Apparent power-law behavior of conductance in disordered quasi-one-dimensional systems
采用最短路径算法，数值研究了一组中等长度的一维导线的跳跃电导对温度和电压的依赖关系。在很宽的参数范围内，这种依赖关系可以近似为幂律，而不是通常的拉伸指数形式。关系到最近的实验和先前的分析理论进行了讨论。
2010-06-20 cond-mat.dis-nn
Effective medium theory for disordered two-dimensional graphene
我们发展了有效介质理论来研究无序石墨烯的电输运性质。该理论包括非线性屏蔽和交换相关效应，使我们能够考虑实验相关的库仑相互作用的强度。假设随机库仑杂质，我们计算的电导率作为栅极电压的函数，定量地描述了从狄拉克点周围的波动为主的制度，在高栅极电压的大掺杂制度的全面跨越。我们发现，在狄拉克点的电导率的强烈影响交换相关效应。
2009-06-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Coarsening of Disordered Quantum Rotors under a Bias Voltage
我们解决了一个相互作用的转子耦合到两个导致在不同的化学势，让电流流过系统，并驱动它的平衡的合奏动力学。我们表明，在低温下的粗化相持续下的电压降到一个临界值的所施加的电位，这取决于电子库的特性。我们讨论了临界面在温度、电压、量子涨落强度以及与熔池相图的耦合等方面的性质。我们分析了粗化制度的发现，特别是，哪些功能基本上是量子力学的，基本上是经典的性质。我们证明了系统的发展，通过增长的相干长度具有相同的时间依赖性的经典极限，$R(t) \simeq t^{1/2}$ -标量曲率驱动的普适性类。我们得到的尺度函数的关联函数在晚时期的粗化制度，我们证明，它与经典的一次编码依赖于所有参数的前因子是因式分解。我们推导出一个通用公式的电流流过系统，我们表明，对于这个模型，它迅速接近一个常数，我们计算。
2010-11-22 cond-mat.dis-nn cond-mat.stat-mech
Disordered Totally Asymmetric Simple Exclusion Process: Exact Results
研究了猝灭空间无序对具有空间无序跳跃率的完全不对称简单排斥过程的载流定态的影响。找到了该模型一维稳态权重和电流的精确解析表达式。我们演示了如何利用这些解决方案来研究分析系统的精确对称性。特别地，我们证明了当所有允许的粒子跳跃的方向被反转时，稳态电流的大小是左不变的。或者等价地，我们证明了对于任何给定的填充和无序配置，粒子-空穴变换是一个精确的对称性，使稳态电流不变。最近Tripathy & Burma（预印本cond-mat/9711302）在数值模拟中证明了这种非平凡的对称性。
1998-07-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.stat-mech
One-Dimensional Extended States in Partially Disordered Planar Systems
我们解析地得到了二维无序系统中一维弹道扩展态的连续谱，该系统由紧耦合的随机晶格和纯正方晶格组成。扩展态给出了在宽能量范围内具有有限电导率$σ_{0}=2e^2/h$的边缘金属相，其边界定义了一阶金属-绝缘体转变的迁移率边缘。我们显示了电流-电压对偶性，$H_{\parallel}/T$标度的电导率在平行磁场$H_{\parallel}$和非费米液体的性质时，包括远程电子-电子相互作用。
1998-06-17 cond-mat.dis-nn
Building programable integrated circuits through disordered Chern insulators
本文研究了利用无序陈氏绝缘体（CI）构造可编程集成电路。提出了低功耗逻辑器件和连接线的设计方案。我们使用外部栅极感应的阶跃电压来构造空间可调的通道，这些通道取代了传统的导线。我们的数值计算表明，外部门可以被用来编程任意数量的线（$n$到$m$连接）。我们发现它们的电子输运是无耗散的，并且对栅电压波动和无序强度具有鲁棒性。此外，七个基本的逻辑门不同于传统的结构提出。该方案在低功耗集成电路中具有潜在的应用价值，对拓扑材料构建集成电路具有一定的启发意义。
2021-08-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Universal correlations between shocks in the ground state of elastic interfaces in disordered media
无序介质中弹性界面的基态随外界参数的变化而发生集体跃迁。这些介观跳跃被称为冲击，或静态雪崩。将界面置于中心为$w$的抛物势中，研究了当$w$变化时发生的雪崩。我们感兴趣的是发生在位置$w_1$和$w_2$的雪崩大小$S_1$和$S_2$之间的相关性。使用功能重整化群（FRG），我们表明，存在的相关性低于其上临界尺寸的现实界面模型。值得注意的是，连接的时刻$ \langle S_1 S_2 \rangle^c$是一个前因子，确切地说是重整化的无序相关器，本身是$|w_2-w_1|$的函数。后者是联邦德国中心的普适函数，因此冲击之间的相关性也是普适的。所有的时刻和完整的联合概率分布计算的第一个非平凡的顺序在一个$ε$ -扩展低于上临界尺寸。为了量化雪崩之间的耦合的局部性质，我们计算它们的局部跳跃的相关性。最后，我们测试我们的预测对模拟的粒子在随机键和随机力的混乱，令人惊讶的好协议。
2016-07-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.stat-mech
Non-Ohmic behavior of carrier transport in highly disordered graphene
