Ultra low density of CdTe quantum dots grown by MBE
本工作提出了控制分子束外延生长的自组装碲化镉量子点（QD）的密度的方法。讨论了两种方法：提高CdTe的沉积温度和减小CdTe层厚度。低温下的光致发光（PL）测量证实，两种方法都可以用于将QD密度从10 $^{10}$ QD/cm $^2$显著降低到10 $^7$-10 $^8$ QD/cm $^2$。对于非常低的QD密度，在光谱中观察到的所有QD线的识别是可能的。
2016-10-18 cond-mat.mes-hall
Anomalous luminescence temperature dependence of (In,Ga)(As,Sb)/GaAs/GaP quantum dots overgrown by a thin GaSb capping layer for nanomemory applications
我们研究了（In，Ga）（As，Sb）/GaAs量子点镶嵌在GaP（100）基质中，并覆盖了一层厚度可变的GaSb覆盖层。对量子点样品进行了温度相关的光致发光研究，我们观察到量子点的发光表现出反常的温度相关性，~即，从10 K到$\sim$ 70 K，能量随温度增加而增加，温度越高能量越低。利用组态相互作用方法计算的多粒子修正的八带${\bf k}\cdot{\bf p}$理论能量，用高斯带拟合发光光谱，解释了这种反常的温度依赖性是动量直接激子态和间接激子态的混合.我们还发现在$<70$ ~K温度下，I型区的${\bf k}$ -间接电子-空穴跃迁比${\bf k}$ -直接电子-空穴跃迁的光学强度更强.此外，我们确定了一个带对齐的变化，从I型到II型的量子点过度生长的一个以上的单层的GaSb。最后，我们预测的保留时间的（In，Ga）（As，Sb）/GaAs/AlP/GaP量子点覆盖的GaSb层具有不同的厚度，作为存储单元的QD-Flash纳米存储器的概念，并观察到，通过使用仅2 μ L厚的GaSb覆盖层，预计的存储时间超过非挥发性限制的10年。
2023-09-09 cond-mat.mes-hall
A Simple Shell Model for Quantum Dots in a Tilted Magnetic Field
本文提出了一个量子点模型，研究了在任意方向均匀磁场作用下，三维谐振子势中少数电子的运动。通过求解经典问题得到了谱和波函数。费米系统的基态是通过最小化总能量得到的。从这个依赖的平衡形状的量子点的电子数，磁场参数和板厚被发现。
1997-04-26 cond-mat.mes-hall
Density-functional study of electronic structure of quantum dots in high magnetic fields
利用密度泛函理论研究了磁场中量子点的电子结构。发现了电子总角动量的新幻数序列。得到了平台宽度的经验公式。研究了带电杂质对量子点电子结构的影响。
2022-09-10 cond-mat.mes-hall
Robust Magnetic Polarons in Type-II (Zn,Mn)Te Quantum Dots
我们提出的证据表明，在II型（Zn，Mn）Te量子点的磁有序。这种有序性归因于点内强局域空穴与Mn之间的交换相互作用所引起的束缚磁极化子的形成。在我们的光致发光研究中，在高达~ 200 K的温度下检测到磁极化子，结合能为~ 40 meV。此外，这些点显示了一个不寻常的小塞曼位移与施加的领域（2毫电子伏，在10 T）。这种行为是由一个小的和弱的温度依赖性的磁化率，由于反铁磁耦合的Mn自旋解释。
2009-12-01 cond-mat.mes-hall
Magnetic dipole and electric quadrupole responses of elliptic quantum dots in magnetic fields
从理论上研究了二维椭圆形量子点的磁偶极子（M1）和电四极子（E2）响应随量子点形变和外加静磁场的变化关系.忽略电子-电子相互作用，我们得到的分析结果表明，存在四个特征模式，与不同的$B$ -分散他们的能量和相关的强度。相互作用的影响数值研究的时间相关的本地自旋密度理论，评估的有效性的非相互作用的图片。
2001-05-15 cond-mat.mes-hall
Interband absorption and luminescence in small quantum dots under strong magnetic fields
