Quantum interference due to crossed Andreev reflection in a d-wave superconductor with two nano-contacts
理论研究了d波超导体和两条量子线组成的混合纳米结构中的交叉Andreev反射。当超导体的（110）取向表面与平行且彼此靠近放置的导线接触时，通过交叉Andreev反射形成Andreev束缚态。在隧道接触的情况下，电导具有远低于间隙结构的两个共振峰。这些峰来自空穴波函数的成键和反键Andreev束缚态。
2006-04-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev reflection in a graphene bipolar transistor
我们研究了由窄超导体连接的两个石墨烯引线之间的交叉Andreev反射。当引线分别为n型和p型时，我们发现电子弹性共隧穿和局部Andreev反射都被消除，即使在没有任何谷同位旋或自旋极化。我们进一步预测对角电导和交叉电导的振荡作为石墨烯-超导体界面之间距离的函数。
2008-03-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Circuit theory for crossed Andreev reflection and nonlocal conductance
非局域电流，在两个正常的金属终端接触到超导体的设备，确定使用介观超导电路理论。除了直接Andreev反射和准粒子隧穿的电导外，我们还计算了与两个正常金属端子之间的交叉Andreev反射和电子转移相关的电导。考虑了失相和邻近效应。
2007-09-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Multiple Andreev reflections in hybrid multiterminal junctions
本文从理论上研究了在不同电压下超导引线的混合多端结中的电荷输运。研究发现，多个超导导线的多次Andreev反射导致电流-电压特性中出现丰富的次谐波带隙结构。的结构证明了在非相干政权的路口数字。
2010-05-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Non-contact Andreev reflection as a direct probe of superconductivity on the atomic scale
提出一种基于隧道结的非接触式安德烈夫反射方法，实现原子尺度超导性的定量检测与成像，并揭示其对自然缺陷的敏感性。
2022-02-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection from non-centrosymmetric superconductors and Majorana bound state generation in half-metallic ferromagnets
本文研究了半金属与超导体界面上的Andreev反射。虽然在半金属中不存在少数载流子使得单线态Andreev反射不可能，但是自旋-轨道相互作用引起三线态Andreev反射，即，多数电子反射到多数空穴中，反之亦然。作为我们计算的一个应用，我们考虑一个薄的半金属膜或导线横向连接到超导接触。如果半金属是无无序的，则激发能隙打开，其与超导体中的自旋-轨道相互作用强度成比例。对于能量低于这个间隙的电子，横向半金属-超导体接触成为完美的三重Andreev反射器。我们表明，该系统支持本地化马约拉纳在此限制的最终状态。
2010-11-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Impurity-assisted Andreev reflection at a spin-active half-metal-superconductor interface
在半金属铁磁体（H）和超导体（S）之间的干净界面处的Andreev反射振幅与激发能$\varepsilon$成比例，并且在$\varepsilon=0$处消失[Béri { \em等人}，物理学\修订版本\ B { \bf 79}，024517（2009）]。在这里，我们表明，杂质的存在下，或在HS接口附近导致有限的Andreev反射振幅在$\varepsilon=0$。这种杂质辅助Andreev反射占主导地位的HS结的低偏置电导和SHS结的约瑟夫森电流在长结限制。
2012-02-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Spin-valley dependent double Andreev reflections in the proximitized graphene/superconductor junction
本研究探究近邻化石墨烯/超导体结的双安德烈夫反射与输运特性，阐明不同自旋-谷指标电子的反射类型及调控条件，提出通过电导谱测定诱导势与自旋轨道耦合的方法，为自旋谷基超导体电子学奠基。
