Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The types of Mott insulator
自然界中有两类莫特绝缘体，它们对弱掺杂的响应不同。随着化学势的增加，I型莫特绝缘体经历从未掺杂相到掺杂相的一阶相变。在存在长程库仑相互作用的情况下，这导致呈现“微相分离”的不均匀状态。相反，在第二类莫特绝缘体中，电荷在临界化学势以上持续进入。我们表明，如果绝缘状态有一个破缺的对称性，这将增加的可能性，它将是I型。在这两种类型的莫特绝缘体和我们熟悉的I型和II型超导体之间存在着密切的相似性。
2002-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fragile Mott Insulators
我们证明了存在一类晶体绝缘体，我们称之为“脆弱的莫特绝缘体“，它们不与任何带绝缘体电连接，只要时间反演和某些点群对称性得到尊重，但在其他方面并不引人注目，因为它们没有表现出拓扑秩序，也没有任何形式的分形准粒子。不同的脆性莫特绝缘体的特点是不同的非平凡的一维表示的晶体点群。我们用两个例子来说明这种新型的绝缘体：在棋盘格哈伯德模型中发现的半填充的d-莫特绝缘体和正方形晶格上的Affleck-Kennedy-Lieb-Tasaki绝缘体。
2010-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mott Transition in a Valence Bond Solid Insulator with a Triangular Lattice
研究了准二维自旋阻挫三角晶格Mott绝缘体EtMe $_3$ P[Pd（dmit）$_2$ ] $_2$在静水压力和磁场中的Mott跃迁.在压力-温度（$P$ - $T$）相图中，发现低温下有价键固相与超导相和金属相相邻。相图的轮廓与具有反铁磁序的莫特绝缘体的相图的轮廓相同。与反铁磁莫特绝缘体相反，金属相的电阻率表现出反常的温度依赖性，$ρ= ρ_0 + A T^{2.5}$。
2007-12-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Renormalization of the Mott gap by lattice entropy: The case of 1T-TaS2
在许多过渡金属氧化物和二硫属化物中，电子和晶格自由度强烈耦合，产生显著的现象，如金属-绝缘体转变（MIT）和电荷密度波（CDW）秩序。我们研究这种相互作用，通过跟踪下从头计算分子动力学的即时电子结构。应用这种方法的1 T-TaS 2层，我们表明，CDW触发的莫特间隙经历了连续减少的晶格温度升高，尽管几乎恒定的CDW振幅。在室温附近，CDW有序发生一阶跃之前，动态CDW涨落已经将Mott能隙尺寸缩小了一半。间隙尺寸减小比晶格温度变化大一个数量级。我们的计算不仅为理解1 T-TaS_2的热力学行为提供了重要线索，而且也为量子化学中晶格熵效应的量化提供了一种通用方法。
2020-02-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Coherent phonons and the interplay between charge density wave and Mott phases in 1$T$-TaSe$_{2}$
Politecnico di Milano（米兰理工大学）；University of Bath（巴斯大学）；IFN-CNR（凝聚态物理研究所-国家研究委员会）；Université de Lyon（里昂大学）；ENS de Lyon（里昂高等师范学校）；Université Claude Bernard（克洛德·贝尔纳大学）；University of Bristol（布里斯托大学）
本研究结合TR-ARPES与TRR技术探究1$T$-TaSe₂中的相干声子振荡，明确了面内CDW振幅模与莫特相的关联，揭示了晶格自由度在该强关联体系中的重要作用。
2020-09-10 cond-mat.str-el
Optical probe of carrier doping by X-ray irradiation in organic dimer Mott insulator $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu[N(CN)$_{2}]$Cl
研究了有机二聚体莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl在X射线辐照下的红外光谱。我们观察到，照射造成了一个大的光谱重量转移从中红外区域，在二聚体和莫特-哈伯德带的带间跃迁发生，德鲁德部分在低能量区域，这导致莫特间隙崩溃。Drude部分的增加表明载流子掺杂到莫特绝缘体中是由于辐照缺陷。光谱权重的强重新分布表明有机莫特绝缘体非常接近带宽控制的莫特跃迁的相边界。
2008-10-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase-resolved frequency-domain analysis of the photoemission spectra for photoexcited 1T-TaS2 in the Mott insulating charge density wave state