研究了准二维、圆对称、N_e电子量子点在高磁场（8<B<60 T）和低温（T<<2 K）下的带间吸收和发光。在N_e=0和1的点处，这些过程的初始和最终状态是固定的，因此峰强度对B的依赖是单调的。对于较大的系统，基态重排与变化的磁场导致吸收和发光光谱的实质性修改。在填充因子为1/2、1/3和1/5的情况下，在N_e=2和3点处观察到集体效应。
2000-05-10 cond-mat.mes-hall
Effect of assisted hopping on the formation of local moments in magnetic impurities and quantum dots
分析了磁性杂质和量子点中的辅助跳跃效应。量子点中的辅助跳跃项在大能级间距极限下的大小与电子-电子相互作用引起的其他修正相当。辅助跳跃导致与同一水平相关的电导峰之间的差异，并且当效果足够强时，导致局部配对相关性。
2002-12-04 cond-mat.mes-hall
Strongly correlated quantum dots in weak confinement potentials and magnetic fields
我们研究了在弱限制势和弱磁场作用下强关联量子点的性质。我们的精确对角化研究表明，这种量子点的基态性质对磁场和限制势的强度相当敏感。我们已经确定了这些量子点的丰富的相图。所得相图的一些实验结果进行了讨论。
2003-03-03 cond-mat.mes-hall
Magnetic ordering in quantum dots: Open vs. closed shells
在磁性掺杂的量子点中，改变载流子占据率，从开放到封闭的壳层，导致载流子介导的磁性有序的定性不同形式。虽然在平均场近似下研究这种纳米级磁体是常见的，但排除自旋波动可能会掩盖重要的现象，并导致小型磁性系统中的虚假热力学相变。通过采用粗粒度，变分和蒙特卡罗方法对单和双占据量子点，包括自旋波动，我们评估的平均场描述的相关性和区分不同的有限尺寸标度在纳米级磁体。
2015-09-16 cond-mat.mes-hall
Magnetic Thomas-Fermi-Weizsäcker model for quantum dots: a comparison with Kohn-Sham ground states
在密度泛函理论中，利用磁扩展的费米-魏茨泽克动能，数值计算了二维量子点的基态密度和能量。结果进行了彻底的比较，以评估的半经典方法的有效性与微观Kohn-Sham的。圆形以及变形系统被认为是。
2000-12-13 cond-mat.mes-hall
Voltage-tunable ferromagnetism in semimagnetic quantum dots with few particles: magnetic polarons and electrical capacitance
具有少量载流子的磁性半导体量子点代表了一个有趣的模型系统，其中铁磁相互作用可以通过电压来调节。通过设计掺杂量子点的几何形状，可以定制磁极化子的各向异性量子态。带孔盘状量子点中磁极化子态的强各向异性来自于价带的自旋分裂。量子点的结合能和自发磁化强度随粒子数的变化而振荡，反映了壳层结构。由于库仑相互作用，当量子点中空穴的总自旋最大时，磁极化子的最大结合能和自旋极化发生在洪德规则的范围内。随着量子点中粒子数量的增加以及对于某些轨道配置，铁磁状态变得特别稳定或者可能具有对称性破缺。在具有强铁磁相互作用的量子点中，基态可以随着温度的升高或交换相互作用的降低而经历从磁性到磁性的转变。磁极化子的特征温度和涨落依赖于壳层的结合能和简并度。少粒子磁性量子点的电容谱揭示了极化子态的形成。
2005-08-07 cond-mat.mes-hall
Magnetic properties of graphene quantum dots
利用紧束缚近似计算了不同几何形状和尺寸的石墨烯量子点（GQD）的磁化率，当磁化率由电子边缘态决定时，GQD的磁化率小于磁长度.边缘态可以分为两类：位于零能Dirac点的零能态（ZES）和能量接近但不完全等于零的色散边缘态（DES）。DES负责与温度无关的抗磁响应，而ZES提供与温度相关的自旋居里顺磁性。六边形、圆形和随机形状的GQD主要含有DES，因此，它们是抗磁性的。三角形GQD的边缘状态是ZES，并且这些点揭示了自旋顺磁性（在小的点和低温下占主导地位）与体轨道抗磁性（在大的点和高温下占主导地位）之间的相互作用。
2013-02-26 cond-mat.mes-hall
Tuning the Non-local Spin-Spin Interaction between Quantum Dots with a Magnetic Field