2023-07-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev reflection in diffusive contacts
交叉Andreev反射在多终端结构中的扩散制度内的准经典Keldysh-Usadel形式主义。准粒子的弹性共隧穿和交叉Andreev反射通过正常金属电极中的感应邻近效应产生非局域电流和电压（取决于器件的实际偏置）。发现非局部过程的大小与屏障透明度的平方成比例，并随界面间距呈指数衰减。发现非局域共隧穿和交叉Andreev电导对非局域电流的贡献相等，这与使用正常金属超导异质结构作为纠缠源有关。
2006-11-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Full counting statistics of multiple Andreev reflections
本文导出了在偏压作用下任意透明的超导点接触中透射粒子的全分布。电荷输运主要由多次Andreev反射决定。计数统计量是一个多项分布的过程，其中多个电荷ne（n= 1，2，3，.）都是通过联系人转移的对于零温度，我们得到的解析表达式的多次Andreev反射的概率。从我们的结果可以得到在各种情况下的电流，散粒噪声和高电流累积量。
2003-08-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev Reflections in NbN/graphene Junctions under Large Magnetic Fields
混合超导体/石墨烯（SC/g）结是研究库珀对和量子霍尔（QH）边缘模之间相关性的极好候选材料。实验研究具有挑战性，因为Andreev反射对结无序极其敏感，并且需要高磁场来形成QH边缘状态。我们制作了低电阻SC/g界面，由石墨烯边缘与NbN接触组成，势垒强度为$Z\approx 0.4$，在大于$18$ T的磁场下保持超导。我们建立了零场Andreev反射的石墨烯的狄拉克能带结构的作用，并通过移动镜面反射和逆Andreev反射与平行磁场之间的边界来展示Andreev反射光谱的动态可调谐性。通过施加垂直磁场，我们观察到由于NbN/g界面Andreev过程效率降低，导致$ν= 4$ Landau能级2探针电导的振荡抑制，这与理论预测一致.
2021-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev Reflection in Narrow Ferromagnet/Superconductor Point Contacts
从理论上研究了窄铁磁/超导点接触的Andreev反射。我们表明，电导量子化取决于是否接触区域是超导或铁磁以及在铁磁体的交换场的强度。铁磁接触的Andreev反射比超导接触的Andreev反射更受抑制。我们还发现，如果没有界面散射，电导-电压曲线在零偏置电压有一个隆起。相反，当系统存在界面散射时，电导-电压曲线出现下降。
2001-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev Reflection in Structures Consisting of a Superconductor with Ferromagnetic Leads
本文提出了超导体与两个铁磁引线组成的结构中的交叉Andreev反射理论。由于交叉Andreev反射的电流强烈地依赖于两个铁磁引线的磁化的相对取向。通过考虑铁磁体中波函数之间的干涉，了解了电流和磁阻对两铁磁引线之间距离的依赖关系。电流和磁阻作为交换场和界面势垒高度的函数计算。
2004-10-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
The influence of anti-chiral edge states on Andreev reflection in graphene-superconductor junction
利用紧束缚模型和非平衡格林函数方法，研究了石墨烯-超导体结中的Andreev反射，其中石墨烯有两个能量不等的Dirac锥分裂，因此时间反演对称性被破坏.由于当前石墨烯模型的反手性边缘状态，沿着边缘行进的入射电子对Andreev反射做出明显贡献。在二端器件中，由于Andreev逆反射不允许仅用于反手征边缘，在这种情况下，边缘和体态之间的相互散射是必要的，这导致Andreev逆反射系数总是关于入射能量对称的。然而，在四端结中，边缘平行于超导体和石墨烯的界面，因此在界面处，沿着边缘行进的入射电子可以作为空穴逆反射到体模中，或者作为空穴再次镜面反射到反手性边缘状态中。结果表明，镜面Andreev反射系数与电子入射能量保持对称，这与文献报道的结果一致，但由于反手征边缘态的存在，Andreev逆反射系数表现出意想不到的不对称行为.我们的结果为研究时间反演对称性破缺的石墨烯模型的反手征边缘模和Andreev反射提供了新的思路。
