Saturation of resistivity and Kohler's rule in Ni-doped La$_{1.85}$Sr$_{0.15}$CuO$_{4}$ cuprate
本文报道了La $_{1.85}$ Sr $_{0.15}$ Cu $_{1-y}$ Ni $_{y}$ O $_{4}$单晶薄膜在9 T磁场下的电输运测量结果。将具有强库仑散射势的Ni杂质添加到略微欠掺杂的铜氧化物中，使得在高达350 K的测量温度窗口内可以看到$ρ_{sat}$的电阻率饱和迹象。采用并联电阻形式揭示了$ρ_{sat}$与经典的Ioffe-Regel-Mott极限一致，并随载流子浓度变化为$ρ_{sat}\propto 1/\sqrt{n}$。热电测量表明，Ni倾向于本地化移动载流子，降低其有效浓度为$n\!\cong0.15\!-\!y$。经典的未修改的科勒规则是履行磁阻在非超导部分的相图时，适用于理想的分支并联电阻模型。
2017-01-10 cond-mat.supr-con
Non-linear Hall resistivity in overdoped Pr$_{1.82}$Ce$_{0.18}$CuO$_{4 + δ}$ electron-doped cuprate
本文在过掺杂PCCO薄膜中测量了由双载流子模型预言的非线性霍尔电阻率，发现该弱非线性项在所有温度下持续存在且强烈依赖温度，并通过分析得出电子密度大于空穴密度但空穴迁移率更高的结论。
2024-10-13 cond-mat.supr-con
The interplay of superconductivity and localization in Nd{2-x}Ce{x}CuO{4+δ} single crystal films
本文研究了Nd{2-x}Ce{x}CuO{4+δ}（x=0.15和0.18）单晶薄膜的非化学计量无序对面内电阻率和SC转变的影响。结果表明，随着$δ$的增加，面内正常态电阻率增加（平均自由程减小），SC转变温度降低，过渡区变宽。在二维电子系统中，观察到的从均匀金属（超导）Nd{2-x}Ce{x}CuO{4+δ}系统到非均匀介电系统的演化被描述为Anderson型无序诱导跃迁。
2002-05-06 cond-mat.supr-con
ab-plane resistivity and possible charge stripe ordering in strongly underdoped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ single crystals
我们用交流范德堡技术测量了4.2 ~ 300 K之间低Sr含量La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$单晶（x=0.052 $÷$ 0.075）的ab面电阻率。正如Ichikawa等人最近提出的，从温度T $_{\mathrm{ch}}$开始偏离$ρ_{\mathrm{ab}}(T)$曲线的线性可以解释为由于预形成的电荷带的波动逐渐减慢。相反，条纹向更有序相的电子跃迁可能是$T_{\mathrm{c}}$上方超导样品的$ρ_{\mathrm{ab}}(T)$中存在的一些非常尖锐的异常的原因。
1999-12-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two types of superconducting pairs in stripe-ordered La$_{2-x}$Ba$_{x}$CuO$_4$ ($x=1/8$): evidence from the resistivity measurements
最近的角度分辨$c$ -轴电阻率测量的条纹有序的La $_{2-x}$ Ba $_x$ CuO $_4$（LBCO）与$x=1/8$揭示了一个意想不到的依赖于平面内磁场的方向。我们认为，这些和其他可用的数据的$c$轴运输点的存在下，两种不同类型的超导对的$x=1/8$ LBCO的条纹有序温度。一种类型的对携带有限的动量并且被限制在Cu-O平面;另一种类型的对（可能是具有零动量的常规$d$波）沿着在$c$轴方向上穿过样品的狭窄导电通道传播。这一点的证据来自于所观察到的$c$轴电阻率$ρ_c(T)$的指数温度依赖性，我们将其归因于超导相和磁通流的热激发滑移。我们提出了一个简单的理论，以适应所观察到的$π/2$ -周期性依赖的$ρ_c$的方向上的平面磁场和其他数据。
2023-02-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Systematic Evolution of the Magnetotransport Properties of Bi_{2}Sr_{2-x}La_{x}CuO_{6} with Carrier Concentration
我们报告，它是可能的，以获得一系列高品质的晶体La掺杂Bi-2201，其输运性质已被认为是“脏”比其他铜酸盐。在我们的晶体中，正常态的输运性质表现出与其他铜酸盐相一致的行为，例如，在欠掺杂区，面内电阻率ρ_{ab}表现出赝能隙特征，而在过掺杂区，ρ_{ab}的T依赖性变为T^n（n > 1）。给出了由电阻率和霍尔系数数据推导出的赝能隙的特征温度。
1999-06-17 cond-mat.supr-con
Magnetic-field effects on the in-plane electrical resistivity in the single-crystal La$_{2-x}$Ba$_x$CuO$_4$ and La$_{1.6-x}$Nd$_{0.4}$Sr$_x$CuO$_4$ around $x=1/8$: Relating to the field-induced stripe order
测量了La $_{2-x}$ Ba $_x$ CuO $_4$（$x=0.08$，0.10，0.11）和La $_{1.6-x}$ Nd $_{0.4}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$x=0.12$）在不同磁场下的面内电阻率$ρ_{\rm ab}$的温度依赖性。已经发现，超导转变曲线显示出所谓的扇形加宽磁场的$x=0.08$，而它移向低温侧平行于增加磁场的$x=0.11$和0.12的电荷自旋条纹秩序是在低温下形成的。对于$x=0.10$，在低场观察到展宽，在9 T以上的高场观察到平行位移。此外，$ρ_{\rm ab}$在低温下的正常状态值随着磁场的增加而显著增加，直到15 T。$x=0.10$的这些显著特征，可能是根据La-214系统中子散射测量结果所建议的条序的磁场诱导稳定性来理解的。已发现低温下正常状态下的$ρ_{\rm ab}$与ln（1/ $T$）成比例，对于$x=0.10$为0.11和0.12。$ρ_{\rm ab}$的ln（1/ $T$）依赖性即使在条带有序状态下也是鲁棒的。
