Theory of Linear Magnetoresistance in a Strange Metal
University of California, Berkeley（加州大学伯克利分校）；University of Illinois Urbana-Champaign（伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校）；Carnegie Mellon University（卡内基梅隆大学）
研究非常金属中线性磁电阻现象，通过构建并求解最小微观模型，解释近量子临界点对输运异常的影响，揭示输运弛豫率与磁电阻的标度行为。
2026-04-07 cond-mat.str-el
Linear magnetoresistance with a universal energy scale in a strong-coupling superconductor
最近发现的非饱和线性磁阻在几个相关电子系统的量子临界点附近，揭示了一个有趣的相互作用之间的线性磁阻和零场线性温度电阻率。这些研究表明量子临界性对所观察到的线性磁电阻的可能作用。在这里，我们报告了我们发现的非饱和，线性磁电阻在Mo $_8$ Ga $_{41}$，一个几乎各向同性的强电子-声子耦合超导体与线性的温度电阻率从转变温度到$\sim$ 55 K。如果两个量都用能量单位来测量，那么电阻率在电场中的增长与在温度中的增长是相当的。我们的数据集是非常相似的磁阻数据的最佳掺杂的La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$，尽管明显不同的晶体和电子结构，和明显缺乏量子临界物理在Mo $_8$ Ga $_{41}$。提出了一个新的经验标度公式，该公式能够反映Mo $_8$ Ga $_{41}$以及La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的低温磁电阻数据的关键特征。
2020-10-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Colossal magnetoresistance in manganites as a multicritical phenomenon
本文从多临界现象的观点研究了锰氧化物AMnO_3的庞磁电阻效应。为了理解复杂的相互作用的各个阶段，我们研究了金-朗道理论的平均场近似和重整化群分析，与观察到的相图进行比较。几个新的功能，如一阶铁磁转变，并在多临界点附近的转变温度下降，可以理解为驱动的多临界点附近的增强波动。此外，我们还得到了H/M-M^2图（Arrott图）的普适标度关系，它与实验数据吻合得很好，为涨落增强提供了进一步的证据。
2002-08-30 cond-mat.str-el
Critical fields and fluctuations determined from specific heat and magnetoresistance in the same nanogram SmFeAs(O,F) single crystal
通过比热和磁阻的直接比较，我们批判性地评估超导涨落的性质在同一纳克晶体SmFeAs（O，F）。我们表明，虽然超导波动的电导率尺度以及在2D-LLL计划的预测对比固有的三维性质的SmFeAs（O，F）在附近T_{c}。此外，在比热中观察到的转变不能通过LLL或XY标度令人满意地描述。此外，通过比较由熵守恒构造（Hab=-19.5T/K和Hab=-2.9T/K）得到的Hc 2值，我们还验证了涨落对电导率贡献的分析是估算Hc 2斜率的合理方法。
2017-09-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Normal-state Hall Angle and Magnetoresistance in quasi-2D Heavy Fermion CeCoIn_5 near a Quantum Critical Point
测量了准二维重费米子超导体CeCoIn_5的正常态霍尔效应和磁阻。在非费米液体区，电阻率rho_xx呈现出几乎完美的T-线性关系，霍尔角随cot θ_H propto T^2而变化，并且MR显示出强烈的科勒规则的违反。我们证明了磁电阻和霍尔电导率之间的一种新的关系，即Δ rho_xx/rho_xx propto（sigma_xy rho_xx）^[2]。这些结果与高T_c铜氧化物的正常态性质具有惊人的相似性，表明在量子临界点附近存在准二维反铁磁涨落时具有普适的输运性质。
2003-05-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetization plateau and anisotropic magnetoresistance in the frustrated Kondo-lattice compound Ce3ScBi5