2020-01-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Spin-polarized Specular Andreev Reflections in Altermagnets
本文从理论上证明交变磁体-超导体界面可稳定产生镜面安德烈夫反射，并利用其自旋极化特性设计出兼具库珀对分离与自旋分束功能的器件，以正非局域电导和正噪声交叉关联作为实验判据。
2025-04-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection in layered structures: implications for high T_c grain boundary Josephson junctions
研究了层状各向异性正常金属/超导体（N/S）系统中的Andreev反射，当S中的能隙Δ相对于费米能E_F不可忽略时，因为它可能发生在高临界温度超导体（HTS）中.我们发现，在这些限制的逆反射，这是一个基本特征的Andreev反射，被打破修改敏感的S/N界面的传输。我们讨论了高温超导约瑟夫森结中的超导电流和S-N接触中的中隙态的结果
2000-10-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Multiple Andreev reflections in diffusive SINIS and SIFIS junctions
本文研究了具有低透明界面的长扩散超导体（S）-正常金属（N）-超导体结中的多重Andreev反射。假设在弱连接强热化，我们计算的电流-电压依赖性$I(V)$。在中间温度下，$E_\mathrm{Th}\ll T\llΔ$，电流主要由非相干的多个Andreev反射，并获得解析。结果被推广到铁磁结。我们发现，交换场产生了一个非平凡的分裂的次谐波间隙结构。这种效应依赖于热化，并且在SFS结中消失，而薄弱环节中没有能量弛豫。
2022-09-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Minimal model of point contact Andreev reflection spectroscopy of multiband superconductors
本文建立了正常金属/多带超导体界面点接触Andreev反射光谱的极小模型.该理论将Blonder-Tinkham-Klapwijk（BTK）公式推广到多带超导体，并以量子波导理论为基础。所提出的方法允许的Andreev和正常的反射系数的分析评估，因此是适合于点接触实验的数据拟合。得到的微分电导曲线呈现出独特的功能类似于在实验中测得的多波段系统，如铁基磷属元素和MgB 2。
2014-07-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection and cyclotron motion at superconductor -- normal-metal interfaces
本文研究了在外加磁场中超导体与二维电子系统（2DES）界面处的Andreev反射，使得回旋运动在二维电子系统中起重要作用。有限的塞曼分裂的2DES和超导体中的抗磁屏蔽电流的存在下被纳入Andreev边缘状态，这是基于Bogoliubov-德Gennes形式主义的微观理论。计算了Andreev反射对界面电导的贡献。塞曼分裂的效果是最明显的作为一个双步骤的功能，通过清洁界面的电导。由于屏蔽电流，电导步骤被转移到更大的填充因子，并且Andreev边缘态的形成被抑制在临界填充因子以下。
2005-04-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Perfect crossed Andreev reflection in the proximitized graphene/superconductor/proximitized graphene junctions
本文研究邻近化石墨烯/超导体/邻近化石墨烯结中的交叉安德烈夫反射，发现当两侧石墨烯本征自旋轨道耦合符号相反时，特定自旋-谷电子可实现100%概率的完美交叉安德烈夫反射，为设计高效库珀对分裂器提供依据。
2023-10-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Incomplete Andreev reflection in a clean Superconductor/Ferromagnet/Superconductor junction
本文研究了任意大自旋极化下洁净超导体-铁磁体-超导体结中的约瑟夫森效应。在干净的铁磁体-超导体界面处的Andreev反射是不完整的，并且具有大入射角的Andreev通道随着交换能量的增加而逐渐被抑制。其结果是，临界电流表现出振荡作为交换能和铁磁体的长度的函数，并具有偏离由准经典理论预测的温度依赖性。