2005-01-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Normal-State Hall Effect and the Insulating Resistivity of High-T_c Cuprates at Low Temperatures
用61 T脉冲磁场抑制超导电性的方法测量了掺La的Bi_{2}、Sr_{2}、CuO_{y}（T_c \simeq 13 K）单晶和La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}薄膜的正常态霍尔系数RH和面内电阻率ρ {ab}。与T_c以上的数据相反，在\sim 10 K以下，无论ρ_{ab}表现为绝缘还是金属行为，所测得的所有样品的R_H都几乎没有温度依赖性。因此，无论何种物理机制在低温正常状态下产生绝缘行为，它都会使霍尔电导率相对不变。
1997-10-15 cond-mat.supr-con
Metal-to-Insulator Crossover in the Low-Temperature Normal State of Bi_{2}Sr_{2-x}La_{x}CuO_{6+δ}
通过60 T脉冲磁场抑制超导电性的方法，测量了掺La Bi-2201单晶的低温正常态面内电阻率。随着空穴掺杂的减少，我们观察到在低温正常状态下从金属到绝缘行为的交叉。据估计，这种交叉发生在1/8掺杂附近，在欠掺杂范围内，而不是在其他铜酸盐报告的最佳掺杂。绝缘制度的标志是由对数温度依赖性的电阻率超过二十年的温度，这表明一个奇特的电荷本地化是常见的铜酸盐。
2000-05-26 cond-mat.supr-con
Non-Universal Power Law of the "Hall Scattering Rate" in a Single-Layer Cuprate Bi_{2}Sr_{2-x}La_{x}CuO_{6}
测量了一系列高质量的Bi_{2} Sr_{2-x} La_{x} CuO_{6}晶体的面内电阻率ρ ab、霍尔系数和磁阻（MR）。我们的晶体显示出最高的T_c（33 K）和最小的剩余电阻率以往报道的Bi-2201在最佳掺杂。结果表明，霍尔角的温度依赖性服从幂律T^n，n随掺杂量的增加而系统地减小，这对“霍尔散射率”的类费米液体T^2依赖性的普遍性提出了质疑。最佳掺杂样品的霍尔角随T^{1.7}而变化，而非随T^2而变化，且ρ ab具有良好的T线性特性。系统的MR表明自旋散射在欠掺杂样品中的作用越来越大。
1998-12-21 cond-mat.supr-con
Link between magnetism and resistivity upturn in cuprates: a thermal conductivity study of La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$
铜氧化物超导体的一个关键的无法解释的特征是在低温下在赝能隙相内观察到的正常状态电阻率$ρ(T)$的上升。我们研究了这个问题，通过测量的热导率$κ(T)$下降到50 mK，并在字段高达17 T的铜氧化物La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$在掺杂$p = 0.13$，0.136，0.143和0.18。在$p$ = 0.136，0.143，和0.18，我们观察到的初始增加的电子热导率$κ_0/T$作为场的函数，如预期的$d$波超导体。对于$p$ = 0.136和0.143，进一步增加场则导致$κ_0/T$的减小，这与在相同样品上的中子散射实验中观察到的自旋密度波阶的开始相关。这种$κ_0/T$随场的减小是由Wiedemann-Franz定律和这些样品在高场正常状态下的高电阻率值所施加的。因此，我们的研究提供了一个直接的联系磁性和电阻率上升的赝隙相的铜酸盐。我们在其他铜酸盐的更广泛背景下讨论这种情况。
2019-10-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electric--field effect on electron-doped infinite-layer Sr$_{0.88}$La$_{0.12}$CuO$_{2+x}$ thin films
我们已经使用的电场效应调制欠掺杂的Sr $_{0.88}$ La $_{0.12}$ CuO $_{2+x}$薄膜的表面的电阻率，允许相反的修改的电子和空穴密度在CuO $_2$平面，一个原始的情况相对于传统的化学掺杂在电子掺杂材料。当霍尔效应表明空穴带的贡献较大时，电场对正常态电阻率的影响主要由电子决定，载流子从空穴转移到电子时，超导转变温度升高。
2011-07-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Competing contributions of superconducting and insulating states in Ag5Pb2O6/CuO composite
复合材料，由金属颗粒Ag 5 Pb 2 O 6稀释在绝缘的CuO基质，已被研究在一个狭窄的浓度范围内分离弹道隧道传输跳跃电导率。通过仔细的热处理，避免了金属颗粒之间形成晶间导电桥。电阻率与温度的关系为lnR~（T0/T）^（1/2），这种关系引起了人们对可能的一维电导率的关注，这种一维电导率可以看作是一种与超导起始温度Tc ~ 356 K唯一相关的性质。
2010-01-19 cond-mat.supr-con
Logarithmic divergence of normal state resistivity of bipolaronic high-$T_{c}$ cuprates
随机势中带电玻色子（小双极化子）的共振维格纳散射导致了在几种铜氧化物中观察到的几何发散的低温电阻率。定量描述了$La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$的电阻率和霍尔效应在宽温度范围内的温度依赖性，为高$T_{c}$铜酸盐中$La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$荷电玻色液体提供了证据。
1996-10-08 cond-mat.supr-con
Antagonistic in-plane resistivity anisotropies from competing fluctuations in underdoped cuprates
