Peltier effect in normal metal-insulator-heavy fermion metal junctions
本文对正常金属-绝缘体-重费米子金属结中的珀耳帖效应进行了理论研究.结果表明，在低于近藤温度的温度下，这种结可以用作电子微制冷机来冷却普通金属电极，并且比普通金属-重费米子金属结的冷却效率高出数倍。
2003-02-19 cond-mat.str-el
Metal-Insulator and Superconductor-Insulator Transitions in Correlated Electron Systems
通过控制填充在二维正方形晶格中的Mott绝缘体和金属之间的量子跃迁的特征在于大的动力学指数$z=4$，其中莫特绝缘体附近的不寻常的金属性质的起源归因于跃迁的接近。跃迁附近的标度表明，由于单粒子重整化的奇异动量依赖性，形成了平坦的色散区。平坦色散控制了莫特转变的关键特性。讨论了平坦色散对d波超导序的不稳定性。我们还讨论了Mott过渡的情况下，与轨道简并的Mn钙钛矿化合物的模型，其中轨道相关长度显示临界发散向金属-绝缘体过渡。
1998-08-05 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Insulator-metal-insulator transition and selective spectral weight transfer in a disordered strongly correlated system
研究了具有对角合金无序的哈伯德模型在有限温度下的金属绝缘体相变。我们用无交叉近似求解动力学平均场论方程，用相干势近似处理无序。给出了不同关联强度$U$和无序度下的激发谱。当$U$增加时，在整数填充值处观察到两个连续的金属绝缘体转变。一个重要的光谱权重的选择性转移出现在掺杂。详细研究了温度对低能动力学的影响。
2005-12-29 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transitions in Interacting Disordered Systems
简要回顾了三维杂质半导体中的金属-绝缘体转变，重点是“临界指数之谜”;以及新的实验发现，表明在稀的二维系统中可能出现意想不到的金属-绝缘体转变，如硅MOSFET和GaAs/AlGaAs异质结构。
2000-08-30 cond-mat.str-el
Central role of exchange-correlation hole in the 2D metal-insulator
我们表明，金属到绝缘体的转变，无论是通过减少电子密度或通过增加自旋排列产生的，是由一个通用的功能形式的两电子关联函数g（r）。这一结果为库仑排斥和交换在驱动金属-绝缘体转变中的核心作用提供了直接证据。
2000-01-31 cond-mat.str-el
Fluctuation-driven insulator-to-metal transition in an external magnetic field
我们考虑了关联电子在外磁场中的金属-绝缘体跃迁模型。我们发现在相互作用和磁场中有一个很宽的区域，在那里金属和绝缘（完全磁化）的解决方案共存，系统经历了一阶金属-绝缘体转变。磁饱和解的全局不稳定性先于局部不稳定性，是由电子-空穴顶点函数中的极点引起的集体波动引起的。
1999-08-17 cond-mat.str-el
The influence of correlated hopping on valence and metal-insulator transitions in the Falicov-Kimball model
小集团精确对角化计算的外推被用来研究一维Falicov-Kimball模型中关联跳跃对价态和金属-绝缘体跃迁的影响。它示出的基态相图，以及图片的价和金属-绝缘体的转变，发现为传统的Falicov-Kimball模型（无相关跳跃）强烈改变时，相关跳跃项被添加。关联跳变效应非常强，即使在半满带的情况下也能引起绝缘体-金属跃迁。
1999-08-06 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Emergent Novel Metallic State in a Disordered 2D Mott Insulator
对于非相互作用的电子，增加的无序将金属驱动成无间隙的局部安德森绝缘体。虽然在三维中，过渡必须跨越无序的阈值，但在二维和更低的维度中，最小量的无序使金属不稳定。相互作用系统中金属-绝缘体转变的性质仍然没有得到解决。在这里，我们探讨的影响，在强关联莫特绝缘体不改变载流子浓度的无序。角分辨光电子能谱（ARPES）测量铜插层单晶的层状二硫属化物1 T-TaS 2揭示了新的离域状态的存在下，在莫特间隙。这是第一个实验实现了一种新的无序诱导金属，理论上预测存在于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间。