2004-05-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection eigenvalue density in mesoscopic conductors
与能量相关的Andreev反射本征值决定了正常超导系统的输运性质。我们评估的本征值密度，以深入了解共振电子空穴传输通道的形成。所开发的电路理论类方法可以应用于任何通用介观导体或其组合。我们提出了实验相关的情况下的扩散线和双隧道结的结果。
2003-12-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflections in the pseudogap state of cuprate supercondcutors
我们提出，如果铜氧化物超导体中的赝能隙态可以用相位非相干的预制对来描述，那么即使在超导转变温度$T_c$以上，也应该存在来自这些对的Andreev反射。在给出这种效果的定性参数后，我们提出了更多的定量计算的基础上Bogoliubov-德Gennes方程。Andreev反射效应的实验观测结果高于$T_c$ -如沿氧化铜平面的间隙下方的增强隧穿电导-可以为赝能隙状态中的预制对提供明确的证据。
2000-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev-Klein reflection in graphene ferromagnet-superconductor junctions
我们发现铁磁（F）和超导（S）石墨烯区域之间的结中的Andreev反射与常见的FS结根本不同。对于交换场$h$大于费米能$E_{\rm F}$的弱掺杂F石墨烯，无质量狄拉克费米子的Andreev反射与Klein隧穿通过两个自旋分裂导带和价带之间的交换场p-n势垒有关.我们发现，这Andreev-Klein过程的结果在增强的亚间隙电导的石墨烯FS结$h$的点，在低电压下的电导$eV\ll Δ$是大于其值为相应的非铁磁结。我们还表明，Andreev反射可以是复古或镜面类型的收敛和发散的方式与反射方向对齐，分别更接近和更远离法线的交界处相比，入射方向。
2008-04-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Interaction-induced Renormalization of Andreev Reflection
本文在散射态的基础上，用标度法分析了一维弱相互作用电子气与超导体之间的电荷输运。我们推导了重整化群方程，它充分考虑了由于Andreev反射的内禀能量依赖性。一个强大的重整化相应的反射相预测，即使是一个完全透明的金属超导体界面。Andreev电导的相互作用引起的抑制被示出对正常状态电阻高度敏感，这为Morpurgo等人的碳纳米管/超导体结的实验提供了可能的解释[Science 286，263（2001）]。
2006-08-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Non local Andreev reflection in a carbon nanotube superconducting quantum interference device
我们研究了一种基于叉状碳纳米管的超导量子干涉器件[J. - P. Cleuziou { \it等人}，Nature Nanotechnology { \bf 1}，53（2006）]，涉及消逝准粒子在与超导相干长度相当的距离上隧穿通过超导体，因此"非局部“过程概括了非局部Andreev反射和弹性共隧穿。非局域过程引起临界电流的减小，并改变电流-相位关系。我们讨论任意的接口兼容性。叉状几何形状的这种设备是用于探测交叉Andreev反射的相位相干性的候选者。
2007-10-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
News from the Adriatico Research Conference on "Superconductivity, Andreev Reflection, and Proximity Effect in Mesoscopic Structures"
关于超导性、Andreev反射和介观结构中的邻近效应的Adriatico研究会议于1997年7月8日至11日在意大利的里雅斯特的国际理论物理中心举行。组织者是Elias Burstein，Leonid Glazman，Teun Klapwijk和Subodh R。谢诺伊我们描述了会议上讨论的一些核心问题，以及新的发展所引发的更多个人思考。
1997-09-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Probing valley filtering effect by Andreev reflection in zigzag graphene nanoribbon