Northeastern University（东北大学）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）；Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；Southern University of Science and Technology（南方科技大学）；Songshan Lake Materials Laboratory（松山湖材料实验室）
本文合成了受挫结构的Ce₃ScBi₅单晶，发现其在低温下有两个反铁磁转变，垂直c轴磁场下存在磁化平台间的变磁转变及各向异性磁电阻，构建了温场相图，为研究受挫近藤晶格中的奇异量子态提供了平台。
2025-11-12 cond-mat.str-el
Quantum Oscillations, Colossal Magnetoresistance and Magnetoelastic Interaction in Bilayered Ca3Ru2O7
本文报道了Ca_3Ru_2O_7在高磁场和低温下的磁性和面间输运性质。Ca_3Ru_2O_7是一种具有双层正交结构的Mott型体系，其带隙很窄，约为0.1eV。在本研究揭示的一系列不寻常的物理现象中，有几个特别有趣：（1）在金属-非金属转变TMI（=48 K）时c轴晶格参数的坍缩，以及沿c轴施加低单轴压力时TMI的快速增加：（2）在20 mK<T<6.5 K时带隙非金属态的量子振荡;（3）隧穿庞磁电阻，其产生高达三个数量级的电阻率的沉淀下降;（4）庞磁电阻和磁化的不同面内各向异性。所有的结果似乎表明一个高度各向异性的基态和晶格和磁性之间的耦合的关键作用。这些现象的含义进行了讨论。
2003-04-17 cond-mat.str-el
Anomalous Parallel Field Negative Magnetoresistance in Ultrathin Films Near the Superconductor-Insulator Transition
在厚度调谐的超导体-绝缘体转变附近，在非晶铋的猝灭凝聚的超导薄膜中发现了平行场负磁电阻。这种效应似乎是与量子临界点相关的序参量的量子涨落的特征。
2004-08-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Coexistence of orbital and quantum critical magnetoresistance in FeSe$_{1-x}$S$_{x}$
最近在铁硫族化合物FeSe $_{1-x}$ S $_{x}$中发现了一个非磁性的量子临界点（QCP），这一发现为孤立地研究向列性对相关金属电子性质的作用提供了前景。在这里，我们报告了一系列的S浓度的FeSe $_{1-x}$ S $_{x}$中的正常态横向磁阻（MR）的详细研究，跨越的QCP。对于所有的温度和\textit{x} -值的研究，MR可以被分解成两个不同的组件：一个是二次变化的磁场强度$μ_{0}\textit{H}$和一个以下的正交标度形式最近报道的金属或接近QCP，其特征在于一个\textit{H} -线性MR在一个扩展的字段范围。这两个组件演变系统与温度和S-取代的方式，这是由他们接近的CNOF-QCP。因此，这项研究明确地揭示了在量子临界系统中两个独立的电荷扇区的共存。此外，量子临界组分的MR被发现是不太敏感的无序比二次（轨道）MR，这表明后者在以前的MR研究的金属附近的QCP可能已被掩盖。
2019-03-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Intervalley Tunneling and Crossover from the Positive to Negative Interlayer Magnetoresistance in Quasi-Two-Dimensional Dirac Fermion System with or without Mass Gap
本文从理论上研究了准二维狄拉克费米子系统中的层间磁电阻效应，其中费米子能量位于狄拉克点。如果存在与狄拉克费米子层中的波函数重叠的中间绝缘层，则由于谷间隧道效应而出现正磁电阻区域。我们发现，层间磁电阻可以用来判断狄拉克费米子是否有质量，从层间磁电阻的最小值。作为一个特殊的体系，我们考虑高压下的\alphaI。我们还讨论了在分析从正磁阻到负磁阻的交叉温度时必须小心。一个简单的图片是适用于交叉在零温度限制，但它不适用于数据在有限的温度。我们表明，费米速度的散射率的比率从零温度极限的交叉温度进行评估。
2021-09-29 cond-mat.str-el
Magnetoresistance Anomalies in Ce-based Heavy Fermion Compounds