欠掺杂铜氧化物中各向异性电子态的主要表现之一是面内电阻率各向异性$Δρ\equiv(ρ_{a}-ρ_{b})/ρ_{b}$。在这里，我们使用玻尔兹曼方程的方法来计算的贡献$Δρ$所产生的各向异性的电荷和自旋波动，这已被最近观察到的实验散射。虽然在电荷波动的各向异性表现在相关长度，自旋波动的各向异性只出现在结构因子。结果表明，自旋涨落有利于$Δρ>0$，而电荷涨落促进$Δρ<0$，这与在YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{7}$中观察到的$Δρ$的掺杂依赖性一致.我们还讨论了CuO链在这些材料中所起的作用，并提出了在应变HgBa $_{2}$ CuO $_{4}$和Nd $_{2}$ CuO $_{4}$直接探测不同的电阻率各向异性制度的传输实验。
2015-09-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Upper critical field in electron-doped cuprate superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$: two-gap model
本文测量了不同无序度的Nd $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜（$δ$）在高达90 kOe的磁场中的上临界场（H $_{c2}$）相图随温度（T）的变化.这些数据很好地描述了一个两带/两个间隙模型的超导体在肮脏的限制。
2012-12-26 cond-mat.supr-con
c-Axis Transport and Resistivity Anisotropy of Lightly- to Moderately-Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} Single Crystals: Implications on the Charge Transport Mechanism
测量了高质量La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}（LSCO）单晶在轻掺杂到中等掺杂区域（x = 0.01到0.10）的面内和面外电阻率（ρ_{ab}和ρ_{c}），并确定了电阻率各向异性。在所研究的所有样品中，各向异性比ρ c/ρ ab随温度的降低而迅速增大，而在非超导样品中，强烈的局域化效应使ρ c/ρ ab在低温下减小。最值得注意的是，在中等温度（100 - 300 K）下，ρ c/ρ ab几乎完全与非超导区（x = 0.01 - 0.05）的掺杂无关，这表明使c轴跳跃率重正化的电荷限制机制在x = 0.01时起作用。讨论了ρ_{c}/ρ_{ab}的这种显著的x无关性与空穴形成富空穴区的自组织网络的观点是一致的，这也解释了轻掺杂区中空穴的异常金属面内输运。此外，x > 0.05的数据表明，超导电性的出现与c轴耦合的增加有关。
2002-03-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Upper critical field from normal state fluctuations in Bi$_2$Sr$_2$CuO$_{6+δ}$
系统地研究了外延生长的Bi $_2$ Sr $_2$ CuO $_{6+δ}$薄膜的面内磁电阻随掺杂的变化。轨道磁导被用来提取交叉场线$H_{c2}^*(T)$的波动制度。这个字段被发现在很好的协议，从电阻率数据低于$T_c$获得的上临界场，并表现出类似的向上弯曲，从而指向存在一个临界相关长度。关于电阻过渡的性质的后果进行了讨论。
2006-06-02 cond-mat.supr-con
Simple model for the linear temperature dependence of the electrical resistivity of layered cuprates
本文认为层状铜氧化物的电阻率是由CuO_2面间电场的热涨落引起的。模型评估采用一组单独的平面电容器，每个平面电容器的面积等于平面内晶格常数a_0^2的平方。结果表明，面内电阻率rho_ab是由导电CuO_2面内电荷涨落引起的载流子散射引起的。这种机制可以被视为Rayleigh蓝天定律的模拟--载流子被电子密度的热波动散射。
2000-01-04 cond-mat.stat-mech cond-mat.supr-con
Disorder and transport in cuprates: weak localization and magnetic contributions
我们报道了欠掺杂YBaPDMATHABMM $_{3}$ O $_{6.6} $和过掺杂TlPDMATHABMM BaPDMATHABMM CuO $_{6+x}$单晶的电阻率测量结果，其中CuO $_{2}$平面中的缺陷浓度由电子辐照控制。对于大的缺陷含量，在两种情况下都观察到电阻率的低$T$上升。在Tl化合物中，电导率的降低与弱局域化理论所预期的一致。相反，在$_{2}$、$_{3}$ O $_{6.6}$中，低T对电阻率的贡献与缺陷含量成正比，并且可能与近藤式自旋翻转散射项有关。这将与无自旋缺陷引起的磁性的结果是一致的。
2001-02-16 cond-mat.supr-con
Role of two-dimensional electronic state in superconductivity in La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
我们测量了各向异性压力下La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$的面外电阻率$ρ_c$。c轴压缩使$ρ_c$减小，使$T_{\rm c}$急剧减小，而c轴拉伸使$ρ_c$增大，使$T_{\rm c}$从环境压力下的38K增大到8GPa下的51.6K。我们发现，$T_{\rm c}$尺度的变化是$ρ_c$的函数，c轴压力系数远大于ab轴压力系数。这意味着$T_{\rm c}$主要取决于中间层，而不是在平面内，晶格参数。
1999-10-04 cond-mat.supr-con
Dynamic critical properties of the vortex-glass transition derived from angular-dependent properties of La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ films
