Finite size effects of helical edge states in HgTe/CdTe quantum wells
给出了HgTe/CdTe量子阱中量子自旋霍尔效应的有效连续模型的螺旋边态解。对于一个大尺寸的样品，该解决方案给出了边缘状态的线性色散。然而，在有限条几何中，两侧的边缘态将彼此耦合，这导致光谱中的有限能隙。能隙随样品宽度的增加呈指数规律衰减。边缘态的磁场依赖性说明了与传统的二维电子气量子霍尔带的边缘态的差异。
2008-06-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-dependent thermoelectric transport in HgTe/CdTe quantum wells
我们分析了HgTe/CdTe量子阱中的热诱导自旋和电荷输运的基础上的数值非平衡格林函数技术在线性响应制度。在拓扑非平凡的制度，我们发现一个明确的签名的边缘状态的间隙，由于其有限的重叠从相反的样品边界-无论是在电荷塞贝克和自旋能斯特信号。我们能够充分理解的物理起源的热电传输签名的边缘和散装状态的基础上简单的分析模型。有趣的是，我们得出的自旋能斯特信号是相关的自旋霍尔电导的莫特的关系，这是确切的所有订单之间的温度差的温暖和寒冷的水库。
2012-10-04 cond-mat.mes-hall
Numerical study of the topological Anderson insulator in HgTe/CdTe quantum wells
研究了无序对HgTe/CdTe半导体量子阱中输运性质的影响。我们证实，在一个中等的无序强度，最初未量子化的两端电导变得量子化，系统的新拓扑安德森绝缘体（TAI）的过渡。计算的条形和圆柱形样品的电导揭示了TAI的拓扑特征，并支持螺旋边缘态可能导致反常量子化平台的观点。通过计算局域电流的分布，研究了无序的影响。在此基础上，直接解释了量子自旋霍尔区和TAI区中的无序现象。我们对局部电流组态的研究进一步阐明了异常平台的机制。
2009-05-28 cond-mat.mes-hall
Unprotected edge modes in quantum spin Hall insulator candidate materials
在量子自旋霍尔绝缘体候选材料，如碲化汞/碲化镉和砷化铟/镓锑异质结构的实验表明，除了拓扑保护的螺旋边缘模式，这些多层异质结构还可以支持额外的边缘状态，这可以有助于散射和运输。我们使用第一性原理计算推导出HgTe/CdTe，HgS/CdTe和InAs/GaSb异质结构的有效紧束缚模型，并证明了所有这些材料都支持对边缘终止敏感的附加边缘态.我们追溯这些国家的微观起源回到一个极小模型支持平带的非平凡的量子几何，引起极化电荷的边缘。我们表明，极化电荷转化为额外的边缘状态时，平坦带相互耦合，并与其他国家，形成描述完整的异质结的哈密顿量。有趣的是，在碲化汞/碲化镉量子阱的附加边缘状态是远离费米能级，使他们不有助于运输，但在碲化汞/碲化镉和砷化铟/镓锑异质结构中，他们出现在散装能隙引起的可能性，多模边缘运输。最后，我们证明，因为这些额外的边缘模式是非拓扑的，它是可能的，以消除它们从体能隙通过修改边缘电位，例如与侧栅极或化学掺杂的帮助。
2022-09-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Robust Helical Edge Transport in Quantum Spin Hall Quantum Wells
我们发现，在基于量子自旋霍尔系统的狄拉克点的掩埋可以产生意想不到的鲁棒性的边缘状态的磁场。详细的${\bf k\cdot p}$能带结构分析表明，InAs/GaSb和HgTe/CdTe量子阱表现出这样的埋狄拉克点。通过模拟运输中的一个有效的模型内描述的无序系统，我们进一步证明，埋狄拉克点产生近量子化的边缘传导到大磁场，与最近的实验一致。
2017-09-14 cond-mat.mes-hall
Spin polarized Charge Trapping and Transfer at a HgTe Topological Insulator Quantum Dot
本文从理论上论证了在具有反能带结构的HgTe/CdTe量子阱（QW）上通过双拓扑绝缘体收缩（TIC）形成载流子陷阱单元。将HgTe/CdTe量子阱样品构图成霍尔栅器件，并通过在量子阱上紧密地添加分裂栅电极形成拓扑量子点。与传统的半导体量子点形成鲜明对比的是，在所提出的量子霍尔条系统中拓扑边缘态的存在或不存在导致具有大开/关比的TIC的不同的传播/绝缘状态。该拓扑量子点通过适当地调节施加到分离栅极的电压而用作具有近乎完美的编程/擦除效率的载流子陷阱存储器元件。为了完整起见，我们还证明了量子点中的Rashba自旋轨道相互作用不会破坏拓扑边缘态，并且对量子霍尔条的电导影响可以忽略不计。当在量子点中施加垂直磁场时，电导的快速振荡可以被抑制。