本文报道了重费米子化合物CeAl_2、CeAl_3、CeCu_6和置换型固溶体CeCu_6-xAux（x=0.1和0.2）及Ce（Al_（0.95）M_（0.05））_2（M-Co，Ni）的磁电阻测量结果。该研究在宽范围的温度（1.8- 30 K）和磁场（高达80 kOe）下进行。数据分析表明，通过K.Yosida（Phys.Rev.，107，396（1957）），其考虑了在金属基体中的局部磁矩上的电荷载流子散射。在这种方法中，局部磁化率hiloc（H，T0）=（1/H d（dr/r）/dH）1/2直接根据磁电阻数据dr/r=f（H，T0）估计。因此，在Ce基磁性金属间化合物的磁阻的两个额外的贡献已经建立和分类。该程序允许确定的特点，磁相图，以及揭示电子态密度重整化效应的量子临界点附近的一个广泛的原型Ce基系统与强电子关联。
2005-11-24 cond-mat.str-el
Spin-orbit-derived giant magnetoresistance in a layered magnetic semiconductor AgCrSe2
二维磁性材料由于其独特的功能，如磁相的电场控制和反常自旋霍尔效应，最近引起了极大的兴趣。对于这些非凡的功能，自旋轨道耦合（SOC）是必不可少的成分。在这里，我们报告了一个巨大的正磁电阻在层状磁性半导体AgCrSe 2，这是一个微妙的组合的SOC和塞曼型自旋分裂的表现。当载流子浓度接近临界值2.5 \times 10^18 cm^-3时，在施加垂直于导电层的磁场时，会出现约400%的相当大的正磁阻。基于磁Seebeck效应和第一性原理计算，非常规磁电阻的产生是由于SOC诱导的J = 3/2态的有效载流子质量增加，通过p-d耦合增强的塞曼分裂将其调谐到费米能级。这项研究展示了二维磁性半导体中SOC衍生的磁输运的一个新方面，为新的自旋电子功能铺平了道路。
2022-05-30 cond-mat.str-el
Magnetoresistance in the helical itinerant magnets MnSi and Mn$_{1-x}$Co$_x$Si
P. N. Lebedev Physical Institute（P. N. 列别捷夫物理研究所）；Institut für Physik der Kondensierten Materie, Technische Universität Braunschweig（布伦瑞克工业大学凝聚态物质物理研究所）
研究发现MnSi和Mn$_{1-x}$Co$_x$Si在不同温度下表现出独特的磁阻特性，揭示了磁场对自旋涨落的抑制作用及量子临界行为。
2026-02-28 cond-mat.str-el
Anisotropy of Magnetoresistance Hysteresis around the $ν=2/3$ Quantum Hall State in Tilted Magnetic Field
我们提出了在倾斜磁场中，在朗道能级填充因子$ν=2/3$处自旋跃迁点附近的滞后输运的各向异性。当磁场$B_{\parallel}$的面内分量的方向垂直于探测电流$I$时，由于电流诱导的核自旋极化而发生强滞后输运。另一方面，当$B_{\parallel}$平行于$I$时，滞后几乎消失。我们还证明了在转变点处的核自旋-晶格弛豫速率$T_{1}^{-1}$随着$B_{\parallel}$和$I$方向之间的角度的减小而增加。这些结果表明，$ν=2/3$周围的电子自旋畴的形态受到电流方向的影响。
2010-10-10 cond-mat.str-el
Fourfold Anisotropic Magnetoresistance and Unconventional Critical Exponents in Twinned FePd$_2$Te$_2$
本文通过电输运和磁性测量揭示孪晶对范德华铁磁体FePd$_2$Te$_2$的影响，发现其四重各向异性磁电阻源于孪晶界反铁磁耦合与垂直Fe链的赝四重对称性，并观测到无法归入现有普适类的非常规临界指数。
2024-11-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous Magnetoresistance in Centrosymmetric Skyrmion-Lattice Magnet Gd2PdSi3
我们进行了系统的研究的温度和磁场的磁化强度和电阻率的Gd2PdSi 3，这是一个中心对称的skyrmion晶体的依赖性。虽然磁化行为是一致的报告的相图的基础上的磁化率，我们表明，相图也可以构建的基础上的异常磁阻与一一对应的所有功能。此外，还确定了进入场致铁磁态的交叉边界。我们的研究结果表明，铁磁自旋涨落以上的内尔温度起着关键作用，在高灵敏度的电阻率异常磁场，指向丰富的相互作用，在零和有限波矢量下的skyrmion晶格在这个挫折巡回磁铁不同的磁关联。
2020-04-20 cond-mat.str-el
Orbital Order, Metal Insulator Transition, and Magnetoresistance-Effect in the two-orbital Hubbard model
