Asymmetry of localised states in a single quantum ring: polarization dependence of excitons and biexcitons
我们进行了光谱研究的一个单一的GaAs量子环与各向异性的边缘高度。绝热势表明存在非对称定域态。的激子和双激子的偏振依赖性的不对称性进行了研究，其中一个大的能量差（0.8毫电子伏）的激子发射能量的垂直偏振观察和振荡器的强度也进行了比较使用的光致发光衰减率。对于垂直极化的双激子表现出两倍的能量差异看到的激子，一个事实，这可能是由于一个可能的变化，降低对称性的选择规则。
2013-01-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Symmetry-protected intraband exciton-phonon scattering and its breakdown by mass asymmetry
Department of Physics Earth and Environmental Science, Technical University of Kenya（肯尼亚科技大学地球与环境科学物理系）
本文提出Bethe-Salpeter框架证明对称性保护带内Fröhlich散射，质量不对称性通过相位扭转破坏该保护并增强声子重整化。
2026-09-25 cond-mat.mtrl-sci
Fundamental intrinsic lifetimes in semiconductor self-assembled quantum dots
自组装量子点（QDs）可以按需提供单光子、双激子级联过程产生的纠缠光子对、单自旋量子比特等，为量子信息技术的实现提供了一个理想的平台，而激子的精细结构分裂（FSS）是QDs实现这些应用的一个基本特性。从对称性的角度来看，由于两个明亮的激子态属于具有C2v对称性的量子点的两种不同表示，因此它们不仅应该具有不同的能量，而且应该具有不同的寿命，这被称为激子寿命不对称。与广泛研究的频率选择表面相反，文献中仍然没有对激子寿命不对称性进行研究。在这项工作中，我们进行了第一次调查的激子寿命不对称的自组装量子点，并提出了一个理论，间接推断寿命不对称的量子点的可测量的质量。进一步揭示了量子点的本征寿命及其不对称性是量子点的基本量，决定了量子点的非本征寿命不对称性、偏振角、频率选择性及其在单轴外力作用下的演化.我们的研究结果为深入理解量子点的性质提供了重要依据。
2017-12-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Tuning the domain wall conductivity in bulk lithium niobate by uniaxial stress
绝缘铁电体中的导电畴壁（CDW）由于其独特的拓扑、光学和电学性质而引起了人们的广泛关注，并在存储器件和可重写电路中提供了潜在的应用。通过施加应变可以调节畴壁的电子性质，从而控制畴壁处的载流子密度。在这项工作中，我们研究了单轴应力对块体单晶LiNbO $_3$中DW电导率的影响。使用导电原子力显微镜（cAFM），我们观察到一个大的不对称性的DWs的导电性，其中只有负屏蔽的墙壁，所谓的头到头DWs，变得越来越导电，而正屏蔽，尾到尾DWs，显示导电性下降。DW电导率的这种不对称性与我们基于压电效应的理论模型一致。此外，我们观察到，在DW中的电流增加到一个数量级的较小的压缩应力为100 MPa。DW的这种反应在2个月以上的多个压力循环中保持不变，为未来的应用开辟了道路。
2022-05-04 cond-mat.mtrl-sci
Conquer the fine structure splitting of excitons in self-assembled InAs/GaAs quantum dots via combined stresses
消除自组装量子点中激子的精细结构分裂是产生高质量纠缠光子对的关键。结果表明，在单轴应力下，频率选择表面存在一个下限。在这封信中，我们表明，在一般的自组装InGaAs/GaAs量子点激子的FSS可以完全抑制沿[110]和[010]方向的组合应力。原子经验赝势计算证实了这一结果。对于我们研究的所有量子点，FSS可以被调谐到非常小（$<$ 0.1 $μ$ eV），这对于高质量的纠缠光子发射是足够小的。
2012-06-06 cond-mat.mtrl-sci
Effects of uniaxial strain on monolayer transition-metal dichalcogenides revisited
University of Delaware（特拉华大学）；Princeton Plasma Physics Laboratory（普林斯顿等离子体物理实验室）
研究单层过渡金属二硫化物在单轴应变下的带隙变化，揭示应变对电子谷和空穴谷的影响，解释光致发光强度变化的机理。
2026-03-14 cond-mat.mtrl-sci
Excitons under strain: light absorption and emission in strained hexagonal boron nitride
面元氮化硼是一种间接带隙材料，在紫外区有很强的发光。这种发光起源于不同声子模式辅助下的束缚激子复合。激子和声子之间的耦合是如此之强，以至于所产生的光发射与直接带隙材料的光发射一样有效。在这篇手稿中，我们研究如何单轴应变修改这种材料的电子和光学性质，特别是它如何影响激子-声子耦合。使用有限差分位移的基础上，最近由我们中的一些人开发的这种耦合的配方，我们调查如何声子辅助下的应变转变。我们的结果为从第一性原理研究应变材料中的声子辅助发光开辟了道路。我们的研究结果是重要的实验，直接探测\hbn下的应变或在其中它被用作基板的其他二维材料与晶格失配。
