直接暗物质探测中的沟道效应II：Si和Ge晶体中的沟道分数
Channeling in direct dark matter detection II: channeling fraction in Si and Ge crystals
摘要：
在与WIMP碰撞后，离子反冲的通道效应改变了直接检测实验中的电离信号，产生了比预期更大的信号。我们估计的部分通道反冲离子在Si和Ge晶体中使用的分析模型，自20世纪60年代和70年代以来，描述沟道和阻塞效应。我们使用获得的数据，以避免沟道在硅晶体中的掺杂剂的注入来测试我们的模型。
英文摘要：
The channeling of the ion recoiling after a collision with a WIMP changes the ionization signal in direct detection experiments, producing a larger signal than otherwise expected. We give estimates of the fraction of channeled recoiling ions in Si and Ge crystals using analytic models produced since the 1960's and 70's to describe channeling and blocking effects. We used data obtained to avoid channeling in the implantation of dopants in Si crystals to test our models.
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