利用动力学平均场论研究了温度和磁场对双轨道哈伯德模型的影响。我们重点讨论四分之一填充系统，这是一个特殊的点，在相图中，由于轨道简并。在这个特定的填充模型表现出两种不同的长程序机制，即轨道顺序和铁磁性。两者可以合作，但不依赖于彼此的存在，从而创建丰富的相图。特别地，在附近的相变的轨道有序的铁磁状态，我们观察到一个强大的磁阻效应。除了低温相变，我们还观察到一个顺磁绝缘和顺磁金属状态之间的交叉，增加洪德耦合在高温下。
2011-03-28 cond-mat.str-el
Quantum transport of two-dimensional Dirac fermions in SrMnBi2
本文报道了SrMnBi $_2$单晶的二维量子输运。由于狄拉克费米子都处于量子极限的最低朗道能级，线性能量色散导致了不寻常的非饱和线性磁电阻。横向磁电阻在临界场$B^*$处表现出从半经典弱场$B^2$依赖性到高场线性场依赖性的交叉。随着温度的升高，临界场$B^*$增大，并且$B^*$的温度依赖性满足二次曲线，这归因于线性能量色散的朗道能级分裂.导出了有效磁阻迁移率$μ_{MR}\sim 3400$ cm $^2$ /Vs。角相关的磁阻和量子振荡建议占主导地位的二维（2D）费米表面。我们的研究结果说明了SrMnBi $_2$中占主导地位的二维狄拉克费米子态，并意味着具有Bi方网的大块晶体可用于研究常见于石墨烯等二维材料中的低维电子输运。
2012-04-04 cond-mat.str-el
Two dimensional Dirac fermions and quantum magnetoresistance in CaMnBi$_2$
本文报道了CaMnBi单晶$_2$中的二维狄拉克费米子和量子磁电阻。非零的Berry相位、小的回旋共振质量和第一性原理能带结构表明了Bi方网中Dirac费米子的存在。由于狄拉克费米子的量子极限，面内横向磁电阻在临界场$B^*$处表现出从半经典弱场$B^2$依赖性到高场不饱和线性磁电阻（$\sim 120%$，9 T，2 K）的交叉. $B^*$的温度依赖性满足二次行为，这归因于高场下线性能量色散的分裂。我们的结果证明了二维狄拉克费米子在具有Bi方网的CaMnBi $_2$中的存在性.
2012-04-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
$H$-linear magnetoresistance in NbSe$_2$ due to impeded cyclotron motion
Radboud University（拉德堡德大学）；H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol（布里斯托大学H.H.威尔斯物理实验室）；University of Amsterdam（阿姆斯特丹大学）
研究了杂质对2$H$-NbSe$_2$磁电阻的影响，发现其与玻尔兹曼传输分析中的受阻磁旋运动一致，解释了线性磁电阻及CDW态中量子振荡缺失的现象。
2026-05-12 cond-mat.str-el
Magnetoresistance From Quantum Interference Effects in Ferromagnets
最大化读/写头的灵敏度以及因此最大化磁存储设备的信息密度的期望已经对磁性材料的磁阻（MR）产生了强烈的兴趣。最近的发现包括锰氧化物的“巨大”MR 1 -4和低载流子密度铁磁体的增强MR 4 -6。在迄今为止研究的低载流子密度系统以及锰氧化物中，一个关键特征是导电是由于与负责磁性的局部电子不同的电子组。在这里，我们提出了一个机制，铁磁MR起源于量子干涉效应，而不是简单的散射。这种新的机制在无序的低载流子密度磁体中获得，其中磁性和导电是由于相同的电子。这里的MR是积极的，只有弱的温度依赖低于居里点。这与当传导电子和局部矩可以分开处理时所看到的MR非常不同，在这种情况下，MR是负的并且在居里点处强烈地达到峰值。
2000-05-31 cond-mat.str-el
Magnetoresistance evidence on surface state and field-dependent bulk gap in Kondo insulator SmB6
近藤绝缘体SmB 6的低温电阻饱和现象是凝聚态物理的一个长期难题，最近有人提出这一现象源于拓扑表面态。在这里，我们系统地研究了SmB6的磁阻在低温下高达55特斯拉。温度和角度相关的磁阻显示出类似的交叉行为低于5 K。不同晶面上的角相关磁电阻证实了二维表面态是5K以下磁电阻交叉的起源。基于由表面态和体态组成的双通道模型，从不同磁场下的温度相关电阻中提取了临界磁场为196 T的体带隙的场依赖性.我们的结果给出了一个一致的图片，以了解在SmB6的低温输运行为，符合拓扑近藤绝缘体的情况。
2015-03-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic magnetoresistance in spin-orbit semimetal SrIrO3