我们描述了一个器件，其中两个量子点之间的非局域自旋-自旋相互作用可以在很小的磁场下被打开和关闭，甚至改变符号。该装置由位于两个二维电子气（2DEG）边缘的两个量子点组成。量子点的自旋通过由2DEG中的电子介导的RKKY类相互作用耦合。垂直于2DEG平面的小磁场被用作调谐参数。当回旋半径与点间距离相当时，自旋-自旋相互作用被放大了几个数量级。通过微调磁场来控制相互作用的符号。我们的设置允许几个点耦合在一个线性排列，它不限于最近的邻居相互作用。
2005-02-17 cond-mat.mes-hall
Self-organization of topological defects for a triangular-lattice magnetic dots array subject to a perpendicular magnetic field
在外部磁场存在下，二维三角形晶格形式的磁性颗粒（磁点）的规则阵列展示了复杂的磁性结构。这种系统的基态的磁对称性低于底层晶格。长程偶极-偶极相互作用在小磁场下导致特定的反铁磁有序，而随着磁场的增大，出现一系列线性拓扑缺陷。这种缺陷的自组织决定了系统在宽范围的外部磁场内的磁化过程。
2014-11-18 cond-mat.mes-hall
Reentrant Formation of Magnetic Polarons in Quantum Dots
提出了一个磁性离子掺杂半导体量子点中磁极化子形成的模型。润湿层用作光生空穴的储库，其可以被相邻的量子点捕获。对于一定的空穴密度，由俘获空穴引起的磁化强度的温度依赖性是可重入的：它在某些温度范围内消失，并在更高的温度下重新出现。我们证明，这种奇特的效果是不是一个工件的平均场近似和统计自旋波动后仍然存在。我们预测了光致发光光谱中重入磁极化子的指纹。
2012-10-03 cond-mat.mes-hall
Theory of electrons, holes and excitons in GaAs polytype quantum dots
单带和多带（Burt-Foreman）k.p哈密顿GaAs晶体相量子点的发展和使用正在进行的实验活动，如量子限制，自发极化，价带混合和激子库仑相互作用的作用进行评估。自发极化被发现是一个占主导地位的条款。再加上网点厚度的控制[Vainorious Nano Lett. 15，2652（2015）]，其实现宽激子波长和寿命可调谐性。对于小直径点预测了几种新的现象[Loitsch等人，Adv. Mater. 27，2195（2015）]，包括非重空穴基态、强空穴自旋混合物和II型到I型激子跃迁，其可用于提高GaAs多型体的吸收强度并降低其辐射寿命。
2015-12-11 cond-mat.mes-hall
Spectrum structure for a three-dimensional periodic array of quantum dots in a uniform magnetic field
利用算符扩张理论，我们构造了一个在均匀磁场作用下的简单立方三维量子点有序阵列的显式可解模型。研究了该模型的谱性质。证明了对于每一个磁通量，能带是紧束缚算符的谱在解析变换下的象。在合理的磁通量的情况下，频谱的解析描述。数值计算得到了通量-能量图和角-能量图。
2006-05-25 cond-mat.mes-hall
Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots
量子点中激子精细结构的分裂与波函数的横向形状密切相关。我们从理论上研究了GaAsSb覆盖层对InAs量子点的II型限制下的精细结构分裂。我们表明，非常小的值的精细结构分裂可比的激子跃迁的自然线宽是现实的量子点的形态，尽管结构伸长和压电场是可以实现的。例如，改变覆盖层厚度允许分裂能量的微调。这种效应是由空穴波函数对结构形态的强烈敏感性以及电子和空穴各向异性的相互补偿来解释的。所研究的量子点中激子跃迁的振子强度与具有I型限制的那些相当，这使得量子点作为偏振纠缠光子对的发射器对于量子通信技术具有吸引力。
2015-04-30 cond-mat.mes-hall
Probing the Shape of Quantum Dots with Magnetic Fields
开发了一种识别量子点形状的工具。通过制备一个双电子量子点，研究了各种形状量子点的低激发态激发态对均匀磁场的响应，即自旋和宇称振荡。对于任何几何构型的禁闭，我们都会遇到特征性的自旋单重态-三重态交叉。磁化被示出为用于探测点的形状的互补工具。
2004-02-13 cond-mat.mes-hall
Large Magnetoresistance Induced by Quantum Charge Fluctuations in Magnetic Double Dots