具有锯齿形边缘的石墨烯弹道点接触（BPC）是谷滤波器的主要候选者，其中谷自由度的极化可以通过使用局部栅极电压来选择。在这里，我们建议检测Andreev反射谷滤波效果。由于BPC的最低导带和最高价带中的电子具有相反的手性，经过多次散射和干涉后，带间Andreev反射被强烈抑制。我们通过散射矩阵分析和数值模拟得出了这一结论。得到了Andreev反射随电子入射能量和BPC处局部栅电压的变化关系，由此可以确定理想谷滤波器的参数区域和谷极化方向。Andreev反射随BPC的长度呈现振荡衰减，表明与谷偏振呈负相关。
2017-07-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection in two-dimensional topological insulators with either conserved or broken time-reversal symmetry
本文研究了二维超导异质结中的Andreev反射，该异质结由超导体与具有或破坏时间反演对称性的拓扑绝缘体带接触而形成。这两类拓扑绝缘体都表现出完美的Andreev反射，这对无序是鲁棒的。这被分配给拓扑保护的边缘状态。在时间反演对称的情况下，我们表明，掺杂的磁性杂质抑制一个Andreev通道的带状边缘之一，而没有这样的抑制被认为是在对称性破缺的情况。基于这一观察，我们建议一个桌面传输实验能够区分这两种类型的拓扑绝缘体，它不涉及直接测量的材料能带结构。
2012-07-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection in Si-engineered Al/InGaAs hybrid junctions
用分子束外延方法在GaAs（001）衬底上生长Al/n-In 0. 38 Ga 0. 62 As超导-半导体结，研究了Andreev反射主导的输运。通过利用Si界面双层来抑制本征肖特基势垒，在低掺杂器件中实现了高结透明度。有人认为，这种技术是理想的适合于制造的弹道输运混合微结构。
1998-11-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Perfect Andreev Reflection of Helical Edge Modes in InAs/GaSb Quantum Wells
本文对InAs/GaSb复合量子阱在杂化状态下与超导电极接触的实验研究进行了综述。前栅极用于将费米能级改变到微隙中，最近的实验表明存在螺旋边缘模式[arXiv：1105.0137]。零偏置下降的微分电阻，观察整个迷你间隙，这表明运输占主导地位的Andreev反射过程。微间隙微分电阻与外加偏压以及测得的微间隙150 nA的过量电流的演变与螺旋边缘模式的完美Andreev反射的预测是一致的，这是必要的背散射通道的情况下。完美的Andreev反射发生在尽管在界面上的有限障碍，并显示出强烈的敏感性，时间反演打破量子自旋霍尔边缘的螺旋性质的标志。
2011-06-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Charge Imbalance and Crossed Andreev reflection in Py/Ta Devices
横向自旋阀几何结构器件中的交叉Andreev反射是最近相当感兴趣的一个方面，特别是关于库珀对分裂实验以实现固态量子纠缠。在这项工作中，设备制造的两个铁磁坡莫合金（Py）电极接触的覆盖垂直的超导钽电极，可变的横向面内偏移的预期BCS超导相干长度$ξ_0$。实验电输运测量的本地和非本地的导电，显示的非本地或交叉Andreev反射的超导态在低温下除了非本地效应发散T $\rightarrow$ T $_c$归因于非本地电荷不平衡的特性。
2012-03-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Disorder in Andreev reflection of a quantum Hall edge
本文发展了一种理论，研究脏超导体邻近化的量子霍尔边缘的电荷输运，发现无序使安德烈夫反射随机化，长段电导平均为零，并给出了电导统计分布及其对密度、磁场和温度的依赖。
2022-01-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev Reflection in Strong Magnetic Fields
本文研究了平行于超导体-正常金属界面外加强磁场时准粒子的Andreev反射和回旋运动的相互作用。束缚态的形成是由于外部磁场和超导能隙引入的限制。这些束缚态是电子和空穴边缘激发的相干叠加，类似于在有限量子霍尔样品中实现的那些。我们找到这些Andreev边缘状态的能谱，并计算输运性质。
1999-12-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Phenomenology of Andreev reflection from first-principles transport theory
