Observation of a uniform temperature dependence in the electrical resistance across the structural phase transition in thin film vanadium oxide ($VO_{2}$)
在$68^{0}C$处的结构相变附近的$VO_{2}$薄膜的电学研究表明（a）在$T$范围内，电阻$R$遵循$log (R)$ $\propto$ $-T$，$20 < T < 80 ^{0}C$覆盖结构转变的两侧，以及（b）热循环时$R$中的历史依赖性磁滞回线。这些特征在这里归因于通过颗粒网络的传输。
英文摘要：
An electrical study of thin $VO_{2}$ films in the vicinity of the structural phase transition at $68^{0}C$ shows (a) that the electrical resistance $R$ follows $log (R)$ $\propto$ $-T$ over the $T$-range, $20 < T < 80 ^{0}C$ covering both sides of the structural transition, and (b) a history dependent hysteresis loop in $R$ upon thermal cycling. These features are attributed here to transport through a granular network.
Novel 2D Altermagnetic Vanadium Oxide with a Buckled Lieb Structure
UNAM - National Nanotechnology Research Center and Institute of Materials Science and Nanotechnology, Bilkent University（比尔肯特大学纳米技术与材料科学研究所）；Linköping University（林雪平大学）；Uppsala University（乌普萨拉大学）；University of Iowa（爱荷华大学）
基于密度泛函理论第一性原理计算，发现单层V₂O晶体在翘曲Lieb晶格中是一种二维交变磁性材料，具有负泊松比、面外易磁化轴、1.2 eV动量依赖自旋劈裂以及大贝里曲率和约40 (ℏ/e) S cm⁻¹的自旋霍尔电导率。
Plasmonically enhanced spectrally selective narrowband MWIR and LWIR light detection based on hybrid nanopatterned graphene and phase changing vanadium oxide heterostructure operating close to room temperature
Compact chromium oxide thin film resistors for use in nanoscale quantum circuits
我们报告的一系列薄氧化铬薄膜的电特性，直流溅射生长，以评估其适用性作为纳米电子学芯片电阻。通过增加氧掺杂的水平，氧化铬膜的室温方块电阻从28 $Ω/ \square$变化到32.6k $Ω/ \square$。研究了在液氦中冷却到4.2K时电阻的变化;在4.2K时，薄层电阻随组分从65 $Ω/ \square$到20 G以上$Ω/ \square$而变化。所有测量的膜在所有测量的温度下显示欧姆行为。对于用于使用硅纳米线进行量子相位滑移测量的片上器件，需要硅纳米线和氧化铬之间的界面。通过表征界面接触电阻，我们发现金中间层是有利的：氧化铬-金界面的比接触电阻率为0.15 m $Ω$ cm $^2$，远低于直接氧化铬-硅界面的值65 m $Ω$ cm $^2$。我们的结论是，这些氧化铬薄膜是适合用于纳米级电路作为高价值的电阻器，与电阻率可调的氧含量。
The effect of Ta oxygen scavenger layer on HfO$_2$-based resistive switching behavior: thermodynamic stability, electronic structure, and low-bias transport
金属-氧化物-金属异质结构在高阻态和低阻态之间的可逆电阻切换使得它们在随机存取存储器中的应用非常有趣。虽然最近的实验工作已经表明，插入金属“氧清除剂层”之间的正极和氧化物改善器件的性能，清除剂层如何修改异质结构的性质的基本理解是缺乏的。我们用密度泛函理论计算了TiN/HfO $_2$ /TiN异质结构的热力学性质和电导。首先，我们表明，Ta插入降低低电阻态的形成能。其次，虽然Ta清除层通过改变氧化物-电极界面处的界面电荷来降低高电阻状态下的肖特基势垒高度，但异质结构保持高电阻状态与低电阻状态之间的高电阻比。最后，我们表明，在存在Ta层的情况下，器件导通状态的低偏置电导对从Hf O $_2$中去除的氧的空间分布变得不那么敏感。通过提供对所观察到的清除剂层改进的基本理解，我们开辟了一条利用氧清除剂层设计界面以控制和增强器件性能的途径。进而，这可以使得能够实现非易失性低功率存储器技术，同时减少消费电子产品的能量消耗并对社会产生显著的益处。
Contact effects on transport in magnetite, an archetypal correlated transition metal oxide
多端测量通常被用来检查强相关的电子材料，如过渡金属氧化物的电子性质，而不受接触效应的影响。相比之下，在这项工作中，我们调查的界面性质的Fe $_3$ O $_4$与不同的金属，与接触效应提供了一个窗口的相关氧化物中的物理工作。接触电阻通过四端电气测量作为电源电压和温度的函数来确定。接触电阻随电极金属$ϕ(M)$、$M=$ Cu、Au和Pt的功函数而系统地变化，功函数越高，接触电阻越低。这种趋势和接触电阻与Fe $_3$ O $_4$电阻率成正比的观察结果与将氧化物建模为具有跳跃传输的有效$p$型半导体一致。在偏置驱动的绝缘体-金属转变处的接触电阻值的跳跃具有与$ϕ$（$M$）类似的趋势，与通过电场的电荷间隙闭合的转变机制一致。
Selenization of V$_2$O$_5$/WO$_3$ Bilayers for Tuned Optoelectronic Response of WSe$_2$ Films
Morgan State University（摩根州立大学）；DOD Center of Excellence for Advanced Electro-Photonics with 2D Materials, Morgan State University（二维材料先进电光子学国防部卓越中心，摩根州立大学）；DEVCOM Army Research Laboratory（美国陆军研究实验室）