我们提出了高品质的La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4-δ}$膜的电阻率数据测量中施加的磁场为1 T在一个角度$δ$的c轴。利用这些数据，可以研究磁场方向和有效质量各向异性对涡旋玻璃化转变的影响。$δ$的变化为一个固定的大小的磁场，使我们能够调查的关键属性的兴趣，包括2D到3D的交叉和3D涡旋玻璃流体的转变，随着温度的降低。这些数据很好地描述了各向异性超导体的直流电阻率的标度理论在一个角度$δ$施加到c轴的磁场。这种缩放包括接近涡旋玻璃化转变和处于涡旋玻璃化转变的临界性质。主要结果包括：（i）零场Kosterlitz无相变的证据，以及（ii）当温度降低到零场转变温度以下时，在H=1 T处的2D到3D交叉，导致D = 3的涡旋流体到涡旋玻璃化转变，其特征在于动态临界指数$z\approx 5.7$。
2000-12-13 cond-mat.supr-con
Fermi arcs as a visible manifestation of pair level of negative-U centers
在这里，我们考虑的可能性，费米弧观察到的ARPES实验结果的价带电子与负U中心（NUC）的相互作用下形成的掺杂下相邻的Cu阳离子对在CuO 2平面。这种相互作用导致了两粒子的杂化和费米围线上能隙的消失。此外，电子向NUC的跃迁导致自由空穴载流子的产生。在正常状态下，只有这些载流子而不是掺杂的感应电荷提供导电。
2009-09-03 cond-mat.supr-con
Percolative Superconductivity in Electron-Doped Sr$_{1-x}$Eu$_{x}$CuO$_{2+y}$ Films
采用反应分子束外延技术在SrTiO $_3$（001）衬底上外延生长了宽掺杂范围的电子掺杂无限层Sr $_{1-x}$ Eu $_{x}$ CuO $_{2+y}$薄膜。单晶样品的面内输运测量显示了以$x$ $\sim$ 0.15为中心的圆顶形无结超导相，费米液体行为和低温电阻率的显著上升。我们发现，电阻率的上升遵循平方根温度依赖性，这表明通过三维渗流过程的超导性的出现。通过低温扫描隧道显微镜对超导相和金属相之间的电子相分离进行成像，在光谱上证实了超导的超导性。此外，我们可视化的间隙和顶端的氧阴离子，迅速增加的数量为$x>$ 0.12，并阐明其对超导性和正常状态的电阻率的影响。
2022-05-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A metallic phase in lightly doped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ observed by electron paramagnetic resonance
在La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$中，在$x$的低掺杂范围（0.01 ~ 0.06），研究了窄的电子顺磁共振谱线。这条线不同于已知的宽线，两者都是由于探测Mn $^{2+}$离子。窄线归因于材料中的金属区域，并且当冷却到低于$\sim$ 150 K时，其强度呈指数增加。计算得到的激活能$Δ$ = 460（50）K与用Raman和中子散射方法在掺杂超导体系中得到的结果基本一致。窄EPR线的强度遵循与轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$单晶中的电阻率各向异性相同的温度依赖性。
2003-10-07 cond-mat.supr-con
Numerical Study of Charge Transport of Overdoped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ within Semiclassical Boltzmann Transport Theory
高温氧化物超导体La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$ [LSCO]的面内电阻率显示出随着掺杂在过掺杂区域中向最佳方向减少而在温度上呈线性贡献的强烈增长。这个线性项是非费米液体行为的标志。我们发现，在电阻率的线性项的外观可以出现在半经典玻尔兹曼输运理论，它使用重整化准粒子散射率和经验能带结构适合ARPES数据LSCO。线性化玻尔兹曼方程的数值求解离散的布里渊区的方式，最适合费米表面的几何形状。很好地再现了反常温度依赖性发展的主要趋势。考虑到我们选择的中等至弱的值，电阻率的大小被大大低估，以使现场排斥保持在单圈重整化群近似中。分析扩展到塞贝克系数与数据中的主要趋势类似的协议。
2013-01-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evolution of the resistivity anisotropy in Bi_{2}Sr_{2-x}La_{x}CuO_{6+δ} single crystals for a wide range of hole doping
To elucidate how the temperature dependence of the resistivity anisotropy of the cuprate superconductors changes with hole doping, both the in-plane and the out-of-plane resistivities (ρ_{ab} and ρ_{c}) are measured in a series of high-quality Bi_{2} Sr_{2-x} La_{x} CuO_{6+δ} (BSLCO) single crystals for a wide range of x (x = 0.23 - 1.02), which corresponds to the hole doping per Cu, p, of 0.03 - 0.18. The anisotropy ratio, ρ_{c}/ρ_{ab}, shows a systematic increase with decreasing p at moderate temperatures, except for the most underdoped composition where the localization effect enhances ρ_{a…
2002-11-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic Phase Diagram of High-T_c Cuprate Superconductors from a Mapping of the In-Plane Resistivity Curvature