2014-05-22 cond-mat.str-el
Charge-transfer metal-insulator transitions in the spin-one-half Falicov-Kimball model
在热力学极限下，在无限配位数的Bethe晶格上精确求解了自旋为1/2的Falicov-Kimball模型。该模型是电荷转移金属-绝缘体转变的范例，其中局域和离域电子轨道的占据率在金属-绝缘体转变处迅速变化（而不是像莫特-哈伯德转变中电子状态从绝缘变为金属的特征）。精确解显示连续和不连续（一阶）跃迁。
1998-02-11 cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Metal-insulator transitions and the effects of electron-electron interactions in two-dimensional electron systems
本文对强相互作用二维电子系统的金属-绝缘体跃迁和反常性质的实验结果进行了评述和分析。特别注意的是最近的结果，强烈增强自旋磁化率和有效质量的低无序硅MOSFET。
2005-03-07 cond-mat.str-el
Integer filling metal insulator transitions in the degenerate Hubbard model
在大维数（或大晶格连通性）的极限下，我们得到了退化哈伯德模型的精确数值解。连续的Mott-Hubbard金属绝缘体过渡整数填充发生在中间值的相互作用和足够低的温度下的顺磁相。结果是相关的过渡金属氧化物与部分填充窄简并带。
1996-11-06 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in quarter-filled Hubbard model on triangular lattice and its implication for the physics of $Na_{0.5}CoO_{2}$
在平均场水平上研究了三角晶格上四分之一填充哈伯德模型的金属-绝缘体相变。我们发现，准一维金属态的共线磁序与绝缘态的非共面磁序密切竞争的跳跃积分$t$的两个符号。在强关联区（$U/|t|\gg1$），发现系统的金属-绝缘体相变是分两步进行的。具有共线磁序的准一维金属态被发现在顺磁金属相和非共面绝缘相之间的中间温度区域是稳定的。这些结果可能的相关性，在$Na_{0.5}CoO_{2}$的金属-绝缘体转变的物理进行了讨论。
2010-01-05 cond-mat.str-el
Physics of interface: Mott insulator barrier sandwiched between two metallic planes
我们考虑异质结的金属和现场相关的障碍，在半填充使用不受限制的哈特里福克。我们发现，在势垒平面的相关强度超过一定值，系统是一个莫特绝缘体，而低于此值的系统仍然表现为一个无隙绝缘体。的能谱被发现是非常新颖的存在多个间隙。因此，对于任何有限的相关值，系统保持非金属。
2011-03-21 cond-mat.str-el
Doping-induced insulator-metal transition in the Lifshitz magnetic insulator NaOsO3
通过基于磁约束密度泛函理论和能带展开技术的第一性原理方案，我们研究了掺杂对Lifshitz磁性绝缘体NaOsO 3导电行为的影响。电子掺杂在超晶胞方法中通过用不同浓度的镁代替钠来现实地处理。我们的数据表明，通过增加载流子浓度的系统进行两种类型的转变：（i）绝缘体坏金属在低掺杂和低温和（ii）坏金属到金属在高掺杂和/或高温。预测的掺杂诱导的绝缘体到金属的转变（MIT）具有类似的特性与温度驱动的MIT在未掺杂的化合物中报道。两者都发展在巡回的背景下，并表现出耦合的电子和磁性的行为，其特征在于逐渐淬火的（伪）-间隙与当地的自旋力矩的减少。与温度驱动的MIT不同，化学掺杂引起能带结构的实质性改变，并且MIT不能完全描述为Lifshitz过程。
2019-01-03 cond-mat.str-el
Thermodynamics of the metal-insulator transition in the extended Hubbard model
与哈伯德模型相比，扩展的哈伯德模型考虑了非局域相互作用，缺乏对金属-绝缘体相变热力学性质的系统研究。利用变分原理，我们进行了这样一个系统的研究，并描述了非局域相互作用屏幕本地相关费米液体和绝缘体不同。热力学揭示了非局域相互作用至少部分地导致了真实材料中的一阶金属-绝缘体相变。
2019-05-29 cond-mat.str-el
