Interior contacts in a narrow quantum Hall bar: a two-dimensional self-consistent screening calculation of the current distribution
Atlas University Vocational School(阿特拉斯大学职业学院)
该研究通过二维自洽屏蔽计算,揭示了窄量子霍尔棒中内部接触在磁场变化下的三种状态,并阐明了隔离电阻的机制及其对参数的敏感性。
2026-10-02 cond-mat.mes-hall
Josephson current via an isolated Majorana zero mode
本文研究了$s$波与拓扑超导体结中的平衡直流约瑟夫森电流。从$s$波超导引线的库珀对可以通过结附近的未成对马约拉纳零模或通过上述间隙连续态转移到拓扑侧。我们发现,马约拉纳贡献的超电流可以打开时,在传统的铅的时间反演对称性被打破,例如,通过外部施加的磁场诱导塞曼分裂。此外,如果磁场有一个分量的方向上的有效自旋轨道场,将有一个马约拉纳诱导的异常超导电流在零相位差。这种行为可以作为马约拉纳零模式的签名特征,并且可以访问仅具有超导接触的设备。
2021-02-08 cond-mat.mes-hall
Aluminum Single Electron Transistors with Islands Isolated from a Substrate
比较了传统平面结构和新型叠层结构单电子晶体管(静电计)的低频噪声系数。我们观察到的电荷噪声和晶体管岛的接触面积与位于同一芯片上的一组Al晶体管的电介质基板之间的相关性,并具有几乎相似的电参数。我们已经发现,接触面积越小,晶体管的噪声电平越低。f = 10 Hz时的最低噪声值为8* 10 E-6 e/sqrt(Hz)。在具有与衬底完全隔离的岛的堆叠晶体管中测量。我们的测量已经明确地表明,背景电荷波动的主要来源是与介电基板
1999-12-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Paths to collapse for isolated skyrmions in few-monolayer ferromagnetic films
磁性Skyrmions是具有手性Dzyaloshinskiiii-Moriya相互作用(Dzyaloshinskiii-Moriya interaction,简称DZ-M)的材料中的拓扑自旋构型,其对于存储或处理信息具有潜在的用途。到目前为止,已经发现,在一些散装材料,但也可以在原子薄的磁性薄膜与表面接触,大自旋轨道相互作用诱导。最近的实验报告说,孤立的磁性skyrmions可以稳定,甚至在室温附近的几个原子厚的磁性层夹在材料之间,提供不对称的自旋轨道耦合。在这里,我们提出了三种不同的机制的skyrmion崩溃的最小能量路径分析,从头算输入和进行原子自旋模拟的基础上。我们专注于稳定的skyrmion在三个原子层的Co,无论是外延的Pt(111)表面上,或在一个混合多层膜,其中cnondrivially变化,由于不同的cnondrivially之间的竞争,从两侧的Co膜的破坏。在横向有限的系统中,其约束的几何形状导致不良的热稳定性的skyrmion走向崩溃的边界处,我们表明,通过设计的高的扩展膜内的结构与较低或没有的热稳定性解决。
2017-04-26 cond-mat.mes-hall
Connective neck evolution and conductance steps in hot point contacts
本文研究了Al和Pb机械可控断裂结在偏压V_b高达几百mV时,电极连续接近过程中连接颈的动态演化。收缩区的高功率耗散(10^-4 - 10^-3 W)和高电流密度(j > 10 ^10 A/cm ^2)导致接触区过热、电迁移和电流增强的原子扩散出“热点”。在较低的电极接近速率(10 - 50 μ m/s)下,颈部的横向尺寸和结的电导与V_b有关,在10 - 30 nm的接近距离内几乎保持不变。当V_b > 300 mV时,连接颈仅由少数原子组成,电导的量子性质表现为两个或多个能级之间的突变和可逆跳跃。这些特征与不断变化的个别电导通道的数目有关,这是由于颈部的原子构型的连续重排、原子在亚稳态之间的反复运动、孤立的单原子接触的形成和破裂以及能量上优选的颈部几何形状之间的切换。
2001-12-10 cond-mat.mes-hall
Contact Research Strategy for Emerging Molybdenum Disulfide and Other Two-Dimensional Field-effect Transistors