本研究利用时间分辨角分辨光电子能谱及FDARPES分析光激发1T-TaS2，揭示CDW振幅模通过晶格调制动态改变Mott能隙，而CDW平带依然保持。
2023-06-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
States induced in the single-particle spectrum by doping a Mott insulator
在强关联电子系统中，在莫特绝缘体掺杂后，单粒子谱中莫特能隙中的态的出现是一个显著的特征，不能用传统的刚性能带图来解释。本文通过对量子数和相关态重叠的分析，以及用梯形和双层t-J模型的论证，表明在空穴掺杂引起的连续Mott跃迁中，莫特绝缘体的磁激发态通常出现在电子中，在下Hubbard带未被完全充满的动量区，色散关系被费米动量移动。这意味着电子加成谱中的类自由电子模的色散关系最终转变为莫特绝缘体的动量移动磁色散关系，而其谱权向莫特跃迁方向逐渐消失。这个特征反映了莫特绝缘体的自旋-电荷分离。
2015-08-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hidden Quantum State and Signature of Mott Transition in Two-dimensional 1T-TaS2
本文通过对不同厚度1T-TaS2进行温度与偏振依赖的拉曼散射研究，在约80K处发现了隐藏量子电荷密度波态，并通过低频斜率揭示了从金属态到Mott绝缘态的转变特征。
2025-05-05 cond-mat.str-el
Quantum Ginzburg-Landau theory of doped Mott insulators
通过进一步的对偶变换，改进了掺杂莫特绝缘体的对偶性理论。结果得到了描述库珀对凝聚和自旋凝聚对偶的量子Ginzburg-Landau理论。我们通过掺杂莫特绝缘体来解决超导性，我们称之为莫特超导性。铜氧化物中这种新颖性的一些特征是中子共振能量和超流密度之间的标度，以及由涡旋或Zn杂质引起的{ \it量子化}自旋矩（以及循环电荷超流，有待实验检验）。
2003-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Generalizing the Cooper-Pair Instability to Doped Mott Insulators
铜氧化物在掺杂电子空穴后迅速成为超导体，表明基本的配对不稳定性。库珀机制将正常超导解释为费米液体状态的不稳定性，但高温超导体来自莫特绝缘体正常状态，而不是费米液体。我们发现，早熟对凝聚掺杂是一个自然的属性竞争的反铁磁性和d-波超导的单占据晶格，从而推广库珀不稳定性掺杂莫特绝缘体，具有重要意义的高温超导机制。
2008-10-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dynamical spin response of electron doped Mott insulators on a triangular lattice
基于$t-J$模型研究了三角晶格上电子掺杂莫特绝缘体的自旋动力学。研究发现，正方晶格上的掺杂莫特绝缘体所具有的积分动力学自旋结构因子的普遍行为，在三角晶格上的掺杂莫特绝缘体中并不存在，表明存在正常态能隙.结果表明，自旋-晶格弛豫速率1/ $T_{1}$除以$T$在0.2 $J$ $\approx$ 50 K以上随温度的降低而减小，在低于50 K的温度下遵循Curie-Weiss-like行为，与实验观察定性一致.
2012-12-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex state in a doped Mott insulator
我们分析了最近在铜氧化物超导体中的涡旋芯光谱实验，并讨论了从中可以学到的关于这些化合物的基态的性质。我们认为，数据是不一致的假设一个简单的金属基态和掺杂的莫特绝缘体的特点。基于U（1）规范场从玻色子模型，发展了这种掺杂莫特绝缘体中涡旋核的理论，并显示出与实验数据定性一致的性质。
2000-10-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dynamical Breakup of the Fermi Surface in a doped Mott Insulator
本文用元胞动力学平均场论研究了二维哈伯德模型中从反常金属相到莫特绝缘体的演化。我们表明，密度驱动的莫特金属-绝缘体转变接近在一个非均匀的方式在不同区域的动量空间。这引起费米面的分裂和热区和冷区的形成，其位置取决于系统中载流子的空穴或电子性质。
2004-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Direct Transition Between a Singlet Mott Insulator and a Superconductor
我们认为，一个正常的费米液体和一个单线态，自旋带隙的莫特绝缘体不能连续连接，一些中间相必须侵入它们之间。通过明确地工作出一个案例研究，其中的单线态绝缘体是稳定的轨道简并和一个倒置的洪德规则耦合，模仿Jahn-Teller效应，我们发现，中间相是超导体。