2016-08-23 cond-mat.mes-hall
Large gap quantum spin Hall insulator, massless Dirac fermions and bilayer graphene analogue in InAs/Ga(In)Sb heterostructures
量子自旋霍尔绝缘体（QSHI）态已经在两个半导体系统- HgTe/CdTe量子阱（QWs）和InAs/GaSb量子阱双层中得到证实。与HgTe/CdTe量子阱不同，InAs/GaSb量子阱双层结构的反向带隙在布里渊区的$Γ$点处不开放，从而阻止了无质量狄拉克费米子的实现。在这里，我们提出了一类新的半导体系统的基础上InAs/Ga（In）Sb多层膜，托管QSHI状态，石墨烯类相和双层石墨烯类似物，这取决于它们的层厚度和几何形状。QSHI间隙在新的结构可以达到60 meV的现实设计和参数。该值是室温下热能的两倍，显著扩展了基于III-V族晶闸管的拓扑器件的应用潜力。
2017-10-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantum Spin Hall Effect and Topological Phase Transition in HgTe Quantum Wells
我们表明，量子自旋霍尔效应，一种与传统的绝缘体不同的拓扑性质的物质状态，可以实现在碲化镉半导体量子阱。通过改变量子阱的厚度，电子状态在临界厚度$d_c$处从正常型变为“反转”型。我们发现，这种转变是一个拓扑量子相变之间的一个传统的绝缘相和一个相位表现出的QSH效应与一对螺旋边缘状态。我们还讨论了QSH效应的实验检测方法。
2006-11-15 cond-mat.mes-hall
Fractional charge and fractional statistics in the quantum Hall effects
具有分数电荷和分数统计的准粒子是分数量子霍尔效应的关键特征。我们将详细讨论分数电荷和统计的定义，以及这些性质可能被观察到的方式。除了理论基础之外，我们还回顾了该领域的实验现状。我们还讨论了非阿贝尔统计的概念，并试图找到非阿贝尔准粒子在某些量子霍尔系统中存在的实验证据。
2021-05-19 cond-mat.mes-hall
On the ground state of fractional quantum Hall effect
这篇论文已被作者撤回。
1998-11-12 cond-mat.mes-hall
The Fractional Quantum Hall Effect
简要介绍了1998年获得诺贝尔奖的分数阶量子霍尔效应现象。我们还解释了把分数量子霍尔效应描述为复合费米子的整数量子霍尔效应的复合费米子图像。
1999-02-22 cond-mat.mes-hall
Fractional Quantization and Fractional Quantum Hall Effect
提出了一种二维空间的分数阶量化方法。利用多层黎曼曲面上的边界条件，将二维电子的角动量量子化为分数。给出了不可压缩量子流体态的扩展波函数，并给出了凝聚能和激发能。
1998-11-02 cond-mat.mes-hall
Topological excitation in the Fractional Quantum Hall system
在Ginzburg-Landau理论框架下研究了涡旋和Skyrmions两种拓扑激发。我们得到了分数量子霍尔系统的拓扑激发与序参量之间的严格关系。我们还讨论了分数量子霍尔系统中涡旋的演化。
2001-11-01 cond-mat.mes-hall
Conductance fluctuations at the fractional quantum Hall plateau transitions
我们得到了一个“平均场”标度流的纵向和霍尔电导率在分数量子霍尔制度。利用复合费米子图像，假设复合费米子遵循整数量子霍尔效应的Khmelnitskii-Pruisken标度流，确定了决定不同分数量子霍尔态之间跃迁的不稳定不动点.得到了临界纵向电导率和临界霍尔电导率在不稳定不动点处的分布，并讨论了这些结果对介观量子霍尔系统实验的意义.