Effect of electronic correlations on the metal-insulator transition of $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$: theoretical and experimental investigations of its optical properties
有机盐$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$被认为是在$T_{\rm CO}=135$ ~K处由于电荷有序引起的金属-绝缘体转变的模型体系。通过基于第一原理密度泛函理论（DFT）的计算，可以很好地描述从$T_{\rm CO}$之上和之下的偏振反射测量获得的光学性质。讨论了电子关联对金属-绝缘体相变的影响。
2016-03-24 cond-mat.str-el
Pressure-induced metal-insulator transition in MgV_2O_4
基于热电势的实验结果和从头计算，我们认为MgV_2O_4在高压（约6 GPa）下发生了金属-绝缘体相变。
2007-07-25 cond-mat.str-el
Doping-dependent metal-insulator transition in a disordered Hubbard model
利用行列式量子蒙特卡罗方法研究了正方晶格上排斥哈伯德模型中无序和掺杂对金属-绝缘体相变的影响。首先，为了使我们的结果可靠，我们计算了各种参数，如温度，无序，现场相互作用和晶格尺寸的符号问题。我们发现，在跳跃元素的随机性的存在下，金属-绝缘体的转变发生，在不同的填充物的临界无序强度不同。我们还证明了掺杂是金属-绝缘体转变背后的驱动力。
2022-01-12 cond-mat.str-el
Model for Metal-Insulator Transition in Graphene Superlattices and Beyond
我们提出了一个双轨道的哈伯德模型在一个新兴的蜂窝晶格来描述扭曲双层石墨烯的低能物理。我们的模型为研究最近观察到的金属-绝缘体相变、朗道能级简并提升和非常规超导提供了理论基础。
2018-07-27 cond-mat.str-el
Disorder- and correlation-driven metal-insulator transitions
在Anderson-哈伯德模型中，采用简单但一致的平均场方法，研究了由无序（Delta）和/或电子关联（U）驱动的金属-绝缘体相变.导出并讨论了T=0和有限温度下的Delta-U相图。
2004-06-16 cond-mat.str-el
Critical behaviour near the metal-insulator transition of a doped Mott insulator
本文用线性化形式的动力学平均场论研究了无限维哈伯德模型中掺杂莫特绝缘体在金属-绝缘体相变附近的临界行为。对于大于临界值$U_c$的$U$，从空穴掺杂到电子掺杂的化学势的不连续性已被解析计算，并发现与数值方法的结果吻合良好。我们还推导出的压缩性，准粒子的重量，双占有率和局部自旋磁化率近半填充作为现场库仑相互作用和掺杂的函数的解析表达式。
2001-03-19 cond-mat.str-el
Metal-Insulator transitions in the periodic Anderson model
我们用动力学平均场论求解了Mott-Hubbard区域中的周期Anderson模型。在莫特绝缘体的电子掺杂时，发生金属-绝缘体转变，其在性质上类似于单带哈伯德模型的金属-绝缘体转变，即在有限温度下具有发散的有效质量和一阶特征。令人惊讶的是，在空穴掺杂时，金属-绝缘体转变不是一阶的，并且不显示发散质量。因此，单带哈伯德模型的过渡方案是不通用的周期性安德森模型，即使在莫特-哈伯德制度。
2008-09-20 cond-mat.str-el
Quantum spin liquids and the metal-insulator transition in doped semiconductors
我们描述了一种在杂质半导体如Si：P或Si：B中实现金属-绝缘体转变的新的可能途径。我们探讨了金属输运的损失发生的可能性，通过莫特本地化的电子到一个量子自旋液体状态与扩散电荷中性的“自旋”激发。这种量子自旋液体状态可以作为金属和安德森-莫特绝缘体之间的中间相出现。一个直接的可测试的结果是在金属-绝缘体转变附近的电绝缘体中在低温下存在金属热导率。此外，我们表明，虽然过渡是二级的零温剩余电导率将跳跃过渡接近金属一侧。然而，电导率将具有非单调的温度依赖性，这可能使外推到零温度复杂化。在其他实验中的签名和一些与现有数据的比较。
2012-04-10 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in EuO