2022-05-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Exciton fine structure splitting and linearly polarized emission in strained transition-metal dichalcogenide monolayers
本文从理论上研究了各向异性弹性应变对过渡金属双硫族化合物原子薄晶体中激子能谱、精细结构和光学选择规则的影响。应变的存在打破了在布里渊区的$\bm K$ -点的手性选择规则，并使光学跃迁线性偏振。激发线极化的方向与应变张量的主轴有关。弹性应变提供了一个附加的贡献与单轴应变WSe $_2$单层获得的实验证据的激子精细结构分裂。施加的应变也诱导动量相关的塞曼分裂。根据应变的取向和大小，可以在激子能谱中形成具有线性色散的狄拉克点。我们提供了一个对称性分析的应变效应，并制定了一个微观理论的所有相关的应变引起的贡献的激子精细结构的哈密顿量。
2022-08-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coulomb correlations evidenced in the magneto-optical spectra of charged excitons in semiconductor quantum dots
半导体量子点中带电激子的发射光谱图是在垂直于光子动量方向的磁场存在下由四重线偏振谱线组成的。通过测量量子点的塞曼分裂，我们得到了载流子的有效g因子，并发现空穴g因子对量子点的形状不对称性非常敏感。通过比较同一量子点中中性激子和带电激子的有效g因子，揭示了库仑关联在这些激子态中的作用。
2009-01-16 cond-mat.mtrl-sci
One-Dimensional Moiré Excitons in Transition-Metal Dichalcogenide Heterobilayers
从角度和/或晶格失配形成界面莫尔图案已经成为在范德瓦尔斯异质结构中设计一系列量子现象的有力方法。对于过渡金属二硫属化物（TMDC）异质双层膜中的长寿命和谷极化层间激子，最近的实验研究中已经报道了摩尔景观的量子限制特征。这种莫尔限制为定制新的激子系统提供了令人兴奋的可能性，例如零维（0 D）量子发射器的有序阵列及其耦合到拓扑超晶格中。莫尔势的一个显著特性是它对应变的戏剧性响应，其中小的单轴应变可以将量子点状的0 D陷阱阵列调谐成一维（1D）量子线的平行条纹。在这里，我们提出了直接的证据，从真实空间成像和相应的1D莫尔激子的MoSe 2/WSe 2异质双层膜的光致发光（PL）发射的1D莫尔电位。而0 D莫尔激子显示量子发射体样尖锐的PL峰与圆偏振，从一维莫尔激子的PL发射具有线性偏振和两个数量级的强度更高。这里提出的结果建立应变工程作为一个强大的新方法来定制莫尔电位以及他们的光学和电子响应的需求。
2020-04-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electro-elastic tuning of single particles in individual self-assembled quantum dots
研究了单轴应力对电荷可调器件中InGaAs量子点的影响。使用库仑阻塞和光致发光，我们观察到，单粒子能量（~ -0.5 meV/MPa）的显着调谐导致激子能量（+18至-0.9 micro-eV/MPa）在拉伸应力下的可变调谐。永久偶极子，库仑相互作用和精细结构分裂能量的适度调谐也被测量。我们利用可变激子响应来调谐同一芯片上的多个量子点进入共振。
2012-07-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Excitons in few-layer hexagonal boron nitride: Davydov splitting and surface localization
六方氮化硼（hBN）因其强激子效应而受到人们的广泛关注。考虑到少层系统，我们从理论上研究了层数对准粒子能量，吸收光谱和激子态的影响，特别关注最低束缚激子的Davydov分裂。我们描述了层间相互作用以及作为层数$N$的函数的电子屏蔽的变化如何影响电子和光学性质。使用两个\textit{ab initio}模拟和紧束缚模型的有效哈密顿描述的激子，我们详细描述的激子波函数的对称性和选择规则，他们耦合到入射光。我们发现，对于$N > 2$，人们可以区分表面激子，主要是本地化的外层和内部激子，导致分裂激子状态之间的能量分离的不对称性。特别是，束缚表面激子的能量低于其内部对应物。此外，这使我们能够显示层厚度如何影响吸收光谱的形状。
2018-03-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Chain level insights into tensile-compressive asymmetry in glassy and semicrystalline polymers
使用分子动力学模拟，我们提供了链级的见解的不同之处，在重排聚合物的单轴拉伸和压缩变形下，在玻璃和半结晶样品的不同链长。聚合物在拉伸和压缩下的组织结构是明显不同的。链沿着拉伸轴对齐，导致它们的键和端到端矢量的净全局有序化，而在压缩下，聚合物将它们自身排列在垂直于压缩轴的平面中，导致键和链端到端矢量的反有序化的出现。此外，聚合物在张力下展开的程度更大，并且与压缩下的链相比，它们变形更少。这两个响应之间的差异强烈依赖于链长，并且在中间链长处最大。