基于面内电阻率数据的电阻率曲率成图（ResistivityCurvatureMapping，RCM）是客观绘制高T_c铜氧化物电子相图的有效方法。特别地，伪间隙交叉线可以方便地由RCM确定。我们显示了通过RCM获得的Bi_{2} Sr_{2-z} La_{z} CuO_{6+δ}、La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}和YBa_{2} Cu_{3} O_{y}的实验相图，并证明了假间隙交叉的普遍性质。有趣的是，RCM描绘的接近最佳掺杂的电子交叉似乎发生得相当突然，这表明量子临界区域（如果存在的话）一定非常窄。
2004-11-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Manifestations of fine features of the density of states in the transport properties of KOs2O6
我们进行了高品质的KOs 2 O 6，β-烧绿石超导体单晶的高压输运测量。虽然高温下的电阻率可能接近饱和，但在低温下没有饱和的迹象，直到超导相。异常电阻率伴随着热电功率（TEP）的非金属行为，温度至少为700 K，也表现出一个宽的驼峰，在60 K的最大值。压力主要影响低能电子激发。一个简单的带模型的基础上增强态密度在一个狭窄的窗口周围的费米能量（EF）解释了这种非常规行为的主要特点，在输运系数和它的演变压力。
2007-05-10 cond-mat.supr-con
High-pressure effects on single crystals electron-doped r$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$
我们提出了高压金刚石对顶砧室同步辐射X射线，电阻率，和交流磁化率测量电子掺杂的铜酸盐Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4}$的压力比以前报道的高得多。在2.72 GPa下，在88 ~ 98 GPa范围内，最佳掺杂Pr $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO的超导相T的$^\prime$相\cite{Tprime}转变为绝缘相T.剩余的2-12 $%$ T $^\prime$相的T $_{c}$在约14 GPa下从22 K连续抑制到18.5 K。值得注意的是，过掺杂Pr $_{1.83}$ Ce $_{0.17}$ CuO $_{4}$的T $_{c}$即使在32 GPa下也几乎保持不变。电子掺杂的铜酸盐的这种行为与空穴掺杂的铜酸盐的行为形成对比，对于空穴掺杂的铜酸盐，TPDMATHABMU首先随着施加的压力而显著增强。
2013-01-09 cond-mat.supr-con
From non-metal to strange metal at the stripe-percolation transition in La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$
本文通过La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$各向异性电阻率测量和模拟，提出$p^\ast\sim0.19$处从掺杂莫特绝缘体到常规金属的一级相变及条纹逾渗转变，并解释奇异金属的$T$线性电阻率源于关联团簇内反铁磁自旋涨落对相干准粒子的散射。
2024-04-18 cond-mat.supr-con
Doping dependence of the nonlinear Hall resistivity in electron-doped Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4 \pm δ}$
本文系统研究电子掺杂铜氧化物PCCO薄膜中霍尔电阻率的非线性磁场依赖，发现负的$B^{3}$项在最佳掺杂附近最强，并借助双载流子模型揭示类电子载流子密度更高而类空穴载流子迁移率更大。
2024-10-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Freezing of stripes in lightly-doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} as manifested in magnetic and transport properties of untwinned single crystals
利用电阻率和磁化强度测量研究了轻掺杂La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}中AF畴界的横向滑移。我们讨论，这是冻结的横向边界运动是负责的外观的“自旋玻璃”功能在低温下。
2003-04-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin-charge interplay in antiferromagnetic La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ studied by the muons, neutrons, and ARPES techniques
探索自旋密度波（SDW）是否是高温超导铜氧化物中电荷激发能隙的原因是困难的，因为磁性明显暴露的相图区域与能带色散可见的区域不同。一方面，当掺杂从下面接近2%时，长程磁序消失，阻碍了我们进行弹性中子散射（ENS）的能力。另一方面，当掺杂接近2%以上时，铜酸盐在低温下变得绝缘，从而限制了角分辨光电子能谱（ARPES）。事实上，掺杂低于3%的样品的ARPES数据是罕见的，并且在能量分布曲线（EDCs）中缺少准粒子峰。主要问题是极低掺杂样品的高电阻率，这是有害的ARPES由于充电效应。尽管如此，La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$的电阻率作为温度的函数，在2%掺杂下，在100 K左右具有宽的最小值。这个最小值为两个实验打开了一个窗口。通过制备一系列具有$\sim $ 0.2-0.3%掺杂步骤（约2%）的LSCO单晶，我们设法找到了两种技术都适用的一种。这使我们能够探索材料的磁性和电子特性之间的串扰。
2014-02-27 cond-mat.supr-con
Influence of Disorder on the Hall Effect in Bi$_2$Sr$_2$CuO$_{6+δ}$
测量了单层化合物Bi $_2$ Sr $_2$ CuO $_{6+δ}$的面内电阻率和霍尔系数。与Bi $_2$ Sr $_2$ CaCuO $_{6+δ}$和Bi $_2$ Sr $_2$ CaCuO $_{8+δ}$相比，霍尔系数$R_H$偏离高温线性行为和霍尔角的温度依赖性都仅弱地依赖于掺杂。这是在矛盾与以前的建议，横向运输检测形成的非相干库珀对的赝能隙状态。相反，使用现象学的角度依赖的散射率的数据的分析清楚地允许区分欠掺杂和过掺杂状态，我们建议，在$R_H(T)$的最大值简单地出现由于一个大的各向同性散射率和各向异性的温度依赖的组合。
