在GaAs-AlGaAs异质结构中制造紧密间隔、独立接触的电子-空穴双层
Fabrication of closely spaced, independently contacted Electron-Hole bilayers in GaAs-AlGaAs heterostructures
摘要：
我们描述了一种在GaAs-AlGaAs异质结构中制造紧密间隔的电子空穴双层膜的技术。我们的技术结合了一种新的方法，使浅接触低密度（$<10^{11}cm^{-2}$）的二维电子气（2DEG），不需要退火。可以在两个层上进行四端测量（相距25 nm）。测量显示在1.5K下的空穴迁移率$μ_{h}>10^{5}{\rm cm}^{2}{\rm V}^{-1}{\rm s}^{-1}$和电子迁移率$μ_{e}>10^{6}{\rm cm}^{2}{\rm V}^{-1}{\rm s}^{-1}$。在T= 300 mK时进行的初步阻力测量表明，库仑相互作用比静态随机相位近似（RPA）计算得到的值有所增强。
英文摘要：
We describe a technique to fabricate closely spaced electron-hole bilayers in GaAs-AlGaAs heterostructures. Our technique incorporates a novel method for making shallow contacts to a low density ($<10^{11}cm^{-2}$) 2-dimensional electron gas (2DEG) that do not require annealing. Four terminal measurements on both layers (25nm apart) are possible. Measurements show a hole mobility $μ_{h}>10^{5}{\rm cm}^{2}{\rm V}^{-1}{\rm s}^{-1}$ and an electron mobility $μ_{e}>10^{6}{\rm cm}^{2}{\rm V}^{-1}{\rm s}^{-1}$ at 1.5K. Preliminary drag measurements made down to T=300mK indicate an enhancement of coulomb interaction over the values obtained from a static Random Phase Approximation (RPA) calculation.
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