结果表明，壮观的金属-绝缘体转变富Eu的EuO可以模拟内扩展的Kondo晶格模型。定量再现了不同数量级的跳跃电阻率依赖于氧空位的浓度，以及在高电阻率样品的低温电阻最小值。计算并讨论了巨磁电阻效应。
2003-09-17 cond-mat.str-el
Pressure and magnetic-field effects on metal-insulator transitions of bulk and domain-wall states in pyrochlore iridates
本文研究了辉绿石型$R_2$ Ir $_2$ O $_7$的临界金属-绝缘体现象，其中电子关联强度和磁组态系统地受稀土离子平均半径（$R$ =Nd $_{1-x}$ Pr $_{x}$和Sm $_{y}$ Nd $_{1-y}$）、外压和磁场的控制。金属-绝缘体转变体是由增加$x$或调谐外部压力，表明有效的电子相关是负责过渡。金属态介于\SNIO（$y$ =0.7-0.9）的顺磁绝缘相和反铁磁有序绝缘相之间，类似于一阶Mott跃迁。此外，金属到绝缘体的交叉观察（周围$y$ =0.7）的绝缘体中的磁畴壁上的电荷传输。磁场的应用还驱动\NPIO的金属-绝缘体转变，其中可能实现各种奇异拓扑量子态。
2015-07-17 cond-mat.str-el
Combined effects of disorders and electron-electron interactions upon metal-insulator transition in 2D non-bipartite lattice
我们研究了二维非二分晶格中同时存在无序和电子相互作用时金属-绝缘体相变的特征。利用实空间重整化群方法和有限尺寸标度分析，我们发现无序系统从绝缘态过渡到金属态后，如果电子-电子相互作用进一步增加，它可以重新进入绝缘态。
2004-05-16 cond-mat.str-el
Scaling of the Conductivity with Temperature and Uniaxial Stress in Si:B at the Metal-Insulator Transition
使用单轴应力通过金属-绝缘体转变来调谐Si：B，我们发现低温下的电导率显示出与转变两侧的温度和应力的良好拟合。标度函数产生的金属和绝缘相的导电性，并允许可靠的确定在过渡的两侧的临界区域中的温度依赖性。
1998-06-14 cond-mat.str-el
Can correlations drive a band insulator metallic?
利用动力学平均场论（DMFT）分析了在地库仑排斥U对带状绝缘体的影响。我们发现令人惊讶的结果，间隙被抑制到零，在临界Uc 1和金属相内保持为零。在较大的Uc 2处，存在从金属到莫特绝缘体的第二过渡，其中间隙随着U的增加而增加。这些结果与Hartree-Fock理论给出的对所有有限U单调递减但非零的绝缘带隙有本质的不同。
2005-11-14 cond-mat.str-el
Electrical permittivity driven metal-insulator transition in heterostructures of nonpolar Mott- and band insulators
绝缘钙钛矿之间的金属界面经常在结合极性和非极性材料的异质结构中观察到。在这些系统中，跨界面的极性不连续性可以驱动在界面处诱导自由载流子的电子重构。在这里，我们从理论上表明，莫特和带绝缘体之间的金属界面也可以形成在没有极性不连续。出现这种金属态的条件与经典的莫特判据一致：如果屏蔽长度低于粒子-空穴对的有效玻尔半径，则金属态是稳定的。在这种情况下，金属态与极性/非极性异质结构中发现的金属态具有显著的相似性。另一方面，如果屏蔽长度接近有效玻尔半径的大小，则粒子和空穴彼此结合，从而导致整体绝缘相。我们分析了这种金属-绝缘体过渡，这是可调的介电常数，从玻色子平均场论的框架内的晶格模型现场和远程库仑相互作用。我们讨论基态性质和输运系数，我们在弛豫时间近似推导。有趣的是，我们发现，金属-绝缘体转变是伴随着一个强大的增强的塞贝克系数在带绝缘体区域附近的界面。我们的理论研究结果的各种实验系统，如非极性（110）界面的影响进行了讨论。
2014-06-02 cond-mat.str-el
Metal-insulator transitions at surfaces
讨论了各种类型的金属-绝缘体转变，以找到块体绝缘体的理想表面是金属的条件。对于相关驱动的Mott金属-绝缘体相变，表面相图应该具有与表面磁序相图相同的拓扑结构：相应的线性化平均场描述，即哈伯德模型的简化动力学平均场理论和伊辛模型的Weiss平均场论，形式上是等价的。一种新的表面态出现在单粒子激发谱的低能部分，作为莫特跃迁的前兆效应。