2019-01-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft cond-mat.stat-mech
Electronic band structure and exciton properties of $Pna2_1$ CaSnN$_2$
Case Western Reserve University（凯斯西储大学）
通过QS GW$^{BSE}$方法计算了$Pna2_1$结构CaSnN$_2$的能带结构，发现其Γ点直接带隙为2.59 eV，适合用于可持续蓝色LED，同时分析了价带分裂和有效质量张量，并探讨了激子性质及晶体场分裂对极化的影响。
2026-04-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Electric field inversion asymmetry: Rashba and Stark effects for holes in resonant tunneling devices
我们报告激子自旋分裂的实验证据，除了传统的塞曼效应，产生的Rashba自旋轨道相互作用，斯塔克位移和电荷屏蔽的组合。研究了p型GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管（RTD）在外加偏压和磁场作用下充放电过程中的电场诱导自旋分裂调制.在光致发光的突变，与所施加的偏压，提供的信息的电荷积累效应的设备。
2006-01-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Strain Correlated Linearly Polarized Photoluminescence in WS2/WSe2 Moiré Superlattices
National Institute for Materials Science（物质材料研究机构）；Hokkaido University（北海道大学）；The University of Tokyo（东京大学）；Tokyo Metropolitan University（东京都立大学）
研究通过极化分辨光致发光和拉曼映射揭示了莫尔激子中线极化度与局部拉曼位移和莫尔-激子特征相关，证明应变是主导因素，理论分析表明应变放大了莫尔势中的C3对称性破坏，从而产生有限的远场线极化度。
2026-05-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous in-plane magneto-optical anisotropy of self-assembled quantum dots
我们报告了一个复杂的非平凡行为的光学各向异性的量子点，这是由一个磁场在样品的平面中引起的。我们发现，光轴旋转的方向相反的磁场或保持固定到一个给定的结晶方向。基于激子赝自旋哈密顿量的理论分析明确地表明，这些效应是由各向同性和各向异性的贡献，重洞塞曼项，分别引起的。后者被证明是由一个内置的单轴各向异性补偿在磁场B_c = 0.4 T，导致典型的对称量子点的光学响应。
2006-01-12 cond-mat.mtrl-sci
Highly tunable band structure in ferroelectric R-stacked bilayer WSe$_2$
本研究通过低温光谱学系统探究R堆叠双层WSe₂的铁电与电子特性，证实II型能带排列、AB/BA铁电畴共存，测得本征极化场与层间电势，实现价带顶电场调控切换，为扭转双层研究及新型器件开发奠定基础。
2025-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Correlated interlayer quantum Hall state in large-angle twisted trilayer graphene
Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology (DGIST)（大邱庆北科学技术院）；Ulsan National Institute of Science and Technology（蔚山科学技术院）；University of Seoul（首尔大学）；Pohang University of Science and Technology（浦项科技大学）；National Institute for Materials Science（物质材料研究机构）；Korea Advanced Institute of Science and Technology（韩国科学技术院）；Institute for Basic Science（基础科学研究所）
研究发现大角度扭曲三明治石墨烯中存在相关层量子反磁相，包括解析螺旋边缘输运和激发有序。
2025-12-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fine structure of two-electron states in single and double quantum dots
从理论上研究了三重态两电子态的能谱精细结构。本文导出了锌晶格半导体纳米结构量子阱和量子点中电子-电子相互作用有效哈密顿量中的自旋-轨道相互作用诱导项。体和结构反转不对称的影响被考虑在内。导出了描述单量子点和横向双量子点中局域双电子态分裂的简单解析表达式。三重态的自旋简并度被自旋轨道相互作用完全提升。讨论了电子-电子相互作用中导带自旋分裂和自旋轨道项的相互作用。计算了热激子和双电荷激子的光致发光谱，揭示了双电子态的精细结构。
2009-08-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
