对[001]和[110] La $_{2 / 3}$ Sr $_{1 / 3}$ MnO $_{3}$薄膜的角度相关磁电阻研究表明，与类似厚度的[001]取向的La $_{2 / 3}$ Sr $_{1 / 3}$ MnO $_{3}$薄膜相比，[110]薄膜的各向异性能更高。根据多域模型对数据进行了分析，可以看出该模型正确地解释了观察到的行为。
英文摘要：
The angle dependent magnetoresistance study on [001] and [110] La$_{2 / 3}$Sr$_{1 / 3}$MnO$_{3}$ thin films show that the anisotropy energy of [110] films is higher when compared with a [001] oriented La$_{2 / 3}$Sr$_{1 / 3}$MnO$_{3}$ film of similar thickness. The data has been analyzed in the light of multidomain model and it is seen that this model correctly explains the observed behavior.
Colossal enhancement of magnetoresistance in La$_{0.67}$Sr$_{0.33}$MnO$_{3}$ / Pr$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_{3}$ multilayers: reproducing the phase-separation scenario
Colossal magnetoresistance without phase separation: Disorder-induced spin glass state and nanometer scale orbital-charge correlation in half doped manganites
本文研究了高质量$A$位无序（固溶体）$_{0.5}$单晶在自旋玻璃绝缘体与磁阻铁磁金属相界附近的磁学和电学性质。详细分析了Eu $_{0.5}$ Ba $_{0.5}$ MnO $_3$的交流磁化率和X射线漫散射随温度的变化关系。具有小带宽的Ln $_{0.5}$ Ba $_{0.5}$ MnO $_3$晶体中随机势扰动的均匀性产生了均匀的短程电荷/轨道有序，而不是相分离，从而产生了近原子的自旋玻璃态。值得注意的是，这种微观无序的“CE玻璃”状态本身就能够产生巨大的磁阻。
Magnetoresistance studies of $La_{2/3} Sr_{1/3} MnO_3$ - $YBa_2 Cu_3 O_7$ - $La_{2/3} Sr_{1/3} Mn O_3$ trilayers with ferromagnetic coupling along the nodal direction of $YBa_2 Cu_3 O_7$
Magnetization depinning transition, anisotropic magnetoresistance and inplane anisotropy in two polytypes of La$_{2 / 3}$Sr$_{1 / 3}$MnO$_{3}$ epitaxial films
在10 ~ 300 K的温度范围内，测量了La $_{2 / 3}$ Sr $_{1 / 3}$ MnO的[001]和[110]外延膜的等温磁电阻[R（$θ$）]。这些多型体的易磁化轴与Mn-O- Mn键相对于衬底平面上的晶轴的取向以及其中一些轴的能量等效性密切相关。在低场下，[001]和[110]型薄膜的磁化矢量（$\vec{M}$）分别沿[110]和[001]方向钉扎。一个磁化取向相变（MRPT），表现为一个不连续性和滞后$R(ψ)$其中$ψ$是之间的角度$\vec{H}$和易轴的$\vec{H}$低于一个临界值$\vec{H}^*$已建立。在H-T平面上建立了钉扎相和脱钉相的边界。在[110]薄膜中看到的高度稳定的磁化钉扎与其独特定义的易磁化轴有关。两种多型体的$\vec{I} \bot \vec{H}$和$\vec{I} \| \vec{H}$的等温电阻R $_\bot$和R $_\|$分别在所有场（$0 \leq H \leq 3500Oe$）和温度范围（10 K-300 K）下遵循不等式R $_\bot >$ R $_\|$。一个完整的旋转磁阻的分析进行了Döring理论的框架内的单晶样品中的MR。从预测的角度依赖性的强烈偏差被认为是在磁化的不可逆制度。
Collapse of Jahn-Teller Phonons in La$_{1-x}$Sr$_{x}$MnO$_3$ with Weak Magnetoresistance
University of Colorado Boulder（科罗拉多大学博尔德分校）；Oak Ridge National Laboratory（橡树岭国家实验室）；Japan Atomic Energy Agency（日本原子能机构）；High Energy Accelerator Research Organization (KEK)（高能加速器研究机构）；Comprehensive Research Organization for Science and Society（综合科学研究组织）；Karlsruhe Institute of Technology（卡尔斯鲁厄理工学院）
Effect of "dipolar-biasing" on the tunability of tunneling magnetoresistance in transition metal oxide systems