2002-04-05 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in a strongly-correlated two-dimensional electron system
本文讨论了强相互作用二维电子系统中金属-绝缘体相变及相关现象的实验结果。特别注意的是最近的结果，强烈增强的自旋磁化率，有效质量，和热电势在低无序硅MOSFET。
2016-11-17 cond-mat.str-el
Quantum Monte Carlo Study of an Interaction-Driven Band Insulator to Metal Transition
本文用行列式量子蒙特卡罗方法研究了二维正方晶格上离子哈伯德模型中从带绝缘体到金属再到莫特绝缘体的跃迁。的电导率的温度依赖性的评估表明，金属区域延伸的相互作用值的有限范围内。在强耦合下，Mott相伴随着反铁磁（AF）有序。包含这些站点间的相关性改变了相图定性相比，动态平均场论。
2006-07-27 cond-mat.str-el
Band-Insulator-Metal-Mott-Insulator transition in the half--filled $t-t^{\prime}$ ionic-Hubbard chain
利用连续极限玻色化方法研究了具有交错离子势$Δ$的半满$t-t^{\prime}$排斥Hubbard模型的基态相图.我们发现，随着增加的现场排斥$U$，取决于下一个最近的跳跃幅度$t^{\prime}$的值，该模型显示了三个不同版本的基态相图。对于$t^{\prime} < t^{\prime}_{\ast}$，基态相图由以下三个绝缘相组成：$U<U_{c}$处的带绝缘体、$U_{c} < U < U_{s}$处的铁电绝缘体和$U > U_{c}$处的相关（Mott）绝缘体。对于$t^{\prime} > t^{\prime}_{c}$，从$U<U_{c}$处的自旋带隙金属相到$U > U_{c}$处的铁电绝缘体只有一个转变。最后，对于下一个最近的跳跃幅度$t^{\prime}_{\ast} < t^{\prime} < t^{\prime}_{c}$的中间值，我们发现，随着增加的现场排斥，在$U_{c1}$的模型经历了二阶的带绝缘体到金属态的无公度型过渡，并在较大的$U_{c2}$有一个Kosterlitz无公度型过渡从金属到铁电绝缘体。
2006-11-15 cond-mat.str-el
Magnetic fluctuations driven insulator-to-metal transition in Ca(Ir$_{1-x}$Ru$_{x}$)O$_{3}$
过渡金属氧化物中的磁涨落是深入研究的主题，因为它们被期望在这些材料从莫特绝缘体到非常规金属相的转变中发挥关键作用，并且还作为超导性的驱动器。尽管做了很多努力，磁波动和绝缘体到金属的转变之间的明确联系尚未建立。在这里，我们报告了Ca（Ir $_{1-x}$ Ru $_{x}$）O $_{3}$钙钛矿中磁波动与绝缘体至金属转变之间的令人信服的联系作为掺杂系数x的函数的发现。我们表明，当材料从绝缘体变成金属，在x $\sim$ 0.3的临界值，磁涨落改变其字符从反铁磁，一个莫特绝缘体相，铁磁，一个巡回电子状态与洪德的轨道耦合。这些结果对于我们理解强关联电子系统的非常规性质具有广泛的意义
2015-04-27 cond-mat.str-el
Anomalous Hall metal and fractional Chern insulator in twisted transition metal dichalcogenides
本文预测扭曲过渡金属硫族化合物同质双层中由库仑相互作用驱动的伊辛铁磁性，发现完全自旋极化半金属具有自旋能隙并表现出反常霍尔效应，且在魔角附近1/3填充下可能转变为电荷密度波或分数量子霍尔绝缘体。
2022-07-18 cond-mat.str-el
Metal-insulator transitions: Influence of lattice structure, Jahn-Teller effect, and Hund's rule coupling
本文研究了晶格结构、Jahn-Teller效应和Hund规则耦合对AnC_（60）（A= K，Rb）金属-绝缘体相变的影响。晶格结构的差异有利于A3 C60（fcc）是金属而A4 C60（bct）是绝缘体，并且与Hg Jahn-Teller声子的耦合有利于A4 C60是非金属。耦合到Hg（Ag）声子降低（增加）的值Uc的库仑积分在金属-绝缘体转变发生。在Jahn-Teller效应和Hund规则耦合之间存在重要的部分抵消。
1999-10-21 cond-mat.str-el
Self-consistent perturbational study of insulator-to-metal transition in Kondo insulators due to strong magnetic field
