实验结果一致。
2007-09-11 cond-mat.str-el
Comment on ``Orbital-selective Mott transitions in two-band Hubbard models''
Bluemer等人最近的一篇论文[cond-mat/0609758]再次批评了Liebsch的早期QMC/DMFT结果[Phys. Rev. B { \bf 70}，165103（2004）]。这种批评是没有根据的。
2006-10-17 cond-mat.str-el
Parity-time symmetry-breaking mechanism of dynamic Mott transitions in dissipative systems
我们用非厄米哈密顿量描述了耗散费米和玻色系统中电场驱动的（动态）莫特绝缘体-金属跃迁在同时宇称（P）和时间反演（T）操作下的临界行为.动态Mott转变被确定为PT破缺相变，Mott绝缘状态对应于具有实能谱的未破缺PT对称性的状态。我们建立的哈密顿量的虚部产生的驱动场和固有耗散的综合影响。我们推导出Mott间隙在介质击穿时的重整化和崩溃，并描述了由此产生的输运特性的临界行为。得到的临界指数与实验结果非常吻合。
2015-10-28 cond-mat.str-el
Novel Mott Transitions in Non-Isotropic Two-Band Hubbard Model
利用动力学平均场论结合精确对角化方法研究了包含不同宽度子带的双带哈伯德模型中Mott跃迁随温度的变化.的相图显示，表现出两个连续的一阶跃，如果包括完整的洪德规则耦合。在自旋翻转和对交换条款的情况下，较低的过渡保持一阶，而上部变得连续。
2005-07-12 cond-mat.str-el
The Finite Temperature Mott Transition in the Hubbard Model in Infinite Dimensions
利用动力学平均场论研究了半填充时完全阻挫哈伯德模型的二阶有限温度Mott相变点。使用量子蒙特卡罗模拟，我们表明存在一个有限的温度二阶临界点，明确证明存在的发散磁化率，以及通过寻找共存的低温相。确定了有限温度Mott临界点在（U，T）平面上的位置.我们的研究验证和量化的莫特过渡的情况下提出的早期研究（现代物理评论68，13，1996年）这个问题。
1999-05-11 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard transition in infinite dimensions
计算了具有随机色散关系的半满哈伯德模型的零温能隙和准粒子质量。外推到热力学极限后，我们得到了无限维哈伯德模型的这些量的可靠界。我们的数据表明，莫特-哈伯德转变是连续的，即，准粒子的权重在能隙打开的临界相互作用强度相同时变为零。
1999-03-05 cond-mat.str-el
Decohering the Fermi liquid: A dual approach to the Mott Transition
本文从费米液体的低能有效理论出发，提出了一种描述二维晶格上电子莫特跃迁的理论方法。莫特转变的方法必须以抑制对应于费米面特定形状变形的密度和电流波动为特征。我们探讨了当这些费米面形状起伏被抑制时，莫特绝缘体和相应的莫特跃迁的性质，而不对其他费米面形状起伏作任何预先假设.从玻色子的莫特过渡的理论的见解的基础上，我们实现这种抑制通过识别和凝聚的涡旋自由度的阶段中的低能电子运营商。我们表明，由此产生的莫特绝缘体是一个量子自旋液体与自旋费米表面耦合到U（1）规范场，这是通常描述的从粒子制剂。因此，我们的方法提供了一个粗粒度的处理莫特过渡和近端自旋液体，但相当于标准的从粒子建设。这种替代的观点提供了对莫特转变和自旋液体状态的新物理学的进一步了解，这是潜在的有用。我们描述了一个概括，抑制自旋反对称波动的费米表面，导致自旋带隙的电荷金属先前也讨论了从粒子构造。
2011-07-20 cond-mat.str-el
Exciton Mott transition revisited
在光激发半导体中激子解离成空穴和电子，尽管是莫特跃迁的第一个公认的例子之一，但仍然无法完全理解，特别是关于跃迁的特征，在某些情况下是一阶，在其他情况下是二阶。在这里，我们考虑一个理想化的模型，可以映射到一个自旋极化的半填充哈伯德模型，其相图再现的现象的光激发半导体和揭示的激子结合能的关键作用，在确定的顺序激子莫特过渡的光激发半导体。
2019-06-06 cond-mat.str-el