我们在La $_{2/3}$ Sr $_{1/3}$ MnO $_{3}$与CoFe $_{2}$ O $_{4}$的复合物中观察到一种不寻常的隧穿磁电阻（TMR）现象，其中TMR随外加磁场的变化曲线表明了一种“负矫顽场”。追溯其起源到一个“偶极偏置”的La $_{2/3}$ Sr $_{1/3}$ MnO $_{3}$由CoFe $_{2}$ O $_{4}$，我们表明，即使是一个单一的复合材料的TMR可以连续调谐，使电阻峰值或最高灵敏度的TMR可以定位在任何地方的磁场轴与适当的磁历史的样品。TMR的这种前所未有的可调谐性的现象通常应该存在于所有这样的复合材料中。
Asymmetric magnetoresistance in 3$d$-5$d$ based La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_3$/SrIrO$_3$ bilayer: The role of unidirectional anisotropy
Jawaharlal Nehru University（贾瓦哈拉尔·尼赫鲁大学）；Indian Institute of Technology, Hauz Khaz（印度理工学院豪兹卡兹校区）；Special Centre for Nanoscience, Jawaharlal Nehru University（贾瓦哈拉尔·尼赫鲁大学纳米科学特别中心）；UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Indore（印度古物与考古学联合会-原子能部科学研究中心）
Comparative study of magnetic exchange parameters and magnon dispersions in NiO and MnO from first principles
Paul Scherrer Institute（保罗谢勒研究所）；National Centre for Computational Design and Discovery of Novel Materials (MARVEL)（新型材料计算设计与发现国家中心（MARVEL））；Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas (CBPF)（巴西物理研究中心（CBPF））；University of California Berkeley（加州大学伯克利分校）；Lawrence Berkeley National Laboratory（劳伦斯伯克利国家实验室）；École Polytechnique Fédérale de Lausanne（洛桑联邦理工学院）；Dipartimento di Fisica dell’Universitá di Pisa（比萨大学物理系）；Istituto Italiano di Tecnologia（意大利理工大学）；Stanford University（斯坦福大学）；SLAC National Accelerator Laboratory（SLAC国家加速器实验室）
A comparative study of the magnetic and magnetotransport properties between a metallic (x=0.6) and a semiconducting (x=0.2) member of the solid solution LaNixCo1-xO3
Temperature evolution of magnetic phases near the thickness-dependent metal-insulator transition in La$_{1-x}$Sr$_x$MnO$_3$ thin films observed by XMCD
钙钛矿型锰氧化物由于具有庞磁电阻（CMR）和半金属性等优良的物理性质，被认为是自旋电子学的候选材料。然而，当厚度减小到几个单层（ML）时，它们的铁磁（FM）性质在薄膜中经常被抑制。为了研究磁性相如何在顺磁（PM）到FM相变边界附近演化，我们对La $_{1-x}$ Sr $_{x}$ MnO $_3$（LSMO，$x=0.4$）薄膜进行了随温度变化的X射线磁性圆二色性（XMCD）实验，该薄膜的厚度（8 ML）接近FM金属相和PM绝缘相之间的边界。通过利用XMCD的元素选择性，我们已经定量地估计了PM和超顺磁（SPM）相以及FM相作为温度的函数的分数。结果可以合理地描述基于微观相分离模型。
Evidence of electronic phase arrest and glassy ferromagnetic behaviour in (Nd0.4Gd0.3)Sr0.3MnO3 manganite : Comparative study between bulk and nanometric samples
Bias voltage effects on tunneling magnetoresistance in Fe/MgAl${}_2$O${}_4$/Fe(001) junctions: Comparative study with Fe/MgO/Fe(001) junctions
研究了偏压对Fe/MgAl ${}_2$ O ${}_4$ /Fe（001）磁隧道结自旋相关输运性质的影响，并与Fe/MgO/Fe（001）磁隧道结进行了比较.利用非平衡格林函数方法和密度泛函理论计算了两种MTJ的磁电阻比随偏压的变化关系。我们发现，在这两种MTJ，MR比随着偏置电压的增加而减小，并最终在临界偏置电压$V_{\rm c}$处消失。我们还发现，MgAl ${}_2$ O ${}_4$基MTJ的临界偏置电压$V_{\rm c}$明显大于MgO基MTJ的临界偏置电压。由于Fe/MgAl ${}_2$ O ${}_4$ /Fe（001）超晶胞的面内晶格常数是Fe/MgO/Fe（001）超晶胞的面内晶格常数的两倍，因此MgAl ${}_2$ O ${}_4$基MTJ中的Fe电极具有与通过在面内波矢量的布里渊区中折叠MgO基MTJ的Fe能带结构而获得的能带结构相同的能带结构。我们表明，这种差异在Fe能带结构的起源之间的MgAl ${}_2$ O ${}_4$和MgO为基础的MTJ的临界偏置电压$V_{\rm c}$的差异。