为了研究强磁场对Kondo绝缘体的影响，采用自洽的二阶微扰理论结合在无限维空间变得精确的局域近似，计算了有限磁场作用下半填充的周期性Anderson模型的磁化曲线和单粒子激发谱.在没有磁场的情况下，系统表现为具有能隙的绝缘体，描述了近藤绝缘体。通过对f电子施加磁场，发现在临界场$H_c$处，能隙闭合，从绝缘体到金属发生一级跃迁。磁化曲线在$H_c$处显示跳跃。这与我们以前的研究中的精确对角化是一致的。讨论了YbB $_{12}$和其他近藤绝缘体的实验关系。
1996-12-20 cond-mat.str-el
Prediction of a surface state and a related surface insulator-metal transition for the (100) surface of stochiometric EuO
基于铁磁Kondo晶格模型，采用第一性原理和模型计算相结合的方法计算了20层EuO（100）薄膜的温度和层间电子结构.结果表明，EuO（100）表面态的存在导致了表面绝缘体-金属的转变。
2001-03-12 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition and Lattice Instability of Paramagnetic V2O3
采用从头算方法计算能带结构，结合动力学平均场论理论，确定了顺磁性V $_2$ O $_3$在Mott-Hubbard金属-绝缘体相变时的电子结构和相稳定性.与金属-绝缘体转变相关联的结构转变被发现发生后，由$\sim 1.5$ %的晶格体积的轻微膨胀，与实验一致。我们的研究结果表明，结构的变化之前的金属-绝缘体过渡，这意味着在过渡的电子和晶格自由度之间的复杂的相互作用。电子相关性和全电荷自洽性被认为是正确描述V $_2$ O $_3$性质的关键。
2015-05-18 cond-mat.str-el
Manipulation of the magnetic order parameter and the metal-insulator-transition of a manganite thin film with applied elastic stress
我们测量了（La_（1-x）Prx）_（1-y）CayMnO_3（x ~ 0.60，y ~ 0.33）薄膜的饱和磁化强度（Ms）随外加弯曲应力的变化。沿磁易轴产生-0.01%压缩应变的应力使居里温度增加约6 K，金属-绝缘体转变增加约4 K。无论是否对薄膜施加应力，磁有序都发生在明显高于金属-绝缘体转变温度的温度下。样品在金属-绝缘体转变温度下的磁化强度近似为二维自旋晶格的位置渗透阈值。
2014-03-26 cond-mat.str-el
Superconductivity and non-metallicity induced by doping the topological insulators Bi2Se3 and Bi2Te3
我们发现，通过Ca掺杂的Bi 2 Se 3拓扑绝缘体，费米能级可以微调到带隙内，从而抑制体电导率。得到非金属Bi_2Se_3晶体。另一方面，通过Cu嵌入到Bi 2 Se 3层间的范德华能隙中，Bi 2 Se 3拓扑绝缘体也可以被诱导成为Tc ~ 3.8 K的块状超导体。同样，通过稍微改变Te含量，可以将金属Bi 2 Te 3的生长晶体转变为非金属晶体。Bi 2 Te 3拓扑绝缘体在与Pd反应形成Pdx Bi 2 Te 3型材料时显示出少量的超导性，Tc ~ 5.5 K。
2010-06-02 cond-mat.str-el
Metallic surface of a bipolaronic insulator
我们调查的可能性，强耦合的电子-声子系统的表面表现出不同的散装时，相关参数是不均匀的，由于界面的存在。我们考虑参数的变化，使表面更金属或更绝缘体比散装。虽然当块体是金属时，似乎不可能稳定真正绝缘的表面，但可以实现相反的情况。金属表面确实可以从体中实现的双极化绝缘体去耦。
2010-09-21 cond-mat.str-el
Orbital Magnetic Field Driven Metal-Insulator Transition in Strongly Correlated Electron Systems
本文通过动力学平均场理论研究轨道磁场对Hubbard-Hofstadter模型中Mott相变的影响，发现足够大的磁场可诱导绝缘体到金属的转变，并揭示动能增强的微观机制，为相关实验提供理论支持。
2025-10-24 cond-mat.str-el
Dynamic Control of Nonequilibrium Metal-Insulator Transitions