2001-05-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
From Mott insulator to ferromagnetic metal: a pressure study of Ca$_{2}$RuO$_{4}$
研究表明，莫特绝缘体Ca $_{2}$ RuO $_{4}$在0.5GPa下发生金属-绝缘体相变：在300 K下，从顺磁性绝缘体到顺磁性准二维金属;在$T \leq$ 12 K下，从反铁磁性绝缘体到铁磁性、高度各向异性的三维金属. %我们比较了金属状态的结构相关的p波超导体Sr $_{2}$ RuO $_{4}$，并讨论了结构扭曲的重要性，预计强烈耦合到压力。
2002-03-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Temperature dependence of the electronic structure of Ca3Cu2O4Cl2 Mott insulator
用扫描隧道显微镜研究了Ca_3Cu_2O_4Cl_2铜酸盐母体莫特绝缘体的电子结构随温度的变化。我们发现，随着温度的升高，上哈伯德带向费米能级移动，而电荷转移带基本保持不变。这导致高温下电荷转移间隙尺寸的减小，并且减小的速度比传统半导体快得多。在反铁磁序的Neel温度范围内，电子结构没有突然的变化。这些结果为铜酸盐母体莫特绝缘体的理论模型提供了新的解释。
2021-12-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Uncovering the nature of transient and metastable non-equilibrium phases in 1$T$-TaS$_2$
本文利用时间分辨角分辨光电子能谱研究1$T$-TaS$_2$的光致相变，发现瞬态相与未畸变金属相能带相似、Mott与CDW序恢复同步，并揭示CDW晶格序驱动形成仅在强激发下出现的亚稳态公度CDW-Mott绝缘相。
2023-03-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Suppression of topological Mott-Hubbard phases by multiple charge orders in the honeycomb extended Hubbard model
研究了蜂窝扩展哈伯德模型中电荷密度波态与库仑相互作用驱动的拓扑莫特绝缘体体态之间的竞争.对于具有在位（$U$）和次近邻（$V_2$）库仑相互作用的自旋模型，利用变分蒙特卡罗模拟和Hartree-Fock近似，我们发现了两个特殊的六亚晶格电荷密度波绝缘态.我们观察到，传统的有序状态总是赢相对于TMI。基态在大- $V_2$区域中由CDW给出，其特征在于对于较小（较大）$U$为220200（001122）电荷构型，其中0、1和2表示基本上空的、单占据的和双占据的位点。在001122型CDW相，我们发现一个新兴的耦合二聚体反铁磁体驱动的一个有效的正方形晶格上的单占据网站的磁性转变。可能实现的发现国家进行了讨论。
2018-04-04 cond-mat.str-el
Spectral function of a quarter-filled one-dimensional CDW insulator
我们考虑了一维电荷密度波（CDW）绝缘体形成的Umklapp过程中的四分之一填充带。该模型的频谱由携带自旋$\pm 1/2$的无隙、不带电激发（自旋子）和携带电荷$\pm e/2$的有隙、无自旋激发（孤子和反孤子）组成。我们计算了零温下单电子格林函数的低能行为。谱函数表现出两个孤子和许多自旋子的散射连续谱。理论预测，角分辨光电子能谱（ARPES）观察到的间隙是直流电导率激活间隙的两倍。我们评论可能的应用程序${\rm PrBa_2Cu_3O_7}$和Bechgaard盐。
2001-11-12 cond-mat.str-el
Tomonaga-Luttinger parameters for doped Mott insulators
Tomonaga-Luttinger参数$K_ρ$确定准一维相关电子系统中的临界行为，例如，费米能附近的态密度的指数$α$。我们利用数值密度矩阵重整化群方法，从零波矢处动量空间的密度-密度关联函数的斜率计算了$K_ρ$。我们检查我们的新方法对哈伯德和XXZ海森堡模型的精确结果的准确性。我们确定$K_ρ$在四分之一填充，$n_{\rm c}=1/2$的扩展哈伯德模型的相图，并确认玻色化的结果$K_ρ=n_{\rm c}^2=1/4$的临界线和$K_ρ^{\rm CDW}=n_{\rm c}^2/2=1/8$在无限小掺杂的电荷密度波（CDW）绝缘体的所有相互作用强度。掺杂的CDW绝缘体仅在小掺杂和强相关时才表现出指数$α>1$。
2005-07-22 cond-mat.str-el
Optical excitations in a one-dimensional Mott insulator