2007-02-14 cond-mat.supr-con
Charge dynamics of Ca_{2-x}Na_{x}CuO_{2}Cl_{2} as a correlated electron system with the ideal tetragonal lattice
我们报道了Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}（CNCOC）的反射率和电阻率测量结果。CNCOC的面内光导谱的掺杂依赖性与其他铜酸盐的掺杂依赖性定性相同，但CNCOC与LSCO之间略有差异，即，CNCOC中1.5eV峰的缺失可归因于CNCOC中较小的电荷条纹不稳定性。用双组分模型（Drude+Lorentzian）和单组分模型（扩展Drude分析）分析了CNCOC的光学电导率谱的温度依赖性。后者的分析给出了一个普遍的趋势的散射率γ（ω）掺杂。研究还发现，γ（Ω）在高频下表现出饱和行为，其原因与高温下电阻率饱和的原因相同。
2004-08-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic temperature dependence of normal state resistivity in underdoped region of a layered electron-doped superconductor Nd2-xCexCuO4
本文研究了电子掺杂Nd_（2-x）Ce_xCuO_4（x = 0.135 ~ 0.15）的面内和面外磁电阻率随温度的变化规律，分析了从欠掺杂区的反铁磁（AF）序到最佳掺杂区的超导（SC）序演化过程中的电输运各向异性。
2018-12-18 cond-mat.supr-con
Anisotropic magnetotransport of superconducting and normal state in an electron-doped Nd_{1.85}Ce_{0.15}CuO_{4-δ} single crystal
通过在高达12 T的磁场H中测量电阻率，研究了最佳掺杂的Nd_{1.85} Ce_{0.15} CuO_{4-δ}单晶在低于和高于临界温度Tc时的各向异性特性。通过标度超导转变附近的电导率涨落，确定了场平行于c轴或基底ab面时的上临界场H_{c2}（T）。各向异性因子γ={H_c2|| ab}/{H_c2|| c}估计约为8。在正常状态下（50=<T=<180 K），磁阻（MR）基本上遵循H^2依赖性，并且对于H|| c比H大10倍||AB.与空穴掺杂的铜氧化物超导体相比，最佳掺杂的Nd_{1.85} Ce_{0.15} CuO_{4-δ}铜氧化物超导体具有中等的各向异性。
2011-02-28 cond-mat.supr-con
Magnetism and Electrical Conduction in Lightly-Doped Single-Layer High-$T_c$ Cuprate $\mathrm{La}_2\mathrm{CuO}_{4+δ}$
Hokkaido University（北海道大学）；Muroran Institute of Technology（室兰工业大学）
通过对比不同掺杂水平的单层铜酸盐单晶，揭示轻掺杂La₂CuO₄+δ中Cu-O平面的本征磁性与电导特性，发现其反铁磁自旋关联在奈尔温度附近迅速发展。
2026-08-20 cond-mat.supr-con
Coherent Charge and Spin Density Waves in Underdoped HgBa$_{2}$CuO$_{4+δ}$
各种形式的自旋和电荷有序已被确定在广泛的铜酸盐超导材料，但这些行为是否是普遍存在的现象还没有建立。在这项工作中，我们专注于最简单的化合物之一，HgBa $_{2}$ CuO $_{4+δ}$（Hg 1201），超导体具有高的转变温度，97 K，只有一个单一的层和tetraorbital结构，在对比研究最广泛的材料之一，YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{6+y}$（Y 123）。利用核磁共振，我们发现了一个相干的空间调制的自旋和电荷是温度和磁场无关，在竞争与超导类似的其他铜酸盐。然而，没有证据表明在Y 123中观察到的磁场和温度感生电荷顺序。电子不稳定性是铜酸盐的一个共同特征，就像目前对Hg 1201的研究一样，但它们的表现并不普遍。
2016-03-29 cond-mat.supr-con
Two-dimensional weak localization effects in high temperature superconductor Nd{2-x}Ce{x}CuO{4-d}
A systematic study of the resistivity and Hall effect in single crystal Nd{2-x}Ce{x}CuO{4-d} films (0.12 < x < 0.20) is presented, with special emphasis on the low-temperature dependence of the normal state conductance. Two-dimensional weak localization effects are found both in a normally conducting underdoped sample (x = 0.12) and in situ superconducting optimally doped (x = 0.15) or overdoped (x = 0.18) samples in a high magnetic field B > B{c2}. The phase coherence time and the effective thickness of a CuO{2} conducting layer {d} (~ 1.5 A) have been estimated by fitting 2D weak localizatio…
1999-12-01 cond-mat.supr-con
Oxidation annealing effects on the spin-glass-like magnetism and appearance of superconductivity in T*-type La$_{1-x/2}$Eu$_{1-x/2}$Sr$_x$CuO$_4$ (0.14 $\leq x \leq$ 0.28)