SrIrO 3是Ruddlesden-Popper虹彩酸盐的三维成员，是一种顺磁性半金属，其特征在于自旋轨道耦合和库仑排斥之间的微妙相互作用。本文研究了SrIrO_3薄膜的各向异性磁电阻（AMR），它与自旋轨道耦合密切相关，并探讨了电子输运、磁有序和轨道态之间的相关性。我们发现，低温负磁电阻是各向异性的磁场方向，其角度依赖性揭示了一个四重对称组件以上的临界磁场的外观。我们发现，这AMR组件是磁晶起源，并归因于所观察到的转变场诱导的SrIrO 3的磁状态。
2020-01-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quasilinear quantum magnetoresistance in pressure-induced nonsymmorphic superconductor CrAs
在传统金属中，电子轨迹在磁场下的改变会产生在低场下呈二次变化的磁电阻，然后在高场下费米表面上的闭合轨道饱和。偏离传统的行为，例如观察到的线性磁阻，或非饱和磁阻，已被归因于外来电子散射机制。近年来，在电子-电子关联相对较弱的狄拉克材料中观察到了线性磁电阻效应。强关联螺旋磁CrAs在压力下发生量子相变，成为超导体.在磁不稳定性附近，我们观察到一个大的和非饱和的准线性磁电阻从上临界场到14 T在低温下。我们表明，准线性磁电阻产生于一个复杂的相互作用之间的非平凡带交叉保护的非对称晶体对称性和强磁场波动
2016-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance scaling, disorder, `hot spots' and the origin of $T$-linear resistivity in BaFe$_2$(As$_{1-x}$P$_x$)$_2$
测量了欠掺杂（x = 0.19）和最佳掺杂（x=0.31）~BaFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$的线性磁电阻随磁场和温度的变化。我们分析的数据的基础上的轨道模型中存在的强各向异性准粒子谱和散射时间，由于反铁磁性。的磁阻是占主导地位的费米表面称为“热点”的反铁磁激发诱导一个大的准粒子散射率的小区域的属性。导出了近似的温度-磁场标度关系，并与实验数据相一致。我们认为，这些结果链接的起源，线性温度电阻率的热点所产生的反铁磁临界点，和磁阻测量提供了一种途径来量化这种联系。
2020-07-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strong correlation between $H$-linear magnetoresistance and strange metal in FeSe superconductor
本研究在FeSe超导体中发现两段起源不同的$H$-线性磁电阻均与奇异金属态强相关，揭示了压力下奇异金属态对FeSe超导电性的潜在影响，为相关研究提供了新线索。
2025-03-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Influence of pressure on the magnetic behavior and the anomalous magnetoresistance in Tb5Si3
本文报道了具有Mn_5Si_3型六方晶结构的化合物Tb_5Si_3在磁有序态（<70 K）下，在临界磁场（H_cr）下，电阻率（ρ）随等温磁化强度（M）的变化而急剧增大。我们研究了外压（<15 kbar）和Ge取代Si引起的负化学压对M和ρ随温度（5-300 K）和磁场（<120 kOe）变化的影响，主要目的是了解场致异常。通过对5和20 K两个温度下的M值和磁电阻（MR）的研究，发现在外加化学压和负化学压下，ρ值的反常现象仍然存在，但H_cr值变化较大。Hcr的压力导数为负，这一趋势和在Hcr处的MR行为与某些Laves相巡回磁系统中观察到的类似。根据这一观察，我们推测在这个临界场引起的磁涨落可能是造成磁共振异常的原因
2009-12-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quasi-two-dimensional Dirac fermions and quantum magnetoresistance in LaAgBi$_2$
本文报道了LaAgBi $_2$中的准二维狄拉克费米子和量子磁电阻。能带结构在费米能级上显示出几个能量色散接近线性的窄带和类狄拉克锥点。量子振荡实验揭示了一个准二维费米口袋和另一个小回旋共振质量的复杂口袋。在临界场$B^*$处，面内横向磁电阻从半经典弱场$B^2$依赖性向高场非饱和线性磁电阻过渡，这归因于狄拉克费米子的量子极限.我们的研究结果表明，准二维狄拉克费米子的存在，在稀土基层状化合物的二维双尺寸的Bi方网，类似于（Ca，Sr）MnBi $_{2}$，无论磁序。