利用密度矩阵重整化群方法研究了一维扩展哈伯德模型中Mott绝缘相的光激发。用动态DMRG方法计算了线性光学电导率，用对称DMRG方法研究了最低光学激发态的性质。数值计算完全符合场理论预测的一个小的莫特间隙和分析结果的一个大的莫特间隙与强耦合分析。结果表明，在这种莫特绝缘体中存在四种类型的光激发：未束缚电荷激发对、激子、激子弦和电荷密度波（CDW）液滴。每种类型的激发占主导地位的低能量光谱在一些区域的相互作用参数空间，并对应于不同的光谱特征：一个连续开始在莫特间隙（未结合电荷激发），一个单峰或几个孤立的峰低于莫特间隙（激子和激子弦，分别），和一个连续低于莫特间隙（CDW液滴）。
2002-08-26 cond-mat.str-el
Mottness collapse without metallisation in the domain walls of triangular-lattice Mott insulator 1T-TaS$_2$
1 T-TaS $_2$是一种电荷密度波（CDW）化合物，具有Mott绝缘基态。通过掺杂、取代或脉冲电荷注入获得的金属态的特征在于紧急CDW畴壁网络，而在原始Mott态中可以发现单畴壁。在这里，我们研究是否以及如何单壁成为金属。Tunnel光谱揭示了部分抑制的莫特间隙和存在的间隙状态强烈本地化的域壁网站。利用强关联量子顺磁基态的实空间动力学平均场论描述，我们证明了局域能隙的抑制是由于形成畴壁的晶格位沿连接的锯齿形链的跳跃增加，以及由于畴壁的结构二聚化，准粒子带分裂成键和反键子带而抢先完全金属化，解释了在费米能级处的带隙状态和低密度状态的存在。
2018-10-22 cond-mat.str-el
Interface ordering and phase competition in a model Mott-insulator--band-insulator heterostructure
本文用半经典近似的动态平均场方法研究了模型莫特绝缘体-带-绝缘体异质结的相图，它是厚度、耦合常数和电荷限制的函数。一个界面稳定的铁磁相被发现，允许它的竞争和可能的共存与体莫特绝缘体的反铁磁序特性的研究。
2005-08-28 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition via control of spin liquidity in a doped Mott insulator
量子自旋液体态，其中自旋是量子力学离域的方向，迄今已研究的电荷局域莫特绝缘体产生的强排斥相互作用。然而，最近发现具有三角形晶格的掺杂莫特绝缘体$κ$ -（ET）$_4$ Hg $_{2.89}$ Br $_8$既表现出类似自旋液体的磁性又表现出金属导电性。因此，现在可以通过实验探索自旋流动性如何影响电导，这是一个受到理论关注的问题。在这里，我们研究了一种新开发的方法，结合单轴和静水压力，在掺杂莫特绝缘体的导电与控制的三角形晶格几何形状和排斥强度，决定了自旋流动性和Mottness，分别。我们发现，在一个强相互作用的制度，电子状态急剧变化，从绝缘体到费米液体通过非费米液体不同的几何挫折，这表明自旋流动性促进电荷的离域。这一结果表明，自旋自由度的挫折通过掺杂的莫特绝缘体中的自旋和电荷的纠缠对电荷的输运具有决定性的影响。
2022-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A metallic mosaic phase and the origin of Mott insulating state in 1T-TaS2
电子-电子和电子-声子相互作用是稳定物质各种电荷有序相的两种主要驱动力。两者之间的复杂相互作用产生了一种特殊的电荷密度波（CDW）状态，也被称为莫特绝缘体，作为层状化合物1 T-TaS 2的基态。这种微妙的平衡也使得使用外部扰动来创造和操纵这种材料中的新相成为可能。在这里，我们研究了镶嵌CDW相诱导的电压脉冲从扫描隧道显微镜（STM）的尖端，并发现，新的阶段表现出的电子结构是完全不同的莫特基态的1 T-TaS 2在低温下。镶嵌相由纳米尺寸的域，其特征在于由定义良好的相移的CDW序参量在最上层，并通过改变堆叠相对于下面的层。我们发现，新阶段的性质是由堆叠顺序，我们的研究结果揭示了新的光莫特相在这个层状化合物的起源。
2015-07-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin-$0$ Mott insulator to metal to spin-$1$ Mott insulator transition in the single-orbital Hubbard model on the decorated honeycomb lattice
利用旋转不变的从玻色子研究了装饰蜂窝晶格上单轨道哈伯德模型在三分之二填充时强电子关联和三角形内自旋交换的相互作用.我们发现当自旋- $1$莫特绝缘体、金属和自旋- $0$莫特绝缘体之间的自旋交换是反铁磁的时，自旋交换是调谐的.莫特绝缘体产生于有效的三角形内多轨道相互作用，并与孤立三角形的基态电连接。反铁磁自旋交换，如确定的古德诺-Kanamori规则，可以发生在配位聚合物从动力学交换通过配体。我们的特点的磁性在该政权的自旋三重态占主导地位。对于小的$U$，自旋$1$ Slater绝缘体在三角形之间出现反铁磁序。自旋$1$莫特绝缘体中的磁性由蜂窝晶格上的自旋$1$海森堡模型描述，其基态为Néel有序.