近年来,过渡金属二硫属化合物(TMD)的二维层状半导体结构得到了广泛的分离、合成和表征。许多2D材料由于其高迁移率和表现出的带隙而被确定为未来薄膜技术的沟道材料的潜在候选者。虽然许多TMD场效应晶体管(FET)已经被广泛展示,并取得了重大进展,以清楚地了解器件物理,在金属/半导体界面的大接触电阻仍然是一个挑战。从二维器件研究的角度来看,如何最大限度地减小肖特基势垒对接触的影响,从而降低二维材料上金属的接触电阻,是该领域进一步发展的关键。在这里,我们提出了一个审查的接触研究二硫化钼和其他TMD场效应晶体管的基本理解的金属-半导体界面上的二维材料。一个明确的二维半导体材料的接触研究策略,为未来的高性能二维场效应晶体管与积极规模化的尺寸。
2014-10-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Simple Model for Energy and Force Characteristics of Metallic Nanocontacts
在自由电子模型中计算了孤立和与电极接触的金片和金属丝的能量性质和拉伸力的量子尺寸振荡。费米能量和方势阱深度之间的一个简单的关系,并测试低维系统。结果表明,考虑到电子子系统的平板(或线)在接触作为开放的,接触的行为就像一种电子泵,吸或泵出电子从样品。考虑了接触电势差对弹性力振荡的影响。力振荡的振幅的计算结果与实验观察到的结果定性一致。
2003-10-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Edge Magnetoplasmons in Quantum Hall Line Junction Systems
一个量子霍尔线结系统由一个一维的Luttinger液体(LL)和两个手征通道,允许密度波入射和反射的LL分别进行测量。我们证明了量子霍尔线结系统中的相互作用可以通过研究边缘磁等离子体吸收谱及其偏振依赖性来探测。结中的强相互作用导致在Luttinger液体或接触子系统中隔离的集体模式。
2005-07-10 cond-mat.mes-hall
Electrostatic splitting of an Edge Magnetoplasmon Resonator
Laboratoire de Physique de l’Ecole normale supérieure, ENS, Université PSL, CNRS, Sorbonne Université, Université Paris Cité(巴黎高等师范学院物理实验室,ENS,巴黎文理研究大学,法国国家科学研究中心,索邦大学,巴黎西岱大学)
本文研究嵌入边磁等离激元谐振器的量子点接触的效应,结合直流与射频测量证实多种量子霍尔态特征,通过静电栅控确定相关参数,提出与实验吻合的几何模型。
2026-09-07 cond-mat.mes-hall
Contact-Governed Macroscopic Signatures of Strain-Induced Valley Sorting in MoS$_2$ Field-Effect Transistors
BITS Pilani, Dubai Campus(印度理工学院比拉尼校区迪拜分校)
本研究通过将量子谷偏转张量嵌入宏观输运模型,揭示应变诱导谷排序效应在MoS₂晶体管中主要由金属接触界面决定,而非体区,并提出了谷拓扑接触电阻及逆长度标度律,为二维材料谷电子学器件设计提供指导。
2026-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Quantum Effects in Coulomb Blockade
本文综述了受限于量子点的电子相互作用系统中的量子干涉效应。本文首先介绍了孤立的量子点。讨论了量子点单电子态的随机矩阵理论(RMT)的现状,给出了与RMT相容的相互作用哈密顿量的普遍形式,并导出了对普遍相互作用哈密顿量的主要修正.接下来,我们讨论一个理论描述的一个点连接到引线通过点接触。在建立了描述这种开放系统的理论框架之后,我们讨论了它的输运和热力学性质。我们回顾的演变的输运性质的增加的接触电导从小的值到值$\sim e^2/π\hbar$。在输运的讨论中,重点讨论了介观涨落和电导中的近藤效应。
2001-10-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Inducing Superconducting Correlation in Quantum Hall Edge States
量子霍尔(QH)效应支持二维电子气(2DEG)系统边界处的一组手征边缘态。超导体(SC)接触这些状态诱导的准粒子在无耗散的一维手征QH边缘态的关联。当超导电极比超导相干长度窄时,入射电子与出射空穴通过Andreev过程沿手征边缘态关联。为了实现这种交叉Andreev转换(CAC),需要制备高透明的纳米尺度超导结。在这里,我们报告的观察CAC在石墨烯QH系统与纳米结构的NbN超导电极接触。超导电极边缘态的化学势呈现符号反转,为CAC提供了直接证据。这种混合SC/QH系统是一种新的途径,创造孤立的非阿贝尔任意零模,在共振的手征QH边缘。
2016-09-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con