2016-04-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Percolation and Colossal Magnetoresistance in Eu-based Hexaborides
当用Ca取代Eu时，居里温度$_6$随着磁性亚晶格的稀释度的增加而显著降低，并且对于$x$ $\leq$ 0.3完全被抑制。Ca的取代导致整个Eu $_x$ Ca $_{1-x}$ B $_6$系列的电子性质的显著变化。$x$ $\approx$ 0.27的电子显微镜数据表明相分离成5至10 nm直径的富Eu和富Ca簇，导致电输运性质中的双折射型现象。相关临界浓度$x_p$约为0.3。对于$x$ $\approx$ 0.27，我们观察到巨大的负磁阻效应在低温下，类似的幅度为锰氧化物。
2004-04-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetism, Upper critical field and Thermoelectric power of Magneto-Superconductor RuSr2Eu1.5Ce0.5Cu2O10
测量了RuSr_2 Eu_（1.5）Ce_（0.5）Cu_2 O_（10）超导体的磁化率、M-H曲线、磁电阻和热电势。从这些测量中获得磁转变温度Tmag、超导转变温度Tc、上临界场Hc 2、化学势μ和导电能量宽度W（σ）的值。已经发现，Tmag = 140 K，从磁化率（磁阻）测量Tc = 25 K（33 K），Hc 2（0）> 32 T，mu = 8 meV，W（sigma）= 58.5 meV。这些值进行了比较与其他超导体，并由此产生的物理信息进行了讨论。
2006-01-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance and Hall effect in e-doped superconducting SrLaCuO thin films
我们用射频溅射法在x = 0.12的KTaO 3衬底上外延生长了c轴取向的SrxLa 1-xCuO 2薄膜。用原位氧还原法制备了一系列Tc（R=0）高达26 K的超导薄膜。这些样品的ab平面中的传输测量已经进行。我们报告的原始结果的温度依赖性的霍尔效应和各向异性磁电阻（T > Tc）。我们讨论了上临界场和各向异性的大小，霍尔效应，它提出了两种类型的载体，正常状态的磁阻，负平行磁场，自旋散射的可能签名的存在指示的符号的变化。这些属性进行比较的空穴掺杂的铜酸盐，如BiSr（La）CuO具有可比的Tc。
2008-11-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of half-quantum vortices on magnetoresistance of perforated superconducting films
最近对Sr2RuO4的环形微米尺寸样品的悬臂梁磁力测量揭示了该材料中存在半量子涡旋（HQVs）的证据[Jang等人，2011]。我们建议在输运测量中寻找HQVs，并计算在HQVs存在下接近转变温度的穿孔超导膜的磁阻。我们分析了磁阻对HQVs热力学稳定性的依赖性，根据[Jang et al. 2011]，HQVs可以通过应用面内磁场来改变，并指出可能有助于识别它们的特征。
2011-06-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Inverse Tunneling Magnetoresistance in nanoscale Magnetic Tunnel Junctions
本文报道了窄沟道中自旋极化输运的反TMR效应的理论研究。在弱隧穿极限下，我们发现了通常的正TMR。当传输概率变大接近于一时，TMR改变其符号。我们的结果可能与针孔或量子点接触的磁性隧道结有关。
2005-05-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Insulator/metal phase transition and colossal magnetoresistance in holographic model
在大质量引力场下，我们构造了一个研究锰氧化物材料中绝缘体/金属相变和巨磁电阻效应的引力对偶。在重引力子极限下，在居里温度处出现一个明显的磁敏直流电阻率峰，此时发生绝缘体/金属相变，磁阻与场致磁化强度的平方成正比.我们发现在居里点以下金属相和绝缘相共存，并讨论了与电子相分离的关系。
2015-07-27 cond-mat.str-el gr-qc hep-th
Magnetic and magnetoresistance behavior of Tb7Rh3, an intermetallic compound with a negative temperature coefficient of electrical resistivity in the paramagnetic state, and Paramagnetic Giant Magnetoresistance Phenomenon