1997-11-18 cond-mat.mes-hall
Two-Roton Bound State in the Fractional Quantum Hall Effect
分数量子霍尔效应的最低能量、长波长中性激发的真实性质一直是一个悬而未决的问题。在这封信中，我们确定它是一个两轮束缚态。
2000-04-27 cond-mat.mes-hall
Magnetic Induction Dependence of Hall Resistance in Fractional Quantum Hall Effect
通过分析[J. P. Eisenstein和H. L. Stormer，{Science} { \bf 248}，1510（1990）]。该公式是作为磁感应强度、化学势和温度的函数给出的。霍尔电阻函数包含一个单电子能谱，它具有三个可调参数的唯象微扰项。该公式产生了与实验一致的12个平台。这些扰动可以解释为三维空间中朗道轨道的岁差或章动。
2018-01-12 cond-mat.mes-hall
Topologically induced fractional Hall steps in the integer quantum Hall regime of $MoS_2$
利用线性响应理论推导了二硫化钼单层膜的量子磁输运性质。特别分析了拓扑项对纵向电导率和霍尔电导率的影响。霍尔电导率在整数量子霍尔区呈现分数阶跃。进一步完整的自旋和谷极化的纵向电导率被认为是在这些拓扑条款的存在。最后，舒布尼科夫-德哈斯振荡被抑制或增强的这些拓扑项的符号。
2016-07-14 cond-mat.mes-hall
Exclusonic Quasiparticles and Thermodynamics of Fractional Quantum Hall Liquids
分数量子霍尔液体中的准电子和准空穴服从分数（包括非平凡）互斥统计。它们的统计矩阵可以从几种可能的状态计数方案中确定，涉及对统计相关性的不同假设。在广义理想气体近似下，研究了分数量子霍尔液体在填充物$1/m$（$m$ odd）附近的准粒子对的热激活和低温下的热力学性质.分数量子霍尔效应中的分级态的存在被证明是相关准粒子的排斥性质的一种表现。对于磁性，顺磁性-抗磁性转变似乎是可能的，在有限的温度。
1997-06-04 cond-mat.mes-hall
Non-Linear hydrodynamics and Fractionally Quantized Solitons at Fractional Quantum Hall Edge
我们认为，无隙分数量子霍尔边缘态的动力学本质上是非线性的，它的特点是分数量子孤子沿边缘传播。孤子的观测将是分数电荷的直接证据。我们证明了Laughlin的量子态的非线性动力学是由量子Benjamin-Ono方程。无带隙边缘态的非线性动力学是由BohOH液体中的带隙模决定的。边缘模的色散可追溯到双边界层。
2012-01-14 cond-mat.mes-hall
High field fractional quantum Hall effect in optical lattices
我们考虑了在模拟的大磁场作用下光晶格中相互作用玻色子原子。我们发展了一个类似于双层分数量子霍尔系统的模型，该模型在每个晶格单元的磁通量量子数的简单有理数附近有效。然后，我们计算了它的基态，磁长度，分数填充，并发现意想不到的符号变化的霍尔电流。最后，我们研究通过散粒噪声和霍尔电流测量检测这些新功能的方法。
2006-04-26 cond-mat.mes-hall
Activation energies for spin-reversed excitations in the fractional quantum Hall effect
在分数霍尔制度的运输实验中测得的活化能对应于所需的能量，以创建一个远分离的粒子空穴对。我们计算了几个分数量子霍尔态，激发复合费米子反转其自旋量子数的激发能隙。我们的研究结果表明，这种自旋反转激发可能是相关的实验可访问的制度。
2002-07-25 cond-mat.mes-hall
Paired fractional quantum Hall states and the nu=5/2 puzzle
本文综述了$ν=5/2$分数量子霍尔态的研究工作，重点介绍了有关成对态的最新进展。
2000-11-24 cond-mat.mes-hall
Fractional quantum Hall effect without energy gap
在分数量子霍尔效应下，我们测量了门控GaAs/Al $_{x}$ Ga $_{1-x}$ As异质结中二维电子系统（2DES）的对角（$ρ_{xx}$）和霍尔（$ρ_{xy}$）磁阻张量分量，以及2DES与门极之间的电容.我们在相当低的磁场下观察到了1/3和2/3分数量子霍尔效应，此时相应的量子态密度的分数极小值已经消失，表明准粒子能隙被完全抑制。