2021-08-05 cond-mat.str-el
DMRG analysis of the SDW-CDW crossover region in the 1D half-filled Hubbard-Holstein model
为了阐明一维系统中自旋密度波（SDW）莫特绝缘体到电荷密度波（CDW）Peierls绝缘体的交叉物理过程，采用密度矩阵重整化群（DMRG）方法研究了半填充时的Hubbard-Holstein哈密顿量.确定的自旋和电荷相关指数，动量分布函数，和各种激发间隙，我们确认，一个介入的金属相扩展的SDW-CDW过渡在弱耦合制度。
2010-02-22 cond-mat.str-el
Doping the holographic Mott insulator
莫特绝缘体的形成是因为强烈的电子排斥，是强关联电子物理学的核心。传统上，这些被理解为由短程纠缠产物基态描述的电子的经典“交通堵塞”。利用全息对偶，映射到引力黑洞物理的紧密纠缠的物质的物理，我们展示了如何莫特绝缘体可以构造离开纠缠的非费米液态金属状态，如铜氧化物超导体中发现的奇怪的金属。这些“纠缠莫特绝缘体“与“经典”莫特绝缘体具有共同的特性，如在光学电导率中形成莫特能隙，超交换类相互作用，以及掺杂时形成“条纹”。它们还表现出新的特性：有序波矢量与晶胞中的电子数无关，直流电阻率随温度的变化以代数方式而不是指数方式发散。这些结果可能揭示了在欠掺杂铜酸盐中观察到的神秘有序现象。
2018-06-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con hep-th
Peierls-insulator Mott-insulator transition in 1D
为了澄清从Peierls带绝缘体到Mott Hubbard绝缘体的交叉的性质，我们利用精确对角化技术分析了一维半填充Holstein哈伯德模型的基态和光谱性质.
2001-07-26 cond-mat.str-el
Charge-density-wave phase, mottness and ferromagnetism in monolayer $1T$-NbSe$_2$
最近研究的单层NbSe $_2$的$1T$ -多晶型揭示了绝缘行为，表明具有与莫特绝缘体相关的$\sqrt{13}\,\times\sqrt{13}$周期性的大卫星相，使人想起$1T$ -TaS $_2$。在这项工作中，我们研究这种新颖的二维材料的第一原理。我们发现一个不稳定的形成一个无公度的电荷密度波（CDW），并建立大卫之星阶段作为最稳定的公度CDW。在大卫之星阶段的MOTTNESS确认和研究在不同层次的理论：自旋极化广义梯度近似（GGA）和它的扩展涉及现场库仑排斥（GGA+ $U$），以及动力学平均场论（DMFT）。最后，我们估计在这种材料中的海森堡交换耦合，并发现一个弱的最近邻铁磁耦合，在与大多数莫特绝缘体。我们指出，这个大卫之星阶段和平带铁磁性模型之间的密切相似之处。
2018-03-28 cond-mat.str-el
Chiral Pseudogap Metal Emerging from a Disordered van der Waals Mott Insulator 1T-TaS2-xSex
本文利用 ARPES 研究 1T-TaS2-xSex，发现 Se 取代在保持 CDW 序的同时诱导出具有手性谱不对称性的赝能隙金属相，并将其归因于无序 Mott 绝缘体。
2025-03-15 cond-mat.str-el
Gutzwiller description of non-magnetic Mott insulators: a dimer lattice model
我们介绍了一种新的扩展Gutzwiller变分波函数能够处理绝缘体逃脱任何平均场的描述，例如非磁性绝缘体。作为应用，我们研究了顺磁性金属到非磁性Peierls或价键莫特绝缘体的莫特跃迁。在大配位晶格的极限下，我们利用Gutzwiller波函数对该模型进行了分析，发现：（1）Mott跃迁是一级跃迁;（2）在莫特绝缘体中，Peierls能隙很大，但主要是由电子排斥作用造成的;（3）在跃迁附近出现了单重态超导.