我们研究了烧结态（AS）和氧化退火（OA）T* 型La $_{1-x/2}$ Eu $_{1-x/2}$ Sr $_x$ CuO $_4$（LESCO）（$\leq x \leq$为0.14 $\leq x \leq$ 0.28）的磁性和超导电性，通过首次综合μ子自旋旋转/弛豫（$μ$ SR）、磁化率和电阻率测量。在OA超导样品中，没有观察到磁有序的证据，而AS半导体样品在$\sim$ 4 K和$\sim$ 8 K之间的测量温度范围内表现出无序磁状态的证据。因此，在LESCO的基态急剧变化与氧化退火和磁相竞争存在的超导（SC）相。AS LESCO中的磁相对Sr掺杂是相当稳健的，而SC相随着$x$的增加而退化。SC转变温度从$x$ = 0.14中的24.5 K单调降低到$x$ = 0.28中的9.0 K，表明在$x$ $\sim$ 0.34处SC相消失。此外，我们澄清的同时发展的（准）静态磁性和电阻率在低温下的AS样品，这表明通过抑制载流子迁移率的磁性诱导。由于退火的磁性的变化进行了讨论，从结构缺陷的观点，这是以前报道的中子衍射测量。
2019-06-12 cond-mat.supr-con
Magneto-transport measurements on Nd$_{1.83}$Ce$_{0.17}$CuO$_{4\pmδ}$ thin films
采用直流溅射法在不同气氛下在（10 0）SrTiO $_3$衬底上制备了Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4\pmδ}$（NCCO）外延薄膜。在纯氩气氛和氧气气氛下生长的样品，其低温面内电阻率随温度的变化规律不同。此外，还发现了一个不寻常的行为时，运输发生在一个外部磁场的存在。人们普遍认为，NCCO晶体电池相对于空穴掺杂的YBCO和LSCO的更高的各向异性特性以及主要局限于CuO $_2$平面内的导电性，强烈支持该系统中的电流输运的二维（2D）特征。结果的电阻的温度依赖性，以及对磁阻和霍尔系数，获得外延NCCO薄膜中的过掺杂区域（$x\ge0.15$）的相图的结果，并进行了讨论。
2016-04-13 cond-mat.supr-con
Angular Dependent Spectral-Weight Transfer and Evidence for Symmetry Broken In-Plane Charge Response in Ca$_{1.9}$Na$_{0.1}$CuO$_2$Cl$_2$
本文报道了用电子能量损失谱研究Ca $_{1.9}$ Na $_{0.1}$ CuO $_2$ Cl $_2$的能量和动量依赖的电荷响应。沿着布里渊区（BZ）的对角线，我们发现了一个等离子体峰-表明在这个动量区域中存在金属态-这是由于电荷转移（CT）间隙中的激发产生的大量光谱重量转移而出现的，并且是在BZ的这一部分中用光电发射观察到的小费米口袋或弧的两粒子表现。相反，沿[100]方向的光谱几乎完全由CT激发主导，这让人想起绝缘母体化合物。我们认为，所观察到的极化相关的光谱形状是暗示的基础tetraxos晶格对称性的破坏，可能是由于波动的电荷通道的顺序。此外，我们发现等离子体激元带宽被抑制相比，最佳掺杂的铜酸盐。
2012-09-21 cond-mat.supr-con
Manifestations of multiple-carrier charge transport in the magnetostructurally ordered phase of undoped BaFe$_2$As$_2$
研究了BaFe $_2$ As $_2$单晶在BaAs粉末退火前后的输运性质。退火显著地改善了输运性质，特别是剩余电阻率的大小，其降低超过10倍。从对解孪晶晶体的电阻率测量中，我们发现退火后面内电阻率的各向异性显著减小，这表明在磁结构转变温度$T_{\rm s}$以下具有各向同性和高迁移率的载流子对电荷输运的主要贡献以及在$T_{\rm s}$以上不存在双稳态。我们发现，霍尔电阻率对磁场表现出很强的非线性，磁阻在低温下变得很大。这些结果为在$T_{\rm s}$以下的有序相中表现出具有不同特征的多个载体提供了证据。通过分析磁场依赖性，我们发现至少有三个载流子对有序相的电荷输运贡献相等，这与最近的量子振荡测量结果很好地吻合。
2011-11-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex glass scaling in Pb-doped Bi2223 single crystal
本文报道了在垂直于CuO面的磁场作用下，用面内电阻率测量方法研究了掺Pb Bi-2223单晶中的涡旋液体。在超导转变的上部，在低于Tc时，我们发现了类似Arrhenius的电阻率行为。随着温度的进一步降低，电阻率开始接近电阻率，电阻率显示幂律依赖于温度信号接近涡旋玻璃化转变。临界指数nu（z-1）=4.6 ± 0.5在实验误差范围内与场无关。给出了确定掺Pb Bi-2223单晶临界电流非零区的磁相图。
2009-09-03 cond-mat.supr-con
One-electron scattering rate and normal-state linear-$T$ resistivity of the cuprates
在这里，我们使用的电荷$c$费米子和自旋中性复合双自旋$s1$费米子的剩余相互作用方面的非常弱的三维单轴各向异性扰动的正方形晶格上的哈伯德模型中包含的电子关联的描述。与实验中观察到的具有临界浓度$x_c\approx 0.05$和$x_*\approx 0.27$的空穴掺杂铜氧化物的各向异性线性-$ω$单电子散射率和正常状态线性- $T$电阻率的定量一致。我们的结果提供了强有力的证据，正常状态下的线性- $T$电阻率是低温标度不变物理的表现。
2010-04-08 cond-mat.supr-con
Unusual T_c variation with hole concentration in Bi_2Sr_{2-x}La_xCuO_{6+δ}
我们研究了掺La的Bi 2201系统中$_2$随空穴浓度$_x$的变化。发现Bi 2201系统不遵循其它高$T_c$铜氧化物超导体（HTSC）中观察到的$T_c$和$p$系统。$T_c$对$p$的特性与在Zn掺杂的HTSC中观察到的特性非常相似。在面内电阻率中的异常大的剩余电阻率分量表明，电荷载流子的强潜在散射体驻留在CuO $_2$平面中，并且负责与$p$的不寻常的$T_c$变化，如在Zn掺杂的系统中。然而，与Zn掺杂的HTSC相反，Bi 2201系统中的强散射可能是Cu位中的空位。
2000-01-24 cond-mat.supr-con
Thermopower across the pseudogap critical point of La(1.6-x)Nd(0.4)Sr(x)CuO(4): Evidence for a quantum critical point in a hole-doped high-Tc superconductor
