半导体中的金属-绝缘体转变
The metal-insulator transition in semiconductors
摘要：
在考虑带隙温度依赖性的情况下，得到了半导体中元激发数密度的温度依赖性。讨论了晶畴内的局部晶格畸变。
英文摘要：
The temperature dependence of the number density of elementary excitations in a semiconductor with account for the temperature dependence of the band gap is obtained. A local lattice distortion within a crystalline domain is discussed.
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