2007-04-11 cond-mat.str-el
Generalized two-leg Hubbard ladder at half-filling: Phase diagram and quantum criticalities
利用强耦合微扰理论和弱耦合玻色化方法，研究了具有交换耦合和库仑排斥的半满两腿Hubbard阶梯的基态相图.这里考虑的梯形模型的可能的基态是具有不同角动量的四种类型的密度波态（s密度波态、p密度波态、d密度波态和f密度波态）和四种类型的量子无序态，即，莫特绝缘态（S-Mott，D-Mott，S'-Mott和D'-Mott态，其中S和D代表s波和d波对称性）。s-密度波态、d-密度波态和D-Mott态也分别被称为电荷密度波（CDW）态、交错通量（SF）态和梯级单重态。强耦合方法自然地导致横场中的Ising模型作为SF态和D-Mott态之间以及CDW态和S-Mott态之间的量子相变的有效理论，其中Ising有序态对应于交错通量或电荷密度波态中的双简并基态。从弱耦合玻色化方法出发，指出密度波态和Mott态之间的量子相变有三种情况：Ising（Z_2）临界、SU（2）_2临界和一级相变。发现Mott态之间和密度波态之间的量子相变是U（1）高斯临界。基态相图由微扰重整化群方程积分确定。结果表明，在CDW相和D-Mott相夹持的区域中存在S-Mott态和SF态。
2002-09-29 cond-mat.str-el
Breakdown of Luttinger's theorem in two-orbital Mott insulators
对Luttinger定理的分析表明，与最近的说法相反，它对一般的莫特绝缘体是无效的。研究了每格点有两个电子的双轨道哈伯德模型从非磁关联绝缘相（Mott或Kondo绝缘体）到能带绝缘体的渡越.莫特绝缘相的特征在于自能的极点和格林函数中相应的零点，定义了带状绝缘体不存在的"Luttinger表面“。然而，这种每个晶胞有两个电子的绝缘体的基态是电连接的。
2007-11-20 cond-mat.str-el
External Electric Field Mediated Quantum Phase Transitions in One-Dimensional Charge Ordered Insulators: A DMRG Study
我们进行了密度矩阵重整化群（DMRG）计算广泛的一维链与现场（U）以及最近邻（V）库仑排斥。计算是在全参数空间中进行的，明确地包含了静态偏置，并比较了外电场影响下的自旋密度波（SDW）和电荷密度波（CDW）绝缘体的性质.我们发现，尽管SDW（U> 2 V）和CDW（U<2 V）绝缘体在一定的阈值偏压后进入导电状态，但CDW绝缘体在零温下的绝缘体-金属转变所需的偏压比SDW绝缘体高得多。在外加电场的作用下，还发现了CDW-SDW相变。在这两种情况下的过渡所需的偏置随着系统尺寸的增加而减小。
2008-01-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spatial inhomogeneity and strong correlation physics: a dynamical mean field study of a model Mott-insulator/band-insulator heterostructure
本文利用动力学平均场方法研究了有限个莫特绝缘体层嵌入无限大带绝缘体中的异质结构的电子性质。确定了相关效应随Mott绝缘层数目和异质结构中的位置的演化，并计算了光学电导率。结果表明，异质结一般是金属，适度重整化带的准粒子出现在相关和非相关区域之间的界面。
2004-07-22 cond-mat.str-el
From Mott Insulator to Band Insulator: A DMFT Study
莫特绝缘体和带状绝缘体是否有本质上的不同，这个问题最近一直是深入研究的问题。在这里，我们考虑一个简单的模型，它允许通过调整一个参数，连续地从莫特绝缘体带绝缘体。该模型由两个通过单粒子跳跃连接的Hubbard系统组成。Hubbard哈密顿量由动力学平均场论求解，使用量子蒙特卡罗来解决由此产生的量子杂质问题。计算了准粒子谱函数。在这里，我们专注于光学电导率，特别是可以通过实验测量的Drude重量。从我们的计算中，我们得出结论，有一个连续的过渡带绝缘体的莫特绝缘体相在有限的温度。
2006-05-23 cond-mat.str-el
Origin of charge density wave formation in insulators from a high resolution photoemission study of BaIrO3
我们调查的起源电荷密度波（CDW）形成绝缘体通过研究BaIrO3使用高分辨率（1.4 meV）的光电子能谱。光谱表明在室温附近费米能级存在局域态密度。随着温度的降低，这些局域态消失，从而在费米能级处打开一个软带隙，这是CDW跃迁的结果。此外，能量依赖性的谱密度的状态揭示了磁相互作用的重要性，而不是众所周知的库仑排斥效应，在确定电子结构，从而意味着铁磁性和CDW之间的密切关系，在这种化合物中观察到的。此外，Ba芯能级谱令人惊讶地表现出不寻常的行为之前的CDW转变。
