对Dietl和Sztenkiel“（Ga，Mn）As隧穿实验的验证结果”arXiv：1102.3267 v2的评论
Comment on "Reconciling results of tunnelling experiments on (Ga,Mn)As" arXiv:1102.3267v2 by Dietl and Sztenkiel
摘要：
本文评述了Dietl和Sztenkiel最近发表的论文“（Ga，Mn）As的隧穿实验结果”arXiv：1102.3267v2。他们声称，在我们对GaMnAs的共振隧穿谱的研究中观察到的d2 I/dV 2-V特性的振荡不是归因于GaMnAs层中的共振能级，而是归因于GaAs：Be层中的二维界面子带。在这里，我们表明，这种解释是不能解释我们的实验结果和我们的结论保持不变。
英文摘要：
We comment on the recent paper "Reconciling results of tunnelling experiments on (Ga,Mn)As" arXiv:1102.3267v2 by Dietl and Sztenkiel. They claimed that the oscillations observed in the d2I/dV2-V characteristics in our studies on the resonant tunneling spectroscopy on GaMnAs, are not attributed to the resonant levels in the GaMnAs layer but to the two-dimensional interfacial subbands in the GaAs:Be layer. Here, we show that this interpretation is not able to explain our experimental results and our conclusions remain unchanged.
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