我们研究电子隧穿通过两个小铁磁点。量子电荷涨落和点间耦合使得点间耦合为零时电导的库仑峰分裂。点间隧道耦合由两个点的磁化的相对取向决定，导致平行和反平行磁化排列中库仑峰的不同分裂能量。结果，在库仑峰附近出现非常大的隧穿磁电阻，其符号可以是正的也可以是负的。
2004-08-26 cond-mat.mes-hall
Spin-transfer in bilayer magnetic nanopillars at high fields as a function of free layer thickness
研究了低温下非对称Co/Cu/Co双层磁性纳米柱结中自旋转移与自由层厚度的关系。电流诱导的磁激发的相图已被确定为磁场高达7.5 T的垂直施加到结表面和自由层厚度从2到5 nm。结的磁电阻与厚度无关。磁激励的临界电流随自由层厚度的减小而线性减小，但在零厚度的极限下外推到有限的临界电流。的极限电流是在定量协议与预期由于自旋泵贡献的磁化阻尼。它还可以指示在磁性层中自旋转移力矩效率的降低。
2007-09-13 cond-mat.mes-hall
Mechanical effects in quantum dots in magnetic and electric fields
研究了强垂直磁场中有限二维电子系统（量子点或液滴）的力学效应。结果表明，由于回旋动力学的不对称性，一个额外的面内电场引起的基态转变伴随着系统的平均总角动量的变化，除非横向限制电位是完全抛物线。提出了一个精确的力学实验，在该实验中，可以测量密集量子点矩阵的宏观角动量，并用于检测和估计约束的非谐性。
2001-01-10 cond-mat.mes-hall
Spin-Blockade in Single and Double Quantum Dots in Magnetic Fields: a Correlation Effect
量子点中相关电子的总自旋随磁场而变化，这种效应通常与总角动量从一个幻数到另一个幻数的变化有关，这可以用强场的“电子分子”图像来理解。在这里，我们建议利用这一事实来实现自旋封锁，即，禁止电子在特定的磁场值下隧穿。通过对基态和激发态的计算，得到了自旋阻塞区。在双点的自旋阻塞条件被发现是不太严格的比在单点。
1997-12-25 cond-mat.mes-hall
Relaxation of hole spins in quantum dots via two-phonon processes
本文从理论上研究了低磁场下重空穴量子点的自旋弛豫。我们证明了双声子过程和自旋轨道相互作用是实验相关的，并提供了一个解释最近观察到的饱和的自旋弛豫率在重空穴量子点与消失的磁场。我们建议进一步的实验，以确定相关的自旋弛豫机制在低磁场。
2009-02-14 cond-mat.mes-hall
Orbital effect of in-plane magnetic field on quantum transport in chaotic lateral dots
我们展示了面内磁场如何影响大面积混沌横向量子点电导的弱局域化校正以及其中普遍电导涨落的参数依赖性。
2001-06-01 cond-mat.mes-hall
Two-dimensional topological solitons in rectangular magnetic dots
提出了一种求解由软磁材料制成的任意形状的小型扁平磁性纳米柱体中平衡磁结构的解析表达式的通用方法。由此产生的磁化分布是二维拓扑孤子，并具有非零拓扑电荷。这里以一个薄的矩形颗粒为例说明了这种方法。
2001-05-03 cond-mat.mes-hall
Magnetic control of dipolaritons in quantum dots
偶极化激元是产生于微腔中耦合量子阱中的准粒子，它们是光子、直接激子和间接激子的叠加。我们提出了偶极化激元存在于一个系统中的两个耦合的量子点内的一个微腔中的量子阱的情况下，直接类比，并发现，尽管有一些相似之处，偶极化激元在量子点有不同的属性，可以导致真正的暗极化激元状态。我们使用有限系统理论研究的磁场对系统的影响，包括发射，并发现它可以作为一个控制参数的激子和偶极激元的属性，和整体的结构的磁性行为。
2016-03-19 cond-mat.mes-hall
Carrier dynamics in site- and structure-controlled InGaN/GaN quantum dots