2005-05-14 cond-mat.str-el
Dilemma in strongly correlated materials: Hund's metal vs relativistic Mott insulator
我们指出了相关材料中Hund耦合和自旋轨道耦合之间的竞争，这种竞争导致了Hund金属和相对论绝缘体之间的电子困境。洪德的金属指的是未来绝缘体的命运，洪德的耦合抑制了相关性，并将系统驱动为相关金属。相对论性莫特绝缘体指的是未来金属的命运，其中相对论性自旋轨道耦合增强了相关性，并将系统驱动为莫特绝缘体。这些相互矛盾的趋势自然存在于许多相关材料中。我们研究了相关材料中Hund耦合和自旋轨道耦合之间的竞争，并从这两种相互矛盾的趋势中探索了它们之间的相互作用和平衡。该系统可以成为自旋轨道耦合的洪德金属或洪德辅助相对论莫特绝缘体。我们的观察可以找到一个广泛的应用和相关的许多相关材料与多轨道。
2020-12-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Buried topological edge state associated with interface between topological band insulator and Mott insulator
用层动力学平均场论研究了拓扑带绝缘体与莫特绝缘体界面的电子结构。为了表示这些系统的体相，我们使用广义Bernevig-Hughes-Zhang模型，该模型除了导致能带反转的自旋-轨道耦合项之外还包含Hubbard样的现场库仑能量U。分别通过适当选择较小和较大的U值来实现拓扑相和莫特绝缘相。正如预期的那样，界面被发现是金属，因为本地化的边缘状态。然而，当莫特绝缘体中的库仑能量接近临界值时，这种边缘状态在莫特绝缘体内部而不是在界面处表现出其最大幅度。这一发现对应于邻近拓扑带绝缘体诱导的新型邻近效应，并表明，由于莫特绝缘体内的自旋轨道耦合，界面附近的几个层从莫特绝缘相转变为拓扑绝缘相。此外，我们认为，普通的邻近效应，即近藤峰诱导在莫特绝缘体由相邻的金属状态，伴随着一个额外的反向邻近效应，近藤峰引起的状态密度在相邻的金属层的增强。
2014-08-29 cond-mat.str-el
Characterization of a topological Mott insulator in one dimension
通过研究关联电子模型的体拓扑不变量和纠缠谱，研究了一维拓扑莫特绝缘体的性质。阐明了无相互作用拓扑带绝缘体中的无隙边态如何演化为拓扑莫特绝缘体中的自旋边态。此外，我们还提出了一种拓扑Mott相变，这是一种新的拓扑相变，在自由费米子系统中从未观察到过。这种非常规的转变发生在自旋液相中的莫特绝缘体，并伴随着零的单电子格林函数和自旋激发光谱的间隙关闭。
2014-05-09 cond-mat.str-el
Optical response in one dimensional Mott Insulators
在半满扩展Hubbard模型的框架下，利用密度矩阵重整化群（DMRG）方法研究了MottHubbard系统的光学响应。我们讨论的外观激子功能的光谱间隙内的系统从自旋密度波（SDW）的电荷密度波（CDW）阶段。
2000-12-22 cond-mat.str-el
Variational description of Mott insulators
强相关模型的Gutzwiller波函数，如果补充一个长程Jastrow因子，可以提供一个适当的变分描述的莫特绝缘体，到目前为止还没有。我们证明了这一概念的原型一维$t-t^\prime$哈伯德模型，在半填充，我们重现所有已知的阶段，即普通莫特未二聚体绝缘体与幂律自旋相关性在小$t^\prime/t$，自旋带隙金属以上的临界$t^\prime/t$和小$U$，和二聚体莫特绝缘体在大排斥。
2004-12-16 cond-mat.str-el
Purely electronic THz polarization in dimer Mott insulators
理论上发现了二聚体莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ X在太赫兹频段的纯电子极化模。不寻常的低频模式产生的内二聚体电偶极矩的振荡和交替的二聚体间键级之间的耦合。这些集体运动在二聚体莫特绝缘体的动态介电性质中起着重要的作用。在二聚体Mott相变的相界附近，通过引入电子-晶格耦合实现铁电基态。
2010-03-24 cond-mat.str-el
Phase separation in doped Mott insulators
受莫特绝缘体远离整数填充的常见观察的启发，我们构建了一个简单的热力学参数的相分离一阶掺杂驱动的莫特转变。我们展示了如何计算临界掺杂所需的驱动莫特过渡使用电子结构计算的钛酸盐家族的钙钛矿，发现与实验良好的协议。该理论预测，过渡是可逆的，应该表现出库仑阻挫。