2006-03-31 cond-mat.mes-hall
The stability of the fractional quantum Hall effect in topological insulators
随着最近在拓扑绝缘体表面观察到类石墨烯朗道能级，分数量子霍尔效应的可能性，这是强关联的基本特征，已经变得令人感兴趣。一些实验已经报道了朗道内能级结构，这暗示了分数量子霍尔效应。本文从理论上讨论了分数量子霍尔效应的可行性，并认为虽然这种效应在理想情况下应该发生在$n=0$和$|n|=1$朗道能级上，但在更高的$|n|$朗道能级上却被排除了。与石墨烯不同，拓扑绝缘体中的分数量子霍尔效应被预测为由于自旋轨道耦合而在$n=1$和$n=-1$朗道能级之间显示出有趣的不对称性。
2011-06-22 cond-mat.mes-hall
Experimental Test of Condensate-Excitation Theories of the Fractional Quantum Hall Effect
它表明，作为凝聚的电子系统到一个基态与分数带电激发的描述是不符合实验观察。分数平台中的霍尔电压作为化学电势差的性质消除了作为载流子的冷凝物，并且纵向电导的温度依赖性消除了载流子的激发图像。
2000-09-27 cond-mat.mes-hall
Edge reconstructions in fractional quantum Hall systems
表现分数量子霍尔效应的二维电子系统具有量子化的霍尔电导和无耗散的体积。这些系统中的输运只发生在存在无隙激励的边缘。利用推广的分数量子霍尔效应的哈密顿理论，对不同填充因子下分数量子霍尔系统的边缘态进行了{ \it微观}计算.我们发现，在$ν=1/3$的量子霍尔边缘经历了重建的背景电位软化，而量子霍尔边缘在较高的填充因子，如$ν=2/5, 3/7$，是强大的重建。我们提出的结果的边缘状态依赖于各种系统参数，如温度，电子-电子相互作用的功能形式和范围，和限制的潜力。我们的结果对分数量子霍尔系统边缘的隧穿实验具有指导意义。
2003-08-01 cond-mat.mes-hall
Fractional Quantum Hall Hierarchy and the Second Landau Level
我们推广分数量子霍尔层次图像适用于任意的，可能非阿贝尔，分数量子霍尔状态。将其应用于nu = 5/2的Moore-Read态，构造了新的显式试探波函数来描述第二朗道能级的分数量子霍尔效应.由此产生的层次结构的状态，再现填充分数的所有观察到的霍尔电导高原在第二朗道水平，其特征在于电子配对的基态和激发光谱，其中包括非阿贝尔的伊辛型的任意子。我们提出这是一个统一的图片，其中p波配对的特点分数量子霍尔效应在第二朗道水平。
2008-09-18 cond-mat.mes-hall
Dependence of the Fractional Quantum Hall Edge Critical Exponent on the Range of Interaction
对A.M.Chang等人，PRL 86，143（2001）的评论。
2001-01-16 cond-mat.mes-hall
Abelian and Non-abelian Hall Liquids and Charge Density Wave: Quantum Number Fractionalization in One and Two Dimensions
以前，我们已经证明，在一个环面上，阿贝尔量子霍尔液体的电荷密度波作为较小的尺寸的环面是变化的。在这项工作中，我们将这一结果推广到非阿贝尔玻色子霍尔态。这些工作的结果是实现了一维（聚乙炔）和二维（分数量子霍尔效应）的量子数分数化的范例实际上是等价的。
2006-08-07 cond-mat.mes-hall
Shot-noise evidence of fractional quasiparticle creation in a local fractional quantum Hall state
我们已经通过实验确定了分数准粒子的创建在隧道过程中通过本地分数量子霍尔（HHH）状态。在整数量子霍尔（IQH）系统中，在量子点接触（QPC）附近的低密度区制备了局域的量子H-H态。散粒噪声的测量揭示了一个明确的过渡，在低偏压下的基本电荷隧穿在高偏压下的分数电荷隧穿。分数散粒噪声与T1（1？T1），其中T1是IQH边缘信道的传输概率。这种二项分布表明分数准粒子从IQH态出现，并通过局部IQH态传输。对这一隧穿过程的研究将使我们能够阐明Laughlin准粒子的动力学行为。