我们报告的载流子动力学在InGaN/GAN盘线量子点精确控制的位置和结构参数，包括直径，厚度和材料成分。在10 K ~ 120 K温度范围内，测量了直径为19 nm ~ 33 nm的量子点的时间积分谱、时间分辨谱和二阶关联函数。结构参数的小波动的影响，最重要的是量子点的厚度，对光学性质的影响，也通过许多单个量子点的多个光学性质之间的统计相关性。我们发现，在一个单一的点的应变诱导极化场和应变弛豫在侧壁形成一个势垒，以保护激子到达侧壁表面。然而，激子可以通过两种机制克服这个势垒并在表面非辐射地复合：量子力学地隧穿势垒和通过获得足够的热能跳过势垒。前（后）种机制是温度不敏感（敏感）的，在低（高）温下占主导地位的非辐射激子衰减。我们还发现，尽管在结构参数的良好的均匀性，所有的光学性能仍然表现出不均匀性从点到点。然而，所有这些不均匀性可以通过简单地改变势垒高度来建模，这也解释了所有光学特性之间观察到的相关曲线。最后，我们发现双激子与激子的量子效率比，决定了多光子发射的概率，可以通过调节势垒高度和温度来调节，这表明了一种新的方式来实现在高温下的单光子发射。
2014-05-05 cond-mat.mes-hall
Interplay of the Kondo Effect and Spin-Polarized Transport in Magnetic Molecules, Adatoms and Quantum Dots
我们研究了一类表现出单轴磁各向异性的系统中的近藤效应和自旋极化隧穿的相互作用，例如磁性分子、磁性吸附原子或耦合到单个局域磁矩的量子点。用数值重整化群方法计算了近藤区的谱函数和线性电导。我们发现，传导电子和局域磁芯之间的交换耦合通常会导致近藤效应的抑制。我们还预测了交换耦合的强度和各向异性常数上的隧道磁阻的非平凡的依赖。
2011-03-06 cond-mat.mes-hall
Tracking electron pathways with magnetic field: Aperiodic Aharonov-Bohm oscillations in coherent transport through a periodic array of quantum dots
我们研究了通过一个周期性的正方形量子点阵列夹在调制掺杂量子阱的共振隧穿。当磁场与量子点平面平行时，由于隧穿电子穿过的多条路径的干涉，隧穿电流呈现出高度复杂的Aharonov-Bohm振荡模式，通过以不同的倾斜角度扫描磁场，可以计算出与电导拍频相关的各个路径。值得注意的是，Aharonov-Bohm振荡是非周期性的，除非相对于量子点晶格轴的磁场斜率是有理数。
2015-01-02 cond-mat.mes-hall
Inhomogeneous low temperature epitaxial breakdown during Si overgrowth of GeSi quantum dots
研究了非均匀应变硅盖层的低温外延击穿。通过在相干应变GeSi量子点表面上生长Si薄膜，我们区分了表面粗糙度、应变和生长取向对外延击穿机制的影响。使用原子力显微镜和高分辨率的横截面透射电子显微镜，我们发现，虽然局部晶格应变高达2%的影响可以忽略不计，生长在较高的折射率方面，如{113}显着降低了局部击穿厚度。纳米级的生长丘的形成观察以上所有的小平面取向。由于扩散长度直接取决于表面取向，我们涉及到特定的生长面的低温稳定性和动力学限制的生长丘的平均尺寸的外延厚度的变化。
2011-05-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic properties of quantum dots formed by magnetic double barriers in quantum wires
通过量子线暴露于两个磁钉在串联的输运建模。我们证明，量子点可以形成这种方式耦合到通过磁屏障的铅。从概念上讲，所有的量子点态都可以通过输运实验获得。模拟表明，Breit-Wigner共振在封闭的制度，而法诺共振出现，只要一个开放的传输通道是存在的。该系统允许调整点的约束潜力从亚抛物线超抛物线的实验参数。
2011-04-29 cond-mat.mes-hall
Control of Spin Blockade by AC Magnetic Fields in Triple Quantum Dots
我们分析了三角形三重量子点在交、直流磁场作用下的相干自旋现象。特别是，我们讨论了Aharonov-Bohm电流振荡，相干电子捕获和自旋封锁下的电子自旋共振条件下的相互作用。我们证明，对于某些场频率，AC磁场在电流中诱导反共振行为，允许通过调谐AC场频率来去除和恢复纠缠自旋阻塞状态。我们的理论预测指出了如何操纵三角形量子点阵列中的自旋量子比特。
2010-03-15 cond-mat.mes-hall
Effect of external magnetic field on electron spin dephasing induced by hyperfine interaction in quantum dots