直流磁化，电和磁电阻和热容量测量（2-300 K）的结果Tb 7 Rh 3，在Th 7 Fe 3型六方结构结晶，报告。在这种化合物中，磁有序集在约90 K，在低温下具有额外的转变，并且电阻率（R）的温度系数dR/dT在顺磁状态下在很宽的温度范围内为负。磁化结果表明，该化合物在磁场-温度相图中具有丰富的特征。主要强调的一点是，顺磁状态下的dR/dT的符号可以通过施加磁场而逐渐改变。结果，除了在磁有序状态下的巨磁阻行为之外，磁阻（MR）的幅度即使在室温附近（远高于磁有序温度）也相当大。与该系列的其他重稀土元素类似，这类化合物可以被归类为顺磁性巨磁阻系统。一种新的理论方法是必要的，以了解这一现象。
2006-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Large magnetoresistance in LaBi: origin of field-induced resistivity upturn and plateau in compensated semimetals
非磁性极磁电阻（XMR）材料的发现引起了人们极大的兴趣，因为XMR现象挑战了我们对磁场如何改变半金属中电子输运的理解。在XMR材料中，LaSb表现出XMR和场致奇异行为，但似乎缺乏这些性质的要素。在这里，我们研究的磁输运性质和电子结构的LaBi，同构的LaSb。LaBi和LaSb一样具有大的磁电阻，这是由于电子和空穴具有相当高的迁移率而几乎得到补偿。更重要的是，我们的分析表明，XMR以及场致电阻率的上升和平台观察到的LaSb和LaBi可以很好地解释了两个带模型的补偿情况。我们提出的临界条件，导致这些场诱导性能。这将有助于理解XMR现象和探索新的XMR材料。
2016-08-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Field-Induced Ferromagnetic Order and Colossal Magnetoresistance in La_{1.2}Sr_{1.8}Mn_2O_7: a ^{139}La NMR study
为了深入了解锰氧化物中巨磁电阻（CMR）的起源，我们对双层化合物La_{1.2} Sr_{1.8} Mn_2O_7进行了^{139} La NMR研究。我们发现，在居里温度T_C = 126 K以上，外加磁场诱导出一个长程铁磁有序结构，该有序结构可持续到T = 330 K。感应磁矩饱和的临界磁场与CMR效应达到最大值的磁场一致。因此，我们的研究结果表明，该化合物在T_C以上所观察到的CMR是由于场致铁磁性通过双交换相互作用产生金属态。
2006-02-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nonsaturating large magnetoresistance in the high carrier density nonsymmorphic metal CrP
高载流子密度金属CrP的能带结构在布里渊区的Y点处具有有趣的交叉。交叉，这是由空间群的非对称对称性的保护，导致在Y附近的混合，半狄拉克样的能量动量色散关系。沿Y- $Γ$的线性能量-动量色散关系使人联想到在几种半金属极大磁电阻（XMR）材料中观察到的能带结构。我们已经测量了横向磁阻的磷化铬高达14 T的温度低至$\sim$ 16 mK。我们的数据揭示了一个非饱和，二次磁阻以及所谓的'打开'温度的电阻率的温度依赖性的行为。尽管磁阻的大小不同，而且磷化铬不是半金属，但这些特性在性质上与XMR材料的观测结果相似。因此，高场电输运的研究磷化铬提供的前景，确定在广泛的金属中观察到的非饱和，二次磁阻的可能起源。
2019-03-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Robustness of anomaly-related magnetoresistance in doped Weyl semimetals
具有费米能Weyl费米子的Weyl半金属是一种拓扑材料，是相对论费米子的凝聚态实现。然而，有几个关键的差异，如费米能量的移动，这可能会阻碍预期的有趣的物理。手征反常是与外尔费米子相关的一种典型的非平凡现象，它决定了具有相反手征性的外尔费米子之间的费米子转移，表现为负磁阻效应。在这里，我们证明了磁电阻是强大的对偏离理想的外尔哈密顿量，如移动费米能量和非线性色散。我们研究了一个能量色散包含两个Weyl节点的模型，发现即使费米能级远离节点，甚至在两个节点的鞍点以上，磁电阻仍然存在。令人惊讶的是，即使在节点对湮灭之后，磁阻仍然存在。
2018-08-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el nucl-th