2015-02-20 cond-mat.mes-hall
Microscopic origin of the next generation fractional quantum Hall effect
迄今为止观察到的大多数分数属于序列$ν=n/(2pn\pm 1)$和$ν=1-n/(2pn\pm 1)$，$n$和$p$整数，被理解为熟悉的复合费米子的{ \em积分}量子霍尔效应。然而，这些序列无法容纳许多组分，例如最近在极低温度下的超高迁移率样品中发现的$ν=4/11$和5/13。我们证明了这些“下一代”分数量子霍尔态被精确地描述为复合费米子的{ \em分数}量子霍尔效应。
2004-04-03 cond-mat.mes-hall
Mesoscopic Effects in the Fractional Quantum Hall Regime
量子霍尔流体的边缘态提供了一个机会，研究介观效应在一个高度相关的电子系统，这是实验和理论上易于处理。本文综述了分数量子霍尔效应中持续电流和Aharonov-Bohm磁导振荡的研究进展。
1997-09-05 cond-mat.mes-hall
Chern-Simons Theory of Fractional Quantum Hall Effect in (Pseudo) Massless Dirac Electrons
通过统计规范变换，我们从相互作用的二维（伪）狄拉克电子的微观哈密顿量导出了有效场论。量子化霍尔电导为$σ_{xy}=\frac{e^2}{h}(2k-1)$，其中$k$为任意整数。也有拓扑激发具有分数电荷和服从分数统计。
2011-09-01 cond-mat.mes-hall
Resistivity peak values at transition between fractional quantum Hall states
在分数量子霍尔态之间的过渡的对角电阻率的峰值在文献中的实验数据进行了比较与理论预测。结果发现，大多数的峰值接近理论值的二维系统具有中等的迁移率。
2008-07-19 cond-mat.mes-hall
Mobility gap in fractional quantum Hall liquids: Effects of disorder and layer thickness
研究了有限层厚和关联无序势作用下分数量子霍尔区二维电子气的行为。将陈氏数的计算推广到多体系统，在微观模型下，根据陈氏数的分布确定分数量子霍尔态的迁移率带隙。我们发现实验测量的激活间隙和我们计算的迁移率间隙之间的协议，结合无序势和层厚度的影响。我们澄清了分数量子霍尔态的迁移率带隙和光谱带隙之间的区别，并解释了无序驱动的带隙坍塌以及随后从分数量子霍尔态到绝缘体的跃迁。
2005-05-21 cond-mat.mes-hall
Temperature dependence of the spin polarization in the fractional quantum Hall effects
使用我最近与R. Shankar，我计算了自旋极化对温度的依赖关系，在$ν=1/3$和$ν=2/5$的自旋不变的分数量子霍尔态。我将我的结果与$ν=1/3$的实验进行比较，发现相当好的一致性。
2000-04-19 cond-mat.mes-hall
Fractional Quantum Hall plateaus in mosaic-like conductors
我们报告了一个简单的路线产生磁输运数据，导致分数量子霍尔平台的电导。生成模型的成分是具有整数量子霍尔效应的导电瓦和金属连接体，进一步的基尔霍夫规则。当在马赛克中连接几个相同的瓷砖时，电导值会出现分数阶跃。更丰富的光谱表示几个分数时，发生的瓷砖参数变化。部分模拟数据得到了高磁场中有目的设计的石墨烯镶嵌的支持。研究结果强调，分数电导值的发生，特别是在两端测量，并不一定表明相互作用驱动的物理。我们强调的重要性，一个独立的确定的电荷密度和严格讨论的相似性和差异的分数量子霍尔效应。
2018-05-03 cond-mat.mes-hall
Moiré Assisted Fractional Quantum Hall State Spectroscopy
分数量子霍尔制度中的朗道能级内激发无法通过光学吸收测量获得。我们指出，光学探头是由莫尔图案产生的周期性电位。我们的观察的动机是最近的观察分数量子霍尔不可压缩状态的莫尔图案的石墨烯在六方氮化硼衬底上，并在理论上基于$f-$求和规则的考虑补充的莫尔势对多体状态的影响的微扰分析。
2016-12-10 cond-mat.mes-hall
Charge and current oscillations in Fractional quantum Hall systems with edges
