量子点接触中的边界介导电子-电子相互作用

石墨烯场效应晶体管中的电流拥挤介导的大接触噪声

Current crowding mediated large contact noise in graphene field-effect transistors

石墨烯-金属界面处的电阻的固有时间依赖性波动或接触噪声对石墨烯场效应晶体管的性能的影响可能与接触电阻本身一样不利，但在很大程度上仍未被探索。在这里，我们研究了不同器件几何形状和接触配置的石墨烯场效应晶体管中的接触噪声，载流子迁移率范围为5，000至80，000 $~$ cm $^{2}$ V $^{-1}$ s $^{-1}$。由于纯二维导体中的电流拥挤，我们的接触噪声的现象学模型证实了接触在双探针或侵入式四探针配置中的所有石墨烯场效应晶体管中主导测量的电阻噪声，并且令人惊讶的是，在高迁移率器件中的几乎非侵入式四探针（霍尔条）配置中也是如此。接触噪声的微观起源与金属-沟道界面的波动静电环境直接相关，这对于二维材料基电子器件是通用的。

横向量子点电路中的量子干涉和声子介导的反向action

Quantum interference and phonon-mediated back-action in lateral quantum dot circuits

自旋量子比特已经在静电限定的、横向少电子量子点电路中成功实现。量子位读出通常涉及自旋到电荷信息转换，随后是使用附近的偏置量子点接触进行的电荷测量。理解这种测量方法产生的反作用干扰是至关重要的。先前的研究表明，量子点接触探测器发射声子，然后被附近的量子比特吸收。我们在这里报告观察到一个明显的反作用效应在多点电路中的检测器产生的声子的吸收强烈修改的量子干涉效应，并表明，该现象是很好地描述了一个理论，将量子点接触和相干声子吸收。我们的实验和理论结果相结合，提出了抑制量子位读出过程中的反作用的策略。

通过接触工程分离钴三锡二硫二中的本质与域介导的异常霍尔电导率

Separating Intrinsic and Domain-Mediated Anomalous Hall Conductivity in Co$_3$Sn$_2$S$_2$ via Contact Engineering

通过接触工程在厚钴三锡二硫二单晶中分离本质与域介导的异常霍尔电导率，揭示磁场下域状态对霍尔响应的影响。

利用纳米线量子点探测量子点接触中的太赫兹电流波动

Detecting THz current fluctuations in a quantum point contact using a nanowire quantum dot

我们使用纳米线量子点来探测附近量子点接触中的高频电流波动。波动驱动量子点中的电荷跃迁，这是用单电子检测技术实时测量的。量子点接触（GaAs）和量子点（InAs）是在不同的材料体系中制备的，这表明它们之间的相互作用是由光子而不是声子介导的。纳米线量子点的大能量尺度允许在长波长红外区域中的辐射检测。

Landauer-Büttiker approach for hyperfine mediated electronic transport in the integer quantum Hall regime

The interplay of spin-polarized electronic edge states with the dynamics of the host nuclei in quantum Hall systems presents rich and non-trivial transport physics. Here, we develop a Landauer-Büttiker approach to understand various experimental features observed in the integer quantum Hall set ups featuring quantum point contacts. The approach developed here entails a phenomenological description of spin resolved inter-edge scattering induced via hyperfine assisted electron-nuclear spin flip-flop processes. A self-consistent simulation framework between the nuclear spin dynamics and edge stat…

电流感生自旋的提取：窄霍尔接触的自旋边界条件

Extracting current-induced spins: spin boundary conditions at narrow Hall contacts

我们考虑了在霍尔几何中利用Rashba-Dresselhaus自旋轨道相互作用（R2 DEG）提取二维电子气中由电流产生的自旋的可能性。为此，我们讨论了自旋-轨道耦合区和无自旋-轨道耦合的接触，即正常的二维电子气（2DEG）之间的自旋积累的边界条件。我们证明，在沿整个样品延伸的接触相反，自旋积累可以扩散到正常区域通过有限的接触和检测，例如铁磁体。对于阻抗匹配的窄接触，2DEG中的自旋累积等于R2 DEG体中的电流诱导的自旋累积，直到几何形状相关的数值因子。