研究了外加磁场对半导体量子点中超精细相互作用引起的单电子自旋相位弛豫的影响。基本的衰变机制归因于局域有效核场在量子点系综上的色散。通过对核自旋分布取平均值，分析了电子自旋退相的特征。我们发现，退相率可以估计为主要由局部核磁场的平均值引起的自旋进动频率。此外，它表明，超精细相互作用并不完全解除电子自旋。失相过程中初始自旋极化的损失强烈依赖于外部磁场，导致有效抑制这种机制的可能性。
2002-12-10 cond-mat.mes-hall
Tuning of coupling modes in laterally parallel double open quantum dots
研究了在垂直磁场中，电子通过嵌入量子线中的横向平行双开口量子点的输运。通过调节中心势垒的强度和所施加的磁场，点的耦合模式是可调谐的。概率密度和电子流密度的计算表明，包括磁阻塞，磁湍流，和一个空穴类准束缚态功能的运输效果。通过改变磁场，发现电导中存在Fano到dip的线形交叉。
2005-07-29 cond-mat.mes-hall
Exchange interaction and stability diagram of coupled quantum dots in magnetic fields
计算了磁场中两个耦合量子点的电荷稳定性图。通过精确对角化求解单粒子和双粒子薛定谔方程，得到了这些体系的化学势和交换能。通过分析化学势随外加偏压和磁场的变化，可以区分点间弱耦合和强耦合。稳定性图中化学势曲率和双三相点间距的变化证实了点间耦合随磁场的增加而减小。计算的交换能也被发现是显着小于从稳定性图估计的值。
2006-07-22 cond-mat.mes-hall
Effect of the surface curvature on the magnetic moment and persistent currents in two-dimensional quantum rings and dots
研究了二维量子环和量子点中表面曲率对磁矩和持续电流的影响。结果表明，表面曲率减小了环的磁矩的deHaas-van Alphen（dHvA）型振荡的相邻极大值之间的间距，减小了Aharonov-Bohm（AB）型振荡的振幅和周期.在量子点的情况下，表面曲率降低了零磁场下的能级简并。这导致在低磁场下对磁矩的抑制。研究了持续电流与磁矩的关系。我们发现，表面曲率的幅度和持续电流振荡的周期减小。
2003-08-25 cond-mat.mes-hall
Semiconductor quantum dots in high magnetic fields: The composite-fermion view
本文回顾和推广了强磁场中半导体量子点的复合费米子理论。复合费米子的平均场模型不能满足高角动量下的定性物理。大量的数值计算表明，微观CF理论，其中包括复合费米子之间的相互作用，提供了一个很好的定性和定量的量子点基态的最大角动量的研究，并允许系统的改进，包括复合费米子朗道能级（称为$Λ$水平）之间的混合。
2006-11-13 cond-mat.mes-hall
Magnetic-field-induced singularities in spin dependent tunneling through InAs quantum dots
在磁场高达28 T的情况下，实验研究了GaAs-AlAs-GaAs隧穿器件中单个InAs量子点的共振隧穿电流阶跃。在高场下，台阶演变成强烈增强的电流峰。这可以理解为由于量子点上的隧穿电子与朗道量子化三维发射极中部分自旋极化的费米海之间的库仑相互作用而引起的场诱导费米边奇异性。
2000-05-04 cond-mat.mes-hall
Cotunneling through quantum dots coupled to magnetic leads: zero-bias anomaly for non-collinear magnetic configurations
利用实时图解法对弱耦合量子点与非共线磁化导线的共隧穿输运进行了理论分析。计算了在库仑阻塞条件下和系统任意磁结构下的电流、量子点占据和量子点自旋。结果表明，施加在点上的铁磁导线的有效交换场可以显着修改非共线磁配置，特别是最近发现的反平行配置的零偏置异常的输运特性。对于非对称Anderson模型，交换场引起量子点自旋的进动，导致微分电导和隧道磁阻与引线的磁矩夹角的非单调关系.对于某些非共线结构，发现了增强的微分电导和负TMR。
2006-11-16 cond-mat.mes-hall
Temperature and magnetic-field dependence of the quantum corrections to the conductance of a network of quantum dots