给出了具有边的分数量子霍尔系统的Chern-Simons有效场论在霍尔棒、圆盘和环中的定态解。在无限长的霍尔棒几何形状（非紧凑的情况下），电荷密度被证明是单调的样品内。与此形成鲜明对比的是，空间振荡模式的电荷密度被发现的两个圆形的几何形状，这表明，在系统中具有紧凑的几何形状，电荷和电流也存在远离边缘。
1997-10-29 cond-mat.mes-hall
Scaling flow diagram in the fractional quantum Hall regime of GaAs/AlGaAs heterostructures
本文研究了GaAs/ Al_{x} Ga_{1-x} As异质结中二维电子系统在分数量子霍尔区的温度驱动的霍尔流线和耗散磁导数据（σ xy，σ xx）。最近发展的一个统一标度理论很好地描述了全自旋极化二维电子系统中整数和分数量子霍尔效应的流线，该理论预言一个（σ_{xy}，σ_{xx}）点决定一条完整的流线。
2006-01-10 cond-mat.mes-hall
Testing the Landau Fermi liquid description of the fractional quantum Hall effect
本文从理论上研究了注入或去除复合费米子所产生的分数量子霍尔效应中单个准粒子或准空穴的色散。通过与自由费米子系统的比较，我们估计了朗道-费米子-液体型描述的有效性，并推导出朗道质量。
2001-03-30 cond-mat.mes-hall
Localizing fractional quasiparticles on graphene quantum hall antidots
我们报道了分数量子霍尔准粒子在石墨烯反量子点上的局域化。通过研究量子点上局域QH边缘模的相干隧穿，我们测量到QH准粒子电荷在分数填充$ν= \pm 1/3$时近似为$\pm e/3$。石墨烯中的狄拉克光谱允许大的能量尺度和鲁棒的准粒子局部化对抗热激发。分数阶准粒子在量子氢反点上的局域化能力为实现任意子编织和新型量子电子学带来了很好的机会。
2020-10-22 cond-mat.mes-hall
The Fractional Orbital Chern Hall Effect
分数量子霍尔效应是现代物理学的一个里程碑，它的发现为研究不服从阿贝尔物理的分数电荷铺平了道路。然而，所有的电子束都需要一个外部磁场，以便有分数带电的电子。本文对具有磁性的Kagome晶格中的强相互作用电子进行了理论研究。在最佳条件下，带隙在承载分数费米子的材料表面上打开。这些分数费米子形成复合准电子而不需要外部磁场。这些状态被预测为在不需要外部磁场的情况下托管CNOHE。
2023-03-05 cond-mat.mes-hall
Enhanced thermoelectric response in the fractional quantum Hall effect
研究了填充因子nu=1/m的量子点嵌入量子霍尔棒收缩区的线性热电响应。我们计算了在固定温差下最大效率的优值系数ZT。我们发现一个显着的增强，这个数量在分数填充的整数填充的情况下，这是一个直接的后果，在分数量子霍尔态的电子的分数。我们提出了简单的理论表达式的Onsager系数在低温下，这明确表明，ZT和塞贝克系数增加与m。
2017-11-27 cond-mat.mes-hall
Integer and Fractional Quantum Anomalous Hall Effect in a Strip of Stripes Model
研究了在强电子-电子相互作用下，耦合到零总磁化强度磁织构的条形模型中的量子反常霍尔效应。沿着条纹的螺旋磁化和条纹之间的自旋选择性耦合引起体隙和手性边缘模式。根据磁结构周期与费米波长的比值，系统可以表现出整数或分数量子反常霍尔效应。在分数态，准粒子具有分数电荷和非平凡的阿贝尔辫统计。
2014-12-01 cond-mat.mes-hall
Dephasing due to a fluctuating fractional quantum Hall edge current
研究了分数量子霍尔效应中，置于涨落边缘电流附近的量子点中电子能级的退相速率。使用微扰理论，我们首先表明，这个速率有一个异常的依赖于施加到相邻的量子点接触的偏置电压，因为Luttinger液体物理描述的分数霍尔流体。接下来，我们准确地描述了弱到强的反向散射交叉使用Bethe-Anglands的解决方案。
2007-04-11 cond-mat.mes-hall
Signatures of spin in the n=1/3 Fractional Quantum Hall Effect