Theoretical Details of Tunnel Magnetoresistance via inelastic hopping at regime $gμB\ll k_B T \ll eV$
对小磁场和大偏置窗口下杂质链中声子辅助跳跃产生的隧道磁电阻效应进行了详细的理论推导。这一推导为我们在先前的论文（arXiv：1404.0633）中提出的泡利阻断开关的物理图像提供了严格的基础。这张照片捕捉的竞争的外部磁场和内部自旋相互作用的隧道势垒，并严重依赖于强现场库仑相关的杂质。主方程是通过推导出从玻色子表象中杂质位上格林函数的运动方程，并利用所谓的Langreth定理最终用接触电子和声子库的平衡分布来表示自旋相关的密度矩阵而得到的。
2014-10-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Giant negative magnetoresistance and kinetic arrest of first-order ferrimagnetic-antiferomagnetic transition in Ge doped Mn$_2$Sb
研究了Ge掺杂对Mn $_2$ Sb中一级铁磁-反铁磁相变的影响。结果表明，在Mn $_2$ Sb中Sb位掺入2.5- 10%的Ge，可使转变温度（T $_t$）在119 K - 271 K之间调节.费米能级N（E $_f$）态密度随Ge掺杂量的变化表明，AFM态下，在E $_f$处dN（E）/dE为正.随着磁场的施加，T $_t$向低温方向移动，当掺杂量为2.5%时，样品的巨负磁电阻（MR）达到70%.我们的研究结果表明，FRI到AFM的转变在冷却过程中停止约35 K，即使它仍然不完整。随着磁场的增加，低临界场的非单调变化，等温磁电阻的开环以及零场冷却升温（ZFCW）和场冷却升温（FCW）电阻率差的增大，表明在2.5% Ge替代的情况下，FRI到AFM转变发生动力学停滞。
2019-01-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-dimensional metal-insulator transition and in-plane magnetoresistance in a high mobility strained Si quantum well
在Si/ Si_{1-x} Ge_x异质结应变量子阱中的高质量二维电子系统（2DES）中观察到明显的金属-绝缘体转变，迁移率μ=1.9 × 10 ^5 cm ^2/Vs，密度n=1.45 × 10^{11} cm^{-2}.临界密度为~ 0.32 x 10^{11} cm^{-2}，是目前在Si 2D系统中观察到的最低密度，在该密度下，低T电阻率的热系数改变符号。面内磁电阻的研究进行了在较高的密度范围内的2DES显示的金属类行为。观察到面内磁电阻先随~ B_{ip} ^2增大，然后当B_{ip} > B_c时饱和到一个有限值ρ（B_c）.全自旋极化场B_c随n单调减小，但当n趋于零时，B_c趋于饱和。此外，对于密度范围从0.35 x 10^{11}到1.45 x 10 ^{11} cm^{-2}的所有样品，ρ（B_c）/ρ（0）约为1.8，当与B_{ip} /B_c作图时，ρ（B_c）/ρ（0）坍缩成一条曲线。
2005-01-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Giant and Linear Magnetoresistance in Liquid Metals at Ambient Temperature
无序感生磁电阻已经在一系列固体金属和半导体中被报道，然而，由于其难以实验控制，其潜在的物理机制仍在争论中。液态金属由于缺乏长程序，提供了一个理想的模型系统，其中许多形式的无序可以通过冻结液体而失活。本文报道了Ga、Ga-In-Sn和Bi-Pb-Sn-In合金在液态下的非饱和磁电阻效应。巨磁阻出现在各自的熔点以上，并在14特斯拉时具有最大值2500%。在液体状态下减少的抗磁性意味着由液体结构的空间分布引起的电子的短平均自由程是一个关键因素。这种液体电子磁阻的一个潜在技术优点是它在更高的温度下自然工作。
2019-06-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
P-wave Pairing and Colossal Magnetoresistance in Manganese Oxides
我们指出，现有的实验数据表明，大多数锰氧化物在铁磁相中存在{ \sl挫抑} p波超导凝聚，但超导相干长度不足以覆盖整个系统。超导态类似于超流He-3中的$A_{1}$态。电阻率的急剧下降，比热的急剧跳变，以及隧道中的间隙打开都可以用p波配对来理解。此外，庞磁电阻（CMR）的自然解释超导波动与增加磁场。有限的电阻率可能是由于一些磁不均匀性。这项研究导致了室温超导的可能性。
1998-08-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