我们计算了量子点网络的系综平均电导的所有量子修正对磁场和温度的依赖关系。我们考虑的限制，网络的无量纲电导是大的，所以量子校正相比，领先的，经典的贡献电导小。对于量子点网络，电导及其量子校正可以仅用接触的电导和形状因子以及量子点的电容来表示。特别是，我们计算的温度依赖性的弱本地化校正，并表明，它是由一个有效的退相速率与温度成正比。
2008-05-14 cond-mat.mes-hall
Exciton spin relaxation in single semiconductor quantum dots
研究了非对称单量子点中激子自旋的弛豫（纵向弛豫时间$T_{1}$），这是由于短程交换作用和声学声子形变的相互作用引起的。计算的弛豫速率强烈依赖于点的大小，磁场和温度。对于典型的量子点和低于100 K的温度，零磁场弛豫时间是长的激子寿命相比，但他们强烈减少高磁场。本文详细讨论了基于（In，Ga）As和（Cd，Zn）Se半导体化合物的量子点。
2003-04-23 cond-mat.mes-hall
Magnetic field induced valence band mixing in [111] grown semiconductor quantum dots
本文提出了在（111）A衬底上生长的GaAs液滴点中磁场诱导重空穴态+/-3/2混合的微观理论。所提出的理论模型考虑了原子力显微镜中揭示的三角对称的引人注目的点形状。我们的空穴态的计算进行内的Luttinger哈密顿形式主义，补充津贴的三角形的限制潜力。它们是在定量协议与实验观察到的极化选择规则，发射线强度和能量分裂的纵向和横向磁场中性和带电激子在所有测量的单点。
2012-11-29 cond-mat.mes-hall
Magnetic induction dependence of the dispersion of magnetoplasmon in a two-dimensional electron gas with finite layer thickness
采用自洽线性响应近似方法，计算了在垂直于层平面的均匀静态磁场作用下，有限层厚二维电子气中纵向磁等离子体激元色散与磁感应强度的关系.得到了两个纵向磁等离子体激元模。计算的色散与Batke { \it et al.}的实验结果一致。[Phys. Rev. B { \bf 34}，6951（1986）]。
2013-07-26 cond-mat.mes-hall
Wetting layer evolution and its temperature dependence during self assembly of InAs/GaAs quantum dots
利用反射差谱（RDS）研究了InAs/GaAs（001）量子点（QD）系统的润湿层（WL）演化及其温度依赖性，并采用速率方程模型进行了分析。WL厚度在相对较低的生长温度下表现出单调增加，但在较高的温度下先增加，然后减少，这是从热力学的理解意想不到的。通过采用速率方程模型，量子点生长的温度依赖性被指定为不同的WL演变的起源。并对铟的解吸作了简要的讨论。这些结果暗示了量子点自组装的动力学方面。
2012-05-02 cond-mat.mes-hall
Spin-polarized currents in double and triple quantum dots driven by ac magnetic fields
我们分析了交叉直流和交流磁场存在下，通过双量子点和三量子点的非均匀塞曼分裂的输运。我们发现，通过调节量子点塞曼分裂能级的相对能量，可以获得强自旋极化电流：根据能级的失谐量，双量子点可以作为自旋上滤波器或自旋下滤波器工作.我们证明了三重量子点在交、直流磁场作用下不仅可以作为自旋过滤器，而且可以作为自旋反转器。
2010-11-27 cond-mat.mes-hall
Magneto-optical absorption in semiconducting spherical quantum dots: Influence of the dot-size, confining potential, and magnetic field
在这里，我们开始深入研究半导体{ \em球形}量子点的磁光吸收的限制谐波势和施加的磁场在对称规范的特点。这是在Bohm-Pines的随机相位近似的框架内完成的，该框架使我们能够导出并讨论充分考虑库仑相互作用的戴森方程。作为我们的理论策略的应用，我们计算各种单粒子和多粒子的现象，如Fock-Darwin光谱，费米能量，磁光跃迁，概率分布，和量子点中的磁光吸收。据观察，施加的磁场对吸收光谱的作用是可比的限制潜力。增加（降低）磁场或限制势的强度被发现类似于缩小（扩大）量子点的尺寸：导致吸收光谱的蓝（红）移。费米能量随着磁场和点尺寸的增加而减小，并且在较大的场或点尺寸值下呈现锯齿状振荡。与横向受限的量子点不同，即使在极端情况下，（上和下）磁光跃迁也会存在。然而，内朗道能级跃迁被认为是禁止的。球形量子点比严格的二维量子点有优势，因为额外的（磁性）量子数使物理学更丰富（但更复杂）。对库仑阻塞、量子相干性和纠缠的更深入理解可以使我们更好地了解激光器、探测器、存储设备和量子计算等有前途的应用。