利用扩展的Blonder-Tinkham-Klapwijk模型结合基于密度泛函理论的输运计算，研究了正常金属-超导体结中的Andreev反射.从一个参数的基本电子结构的描述，我们进行了详细的调查正常的金属超导体结，超导体和正常金属之间的分离是不同的。结果解释的横向动量分辨计算，这使我们能够检查所产生的贡献从不同地区的布里渊区。此外，我们还研究了偏压对正常金属-超导体电导谱的影响。最后，我们考虑Andreev反射夹在正常和超导电极之间的碳纳米管。
2014-10-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev Reflection in Ferromagnet/Superconductor/Ferromagnet Double Junction Systems
本文提出了铁磁/超导/铁磁双结系统中Andreev反射的理论。自旋极化准粒子通过Andreev反射在距界面的穿透深度范围内穿透到超导体。当超导体的厚度与穿透深度相当或小于穿透深度时，自旋极化准粒子穿过超导体，因此电流取决于铁磁体磁化的相对取向。分析了磁电阻与超导体厚度、温度、铁磁体交换场和界面势垒高度的关系。我们的理论很好地解释了最近的实验结果。
2002-10-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection measurements in nanostructures with amorphous WC$_x$ superconducting contacts
本文介绍了Co/和Cu/碳化钨（WC $_x$）触点的点接触Andreev反射测量。金属薄膜图案化的电子束光刻和剥离，碳化钨超导尖端直接生长在预图案化的样品上的金属有机蒸气（六羰基钨）的分解下的聚焦Ga $^+$ -离子束（FIB）。作为温度和磁场的函数的电流-电压测量清楚地显示了Andreev反射的特征。在Blonder-Tinkham-Klapwijk理论内分析了实验电导-电压曲线。结果突出的可能性，优点和缺点，使用FIB生产的非晶WC $_x$提示点接触光谱在金属纳米结构。
2009-12-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Direct observation of ballistic Andreev reflection
本文综述了Andreev反射过程控制的非均匀超导系统中的弹道电输运实验。最初的实验基于正常相和超导相在中间态的共存，导致了这个概念本身。随后，重点关注了几何非均匀系统，如点接触，这提供了一个非常清晰的表现形式的能量和方向依赖的安德烈耶夫反射过程。近年来，通过使用机械断开结，点接触已经朝着原子尺度发展，以非常详细的方式揭示了Andreev反射对超导态宏观相位的依赖性。在目前的研究中，超导不均匀性是通过洁净室技术构建的，并将超导材料与例如低维材料和拓扑绝缘体相结合。或者，超导体与纳米物体组合，例如石墨烯、碳纳米管或半导体纳米线。这些“非均匀系统”中的每一个都提供了一系列非常有趣的性质，所有这些都植根于Andreev反射的某种表现。
2014-08-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Anisotropic angle-dependent Andreev reflection at the ferromagnet/superconductor junction on the surface of topological insulators
我们从理论上证明了当面内磁化强度有一个垂直于铁磁/超导结的分量时，三维拓扑绝缘体（3D TI）表面的铁磁/超导结具有各向异性的角度依赖Andreev反射.在存在面内磁化时，狄拉克锥的位置在$k$空间中调整，而其面外分量引起间隙。这种运动导致各向异性的角度依赖的Andreev反射，并创建平行于界面的横向电导流。此外，在结中引入间接能隙，这消除了Majorana束缚态的输运特征。由于狄拉克费米子在3DTI表面上的完全自旋动量锁定，一个称为\textit{Andreev Transfer Torque}（ATT）的扭矩施加在结上。此外，我们提出了一个设置来检测它们的实验。
2023-01-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Experimental Evidence for Crossed Andreev Reflection
我们报道了介观超导铁磁自旋阀结构的电子输运性质。两个铁磁性铁引线形成到超导铝导线的平面隧道接触，其中两个接触的距离为铝的相干长度的数量级。我们观察到一个负的非局部电阻，这可以通过交叉Andreev反射来解释，这是一个过程，从其中一个引线入射的电子被反射为一个空穴进入另一个引线，从而产生一对空间分离的纠缠粒子。
2005-12-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Experimental observation of bias-dependent non-local Andreev reflection