测量了高温超导体La（1.6-x）Nd（0.4）Sr（x）CuO（4）在赝能隙临界点附近的热电势S与温度T的函数关系。在p* 之上，S/T随温度的十年变化为ln（1/T）。在p* 以下，S/T在T* 以下经历大幅增加。与电阻率的温度依赖性一样，电阻率在p* 以上是线性的，在T* 以下经历大的上升，这些是量子相变的典型特征。这表明p* 是一个量子临界点，低于这个临界点，就会出现某种有序，从而导致费米面的重构，而费米面的涨落可能是导致线性T电阻率和对数热电势的原因。我们讨论的可能性，这种秩序是已知存在于这种材料中的“条纹”秩序。
2008-12-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Enhancement of the superconducting critical temperature in Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ by controlling disorder outside CuO$_2$ planes
研究了CuOPDMATHABMM面外不同晶格位置的无序对铜酸盐超导体Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$（Bi 2212）的超导临界温度$T_c$的影响。最有效的障碍原来是在Sr网站在相邻的块，其中包含顶端氧原子。Sr位无序减少了$T_c$，并且还在面内电阻率中产生了残余分量（$ρ_0$），发现其幅度与$T_c$减少的幅度成比例。我们表明，$T_c$ -降解速率和$ρ_0$减少的CuO $_2$平面的数目增加的单位电池，也就是说，作为相邻的SrO块的数目减少。在Bi基铜酸盐的实际晶体中，无序的主要来源是Bi原子随机占据Sr位。我们已经成功地尽可能多地降低了Sr位处的Bi含量，并实现了$T_c$ = 98 K，这是Bi 2212中的高$T_c$记录。
2009-04-17 cond-mat.supr-con
Tunable superconductivity in parent cuprate Pr$_{2}$CuO$_{4\pmδ}$ thin films
本文研究了氧在聚合物辅助沉积法制备的Pr $_{2}$ CuO $_{4\pmδ}$薄膜中的作用。系统地研究了Pr $_{2}$ CuO $_{4\pmδ}$样品的磁电阻和霍尔电阻。结果表明，随着氧含量的降低，样品的低温霍耳系数（$R_H$）和磁电阻由负变正，与R $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4}$（R= La，Nd，Pr，Sm，Eu）中Ce掺杂浓度的增加相似.此外，Pr $_{1-x}$ LaCe $_{x}$ CuO $_{4}$和Pr $_{2}$ CuO $_{4\pmδ}$样品的$T_c$与$R_H$可以彼此一致。我们的结论是由氧的去除诱导的掺杂电子负责的超导电性的$T^\prime$相母体化合物。
2018-07-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Transport signatures of the pseudogap critical point in the cuprate superconductor Bi$_2$Sr$_{2-x}$La$_x$CuO$_{6+δ}$
在正常状态下测量了五个铜酸盐超导体Bi $_2$ Sr $_{2-x}$ La $_x$ CuO $_{6+δ}$的输运系数，通过施加足够大的磁场（高达66 T）来抑制超导性。测量了两种过掺杂单晶的电阻率、霍耳系数、热导率、塞贝克系数和霍耳热导率，La浓度分别为$x = 0.2$（$T_{\rm c}=18$ K）和$x = 0.0$（$T_{\rm c}=10$ K）。样品的掺杂$p$非常接近赝能隙相结束的临界掺杂$p^{\star}$。电阻率与温度呈线性关系，其斜率与普朗克耗散一致。霍尔数$n_{\rm H}$随着$p$的降低而降低，这与载流子密度从高于$p^{\star}$的$n = 1+p$下降到低于$p^{\star}$的$n=p$一致。$n_{\rm H}$的这种下降伴随着从先前的NMR奈特位移测量推断的状态密度的急剧下降。热导率满足Wiedemann-Franz定律，表明$T = 0$中的赝能隙相是一种金属，其费米激发像传统电子一样携带热量和电荷。塞贝克系数在低温下会发生几何发散，这是量子临界性的标志。霍尔热导率在低温下变为负值，表明声子在赝能隙相中是手征的。考虑到在其他非常不同的铜酸盐中观察到这些相同的性质，我们的研究为这五个特征的普适性提供了强有力的证据。
2021-09-18 cond-mat.supr-con
Deviation from the Wiedemann-Franz law induced by nonmagnetic impurities in overdoped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}
为了研究无序金属铜氧化物中Wiedemann-Franz（WF）定律的有效性，对一系列杂质取代和载流子过掺杂的La_{1.8} Sr_{0.2} Cu_{1-z} M_zO_4（M = Zn或Mg）单晶的低温电荷和热输运性质进行了详细的研究.当掺杂浓度为z = 0.049和0.082（M = Zn）时，电阻率在低温下表现出明显的金属特性，并证实了WF定律的有效性。随着杂质浓度增加到z = 0.13（M = Zn）或0.15（M = Mg），电阻率显示低T上升，但其温度依赖性表明在T \to 0极限中的有限电导率。在这种弱局域化的金属状态，是故意实现在过掺杂的制度，{ \it负}偏离WF定律，这是相反的理论预期。
2009-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous dissipation in the mixed state of underdoped cuprates close to the superconductor-insulator boundary
本文比较研究了Bi $_2$ Sr $_2$ CuO $_{6+δ}$和La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_4$欠掺杂样品的能斯特效应和电阻率。能斯特效应在H-T图的电阻率显示非金属温度依赖性的区域中呈现峰值。我们的研究结果表明，在低掺杂铜酸盐的混合状态的耗散机制是知之甚少。大的量子超导波动和消失的涡旋粘性是对超导体-绝缘体边界附近能斯特信号增强的解释。
2002-12-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