2016-04-12 cond-mat.mes-hall
Evidence of magnetic field quenching of phosphorous-doped silicon quantum dots
我们提供了高掺杂绝缘体上硅量子点在高达48 T的脉冲磁场作用下的电输运性质的数据。在低场强度下，B<7 T，我们观察到由于弱局部化的破坏而导致的电导的强烈修改，而在较高的场，其中磁场长度变得与硅中磷的有效玻尔半径相当，电导的强烈减小被证明。然后比较高和低电场偏置区域中的数据，以显示在约40 T下实现了接近库仑阻塞边缘的对量子点中的单施主的磁诱导猝灭。
2013-11-18 cond-mat.mes-hall
Significance of an external magnetic field on two-phonon processes in gated lateral semiconductor quantum dots
本文概述了栅控横向半导体量子点（QD）上双声子过程的理论和数值计算。在外加磁场的作用下，利用两个横向耦合的量子点构成的异质结构，研究了电子在两个声子作用下的散射速率。形式主义是基于声学声子模式通过未屏蔽的变形势和压电相互作用时，晶格缺乏一个中心的反演对称。用二阶微扰理论计算了速率。散射率与外加磁场、晶格温度和量子点间距密切相关。
2014-05-28 cond-mat.mes-hall
Charge localization and dynamical spin locking in double quantum dots driven by ac magnetic fields
研究了双量子点中交流磁场诱导的电子局域化和动态自旋锁定。我们证明，通过调整交流磁场参数，即，场强度、频率和每个点内的场之间的相位差，可以实现隧穿的相干破坏（以及由此的电荷局部化）。我们发现，与交流电场相比，交流磁场能够诱导自旋锁定，即，在特定的场参数下冻结电子自旋。我们展示了如何的对称性的哈密顿量确定quasienergy频谱呈现退化在某些字段参数，以及如何反映在电荷和自旋动力学。
2011-09-30 cond-mat.mes-hall
Zero-energy states of graphene triangular quantum dots in a magnetic field
提出了外磁场作用下三角形石墨烯量子点（TGQD）的紧束缚理论。横向尺寸量子化打开了一个能隙，亚晶格对称性破缺导致费米能级处的简并态壳层。我们推导出了一个半解析形式的零能态在磁场中，并表明壳保持退化在一个磁场中，类似于0朗道级的块状石墨烯。磁场关闭了能隙，导致价态和传导态与零能态的交叉，调制壳层的简并。随着磁场的增加，间隙的闭合存在于所有研究的石墨烯量子点结构中，而与形状和边缘终止无关。
2013-08-02 cond-mat.mes-hall
Charge state control in single InAs/GaAs quantum dots by external electric and magnetic fields
本文报道了在4.2 K下施加电场和/或磁场对单个自组装InAs/GaAs量子点电荷态控制的光致发光谱研究。通过控制载流子隧穿，在-0.5 V到0.5 V的偏压范围内观察到中性和带电激子复合物。随着泵浦功率的增加，高度带负电的激子发射变得更强，这是由于电子具有比空穴更小的有效质量并且更容易被量子点捕获的事实。沿样品生长轴施加磁场对带负电荷激子的积分光致发光强度有显著影响。这一观察结果是解释了由所施加的磁场，这增加了非共振激发的电子被捕获的润湿层界面处的局部电位的概率，并导致在量子点中分布的电子较少的电子所引起的电子漂移速度的减少。磁场对空穴漂移速度也有影响，但影响要小得多。
2014-07-30 cond-mat.mes-hall
Electron Bunching in Transport Through Quantum Dots in High Magnetic Field
散粒噪声测量提供关于粒子的电荷及其相关性的信息。本文报道了量子点在量子化磁场作用下的散粒噪声测量。在一系列电导共振的峰值处测得的噪声比预期高出约9倍;这表明电子在穿过点时会聚束。这种增强可能是由一个额外的弱耦合水平的铅或激发态介导的。注意，在没有磁场的情况下，没有观察到聚束。
2007-01-09 cond-mat.mes-hall