我们调查运输通过混合结构组成的两个正常的金属导线通过隧道势垒连接到一个共同的超导电极。我们发现明确的证据时，通过超导体的隧道势垒的分离是可比的超导相干长度的非本地Andreev反射和弹性共隧穿的发生。这两个过程的概率是能量依赖的，与弹性cotunneling在低能量和非本地Andreev反射在较高的能量占主导地位。交叉的能量尺度是超导体的无扰能量，这表明了过程的相位相干性。我们的研究结果是相关的实现最近提出的纠缠器设备。
2005-05-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev and normal reflections in gapped bilayer graphene-superconductor junctions
本研究通过散射理论和BTK形式主义，分析了带隙双层石墨烯-超导体结中的安德烈夫与正常反射，发现位移场调控反射类型，并首次预测正常逆行反射的可实验验证特征。
2023-11-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Tunneling Current Measurement Scheme to Detect Majorana Zero Mode Induced Crossed Andreev Reflection
提出了一种通过直接测量隧道电流来探测Majorana零模引起的交叉Andreev反射的方案。在该方案中，利用金属环结构来分离电子和空穴信号。由于隧穿电子和空穴具有不同的传播波矢，因此它们在环中相长相干的条件不同。我们发现，当穿过环的磁通量变化时，可以观察到幅度几乎相等的相邻正电流峰和负电流峰。
2018-03-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection in Euler materials
本研究通过简单模型分析欧拉材料中安德烈耶夫反射，发现反射系数和微分电导强烈依赖绕数奇偶性，为实验探测欧拉拓扑提供可能途径。
2023-02-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Cooling electrons by magnetic-field tuning of Andreev reflection
提出了一种基于磁场驱动可调谐抑制超导体/二维电子气纳米结构Andreev反射的固态冷却原理。这种冷却机制可以导致每个通道的热通量非常大，比目前超导隧道结所实现的热通量大10^4倍。这种功效及其在二维电子系统中的可用性使得这种方法对于在低温下操作的量子纳米结构的实现特别相关。
2006-11-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Superconducting Proximity Effect in Silicene: Spin-Valley Polarized Andreev Reflection, Non-Local Transport, and Supercurrent
我们从理论上研究了硅烯中的超导邻近效应，其中具有质量可调的狄拉克费米子（带隙），并计算了正常/超导（N/S）硅烯结的电导，N/S/N结的非局域电导以及S/N/S结中的超导电流.结果表明，由于硅烯的屈曲结构，通过外加电场可以有效地控制由局域和非局域Andreev反射组成的输运过程.特别是，我们证明，它是可能的，以获得一个完全的自旋谷极化交叉Andreev反射过程中没有任何污染的弹性cotunneling或本地Andreev反射，在形成鲜明对比的普通金属。研究还表明，S/N/S结中的超导电流可以完全自旋谷极化，并且可以通过外加电场进行控制。
2013-07-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection versus Coulomb blockade in hybrid semiconductor nanowire devices
半导体纳米线为研究量子输运现象和超导电性提供了一个很有前途的低维系统。在这里，我们调查之间的竞争库仑阻塞效应，Andreev反射，和量子干涉，在InAs和InP纳米线连接到铝基超导电极。我们比较了三种极限情况下，根据隧道耦合强度和特征库仑相互作用能。对于弱耦合和大的充电能量，观察到负微分电导作为一个直接后果的BCS态密度的铅。对于中等耦合和小于超导能隙的充电能量，电流-电压特性由Andreev反射控制，库仑阻塞仅在零偏压附近产生影响。对于几乎理想的接触coherencies和可忽略不计的充电能量，我们观察到普遍的电导波动，其幅度增强由于Andreev反射在接触。
2008-05-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Enhanced triplet Andreev reflection off a domain wall in a lateral geometry