我们证明了一个一阶金属绝缘体相变的排斥，完全阻挫，单带哈伯德模型作为一个功能的耦合到费米子浴。浴耦合的时间依赖性操纵允许跨越相变和在共存区内在金属和绝缘状态之间切换。我们提出了一个简单的纳米电子器件实验实现动态控制浴耦合。对器件特性的分析表明，它可以作为一个双端忆阻器。
2020-04-09 cond-mat.str-el
Metal insulator transition in TlSr2CoO5 from orbital degeneracy and spin disproportionation
为了描述新氧化物TlSr_2CoO_5的金属绝缘体转变，我们用LDA和Hartree-Fock模型计算研究了它的电子结构。在LDA中，我们发现一个均匀的金属和铁磁基态，但当包括库仑相互作用更明确的Hartree-Fock近似内，我们发现一个绝缘状态的较低的能量与自旋和轨道顺序。我们还解释了我们的结果在一个简单的模型。
2000-10-17 cond-mat.str-el
Mott transition between a spin-liquid insulator and a metal in three dimensions
研究了半填充状态下费米液体金属和量子自旋液体绝缘体之间的带宽控制的Mott金属-绝缘体跃迁。利用从转子的方法，并结合规范场的起伏，我们找到了一个连续的MIT和讨论的有限温度跨越这个临界点。我们表明，在MIT的比热C=T ln ln（1/T），并认为在过渡附近的金属侧的电输运应表现出“电导率最小值”作为温度的函数。一个可能的候选人来测试这些预测是3D自旋液体绝缘体Na 4 Ir 3 O 8表现出压力调谐过渡到金属相。我们还提出了电子光谱函数的Na_4 Ir_3 O_8在过渡。
2008-12-01 cond-mat.str-el
Effect of Particle-Hole Asymmetry on the Mott-Hubbard Metal-Insulator Transition
Mott-Hubbard金属-绝缘体相变是关联电子系统中最重要的问题之一。在过去的十年中，人们用动力学平均场论研究了哈伯德模型中粒子-空穴对称形式的跃迁，并发现电子自能在跃迁处形成一个极点。我们研究了Falicov-Kimball模型中的粒子-空穴非对称金属-绝缘体跃迁，发现当非相互作用态密度具有有限带宽时，许多特征发生了变化。由于一般来说，粒子-空穴对称性在真实材料中被破坏，我们的结果对理解真实材料中的金属-绝缘体转变有影响。
2004-02-05 cond-mat.str-el
Insulator-Metal transition in the Doped 3d1 Transition Metal Oxide LaTiO3
用从头算LDA+DMFT方法研究了$La_{1-x}Sr_{x}TiO_{3}$中掺杂诱导的绝缘体-金属相变。结合LDA能带结构的实际，扭曲的结构，最近发现的多轨道DMFT治疗电子相关性，我们发现：$(i)$铁轨道顺序在莫特绝缘状态下没有轨道简并，$(ii)$连续填充诱导过渡到顺磁金属（PM）与$x$，和$(iii)$优秀的定量协议与发表的光电发射数据的情况下，6%的掺杂。我们的结果表明，该系统可以被描述为一个没有轨道（液体）简并的Mott-Hubbard系统。
2003-09-16 cond-mat.str-el
Metal Insulator transition at B=0 in p-SiGe
观察报告的金属-绝缘体的过渡在二维空穴气中的非对称掺杂应变SiGe量子阱。在这些高迁移率样品中在低温下出现的金属相的特征在于电阻率随着温度的降低而呈指数下降。这种行为，以及过渡两侧的电阻率和电导率之间的二元性，与最近报道的高迁移率Si-MOSFET非常相似。
1997-08-16 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition of the Kagome lattice fermions at 1/3 filling
本文讨论了Kagomé晶格上1/3填充时无自旋费米子模型的金属-绝缘体相变。利用精确对角化、密度矩阵重整化群方法和无规相位近似对系统进行了分析。在强耦合区，电荷有序的基态与元格有序的有效模型的预测一致。我们发现，金属-绝缘体跃迁的定性性质是完全不同的，取决于跳跃积分的符号，反映了在费米能级的能带结构的差异。
2010-01-06 cond-mat.str-el
Zero temperature metal-insulator transition in the infinite-dimensional Hubbard model
在动力学平均场论下，研究了哈伯德模型中从顺磁性金属到顺磁性绝缘体的零温转变。用Wilson数值重整化群方法计算了有效杂质Anderson模型（哈伯德模型映射在其上）的自能.讨论了Bethe晶格和超立方晶格的准粒子重量、谱函数和自能的结果。在这两种情况下，金属-绝缘体过渡被发现发生通过消失的准粒子共振，这似乎是孤立的哈伯德带。
1999-02-21 cond-mat.str-el