我们报告了高电场和高磁场探测的无序石墨烯的测量。通过施加高的源漏电压Vsd，我们能够研究我们的器件的电流-电压关系I-Vsd。随着Vsd的增加，从线性I-Vsd制度的非线性，并最终激活跳跃运输发生交叉。在无激活跳跃制度，带电载流子之间的库仑相互作用的重要性进行了论证。此外，我们表明，强烈的本地化在低T和小VSD的载流子的离域发生与高电场和垂直磁场的存在。
2013-10-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Barkhausen noise from formation of 360$^{\circ}$ domain walls in disordered permalloy thin films
该研究通过微磁模拟发现无序坡莫合金薄膜磁化反转中360°畴壁的逐步形成机制，揭示无序强度对畴壁密度与巴克豪森跳变统计特性的调控作用，拓展了巴克豪森噪声的起源认知。
2023-03-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci
Electric Field Influenced Coordinate Jump of the Guiding Center and Magnetotransport
导出了在强面外磁场和面内电场存在下二维无序系统中的电流公式。该电流源自引导中心坐标跳跃。在强磁场状态下，电流可以被描绘为中心坐标的迁移。在电子杂质散射过程中，导引中心的坐标突然发生移动。由于电场，坐标偏移累积地贡献于纵向电流。在散射过程中，回旋半径的值发生变化，从而补偿了坐标跳跃过程中电势能量的变化。回旋半径的偏转是朗道能级随电场展宽和移动的经典表现。
2022-02-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Resistive transition in granular disordered high-T$_c$ superconductors: a numerical study
颗粒状高温$_c$超导体的电阻转变，其特征在于弱（YBCO类）或强（MgB $_2$类）链接，通过一系列雪崩型电流密度重排发生。这些重排对应于电阻层的创建，跨越整个试样近似正交于电流密度方向，由于大量的弱链接或晶粒的同时过渡。本工作表明，精确解的基尔霍夫方程组的强和弱连接的非线性电阻网络，与约瑟夫森结的特点，产生随后形成的电阻层的电阻矩阵内的温度升高。此外，在转变处观察到的电压噪声与电阻层形成过程有关。噪声强度是从与后续电阻层相关的电压降基本事件的叠加来估计的。在过渡结束时，层混合，阶跃幅度减小，阻力曲线平滑。这导致抑制噪声，实验发现。值得注意的是，噪声强度与网络大小的标度律进行了辩论。它允许将结果扩展到具有任意大小的网络，从而扩展到真实样本。
2009-03-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Current-voltage scaling of chiral and gauge-glass models of two-dimensional superconductors
本文在二维数值计算中研究了无序超导体手征模型和规范玻璃模型的电流-电压特性的标度行为。对于这两个模型，在有限的温度和非线性电阻率的标度分析的线性电阻是非零的相变，在T=0的温度，其特征在于由发散的相关长度$ξ\propto T^{-ν_{T}}$和热临界指数$ν_{T}$是一致的。$ν_{T}$的值，然而，被发现是不同的手性和仪表玻璃模型，表明不同的普适性类，在最近获得的结果在三维。
1998-08-29 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Variation of the hopping exponent in disordered silicon MOSFETs
我们观察到一个复杂的变化跳跃指数值从1/2到1/3的无序强度和电子密度的函数在钠掺杂的硅MOSFET。通过施加栅极电压并使离子热漂移到氧化物中的不同位置来改变无序。然后在低温下使用相同的栅极来修改载流子浓度。当无序或电子密度被修改时，磁导率测量与运输机制的变化是相容的，这表明在这些系统中可能从莫特绝缘体过渡到安德森绝缘体。
2008-09-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Electron transport in disordered insulating lattice under nonlinear electric field
本文研究一维无序绝缘链在直流电场下的非线性输运，提出电场辅助变程跳跃理论，确定VRH适用能隙范围，并导出一维非线性电导率标度律σ(E)∝exp[-(E_0/E)^(1/3)]。
2025-09-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Large Deviations for the density and the current in Non-Equilibrium-Steady-States on disordered rings
所谓的“水平2.5”的一般结果的大偏差的联合概率的密度和电流的马尔可夫跳跃过程的情况下，$N$独立粒子的环上的随机过渡率。我们首先关注定向陷阱模型，其中获得单独的密度和单独的电流的大偏差特性所需的收缩可以明确地写在每个无序样本中，并且其中评估电流的生成函数所需的变形马尔可夫算子也可以通过其最高本征值和相应的左右本征向量来明确地分析。然后，我们转向非定向模型，在那里的尾部大电流$ j \to \pm \infty$的率函数的电流单独仍然可以明确地研究，无论是通过收缩或通过变形马尔可夫算子方法。我们提到了与无序环上Fokker-Planck动力学的大偏差性质的差异。
2019-01-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