2014-08-01 cond-mat.str-el
Higher-Order Topological Mott Insulator on the Pyrochlore Lattice
我们提供了第一个无偏的证据，高阶拓扑莫特绝缘体在三维数值精确的量子蒙特卡罗模拟。该绝缘相在非相互作用极限下与三阶拓扑绝缘体电连接，其特征在于烧绿石晶格拐角处的无隙模式，其特征在于$\mathbb{Z}_{4}$自旋Berry相。关联和非关联拓扑相位之间的区别在于，在前一相位中，无隙角模仅出现在Mott类自旋激发中。我们还表明，从三阶拓扑莫特绝缘体到通常的莫特绝缘体的拓扑相变发生时，体自旋能隙单独关闭。
2021-10-25 cond-mat.str-el
Boundary effects on the local density of states of one-dimensional Mott insulators and charge density wave states
本文研究了硬壁边界条件下自旋带隙的一维电荷密度波（CDW）态和莫特绝缘体的局域态密度（LDOS）。我们用场论方法计算了低能极限下边界对单粒子格林函数的贡献，并从时间和空间的傅里叶变换的角度对其进行了分析。在CDW情况下的边界LDOS表现出在动量2kF处的奇异性，这指示在杂质处的CDW阶的钉扎。我们进一步观察到几个分散功能的频率以上的自旋间隙，这提供了一个特征签名的自旋-电荷分离。这表明，边界LDOS可以用来推断底层体系统的属性。在存在边界磁场时，出现了局限于边界的中间带隙态。我们调查的LDOS中的这种绑定状态的签名。我们讨论了我们的研究结果的影响STM实验上的准一维系统，如两个腿梯形材料，如Sr 14 Cu 24 O 41。通过交换电荷扇区和自旋扇区的作用，我们的所有结果直接推广到一维莫特绝缘体的情形。
2011-11-15 cond-mat.str-el hep-th
From band insulator to Mott insulator in one dimension
我们导出了最近由江上、石原和立木[Science，{ \bf 261}，1307（1993）]提出的铁电钙钛矿的一维模型的相图。我们发现，共价性，电离性和强关联之间的相互作用，在一个自发的二聚相分离的弱耦合带绝缘体的强耦合莫特绝缘体的结果。从带绝缘体的二聚相的过渡被确定为伊辛临界点。电荷间隙在该单个点处消失，光导率发散为$σ(ω)\sim ω^{-3/4}$。自旋激发在第二跃迁到莫特绝缘体相以上是无隙的。
1999-04-22 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in a Mott insulator via magnetic field-driven insulator-metal transition
我们提出了一种新型的巨磁电阻效应，这种效应是由于在适当的磁场作用下，双层层状钛掺杂的Ca $_3$ Ru $_2$ O $_7$中Mott绝缘态的反常崩塌引起的。这种绝缘体-金属转变伴随着晶格和磁性结构的变化。我们的发现具有重要的意义，因为磁场通常稳定的绝缘基态在Mott-Hubbard系统，因此需要更深入的理论研究，重新审视磁场调谐的Mott系统的磁和电子的不稳定性和自旋晶格电荷耦合。这项研究进一步提供了一个模型的方法来寻找CMR系统以外的锰氧化物，如莫特绝缘体之间的竞争相的边界附近。
2018-02-07 cond-mat.str-el
Comment on "Origin of Giant Optical Nonlinearity in Charge-Transfer--Mott Insulators: A New Paradigm for Nonlinear Optics"
评论物理。86、2086（2001）
2001-05-30 cond-mat.str-el
Mechanism of hopping transport in disordered Mott insulators
通过使用详细的实验研究和简单的理论论证相结合，我们确定了一种新的机制，其特征在于在莫特绝缘相的Ca $_{2-x}$ Sr $_x$ RuO $_4$附近的金属-绝缘体转变的跳跃输运。跳变指数$α$显示了从绝缘体中更深处的$α=1/2$值到更接近过渡的常规Mott值$α=1/3$的系统演化。这种行为，我们认为是一个普遍的特点，无序莫特系统接近金属-绝缘体过渡，反映了逐渐出现的无序诱导的局部电子状态填充莫特-哈伯德间隙。
2004-08-11 cond-mat.str-el
Quantitative Determination of the Critical Points of Mott Metal-Insulator Transition in Strongly Correlated Systems
本文利用动力学平均场理论研究Hubbard模型中的Mott相变，引入局部量子态保真度定量测定相变临界点，并一致描述了两种不同形式的Mott相变点。
2023-11-28 cond-mat.str-el