在大范围的垂直磁场B作用下，测量了分数量子霍尔态在常数填充n =1/3时的激活能隙Δ.尽管不可压缩的基态的全自旋极化，我们观察到一个尖锐的交叉之间的低场线性依赖性的德尔塔对B与自旋织构激发和库仑行为在大B。从整体的间隙减少，我们得到的分数量子霍尔制度的迁移率边缘的信息。
2005-08-17 cond-mat.mes-hall
Edge State Transport of Separately Contacted Bilayer Systems in the Fractional Quantum Hall Regime
从理论上讨论了双层分数量子霍尔系统的霍尔电阻和对角电阻。双层具有分别附接到每一层的电极。它们被假定为弱耦合层间隧穿，而层间库仑相互作用是可以忽略不计的小。结果表明，电阻的源漏电压依赖性反映了边缘态的Luttinger液体参数。
1999-06-14 cond-mat.mes-hall
Heat equilibration of integer and fractional quantum Hall edge modes in graphene
分数量子霍尔效应的空穴共轭态具有反向传播的边缘通道，其被认为交换电荷和能量。这些交换一直是广泛的理论和实验工作的主题;特别是，目前还不清楚整数量子霍尔边缘通道的存在是否源于完全填充的朗道能级影响沿边缘的热平衡。在这封信中，我们提出了热传输测量量子霍尔态的石墨烯证明，整数通道可以强烈平衡与分数的，导致显着不同的制度的量子化的热传输，取决于边缘静电。我们的研究结果可以更好地理解复杂的边缘物理分数量子霍尔制度。
2022-09-08 cond-mat.mes-hall
Novel Families of Fractional Quantum Hall States : A Berry Phase Approach
本文在Berry相的框架下研究了新观测到的分数量子Hall态族。它已被证明，这种方法包含在一个统一的方式与他们的各种特性的量子霍尔态的整个频谱。新观察到的态可以很好地容纳在初级的一阶态序列中，而不需要像一些作者所建议的那样被认为是第二代的一阶态。
2003-11-04 cond-mat.mes-hall
Three-point density correlation functions in the fractional quantum Hall regime
本文研究分数量子霍尔液体中三粒子密度关联函数。这个目标的研究是由最近的实验研究分数量子霍尔系统使用非弹性光散射和声子吸收技术的动机。注意到关联函数的对称性。一个确切的总和规则推导出这个数量必须遵守。该求和规则用于评估已用于估计此类实验的矩阵元素的卷积近似。PACS编号：73.40.Hm、73.20.Mf、72.10.Di
2000-03-28 cond-mat.mes-hall
Fractional Mutual Statistics on Integer Quantum Hall Edges
分数电荷和统计是低维相互作用系统如分数量子霍尔（QH）系统的标志。双QH系统被认为是无相互作用的，但当它们耦合到另一个相互作用系统或依赖于时间的电压时，它们可以具有分数电荷激发。在这里，我们注意到这样的分数激发和电子之间的阿贝尔分数互统计，并提出了一个设置检测的统计，其中分数激发产生在一个源和注入到马赫-曾德尔干涉仪（MZI）在整数QH制度。在一个参数制度，占主导地位的干涉过程涉及编织，通过双交换，在MZI分束器和分数激发的电子之间。编织导致干涉相移的相位角的相互统计。这种直接观察分数互统计量的建议是在实验范围内的。
2021-11-03 cond-mat.mes-hall
Impurity-induced geometric correlations and fractional quantization in quantum Hall systems
Universidad de Alcalá（阿尔卡拉大学）
本文提出基于杂质诱导相关性的几何机制，解释量子反常态的形成，并揭示杂质几何对反常态稳定性的影响。
2026-05-14 cond-mat.mes-hall
Stability of Fractional Quantum Hall States in Disordered Photonic Systems
在光子系统中实现分数量子霍尔液体的可能性最近引起了人们极大的兴趣。与电子系统不同，光子系统中的相互作用必须由非线性元件设计，因此会受到位置无序的影响。拓扑液体的稳定性依赖于排斥相互作用。在本文中，我们研究分数量子霍尔液体的稳定性主机吸引相互作用的杂质。我们发现，足够强的吸引力的相互作用，这些杂质可以破坏拓扑液体。然而，我们发现，液体是相当强大的这些缺陷，一个事实，这预示着很好的实现拓扑量子霍尔液体在光子系统。
2017-06-12 cond-mat.mes-hall
