在IBAD-MgO衬底上外延生长Ba（Fe1-xCox）2As 2超导薄膜

Nanoscale Texture and Microstructure in NdFeAs(O,F)/IBAD-MgO Superconducting Thin Film with Superior Critical Current Properties

This paper reports the nanoscale texture and microstructure of a high-performance NdFeAs(O,F) superconducting thin film grown by molecular beam epitaxy on a textured MgO/Y$_2$O$_3$/Hastelloy substrate. The NdFeAs(O,F) film forms a highly textured columnar grain structure by epitaxial growth on the MgO template. Although the film contains stacking faults along the $ab$-plane as well as grain boundaries perpendicular to the $ab$-plane, good superconducting properties are measured: a critical temperature, $T _{\rm c}$, of 46 K and a self-field critical current density, $J_{\rm c}$, of $2 \times 1…

YBCO涂层导体和薄膜中与角度相关的涡旋钉扎机制

Angular dependent vortex pinning mechanisms in YBCO coated conductors and thin films

我们提出了一个角度依赖的临界电流密度在IBAD MgO和单晶MgO和SrTiO 3衬底上沉积的YBa 2 Cu 3 O 7薄膜的比较研究。我们确定了三个角度制度，钉扎是由不同类型的相关和不相关的缺陷。我们发现，这些制度是存在于所有情况下，表明钉扎机制是相同的，但它们的扩展和特性是样品依赖的，反映了纹理和缺陷密度的定量差异。特别地，IBAD上的膜的更多缺陷性质变成优点，因为它导致更强的涡旋钉扎，表明单晶上的膜的临界电流密度不是IBAD涂覆的导体的性能的上限。

通过透射电子显微镜研究REBCO涂层导体的分层

Study of delamination in REBCO coated conductor by transmission electron microscopy

本研究利用TEM观察REBCO涂层导体微观结构，发现IBAD MgO/Y2O3界面处的纳米空洞是导致其低分层强度的原因，为大型磁体应用提供了依据。

缓冲层结构对BaFe1 .8Co0.2As2薄膜输运性质的影响

The influence of the buffer layer architecture on transport properties for BaFe1.8Co0.2As2 films on technical substrates

在IBAD-MgO/Y $_2$ O $_3$缓冲技术衬底上制备的BaFe $_{1.8}$ Co $_{0.2}$ As $_2$ /Fe双层膜中，观察到正常态下的低电阻和几乎与温度无关的电阻，以及正常-超导转变中的反常峰效应。电阻器网络阵列充分再现了这种效果，假设随着缓冲层厚度的减小，带和膜之间的电导增加。基于此模型，我们评估了这种效应对临界电流密度的影响，并成功地重建了双层膜的超导转变。

金属衬底上的高织构氧铌酸盐超导薄膜

Highly textured oxypnictide superconducting thin films on metal substrates

采用分子束外延技术在离子束辅助沉积（IBAD）-MgO/Y_2O_3/Hastelloy基片上生长了高织构NdFeAs（O，F）薄膜。氧铌酸盐涂层的导体显示出43 K的超导转变温度（Tc），在5 K下的自场临界电流密度（Jc）为7.0 × 104 A/cm 2，比粉末管加工的SmFeAs（O，F）线高20倍以上。虽然较高的Tc以及更好的结晶质量比Co掺杂的BaFe_2As_2涂层导体，NdFeAs（O，F）的磁场Jc低于Co掺杂的BaFe_2As_2。这些结果表明，晶界oxypnictides降低Jc显着相比，在Co掺杂的BaFe 2As 2，因此双轴织构是必要的高Jc。