多晶硅中电流的超低频自发振荡

存储器件用介观多晶硅薄膜的电子导电性和边界性质

On Properties of Boundaries and Electron Conductivity in Mesoscopic Polycrystalline Silicon Films for Memory Devices

我们提出的分子动力学模拟的结果在薄的多晶薄膜的晶界（GB）的结构特性。研究了低失配角晶界到非晶晶界的转变。结果表明，这些晶界的结构满足一个临界判据。硅原子的势能与一个几何量--与近邻原子配位的四方性密切相关。观察到局部化长度的交叉。为了分析低温下多晶薄膜的单电子局域化长度的交叉和电导特性，我们采用二维安德森局域化模型，其中单个晶粒（点）的单点电子充电能是随机的，非对角矩阵元是随机的，相邻晶粒之间的连接数是随机的.在从绝缘体到导体的过渡区的参数范围内，给出了单电子态局域化长度的交叉行为和电导的特征性质。