我们发现，三重Andreev反射振幅之间的界面处的半金属和s波超导体在畴壁的存在下显着增强，如果半金属是一个薄膜，而不是一个扩展的磁铁。该增强是通过因子$l_{\rm d}/d$，其中$l_{\rm d}$是畴壁的宽度，而$d$是膜厚度。我们的结论是，在一个横向的几何形状，畴壁可以是一个有效的三重态邻近效应的来源。
2009-04-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Control of Andreev Reflection via a Single-Molecule Orbital
Institut für Physik, Technische Universität Ilmenau（伊尔梅瑙工业大学物理研究所）；Department of Applied Physics, Aalto University（阿尔托大学应用物理系）
研究在扫描隧道显微镜中由正常金属尖端、酞菁和常规超导体构成的单分子结中，电荷传输随真空间隙逐渐闭合的变化，发现靠近费米能的分子轨道对安德烈夫反射至关重要。
2025-04-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev reflection-induced magnetoresistance
我们表明，非常大的负磁阻可以得到在磁三层在电流平面几何由于交叉Andreev反射的存在。这种自旋阀由一层薄的超导薄膜夹在两个铁磁层之间组成，铁磁层的磁化可以是顺磁或反磁排列的。对于合适的结构参数和几乎完全自旋极化的铁磁体的选择，磁阻可以超过~ 80%。我们的研究结果是相关的自旋电子器件利用铁磁超导结构的设计和实施。
2006-10-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Geometric phases and Andreev reflection in hybrid rings
本文研究了具有冠状磁织构的混合介观环的Andreev反射。通过计算线性响应电导作为塞曼分裂和通过环的磁通量的函数，我们能够识别在运输过程中由电子获得的Berry相位的签名。这被提出作为一种新的检测方案的自旋相关的Berry相位，具有较大的信号对比度和鲁棒性对合奏平均的优点。
2005-08-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Specular Andreev reflection at the edge of an InAs/GaSb double quantum well with band inversion
实验研究了在InAs/GaSb双量子阱中实现的铌超导体与二维台面边缘之间的侧面结的能带反转输运。我们证明，不同的运输制度可以通过改变台面步骤。我们观察到的Andreev反射在一个有限的低偏置间隔，这是不变的两个运输制度的异常行为。我们将这种行为与带反转的InAs/GaSb双量子阱中的Andreev反射通道从反向（在低偏压下）到镜面（在高偏压下）的转变联系起来。
2016-05-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Shot noise and Coulomb blockade of Andreev reflection
本文导出了正常（N）和超导（S）磁库间短相干导体的低能有效作用量。我们评估了$δG$到Andreev电导的相互作用校正，并证明了NS系统中库仑效应和散粒噪声之间的密切关系。在扩散极限中，载流子的散粒噪声功率和电荷都加倍，产生比正常情况大四倍的$|δG|$。我们的预测可以在未来的实验中直接测试。
2009-07-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Positive current cross-correlations in a highly transparent normal-superconducting beam splitter due to synchronized Andreev and inverse Andreev reflections
建立了对称偏置三端正常金属-超导体-正常金属（NSN）器件中线性微分电流-电流互相关dSab/dV的预测。高度透明的接触变得特别有趣，因为它们具有正的dSab/dV。在高透明度下，基于交叉Andreev反射（CAR）的过程对电流和dSab/dV的贡献可以忽略不计。在这种情况下，电流-电流的互相关可以解释为两个NS界面之间的相干耦合，其形式为同步Andreev反射和逆Andreev反射，对应于一对类电子准粒子和一对类空穴准粒子从正常电极到达超导体并在超导体中湮灭的过程。因此，正的dSab/dV并不自动意味着CAR。对于隧道接触，由于CAR，dSab/dV为正。在这两个极端之间，在中间的振幅，dSab/dV是负的，因为导致正相关的两个过程，只发生在小幅度。我们使用散射理论来获得电流和噪声的解析表达式，并使用紧束缚模型进行微观计算，以获得对物理过程的清晰解释。
2010-06-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
